在自然界中sio2二氧化硅的存在是非常廣泛的，本內(nèi)容解釋了sio2是什么意思，sio2的物理性質(zhì)是什么，讓大家充分了解sio2
2011-12-13 10:41:13
20242 引言 化學(xué)蝕刻是通過(guò)與強(qiáng)化學(xué)溶液接觸來(lái)控制工件材料的溶解。該過(guò)程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學(xué)腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這項(xiàng)研究中，銅在50℃用兩種
2021-12-29 13:21:462088 
摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點(diǎn)，并研究了SiQ的蝕刻反應(yīng)作為高頻溶液中不同物種的函數(shù)?；贖F二聚體的存在，建立了一種新的SiO~蝕刻機(jī)制模型， SiQ在高頻溶液中的溶解
2021-12-31 11:08:013593 
摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時(shí)，需要對(duì)化學(xué)蝕刻劑有基本的了解，以實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確定蝕刻速率和圖案定義對(duì)正
2022-01-07 15:07:481129 
、鐵(III)氯離子濃度、溶解鋁濃度對(duì)蝕刻電路質(zhì)量和蝕刻速率的影響。蝕刻系統(tǒng)允許在制備和電路處理中發(fā)生合理的變化，而不嚴(yán)重影響蝕刻電路的質(zhì)量。對(duì)蝕刻劑的控制可以在廣泛的溫度和成分范圍內(nèi)保持。 介紹 在印刷電路工業(yè)中，化學(xué)蝕刻
2022-01-07 15:40:121194 
引言 用電化學(xué)和原子力顯微鏡方法對(duì)有機(jī)酸與銅的相互作用進(jìn)行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機(jī)酸、二有機(jī)酸和三有機(jī)酸中銅的蝕刻速率和氧化機(jī)理。除了草酸的鈍化性能外，其他
2022-01-13 14:02:461841 
摘要 本文從晶體生長(zhǎng)科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動(dòng)力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢(shì)壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數(shù)量級(jí)。對(duì)金剛石晶體結(jié)構(gòu)的分析表明，晶面
2022-01-25 13:51:111721 
為了闡明蝕刻殘留物的形成機(jī)理，研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響，我們發(fā)現(xiàn)在氧的存在下，蝕刻殘留物形成良好，這表明蝕刻殘留物是由氧和非揮發(fā)性乳化硅化合物的反應(yīng)
2022-05-06 15:49:501012 
以形成非球面表面。 我們使用 100 525 μm的硅晶片，在正面上具有1 μm的SiO2掩模，在背面上具有保護(hù)性的氮化物層。用于整個(gè)過(guò)程的蝕刻劑是85℃的33重量%的KOH:H2O溶液。 我們?cè)O(shè)計(jì)了許多
2022-05-11 14:49:58712 
引言 正在開(kāi)發(fā)化學(xué)下游蝕刻(CDE)工具，作為用于半導(dǎo)體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對(duì)CDE的要求包括在接近電中性的環(huán)境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕刻率是由含NF”和0的混合物的等離子體放電分解
2022-06-29 17:21:423346 
、 合金化6、 單面光刻（涂膠、對(duì)準(zhǔn)、曝光、顯影）7、 雙面光刻8、 LPCVD Si3N4 （氮化硅）9、 LPCVD POLY（多晶硅）10、 a-Si （非晶硅）11、 PECVD SiO2 （氧化
2015-01-07 16:15:47
濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過(guò)程，該過(guò)程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見(jiàn)的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
光澤浸漬處理 是一種對(duì)金屬表面輕微咬蝕，使呈現(xiàn)更平滑光亮者，其槽液濕式處理謂之。 7、Chemical Milling 化學(xué)研磨 是以化學(xué)濕式槽液方法，對(duì)金屬材料進(jìn)行各種程度的腐蝕加工，如表面粗化
2018-08-29 16:29:01
