背景二氧化硅薄膜具有硬度大、防腐蝕性、耐潮濕性和介電性能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，因此二氧化硅薄膜在半導(dǎo)體行業(yè)中可以用作器件的保護(hù)層、鈍化層、隔離層等。 PECVD即等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法是借助微波或射頻
2020-09-29 15:07:21
9585 我們提出了一種觀察鋁層蝕刻截面的方法，并將其應(yīng)用于靜止蝕刻蝕刻的試件截面的觀察。觀察結(jié)果成功地闡明了蝕刻截面幾何形狀的時(shí)間變化，和抗蝕劑寬度對幾何形狀的影響，并對蝕刻過程進(jìn)行了數(shù)值模擬。驗(yàn)證了蝕刻截面的模擬幾何形狀與觀測結(jié)果一致，表明本數(shù)值模擬可以有效地預(yù)測蝕刻截面的幾何形狀。
2021-12-14 17:12:053667 
是在集成電路制造的一個(gè)基本步驟。Mat和Looney~研究了二氧化硅在高頻溶液中的蝕刻速率作為濃度、溫度、氧化物生長過程和溶液攪拌的函數(shù)。 ? 介紹 稀釋度高頻解中的平衡點(diǎn) ?在稀高頻溶液中，高頻=H++F([3]HF+F-=；對于平衡常數(shù)(反應(yīng)r~和r2的1和K2，其值分別為6.8510 4 工具
2021-12-31 11:08:013593 
（干法刻蝕硅）17、 RIE SiO2 （干法刻蝕二氧化硅）18、 RIE Si3N4 （干法刻蝕氮化硅）19、 RIE Al、AlN、Ti、TiN （干法刻蝕金屬，包括干法刻蝕鋁、干法刻蝕氮化
2015-01-07 16:15:47
二氧化碳傳感器通常是利用紅外輻射的方式進(jìn)行測量。由于二氧化碳對2.7、4.35和14.5波段處紅外線有強(qiáng)烈的吸收，并且考慮到2.7和14.5兩個(gè)吸收帶都易受到水汽吸收的影響，因此通常選擇4.35處
2016-09-14 22:32:30
方法，由于它們通常不僅僅對一種氣體組成度敏感.所以其精度很低且漂移量較大.與化學(xué)二氧化碳傳感器相比，光學(xué)測量儀器有許多優(yōu)點(diǎn)，但其昂貴的價(jià)格也確時(shí) 二氧化碳傳感器應(yīng)用原理 隨著全球氣候的變暖，使得各個(gè)國家在
2015-01-07 11:42:07
二氧化碳傳感器有哪些類型比較好的，跪求大神指導(dǎo)?。。。。。。。?！
2017-05-02 18:54:09
二氧化碳濃度檢測在生活環(huán)境、植物栽培以及文物、檔案保護(hù)方面越來越多的被大家重視起來。今天讓工采網(wǎng)技術(shù)工程師來介紹一下這些應(yīng)用場合可選擇的二氧化碳傳感器有哪些？一、二氧化碳傳感器在樓宇控制中
2018-10-09 14:32:28
的二氧化碳進(jìn)行光合作用，二氧化碳是近乎所有植物唯一的碳來源。圖源網(wǎng)絡(luò)二氧化碳最重要的生理作用在于為光合作用提供碳，因此空氣中二氧化碳的含量對植物的生長影響很大。研究還表明：低濃度的二氧化碳沒有
2020-07-20 17:26:30
二氧化碳(CO2)傳感器在工業(yè)，農(nóng)業(yè)，國防，醫(yī)療衛(wèi)生，環(huán)境保護(hù)，航空航天等許多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用目前二氧化碳傳感器的種類很多，就其原理米分有熱導(dǎo)式，密度計(jì)式、輻射吸收式、電導(dǎo)式，化學(xué)吸收式
2015-01-08 11:40:01
傳感器。 二氧化碳傳感器具有通訊和自診斷功能、安裝維護(hù)方便，典型的智能化現(xiàn)場監(jiān)測儀表的先進(jìn)性能得到了充分的展理，極大的滿足了工業(yè)現(xiàn)場安全監(jiān)測對設(shè)備高可靠性的要求?！ ?b class="flag-6" style="color: red">二氧化碳傳感器采用進(jìn)口電化學(xué)
