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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>單晶片背面和斜面清潔(上)

單晶片背面和斜面清潔(上)

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2022-02-22 16:01:08905

《華林科納-半導體工藝》單晶硅清洗工藝

摘要 提供了一種用于半導體晶片清潔操作的系統(tǒng)。清潔系統(tǒng)具有頂蓋和底蓋。頂蓋密封在晶片的頂面接觸環(huán)上,底蓋密封在晶片的底面接觸環(huán)上。文章全部詳情:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁晶片保持在頂蓋和底蓋之間。邊緣
2022-02-24 13:41:20862

清洗半導體晶片的方法說明

)和第二槽(138)中;晶片在第二槽(138)中處理后,將晶片從第二槽(138)中取出,文章全部詳情:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁使晶片保持濕潤狀態(tài)。在將晶片之一轉(zhuǎn)移到單個晶片清潔模塊150中的夾盤上的同時旋轉(zhuǎn)夾盤,同時將化學溶液施加到晶片上;將去離子水涂
2022-02-28 14:56:03927

單片晶圓清洗干燥性能評估的結(jié)果與討論

介紹 單晶片清洗工具正在成為半導體行業(yè)取代批量工具的新標準。事實上,它們成功地提高了清潔性能(工藝均勻性、缺陷率、產(chǎn)量)和工業(yè)方面的考慮(周期時間、DIW 消耗、環(huán)境)。 盡管如此,單晶圓/批量工具
2022-02-28 14:58:45314

單晶片清洗中分散現(xiàn)象對清洗時間的影響

摘要 硅晶片制造涉及許多濕法工藝,其中液體分布在整個晶片表面。在單晶片工具中,流體分配是至關重要的,它決定了清潔過程的均勻性。研究了沖洗流中的流體動力學和化學傳輸,結(jié)果表明在沖洗時間的一般分析中必須
2022-03-01 14:38:07330

濕法清洗系統(tǒng)對晶片表面顆粒污染的影響

摘要 研究了泵送方法對晶片清洗的影響。兩種類型的泵,例如隔膜泵和離心泵,用于在濕浴和單晶片工具中循環(huán)和供應用于晶片清潔的去離子水。清洗研究表明,泵送方法對清洗性能有很大影響。實驗研究表明,在 MLC
2022-03-02 13:56:46521

高效晶圓背面清潔工藝顯得尤為重要

兆聲波增強了較小和較大顆粒尺寸的顆粒去除。99% 的 PRE 值是通過使用稀釋的 HF/SC1 化學物質(zhì)和通過使用 SC1 增加兆聲波功率而獲得的。如果需要,單晶片清潔系統(tǒng)允許在正面分配 DIW,以在將化學物質(zhì)施加到背面時最大限度地減少晶片器件側(cè)的化學接觸。蝕刻速率測試證實沒有化
2022-03-03 14:17:11664

半導體工藝之單晶清潔工藝

接觸層是器件與鋁或銅互連之間的第一個金屬(通常是鎢)連接層。根據(jù)器件類型(CMOS、存儲器、光子器件)和技術節(jié)點,觸點圖案化正在不斷發(fā)展以提高性能。在接觸清潔步驟中,由于金屬或敏感材料暴露于清潔
2022-03-04 15:06:38825

關于晶片背面的薄膜蝕刻法說明

隨著半導體技術的發(fā)展,為了在有限的面積內(nèi)形成很多器件,技術正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展,要想形成多層結(jié)構(gòu),將形成比現(xiàn)有的更多的薄膜層,這時晶片背面也會堆積膜。如果在背面有膜的情況下進行batch方式的潤濕工序
2022-03-28 15:54:481282

濕法清洗過程中晶片旋轉(zhuǎn)速度的影響

噴涂工具、或單晶片旋轉(zhuǎn)工具。在批量浸漬工具中,與其他濕法加工工具相比,存在由水槽中晶片之間的顆粒轉(zhuǎn)移引起的交叉污染問題。批量旋轉(zhuǎn)噴涂工具用于在生產(chǎn)線后端(BEOL)進行蝕刻后互連清洗。
2022-04-08 14:48:32585

單晶晶片的超聲輔助化學蝕刻

用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1,2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22362