PCB，電路板，基板上面如何出現(xiàn)電路呢？這就要蝕刻來(lái)實(shí)現(xiàn)。所謂蝕刻，先在板子外層需保留的銅箔部分，也就是電路的圖形部分，在上面預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層，一層
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過(guò)程分為兩類(lèi)：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡(jiǎn)要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
連續(xù)再生循環(huán)使用，成本低。 2.蝕刻過(guò)程中的主要化學(xué)反應(yīng)在氯化銅溶液中加入氨水，發(fā)生絡(luò)合反應(yīng)：CuCl2＋4NH3 →Cu(NH3)4Cl2在蝕刻過(guò)程中，板面上的銅被[Cu(NH3)4]2+絡(luò)離子氧化
2018-02-09 09:26:59
)→FQA→成品?！ ?2)要點(diǎn)僅對(duì)導(dǎo)電圖形進(jìn)行選擇性電鍍。板子鉆孔，化學(xué)鍍銅，光成像以形成導(dǎo)電圖形，這時(shí)候僅對(duì)線路和孔及焊盤(pán)進(jìn)行圖形電鍍銅，使孔內(nèi)平均銅厚大于等于20μm，然后接著鍍錫(錫鍍層作為蝕刻
2018-09-21 16:45:08
簡(jiǎn)述如下： 1 物理及化學(xué)方面 1）蝕刻液的濃度：應(yīng)根據(jù)金屬腐蝕原理和銅箔的結(jié)構(gòu)類(lèi)型，通過(guò)試驗(yàn)方法確定蝕刻液的濃度，它應(yīng)有較大的選擇余地，也就是指工藝范圍較寬?！ ?b class="flag-6" style="color: red">2）蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻
2018-09-11 15:19:38
類(lèi)型，通過(guò)試驗(yàn)方法確定蝕刻液的濃度，它應(yīng)有較大的選擇余地，也就是指工藝范圍較寬?！ ?b class="flag-6" style="color: red">2）蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液
2013-10-31 10:52:34
的。但是所有有關(guān)蝕刻的理論都承認(rèn)這樣一條最基本的原則，即盡量快地讓金屬表面不斷的接觸新鮮的蝕刻液。對(duì)蝕刻過(guò)程所進(jìn)行的化學(xué)機(jī)理分析也證實(shí)了上述觀點(diǎn)。在氨性蝕刻中，假定所有其它參數(shù)不變，那么蝕刻速率主要由蝕刻液
2018-11-26 16:58:50
不同的設(shè)計(jì)方式和設(shè)備結(jié)構(gòu)。這些理論往往是大相徑庭的。但是所有有關(guān)蝕刻的理論都承認(rèn)這樣一條最基本的原則，即盡量快地讓金屬表面不斷的接觸新鮮的蝕刻液。對(duì)蝕刻過(guò)程所進(jìn)行的化學(xué)機(jī)理分析也證實(shí)了上述觀點(diǎn)。在氨性蝕刻中，假定
2018-09-13 15:46:18
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號(hào)：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
精煉、晶體生長(zhǎng)和晶圓形成。硅精煉開(kāi)始于在大約 2000 °C 的電弧爐中用碳源還原二氧化硅。碳有效地從 SiO2 分子中“拉”出氧，從而將 SiO2 化學(xué)還原為大約 98% 的純硅，稱為冶金級(jí)硅
2021-07-06 09:32:40
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號(hào)：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
各向異性（晶體）化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù)，其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是：（1）具有原子級(jí)光滑面的光學(xué)設(shè)備（波導(dǎo)、激光器）減少損失（2）MEMS，其中幾何形狀可以通過(guò)
2021-07-08 13:09:52
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN的晶體濕化學(xué)蝕刻[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
。光刻膠的圖案通過(guò)蝕刻劑轉(zhuǎn)移到晶片上。沉積：各種材料的薄膜被施加在晶片上。為此，主要使用兩種工藝，物理氣相沉積 (PVD) 和化學(xué)氣相沉積 (CVD)。制作步驟：1.從空白晶圓開(kāi)始2.自下而上構(gòu)建
2021-07-08 13:13:06
發(fā)射極感興趣，這可以避免AlGaAs 的氧化和深能級(jí)問(wèn)題。用于器件制造的關(guān)鍵技術(shù)操作之一是濕化學(xué)蝕刻。在我們之前的論文中，我們介紹了一組在 HC1:C H3COOH:H2O2（所謂的 KKI）溶液中