2015-01-06 11:54:50
二氧化碳分析儀的原理：該儀器屬于電調(diào)制非分光式(NDIR)紅外線氣體分析器，其工作原理是基于不同種類的氣體對紅外線的選擇 性吸收效率不同。儀器采用單光源、單管隔半氣室及先進(jìn)的檢測器，工藝精湛、分析精度高、穩(wěn)定性好。采用先進(jìn)的數(shù)字處理技術(shù)，全新的液晶顯示畫面。
2012-02-01 13:56:05
STACO2-2400-01是由慧感嘉聯(lián)自主研發(fā)的全新一代有源二氧化碳監(jiān)控標(biāo)簽，采用進(jìn)口NDIR紅外氣體傳感器和微控制技術(shù)，響應(yīng)速度快，測量精度高，穩(wěn)定性和重復(fù)性好。在該標(biāo)簽中，慧感嘉聯(lián)采用了創(chuàng)新性
2022-10-20 17:53:21
[img][/img]二氧化碳爆破加熱器中加熱電子元件叫什么有誰知道是什么
2016-07-15 17:32:17
煤層封孔二氧化碳爆破設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域本機(jī)器新型涉及煤礦鉆孔封堵爆裂技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及煤層封孔二氧化碳爆破設(shè)備。?背景技術(shù)詐要爆破目前仍是煤礦開采的方法之一。詐要爆破威力大、作用猛，是典型的明伙爆破。但明
2020-07-25 07:52:31
`二氧化鈦是一種高折射率材料，適于電子槍蒸鍍，膜層致密，牢固，抗化學(xué)腐蝕。可分為白色和黑色。顏色的不同主要因?yàn)樯a(chǎn)環(huán)境的因素，白色是在大氣中燒結(jié)而成的，而黑色是在真空中燒結(jié)而成。在試用中，黑色比白色
2018-11-20 10:03:19
AOE刻蝕氧化硅可以，同時(shí)這個(gè)設(shè)備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規(guī)的刻蝕氣體都有，但是過去用的ICP，還沒有用過AOE刻蝕硅，請哪位大佬指點(diǎn)一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
沙中含有25%的硅，是地殼中第二多元素，在經(jīng)過氧化之后就成為了二氧化硅，在沙，尤其是石英中二氧化硅的含量非常高，這就是制造半導(dǎo)體的基礎(chǔ)。
2019-08-06 07:01:44
關(guān)于Cozir-CO2二氧化碳傳感器傳感器校準(zhǔn)操作記錄情況描述近期調(diào)試cozir-CO2二氧化碳傳感器，剛接觸是卻不知道如何進(jìn)行校準(zhǔn)，在他人的指導(dǎo)下 ，逐漸明白校準(zhǔn)過程，這里做個(gè)記錄，方便日后查看
2022-01-20 07:01:02
工藝條件下制備出的二氧化硅介質(zhì)膜，這其中的二氧化硅屬于單質(zhì)類化合物介質(zhì)膜?！扳g化”意味著一個(gè)物理化學(xué)過程，一個(gè)為了避免周圍環(huán)境氣氛和其他外界因素對半導(dǎo)體器件性能的影響而使管芯表面物化特性遲鈍化的工藝
2011-05-13 19:09:35
跪求MG811二氧化碳傳感器?。?！小生不勝感激?。Q962279960
2018-03-30 09:42:31
最近在做一個(gè)課設(shè)，題目內(nèi)容如下利用51單片機(jī)及二氧化碳濃度傳感器（NDIR紅外二氧化碳傳感器模塊 MH-Z14A）設(shè)計(jì)一個(gè)CO2濃度測量系統(tǒng)。系統(tǒng)能夠?qū)崟r(shí)采集飛機(jī)客艙內(nèi)的CO2濃度并顯示，測量范圍0-5000PPmLCD顯示濃度信息。由于對該傳感器不熟悉，及知識(shí)的匱乏，煩請各位大神給予技術(shù)支持！