一種用濕式均勻清洗半導體晶片的方法

本發(fā)明公開了一種用濕式均勻清洗半導體晶片的方法,所公開的本發(fā)明的特點是:具備半導體晶片和含有預定清潔液的清潔組、對齊上述半導體晶片的平坦區(qū)域,使其不與上述清潔組的入口相對、將上述對齊的半導體晶片浸入
2022-04-14 15:13:57605

GaN單晶晶片的清洗與制造方法

作為用于高壽命藍色LD (半導體激光器)、高亮度藍色LED (發(fā)光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片,通過hvpe (氫化物氣相)生長法等進行生長制造出了變位低的自立型GaN單晶晶片。GaN
2022-04-15 14:50:00510

晶片的化學蝕刻工藝研究

拋光的硅片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先,通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片),然后進行稱為研磨的平整過程,該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機械損傷通過蝕刻是本文的重點。在準備用于器件制造之前,蝕刻之后是各種單元操作,例如拋光和清潔
2022-04-28 16:32:37670

使用單晶片自旋處理器的背面清潔研究

在這項研究中,我們?nèi)A林科納使用經(jīng)濟特區(qū)單晶片自旋處理器開發(fā)了一種單一背面清潔解決方案,能夠通過蝕刻晶片背面的幾埃來去除任何金屬或外來污染物,無論其涂層如何(無涂層、Si3N4或SiO2)。選擇H2O
2022-05-06 14:06:45339

用于光刻膠去除的單晶片清洗技術

本文的目標是討論一種新技術,它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權衡。 將開發(fā)濕化學抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結(jié)合,導致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術的發(fā)展。 該技術針對
2022-05-07 15:11:11621

SAPS兆頻超聲波技術應用于TSV晶片的刻蝕后清洗工藝

,F(xiàn)IB-SEM用于評估鍍銅性能,TSV泄漏電流圖和電壓斜坡介電擊穿(VRDB)作為主要電氣可靠性指標,也用于評估清潔效果,測試結(jié)果表明,兆聲能量可以傳播到TSV的底部,與傳統(tǒng)的單晶片噴淋清洗相比,經(jīng)過SAPS清洗的晶片表現(xiàn)出明顯的電學性能提高。
2022-05-26 15:07:03701

單晶片背面斜面清潔(下篇)

高級應用 在正面具有對損壞敏感的關鍵結(jié)構(gòu)的應用中,例如對于32nm柵極多晶硅(AR5:1)圖案化的晶片,該 系統(tǒng)可以被設置為無損壞地清潔。這是通過修改背面化學噴嘴和配方配置,并保持正面干燥來實現(xiàn)
2022-06-27 17:04:27746

不同的濕法晶片清洗技術方法

雖然聽起來可能沒有極紫外(EUV)光刻那么性感,但對于確保成功的前沿節(jié)點、先進半導體器件制造,濕法晶片清洗技術可能比EUV更重要,這是因為器件的可靠性和最終產(chǎn)品的產(chǎn)量都與晶片清潔度直接相關,因為晶片要經(jīng)過數(shù)百個圖案化、蝕刻、沉積和互連工藝步驟。
2022-07-07 16:24:231578

晶片的清洗技術

摘要 隨著越來越高的VLSIs集成度成為商業(yè)實踐,對高質(zhì)量晶片的需求越來越大。對于表面上幾乎沒有金屬雜質(zhì)、顆粒和有機物的高度潔凈的晶片來說,尤其如此。為了生產(chǎn)高清潔度的晶片,有必要通過對表面雜質(zhì)行為
2022-07-11 15:55:451026

晶片的酸基蝕刻:傳質(zhì)和動力學效應

拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(晶片),然后是一個稱為拍打的扁平過程,包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經(jīng)準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584

全球首個100毫米的單晶金剛石晶圓研發(fā)成功

運用異質(zhì)外延工藝,Diamond Foundry以可擴展的基底制造單晶金剛石,這是一項前所未有的技術突破。過去已有技術用于生產(chǎn)金剛石晶片,但這些晶片基于壓縮金剛石粉末制備,缺乏單晶金剛石的特性。
2023-11-10 16:04:03857

什么是單晶硅光伏板?單晶硅光伏板優(yōu)缺點

單晶硅光伏板是一種基于單晶硅材料制造的太陽能光電設備,常用于太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中。單晶硅光伏板由多個單晶硅太陽能電池片組成,每個電池片都被覆蓋在透明的防反射玻璃上,并使用鋁框架進行支撐和保護。
2023-11-29 09:46:061006

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