2021-07-09 10:23:37
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過(guò)程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：半導(dǎo)體行業(yè)的濕化學(xué)分析——總覽編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html對(duì)液體和溶液進(jìn)行
2021-07-09 11:30:18
，干法蝕刻制備的氮化鎵（GaN）側(cè)壁通常具有較大的粗糙度和蝕刻損傷，這會(huì)導(dǎo)致由于表面非輻射復(fù)合導(dǎo)致的光學(xué)散射和載流子注入損失引起的鏡面損失。詳細(xì)研究了干法蝕刻形成的GaN側(cè)壁面的濕化學(xué)拋光工藝，以去除蝕刻
2021-07-09 10:21:36
鏡面硅結(jié)構(gòu)時(shí)，表面的平滑度和蝕刻速率是關(guān)鍵參數(shù)。我們展示了一種從單晶硅創(chuàng)建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側(cè)壁。該技術(shù)使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
理論往往是大相徑庭的。但是所有有關(guān)蝕刻的理論都承認(rèn)這樣一條最基本的原則，即盡量快地讓金屬表面不斷的接觸新鮮的蝕刻液。對(duì)蝕刻過(guò)程所進(jìn)行的化學(xué)機(jī)理分析也證實(shí)了上述觀點(diǎn)。在氨性蝕刻中，假定所有其它參數(shù)不變
2018-04-05 19:27:39
的阻隔層，而后者品質(zhì)稍差，但因其沉積時(shí)溫度甚低，可以作IC完成主結(jié)構(gòu)后的保護(hù)層。190) Silicon Dioxide二氧化硅即SiO2，熱氧化生成的二氧化硅其特性是a) 無(wú)定型結(jié)構(gòu)b) 很容易與硅反應(yīng)
2020-02-17 12:20:00
過(guò)程中的一些參數(shù)，改變噴淋的一些操作方式等進(jìn)行相關(guān)研究工作。本文將從流體力學(xué)的角度，建立模型來(lái)分析流體在銅導(dǎo)線之間凹槽底部各個(gè)位置的相對(duì)蝕刻速度，從本質(zhì)上研究蝕刻液流體的蝕刻過(guò)程的機(jī)理?！ ?. 模型建立
2018-09-10 15:56:56
噴灑在板子的表面。它把新鮮的溶液噴灑在板子上，具有很高的蝕刻速率。下列因素決定了蝕刻的均勻程度: 1 )噴灑樣式、力量、噴灑量的一致性和排放的位置; 2) 蝕刻劑的化學(xué)性能、泵的壓力、噴嘴的外形
2018-09-11 15:27:47
有人做用電化學(xué)腐蝕多孔硅的工藝嗎？本人剛開(kāi)始做，想一起交流一下相關(guān)經(jīng)驗(yàn)。
2011-03-21 13:30:18
在印制電路加工中﹐氨性蝕刻是一個(gè)較為精細(xì)和覆雜的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程,卻又是一項(xiàng)易于進(jìn)行的工作。只要工藝上達(dá)至調(diào)通﹐就可以進(jìn)行連續(xù)性的生產(chǎn), 但關(guān)鍵是開(kāi)機(jī)以后就必需保持連續(xù)的工作狀態(tài)﹐不適宜斷斷續(xù)續(xù)地生產(chǎn)
2017-06-23 16:01:38
。目前廣泛應(yīng)用的是SiO2為絕緣層的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOSFET。以功能類(lèi)型劃分，MOSFET分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，其中耗盡型與增強(qiáng)型主要區(qū)別是在制造SiO2絕緣層
2019-07-29 06:01:16
新生成品質(zhì)更好的 SiO2 薄膜 , 作為柵極氧化層。 14、LPCVD 沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進(jìn)行光刻，以及等離子蝕刻技術(shù)，柵極結(jié)構(gòu)，并氧化生成 SiO2 保護(hù)層。 15、表面涂敷光阻，去除 P 阱
2011-12-01 15:43:10
晶片全面曝光的方法，使單一晶片上可以獲得更多的芯片(chip)。如此一來(lái)，雖然產(chǎn)率得以提高，但同時(shí)也制造一些工藝處理問(wèn)題。特別在對(duì)硅晶片蝕刻深凹槽(deeptrench)工藝方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合ZrO2 2SiO2 平面光波導(dǎo)摘要: 采用溶膠凝膠法合成ZrO22SiO2 有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合光波導(dǎo)材料,通過(guò)改變其中ZrO2 的含量來(lái)調(diào)節(jié)材料的折射率,使材料分別適用于平面光波導(dǎo)的導(dǎo)光層