2017-12-20 10:39:06
`（058）二氧化碳中毒、有害氣體中毒和輻射傷害等引發(fā)的嚴(yán)重后果，大家已經(jīng)很了解。而二氧化碳一旦中毒，死亡時(shí)間更快，傷亡更大，往往讓人措手不及。如果二氧化碳中毒嚴(yán)重的話，即使救回來，也可能是一個(gè)癡呆
2020-02-27 14:40:12
光刻膠層上形成固化的與掩模板完全對應(yīng)的幾何圖形；對光刻膠上圖形顯影，與掩模對應(yīng)的光刻膠圖形可以使芯層材料抵抗刻蝕過程；使用等離子交互技術(shù)，將二氧化硅刻蝕成與光刻膠圖形對應(yīng)的芯層形狀；光刻膠層
2018-08-24 16:39:21
STACO2-2400-01是由慧感嘉聯(lián)自主研發(fā)的全新一代有源二氧化碳監(jiān)控標(biāo)簽，采用進(jìn)口NDIR紅外氣體傳感器和微控制技術(shù)，響應(yīng)速度快，測量精度高，穩(wěn)定性和重復(fù)性好。在該標(biāo)簽中，慧感嘉聯(lián)采用了創(chuàng)新性
2022-03-24 16:55:46
，通過編寫液晶顯示界面，調(diào)用相關(guān)按鍵程序，選擇傳感器通道以及保存為U盤數(shù)據(jù)等功能?？驁D如圖1所示。圖1儀器設(shè)計(jì)框圖3傳感器選擇選擇了DYNAMENT公司的premier二氧化碳傳感器，此傳感器運(yùn)用非色散
2015-09-29 14:35:23
上下移動(dòng)晶圓舟的攪動(dòng)。有時(shí)超聲波或兆頻超聲波也用來去除氣泡。淀積氧化物濕法刻蝕晶圓上的最終膜層之一是一層在鋁膜上的二氧化硅鈍化膜。這些膜是蒸汽氧化或硅氧化膜。膜的化學(xué)成分是硅氧化物，它要求不同的刻蝕
2018-12-21 13:49:20
~+70°C (特定產(chǎn)品可低至-60°C)。化學(xué)反應(yīng)式陽極：Li → Li+ + e-陰極：2SO2 +e → S2O4整體：2Li + 2SO2 → Li2S2O4用途雖然鋰二氧化硫電池是以軍事應(yīng)用為
2014-08-18 10:30:58
減少二氧化碳排放是當(dāng)今汽車領(lǐng)域最熱門的話題。歐盟委員會(huì)最近宣布到2012年獲得更安全更環(huán)保汽車的路線圖。汽車消費(fèi)者購買方式中的明顯變化也證實(shí)，消費(fèi)者想要能滿足自己個(gè)人與專業(yè)需求的有最高燃料效能汽車
2019-11-08 08:00:06
盡管大多數(shù)二氧化碳傳感器采用紅外(IR)技術(shù)，但電化學(xué)傳感器因其靈敏度高、測量范圍廣且價(jià)格低廉等優(yōu)勢成為不可小覷的競爭對手之一。一般情況下，電化學(xué)傳感器通過一個(gè)偏置電流極低(＜1pA)的緩沖放大器
2018-11-12 16:18:15
成分。??水泥工業(yè)樣品??分析元素包括二氧化硅、氧化鋁、氧化鐵、氧化鈣、氧化鎂、K2O、Na2O、SO3、氯等。??鐵合金工業(yè)應(yīng)用??可以分析鐵合金工業(yè)中的各種樣品，如硅鐵、硅錳、硅鋁鋇鈣等。??玻璃
2020-11-10 15:19:16
`二氧化碳（carbon dioxide），化學(xué)式CO2。是空氣中主要成分之一，是常見的溫室氣體，一種氣態(tài)化合物，碳與氧反應(yīng)生成其化學(xué)式為CO2，一個(gè)二氧化碳分子由兩個(gè)氧原子與一個(gè)碳原子通過共價(jià)鍵
2018-08-15 16:21:21
在一個(gè)只有人類呼吸的、自給自足的封閉系統(tǒng)中，隨著時(shí)間的推移，二氧化碳濃度會(huì)逐漸積累到一個(gè)對人體有害的水平。 因此，在人類存在的任何形式的航天器中，需要執(zhí)行去除二氧化碳和再生氧氣的有效機(jī)制。由于不受
