X-FAB針對模擬電路設(shè)計降低XP018芯片成本

　　2013年6月24日 - X-FAB SilIcon Foundries今日宣布針對高性能的模擬應(yīng)用，例如：音頻、傳感器界面與5V的電源管理，加強了XP018工藝的多樣選擇以降低芯片的成本。這些選項是成本敏感的消費性應(yīng)用與需要180nm技術(shù)、模擬集成的理想選擇。

　　X-FAB針對模擬電路設(shè)計降低XP018芯片成本有幾個方面：

　　-- 新推出的單電壓5V的選項移除了1.8V的部分以減少整體光罩的數(shù)量，對成本敏感的可攜式應(yīng)用提供有價值的回報。

　　-- 5V環(huán)境中的I/O單元、數(shù)字庫、一次性可程序化（OTP）內(nèi)存和模擬模塊均兼容于XP018所有的高壓選項，使其可用于任何類型的驅(qū)動器。針對驅(qū)動壓電或電容性的系統(tǒng)，導(dǎo)通電阻優(yōu)化的12V晶體管減少了所需要的芯片面積。此外，5V模塊中一次性可程序化（OTP）內(nèi)存的編譯程序可支持至16k bit，互補于現(xiàn)有的poly fuses。

　　-- 適用于不同需求的金屬繞線 – 一個新式的金屬模塊概念首次引入XP018平臺 – 節(jié)省了設(shè)計成本。它允許MiM電容靈活地和其他金屬層互相堆棧。

　　-- 最后，60V的金屬邊際電容（metal fringe capacitor）與1 kohm的poly電阻簡化60V供電環(huán)境中高電壓應(yīng)用的設(shè)計。

　　X-FAB 高壓產(chǎn)品線的產(chǎn)品營銷經(jīng)理Sebastian Schmidt提到，“這項新工藝確實為我們的客戶提供很大的效益。20層光罩的工藝是具有競爭力的，客戶可以藉由180nm高密度的數(shù)字邏輯與5V、12V至50V的推挽驅(qū)動來建立他們的混合訊號系統(tǒng)芯片 – 非揮發(fā)性內(nèi)存（NVM）的可用性也進一步加強。因此，這是一個為智能型驅(qū)動與模擬IC所設(shè)計的絕佳技術(shù)?！?/p>

　　新式的XP018是汽車電子驗證過的工藝 – X-FAB的標準功能 – 并提供全面性的PDK支持與操作溫度-40至175攝氏度的應(yīng)用。

　　解決方案

　　加強后的XP018平臺已經(jīng)完備，設(shè)計人員可立刻受惠于這些選項。

　　X-FAB簡介

　　X-FAB是頂尖的模擬、混合訊號集成電路的晶圓代工業(yè)者。X-FAB目前全球員工人數(shù)約為2400名，代工廠位于德國的艾爾芙特（Erfurt）、德勒斯登（Dresden）與伊策霍伊（Itzehoe）、美國德州的樂波市（Lubbock）和馬來西亞沙勞越的古晉（Kuching）。代工制程以先進模塊化CMOS與BiCMOS為基礎(chǔ)，搭配1.0到0.13微米技術(shù)，涵蓋以汽車、通信、消費性產(chǎn)品與工業(yè)為主的各種應(yīng)用。相關(guān)信息，請上網(wǎng)查詢：www.xfab.com