2009-08-08 09:57:18
`有機(jī)硅灌封膠的特點(diǎn)及固化機(jī)理有機(jī)硅材質(zhì)的灌封膠不僅擁有比環(huán)氧樹(shù)脂更優(yōu)秀的改性能力和電氣絕緣能力，抗冷熱沖擊能力也相當(dāng)?shù)膬?yōu)秀，能承受-60℃～200℃的冷熱沖擊，不開(kāi)裂，且保持彈性，有提高電子元器件
2016-10-29 19:29:37
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">化學(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
使用過(guò)程中的耐擦洗性以及美觀度等，因此涂層的耐磨性是涂層的關(guān)鍵性能要求?？疾靚(SiO2)︰n(M+)︰n(PO43-)的不同比例對(duì)涂層耐摩擦次數(shù)的影響，以及在此基礎(chǔ)上添加0.5%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的納米氧化鋯分散
2017-10-13 16:53:27
作用下電介質(zhì)瞬時(shí)開(kāi)路。3.1.3引起電容器電參數(shù)惡化的主要失效機(jī)理①受潮或表面污染；②銀離子遷移；③自愈效應(yīng)；④電介質(zhì)電老化與熱老化；⑤工作電解液揮發(fā)和變稠；⑥電極腐蝕；⑦濕式電解電容器中電介質(zhì)腐蝕
2011-11-18 13:16:54
。 2·蝕刻液的種類(lèi)﹕ 不同的蝕刻液,其化學(xué)組分不相同﹐蝕刻速率就不一樣﹐蝕刻系數(shù)也不一樣。 例如﹕酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為3﹐而堿性氯化銅蝕刻系數(shù)可達(dá)到4。 3·蝕刻速率： 蝕刻
2017-06-24 11:56:41
感光性樹(shù)脂合成，添加了感光劑、色料、填料及溶劑的一種藍(lán)色粘稠狀液體?；纳系陌伎?、劃傷部分與濕膜的接觸良好，且濕膜主要是通過(guò)化學(xué)鍵的作用與基材來(lái)粘合的，從而濕膜與基材銅箔間有優(yōu)良好的附著力，使用絲網(wǎng)
2018-08-29 10:20:48
產(chǎn)生干凈無(wú)腐蝕的芯片表面。檢測(cè)范圍：常規(guī)塑封器件的開(kāi)帽分析包括銅線開(kāi)封。檢測(cè)內(nèi)容：1.芯片開(kāi)封（正面/背面）；2.IC蝕刻，塑封體去除。
2021-12-08 17:06:31
芯片制作工藝流程 工藝流程1) 表面清洗 晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)之,在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。2) 初次氧化 有熱氧化法生成SiO2 緩沖層，用來(lái)減小后續(xù)
2019-08-16 11:09:49
往往是大相徑庭的。但是所有有關(guān)蝕刻的理論都承認(rèn)這樣一條最基本的原則，即盡量快地讓金屬表面不斷的接觸新鮮的蝕刻液。對(duì)蝕刻過(guò)程所進(jìn)行的化學(xué)機(jī)理分析也證實(shí)了上述觀點(diǎn)。在氨性蝕刻中，假定所有其它參數(shù)不變，那么蝕刻
2018-09-19 15:39:21
采用RCC與化學(xué)蝕刻法制作高密度互連印制板 &
2006-04-16 21:23:491075 ITO玻璃技術(shù)之SiO2阻擋膜層規(guī)格
SiO2 阻擋膜層規(guī)格
2008-10-25 16:04:251408 鍍復(fù)SiO2膜的電容器介質(zhì)膜
成功一種能在幾百小時(shí)連續(xù)沉積SiO2膜的新穎電子束蒸發(fā)裝置，獲國(guó)家發(fā)明專利，在此基礎(chǔ)上
2009-12-08 09:03:32702 PCB蝕刻技術(shù)通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻，指通過(guò)曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用。
2017-04-21 17:08:275086 理論及不同退火溫度、不同退火時(shí)間、SiO2薄膜厚度、SiO2薄膜折射率、不同蓋片等試驗(yàn)參數(shù)對(duì)制備非吸窗口的影響，并且討論了Si0，薄膜介質(zhì)膜的多孔性對(duì)無(wú)雜質(zhì)誘導(dǎo)量子阱混合的影響．實(shí)驗(yàn)制備出藍(lán)移波長(zhǎng)為53 nm的非吸收窗口，最佳制備非吸收窗口條件為退火溫度為
2018-02-10 10:16:35
0 蝕刻液的種類(lèi)：不同的蝕刻液化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不同，蝕刻系數(shù)也不同。例如：酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為3，堿性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)可達(dá)到4。近來(lái)的研究表明，以硝酸為基礎(chǔ)的蝕刻系統(tǒng)可以做到幾乎沒(méi)有側(cè)蝕，達(dá)到蝕刻的線條側(cè)壁接近垂直。這種蝕刻系統(tǒng)正有待于開(kāi)發(fā)。