2019-07-18 22:58:15
本方案是一個(gè)基于 Arduino Nano RP2040 Connect，通過 Telegram 機(jī)器人顯示灰塵密度 (mg/m3) 和二氧化碳 (CO2) 密度 (ppm)的監(jiān)測系統(tǒng)。由于我患有
2021-11-18 17:58:40
畢業(yè)設(shè)計(jì)的題目，要求無線傳輸數(shù)據(jù)，距離大于1千米，監(jiān)測室外的二氧化碳濃度，求各位大神幫幫忙！
2017-04-12 13:11:37
第二個(gè)圖是二氧化碳傳感器的模塊，為什么總的電路圖顯示的是四個(gè)引腳，但是詳細(xì)模塊里面只有3個(gè)引腳
2017-06-03 15:39:21
采用硅基二氧化硅陣列波導(dǎo)光柵設(shè)計(jì)并制作了寬帶低串?dāng)_單纖三向器.為使三個(gè)波長間隔相差較大的輸出譜獲得相同的帶寬,在輸出波導(dǎo)與羅蘭圓交界采用了不同結(jié)構(gòu)的多模干涉器.二維有限差分束傳播法的模擬結(jié)果表明
2010-04-26 16:14:06
具體功能：①二氧化碳傳感器測得二氧化碳數(shù)據(jù)后經(jīng)過單片機(jī)處理，由LCD1602實(shí)時(shí)顯示，第一行顯示測得的濃度值，第二行顯示報(bào)警閾值；②可通過按鍵設(shè)置二氧化碳報(bào)警閾值；③測得的甲醛濃度在正常范圍時(shí)，綠燈亮，超過報(bào)警閾值時(shí)，紅燈亮，蜂鳴器響，開始聲光報(bào)警。
2021-07-14 08:27:12
具體功能：①二氧化碳傳感器測得二氧化碳數(shù)據(jù)后經(jīng)過單片機(jī)處理，由LCD1602實(shí)時(shí)顯示，第一行顯示測得的濃度值，第二行顯示報(bào)警閾值；②可通過按鍵設(shè)置二氧化碳報(bào)警閾值；③測得的甲醛濃度在正常范圍時(shí)，綠燈
2021-07-20 07:24:36
在網(wǎng)上看了MG811二氧化碳的資料，里面規(guī)格表里說明輸出信號是30~50mv，可是為什么靈敏度曲線輸出信號可以超過200mv；另外根據(jù)能斯特方程推導(dǎo)二氧化碳的濃度與輸出電勢之間的關(guān)系與按照靈敏度曲線推導(dǎo)出來的關(guān)系不一樣！請大神們解答，第一次使用MG811二氧化碳傳感器，有些疑問。在此謝謝各位了……
2015-04-30 11:05:18
就能對層上的特定部分進(jìn)行選擇性地移除。在有的情況中，罩的材料為光阻性的，這和光刻中利用的原理類似。而在其他情況中，刻蝕罩需要耐受某些化學(xué)物質(zhì)，氮化硅就可以用來制造這樣的“罩”?！案煞ā保ǖ入x子）刻蝕用于
2017-10-09 19:41:52
一、傳感器概述DS-CO2-20 是一款基于非分散紅外吸收原理（NDIR）的數(shù)字式二氧化碳濃度傳感器，可連續(xù)采集并計(jì)算單位體積內(nèi)空氣中的二氧化碳濃度，并以通用數(shù)字接口形式輸出。本傳感器可嵌入各種
2022-11-02 14:02:40
一層Si02二氧化硅。Si02二氧化硅為絕緣材料，但有雜質(zhì)和特殊處理的Si02二氧化硅有一定的導(dǎo)電性。六、上光刻膠光刻膠和以前照相的膠片一個(gè)道理。Wafer上光刻膠，要求薄而平整。七、刻蝕線路，研磨
2019-09-17 09:05:06
有沒有二氧化碳傳感器的程序！
2012-12-10 22:23:14
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:07 編輯
要測一下室內(nèi)的二氧化碳濃度想用TGS4160，但好像很貴，誰知道具體要多少錢？網(wǎng)上看的價(jià)錢參差不一如果還有其他什么好的二氧化
2012-10-18 12:55:45
使用化石燃料和其他工業(yè)過程導(dǎo)致大氣中溫室氣體的積聚。自1896年以來，已知這些氣體（二氧化碳，甲烷和一氧化二氮）助于阻止地球的紅外輻射逃逸到太空，正是這個(gè)維持了地球相對溫暖的溫度。問題是可測量的水平
2017-07-07 09:41:07
沼氣發(fā)電的原理是什么？甲烷傳感器和二氧化碳傳感器在食品加工廠中的應(yīng)用是什么？
2021-06-25 15:42:04
大氣中的二氧化碳是我們?nèi)祟愖顬榱畠r(jià)和環(huán)保的一種可再生能源。日前來自中國合肥國家物理科學(xué)實(shí)驗(yàn)室的研究小組開發(fā)出了一種由鈷制成的新型納米材料，可以將二氧化碳?xì)怏w轉(zhuǎn)化為一種稱為甲酸鹽的清潔燃料。 研究
2016-01-21 10:48:39
`石灰石二氧化硅化驗(yàn)儀器設(shè)備系列 石灰石二氧化硅化驗(yàn)儀器設(shè)備系列 英特儀器測試石灰石硅含量儀器，檢測石英砂二氧化硅的設(shè)備，化驗(yàn)石灰石二氧化硅的設(shè)備，石英砂硅鐵檢測儀，化驗(yàn)石灰石硅設(shè)備英特儀器
2021-03-11 11:24:18
原文來源：簡述二氧化硫試驗(yàn)機(jī)的操作方法 小編：林頻儀器 二氧化硫試驗(yàn)機(jī)是利用二氧化硫氣體對材料或是產(chǎn)品進(jìn)行加速腐蝕試驗(yàn)的設(shè)備，能夠重現(xiàn)材料或產(chǎn)品在一定時(shí)間范圍內(nèi)遭受到的破壞程度。該設(shè)備可以用
2016-09-05 16:11:15
納米二氧化鈦在鋰電池正極材料中的應(yīng)用一， 納米二氧化鈦摻雜后電化學(xué)性能均明顯優(yōu)于未摻雜樣品的性能。這歸于在LiCoO2表面摻雜電化學(xué)性能相對穩(wěn)定的納米二氧化鈦（VK-T30D）后, 一方面降低
2014-05-12 13:48:13
二氧化鈦（同VK-T20Q）與鋁粉混合顏料或納米二氧化鈦（同VK-T20Q）包覆的云母珠光顏料添加于涂料中，其涂層能產(chǎn)生神秘而富有變幻的隨角異色效應(yīng)，主要是因?yàn)楫?dāng)入射光射到納米二氧化鈦（同VK-T20Q
2011-11-12 09:57:35
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
面臨劣勢，這必然對汽車生產(chǎn)商的業(yè)績造成較大的影響。我們可以通過成本效益分析確定成功降低二氧化碳排放量需要付出的努力。本文提出了一些二氧化碳減排建議，并特別關(guān)注了當(dāng)今機(jī)動(dòng)車中沒有實(shí)現(xiàn)基于需求控制的輔助
2018-12-07 10:15:04
二氧化碳傳感器模塊用于密閉大棚種植CO2濃度檢測
2020-12-01 07:05:22
紅外吸收型CO2氣體傳感器的原理是什么基于STM32的便攜式二氧化碳監(jiān)測儀設(shè)計(jì)
2021-03-11 06:58:58
鋰二氧化錳電池的反應(yīng)機(jī)理不同于一般電池，在非水有機(jī)溶劑中，負(fù)極鋰溶解下的鋰離子通過電解質(zhì)遷移進(jìn)入到MnO2的晶格中，生成MnO2（Li+）。Mn由+4價(jià)還原為+3價(jià)，其晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生變化。
2020-03-10 09:00:32
二氧化硅/特氟龍AF包層光纖 二氧化硅/特氟龍AF包層光纖兼具超高數(shù)值孔徑，高強(qiáng)度及寬帶光譜傳輸?shù)忍匦浴Ｒ蚱淇梢姽夤庾V保真度高（源色不變黃），所以它是硼硅酸鹽光纖的替代品(硼硅酸鹽光纖要求
2021-10-20 15:12:35
無水二氧化硅 (ASI) 單模光纖 這些光纖可使用丙烯酸酯涂層和高性能聚酰亞胺，鋁，金涂層等，使他們能夠超過普通標(biāo)準(zhǔn)光纖的溫度性能水平。說明：Fiberguide的ASI單模光纖用于