2018-10-12 11:27:366336 在等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD沉積 SiO2和 SiN掩蔽層過(guò)程中!分解等離子體中濃度較高的H原子使MG受主鈍化!同時(shí)在P-GaN材料表面發(fā)生反應(yīng)形成淺施主特性的N空位。
2018-12-17 08:00:0017 蝕刻（etching）是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻（wet etching）和干蝕刻（dry etching）兩類(lèi)。它可通過(guò)曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-24 15:52:5729780 通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學(xué)蝕刻（photochemicaletching），指通過(guò)曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173 蝕刻法是用蝕刻液將導(dǎo)電線路以外的銅箔去除掉的方法，雕刻法是用雕刻機(jī)將導(dǎo)電線路以外的銅箔去除掉的方法，前者是化學(xué)方法，較常見(jiàn)，后者是物理方法。
2019-05-17 11:13:2122179 蝕刻指通過(guò)曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)摸去處，在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版。蝕刻機(jī)可以分為化學(xué)蝕刻機(jī)及電解蝕刻機(jī)兩類(lèi)。
2019-06-26 16:02:4820207 PCB，電路板，基板上面如何出現(xiàn)電路呢？這就要蝕刻來(lái)實(shí)現(xiàn)。所謂蝕刻，先在板子外層需保留的銅箔部分，也就是電路的圖形部分，在上面預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層，一層需要
2020-03-08 14:45:214248 蝕刻：將覆銅箔板表面由化學(xué)藥水蝕刻去除不需要的銅導(dǎo)體，留下銅導(dǎo)體形成線路圖形，這種減去法工藝是當(dāng)前印制電路板加工的主流
2021-01-06 14:32:018529 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對(duì)蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈，僅此而已。在PCB制造過(guò)程中，如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031019 
分析化學(xué)小型化的一個(gè)方便的起點(diǎn)是使用單c：晶體硅作為起始材料，微加工作為使技術(shù)，濕化學(xué)蝕刻作為關(guān)鍵的微加工工具。在本文中，我們回顧了硅微加工，并描述了形成可能用于化學(xué)分析應(yīng)用的通道、柱和其他幾何圖案
2021-12-22 17:29:021095 
電流的極端規(guī)模集成。在這個(gè)過(guò)程中，固相氮化硅(Si3N4)層在部分二氧化硅(SiO2)沉積中起到掩模的作用。通過(guò)這種沉積，形成了由數(shù)百個(gè)交替堆疊的Si3N4和二氧化硅原子層組成的垂直堆疊結(jié)構(gòu).Si3N4掩模必須在程序結(jié)束時(shí)去除，通常通過(guò)熱化學(xué)蝕
2021-12-28 16:38:085460 
光增強(qiáng)電化學(xué)（PEC）濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對(duì)較低、表面損傷較低的優(yōu)點(diǎn)，但尚未找到一種生產(chǎn)光滑的垂直側(cè)壁的方法。氮化鎵的裂切面也有報(bào)道，在藍(lán)寶石基質(zhì)上生長(zhǎng)的氮化
2022-01-17 15:38:05942 
引言 我們?nèi)A林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過(guò)在1100°C下快速熱退火，提高了反應(yīng)
2022-01-17 16:21:48324 
介紹 本文通過(guò)詳細(xì)的動(dòng)力學(xué)研究，闡明了在富含HF的高頻/HNO3混合物中對(duì)硅的濕式化學(xué)蝕刻的機(jī)理。蝕刻實(shí)驗(yàn)后，我們進(jìn)行進(jìn)行了化學(xué)分析并研究了蝕刻速率與溫度、蝕刻劑的硅含量利用率和攪拌速度的函數(shù)關(guān)系
2022-01-24 15:41:131340 