2021-10-21 10:19:43
Fiberguide全二氧化硅光纖 這些光纖可以被涂上各種聚合物或 金屬涂層，獲得最大溫度性能。說明：Fiberguide的硅芯/硅包層/聚合物包層光纖主要用于需要在單根或成束
2021-10-21 16:33:21
大包層全二氧化硅光纖 這些光纖在100μm - 400μm的纖芯范圍內(nèi)具有固定的500μm包層直徑，使激光對準(zhǔn)和拼接更容易，同時(shí)有更低的焦比退化。較大的600μm和800μm的纖芯會(huì)使
2021-10-21 16:54:41
此款XKONG祥控二氧化碳檢測儀是我司依照工業(yè)級設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)研發(fā)生產(chǎn)的一款防爆型二氧化碳?xì)怏w濃度檢測儀表，可直接安裝在危險(xiǎn)區(qū)域的 1 區(qū)和 2 區(qū)使用；極大
2023-03-27 17:44:11
以界面勢壘對碳納米管(CNT)場發(fā)射的影響為研究目的，在硅襯底上引進(jìn)很薄的二氧化硅層，以二氧化硅層作為絕緣勢壘，然后在二氧化硅界面層上直接生長CNT，來研究二氧化硅絕緣勢
2010-03-05 14:07:36
14 準(zhǔn)備工作的最后一道工序是在二氧化硅層上覆蓋一個(gè)感光層。這一層物質(zhì)用于同一層中的其它控制應(yīng)用。這層物質(zhì)在干燥時(shí)具有很好的感光效果，而且在光刻蝕過程結(jié)束之后，能夠通過化學(xué)方法將其溶解并除去。
2018-04-03 14:12:001787 二氧化碳（carbon dioxide），化學(xué)式CO2。是空氣中主要成分之一，是常見的溫室氣體，一種氣態(tài)化合物，碳與氧反應(yīng)生成其化學(xué)式為CO2，一個(gè)二氧化碳分子由兩個(gè)氧原子與一個(gè)碳原子通過共價(jià)鍵構(gòu)成
2019-06-13 14:43:531752 反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個(gè)剝離的例子。總的來說，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768523 摘要：在半導(dǎo)體制造工藝的濕法刻蝕中，用熱磷酸刻蝕氮化硅和氮氧化硅是其中一個(gè)相對復(fù)雜又難以控制的工藝。在這個(gè)工藝中，熱磷酸刻蝕后的去離子水（ＤＩＷ）清洗更是一個(gè)非常重要的步驟。主要分析了由于去離子水
2020-12-29 14:36:072510 
在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點(diǎn)是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來進(jìn)行
2020-12-29 14:42:588547 
四十五所作為國內(nèi)最大的濕化學(xué)設(shè)備供應(yīng)商之一，其設(shè)備涵蓋了半導(dǎo)體制造幾乎所有的濕化學(xué)制程，包括：金屬刻蝕、深硅刻蝕、二氧化硅刻蝕、RCA清洗、酸洗、有機(jī)清洗、去膠、顯影、去蠟、制絨、高溫側(cè)腐、電鍍等。
2021-02-01 11:16:355172 
二氧化氯發(fā)生器是由釜式反應(yīng)器通過耐酸導(dǎo)管和水射式真空機(jī)組組成的，一種操作簡單、高轉(zhuǎn)化率、高純度、多用途、環(huán)保型化學(xué)法中、小型二氧化氯多級發(fā)生器。
2021-10-01 17:24:008792 俗稱泡花堿，是一種水溶性硅酸鹽，其水溶液俗稱水玻璃，是一種礦黏合劑。其化學(xué)式為R2O·nSiO2，式中R2O為堿金屬氧化物，n為二氧化硅與堿金屬氧化物摩爾數(shù)的比值，稱為水玻璃的摩數(shù)。建筑上常用
2021-10-18 16:13:431091 。 二氧化硫氣體的（化學(xué)式為SO2）是最常見、最簡單的硫氧化物。二氧化硫也是無色氣體，有強(qiáng)烈刺激性氣味，是大氣主要污染物之一。 二氧化硫的形成原因是什么? 大多的二氧化硫都是因?yàn)閷虻V石的冶煉、對化石燃料的燃燒、或
2021-12-10 14:39:33562 二氧化硅它是屬于光纖的主要制作材料
2021-12-21 15:30:059547 電流的極端規(guī)模集成。在這個(gè)過程中，固相氮化硅(Si3N4)層在部分二氧化硅(SiO2)沉積中起到掩模的作用。通過這種沉積，形成了由數(shù)百個(gè)交替堆疊的Si3N4和二氧化硅原子層組成的垂直堆疊結(jié)構(gòu).Si3N4掩模必須在程序結(jié)束時(shí)去除，通常通過熱化學(xué)蝕
2021-12-28 16:38:085460 
磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高溫下已被使用多年來蝕刻對二氧化硅(二氧化硅)層有選擇性的氮化硅(Si3N4)。生產(chǎn)需要完全去除Si3N4，同時(shí)保持二氧化硅損失最小。批量晶片清洗的挑戰(zhàn)是如何保持Si3N4對二氧化硅的高蝕刻選擇性，以獲得更長的槽壽命。
2022-02-15 11:25:592557 
性，單片濕法刻蝕法是一種有用的技術(shù)。其進(jìn)一步推進(jìn)應(yīng)得到理論計(jì)算的支持。 因此，在我們之前的研究中開發(fā)了使用單晶片濕法蝕刻機(jī)進(jìn)行二氧化硅膜蝕刻的數(shù)值計(jì)算模型。首先，通過水流可視化獲得旋轉(zhuǎn)晶片上的整個(gè)水運(yùn)動(dòng)，并進(jìn)行評估
2022-03-02 13:58:36751 
緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 由于這一過程中所涉及的酸具有很高的健康風(fēng)險(xiǎn)，建議用戶使用在執(zhí)行工藝之前，請仔細(xì)閱讀材料安全數(shù)據(jù)表。
2022-03-10 16:43:35798 
近十年來，濕化學(xué)法制備超薄二氧化硅/硅和超薄二氧化硅/硅結(jié)構(gòu)的技術(shù)和研究取得了迅速發(fā)展。這種結(jié)構(gòu)最重要是與大尺寸硅晶片上氧化物層的均勻生長有關(guān)。
2022-03-11 13:57:22828 
）、掃描電子顯微鏡（SEM）和光致發(fā)光（PL）光譜進(jìn)行表征，以允許對它們的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行檢查。XRD結(jié)果表明，當(dāng)薄膜在不同的氫氮濃度下刻蝕不同的時(shí)間時(shí)，ZnO的強(qiáng)度降低。上述觀察歸因于氧化鋅的溶解
2022-04-24 14:58:20930 
我們測量了硅化物膜(CoSi2、NiSi2、TiSi2和WSi)的濺射刻蝕速率，并研究了離子能量的依賴性，發(fā)現(xiàn)它們與二氧化硅薄膜的相對濺射刻蝕速率幾乎與濺射離子能量無關(guān)，從相對濺射蝕刻速率和計(jì)算
2022-05-07 15:41:461126 
介紹 硅或二氧化硅已被用作犧牲層來制造獨(dú)立式結(jié)構(gòu)，例如微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)中的梁、懸臂和隔膜。傳統(tǒng)的含水HF已經(jīng)廣泛用于蝕刻二氧化硅犧牲層，因?yàn)樗杀镜土Ｈ欢?，?dāng)具有高縱橫比的結(jié)構(gòu)在含水
2022-05-23 17:01:43948 
當(dāng)應(yīng)用于硅(Si)、玻璃和其他材料時(shí)，二氧化硅(SiO2)涂層提供介電層或鈍化層，用于半導(dǎo)體、MEMS、生物醫(yī)學(xué)、儲(chǔ)能設(shè)備和其他應(yīng)用的晶片類型。