索引術(shù)語(yǔ):氮化鎵，蝕刻 摘要 本文介紹了我們?nèi)A林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對(duì)氮化鎵進(jìn)行光增強(qiáng)濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。 介紹 光電化學(xué)
2022-02-07 14:35:421479 
基于HC1的蝕刻劑被廣泛應(yīng)用于InP半導(dǎo)體器件，HC1溶液中其他酸的存在對(duì)蝕刻速率有顯著影響，然而，InP并不溶在涉及簡(jiǎn)單氧化劑的傳統(tǒng)蝕刻劑中，為了解決溶解機(jī)理的問(wèn)題，我們江蘇華林科納研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蝕作用和電化學(xué)反應(yīng)。
2022-02-09 10:54:58727 
摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對(duì)堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見(jiàn)解。強(qiáng)調(diào)了電流效應(yīng)在開(kāi)路蝕刻中的可能作用。 介紹 由于簡(jiǎn)單
2022-03-03 14:16:37905 
HF對(duì)基片進(jìn)行了研究，主要分為隨機(jī)蝕刻和周期性蝕刻。 我們討論了蝕刻的問(wèn)題機(jī)理、蝕刻速率、硬掩膜材料、周期性光俘獲結(jié)構(gòu)。
2022-03-08 11:52:411214 
在本文中，我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過(guò)使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成，隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機(jī)理，雖然沒(méi)有完全理解，將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:42460 
本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過(guò)在1100°C下快速熱退火，提高了反應(yīng)性濺射制備
2022-03-09 14:37:47431 
分析化學(xué)小型化的一個(gè)方便的起點(diǎn)在于使用單晶硅作為起始材料，微加工作為使能技術(shù)，濕化學(xué)蝕刻作為關(guān)鍵的微加工工具。在這次可行性研究和學(xué)習(xí)中都起到了關(guān)鍵作用。
2022-03-11 13:58:08514 
利用作為掩模的陽(yáng)極多孔氧化鋁的模式轉(zhuǎn)移，制備了具有100nm周期性自有序結(jié)構(gòu)的孔和柱陣列納米結(jié)構(gòu)，納米圖案的轉(zhuǎn)移是通過(guò)一個(gè)涉及硅的局部陽(yáng)極化和隨后的化學(xué)蝕刻的組合過(guò)程來(lái)實(shí)現(xiàn)的。利用這一方法，可以通過(guò)改變蝕刻條件來(lái)制造負(fù)圖案和正圖案。
2022-03-23 11:05:54373 
在微電子技術(shù)以及在微結(jié)構(gòu)、微光學(xué)和微化學(xué)傳感器中，需要在由不同材料構(gòu)成的大面積的薄膜層中構(gòu)造功能完善的結(jié)構(gòu)。
2022-03-29 15:49:583961 
本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測(cè)發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔，超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高
2022-04-06 13:32:13331 
引言 硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長(zhǎng)的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層，進(jìn)行化學(xué)蝕刻，在硅晶片的制造工序
2022-04-08 17:02:101682 
硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長(zhǎng)的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層，進(jìn)行化學(xué)蝕刻，在硅晶片的制造工序中，使共有
2022-04-12 15:28:16943 
因?yàn)樗ㄟ^(guò)熱氧化形成了與Si相容性好的電、機(jī)械、熱、化學(xué)特性優(yōu)良的絕緣體SiO2，可以應(yīng)用于MOS晶體管結(jié)構(gòu)和鈍化。
2022-04-13 15:26:084795 