2022-07-26 14:56:261236 堿金屬、堿土金屬氧化物的不同含量，又分為： 1、石英玻璃 石英玻璃的二氧化硅含量大于99.5%，其熱膨脹系數(shù)低、耐高溫、化學(xué)穩(wěn)定性好、透紫外光和紅外光、熔制溫度高、粘度大、成型較難。石英玻璃多用于半導(dǎo)體、電光源、光導(dǎo)通
2022-08-01 10:01:311670 
濕法刻蝕也稱腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術(shù)。其中，各向同性 （Isotropic）濕法刻蝕常用的腐蝕劑是由氫氟酸（HF）、硝酸（ HNO3）和乙酸（CH3COOH）組成的混合物
2022-10-08 09:16:323581 源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層，利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長，僅在曝露出硅的源漏極區(qū)域?qū)崿F(xiàn)外延生長。
2022-11-29 16:05:151708 濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料，達(dá)到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
2023-02-10 11:03:184085 刻蝕有三種:純化學(xué)刻蝕、純物理刻蝕，以及介于兩者之間的反應(yīng)式離子刻蝕（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45:072586 有機(jī)物、金屬等雜質(zhì)及蒸發(fā)殘留的水分。清潔完成后就可以將晶圓置于800至1200攝氏度的高溫環(huán)境下，通過氧氣或蒸氣在晶圓表面的流動(dòng)形成二氧化硅（即“氧化物”）層。氧氣
2022-07-10 10:27:31965 
：使用特定的化學(xué)溶液進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)來去除氧化膜的濕法刻蝕，以及使用氣體或等離子體的干法刻蝕。1、濕法刻蝕使用化學(xué)溶液去除氧化膜的濕法刻蝕具有成本低、刻蝕速度快和生產(chǎn)率高
2022-07-12 15:49:251454 
刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383915 硅（Si）、二氧化硅（SiO2）、鍺（Ge）等。其中，硅是最為常見和廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料之一。 硅是地殼中非常豐富的元素之一，它具有較高的化學(xué)穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性和機(jī)械性能，因此硅材料具有廣泛的應(yīng)用前景。硅晶體的晶體結(jié)構(gòu)為鉆
2024-02-04 09:46:07458 碳傳感器的分類及其工作原理。 二氧化碳傳感器可以根據(jù)其傳感原理的不同分為以下幾類： 1. 電化學(xué)傳感器： 電化學(xué)傳感器是利用電化學(xué)反應(yīng)來檢測環(huán)境中二氧化碳濃度的傳感器。最常見的電化學(xué)傳感器是基于氧化還原反應(yīng)的傳感器。
2024-03-06 14:58:46227 刻蝕機(jī)的刻蝕過程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24471 
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