本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測(cè)發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔，超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高
2022-04-15 10:18:45332 
拋光的硅片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，通過(guò)切片將單晶硅錠切成圓盤(pán)(晶片)，然后進(jìn)行稱為研磨的平整過(guò)程，該過(guò)程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷通過(guò)蝕刻是本文的重點(diǎn)。在準(zhǔn)備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37670 
金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導(dǎo)體材料上，如硅晶片，而無(wú)需使無(wú)電鍍工藝進(jìn)行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究中，研究了在氫氟酸溶液中蝕刻作為硅晶片化學(xué)
2022-04-29 15:09:06464 
，在5 μm的平均蝕刻速率下，2 pm寬的溝槽蝕刻到50 pm的深度，具有高度各向異性的輪廓和對(duì)SiO2掩模非常高的選擇性。
2022-05-11 15:46:19730 
50納米，4，5，盡管最近有報(bào)道稱rms粗糙度低至4–6納米的表面。6光增強(qiáng)電化學(xué)(PEC)濕法蝕刻也已被證明適用于氮化鎵(GaN)的蝕刻。7–10 PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對(duì)較低和表面損傷較低的優(yōu)勢(shì)
2022-07-12 17:19:243454 
反應(yīng)性離子蝕刻綜合了離子蝕刻和等離子蝕刻的效果：其具有一定的各向異性，而且未與自由基發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料會(huì)被蝕刻。首先，蝕刻速率顯著增加。通過(guò)離子轟擊，基材分子會(huì)進(jìn)入激發(fā)態(tài)，從而更加易于發(fā)生反應(yīng)。
2022-09-19 15:17:553390 這款GO-FET生物傳感器采用由p型硅（Si）襯底以及覆蓋其上的二氧化硅（SiO2）介電層組成的p型硅片（Si/SiO2）制備。
2022-11-10 09:58:24453 本文綜述了工程師們使用的典型的濕化學(xué)配方。盡可能多的來(lái)源已經(jīng)被用來(lái)提供一個(gè)蝕刻劑和過(guò)程的簡(jiǎn)明清單
2023-03-17 16:46:232013 
金屬蝕刻是一種通過(guò)化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過(guò)程組成。不同的蝕刻劑對(duì)不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強(qiáng)度。
2023-03-20 12:23:433172 大多數(shù)iii\-氮化物的蝕刻目前是通過(guò)干燥工藝完成的。雖然干蝕刻具有許多理想的特性，包括高蝕刻率和獲得垂直壁的能力，但干蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子致?lián)p傷和難以獲得光滑的蝕刻側(cè)壁，這是激光所需要的。
2023-03-22 10:55:501110 
關(guān)鍵詞：氫能源技術(shù)材料，耐高溫耐酸堿耐濕膠帶，高分子材料，高端膠粘劑引言：蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:163505 
硅在暴露在空氣中時(shí)會(huì)形成一層氧化硅（SiO2）層。在許多制程步驟中，如在熱處理過(guò)程之前，需要移除這層氧化硅。氫氟酸是唯一能夠有效清洗硅片表面氧化硅的化學(xué)品。氫氟酸能夠與SiO2發(fā)生反應(yīng)，生成揮發(fā)性的氟硅酸，從而清除硅片表面的氧化物層。
2023-08-02 10:40:25543 
20世紀(jì)60年代以前，半導(dǎo)體基片拋光還大都沿用機(jī)械拋光，得到的鏡面表面損傷是極其嚴(yán)重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后，以SiO2漿料為代表的化學(xué)機(jī)械拋光工藝就逐漸代替了以上舊方法。
2023-08-02 10:48:407529 
蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開(kāi)發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒(méi)有側(cè)蝕問(wèn)題，蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
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