摘要: 首先,針對(duì)閃存Flash的存儲(chǔ)編程 特點(diǎn),提出一種基于虛擬扇區(qū)的閃存管理技術(shù),使系統(tǒng)對(duì)Flash的擦寫次數(shù)大大降低,從而提高Flash的使用壽命和整個(gè)系統(tǒng)的性能。然后,通過嵌入式系統(tǒng)電子 名片管理器,介紹這一技術(shù)的使用。隨著閃存的廣泛應(yīng)用,對(duì)Flash的有效存儲(chǔ)管理將有很大的實(shí)用意義和社會(huì)效益。
引言
隨著嵌入式系統(tǒng) 的迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用,大量需要一種能多次編程,容量大,讀寫、擦除快捷、方便、簡(jiǎn)單,外圍器件少,價(jià)格低廉的非易揮發(fā)存儲(chǔ)器件。閃存Flash存儲(chǔ)介質(zhì)就是在這種背景需求下應(yīng)運(yùn)而生的。它是一種基于半導(dǎo)體 的存儲(chǔ)器,具有系統(tǒng)掉電后仍可保留內(nèi)部信息 ,及在線擦寫等功能特點(diǎn),是一種替代EEPROM 存儲(chǔ)介質(zhì)的新型存儲(chǔ)器。因?yàn)樗淖x寫速度比EEPROM更快,在相同容量的情況下成本更低,因此閃存Flash將是嵌入式系統(tǒng)中的一個(gè)重要組成單元。
然而,由于Flash讀寫存儲(chǔ)的編程特點(diǎn),有必要對(duì)其進(jìn)行存儲(chǔ)過程管理,以使整個(gè)系統(tǒng)性能得以改善。
1 閃存Flash的存儲(chǔ)編程特點(diǎn)
Flash寫:由1變?yōu)?,變?yōu)?后,不能通過寫再變?yōu)?。
Flash擦除:由0變?yōu)?,不能只某位單元進(jìn)行擦除。
Flash的擦除包括塊擦除和芯片 擦除。塊擦除是把某一擦除塊的內(nèi)容都變?yōu)?,芯片擦除是把整個(gè)Flash的內(nèi)容都變?yōu)?。通常一個(gè)Flash存儲(chǔ)器芯片,分為若干個(gè)擦除block,在進(jìn)行Flash存儲(chǔ)時(shí),以擦除block為單位。
當(dāng)在一個(gè)block中進(jìn)行存儲(chǔ)時(shí),一旦對(duì)某一block中的某一位寫0,再要改變成1,則必須先對(duì)整個(gè)block進(jìn)行擦除,然后才能修改。通常,對(duì)于容量小的block操作過程是:先把整個(gè)block讀到RAM 中,在RAM中修改其內(nèi)容,再擦除整個(gè)block,最后寫入修改后的內(nèi)容。顯然,這樣頻繁復(fù)雜的讀-擦除-寫操作,對(duì)于Flash的使用壽命以及系統(tǒng)性能是很不好的,而且系統(tǒng)也常常沒有這么大的RAM空間資源。一種基于虛擬扇區(qū)的管理技術(shù)可以有效地控制Flash的擦寫次數(shù),提高Flash的使用壽命,從而提高系統(tǒng)性能。
2 基本原理
2.1概念
VSS(Visual Small Sector),虛擬小扇區(qū):以它為單位讀寫Flash內(nèi)容。
VSS ID(Visual Small Sector Identi ty),虛擬小扇區(qū)號(hào):只通過虛擬扇區(qū)號(hào)進(jìn)行存儲(chǔ),不用考慮它的真實(shí)物理地址。
SI(Sector Identity),分割號(hào):一個(gè)擦寫邏輯塊中物理扇區(qū)的順序分割號(hào)。
BI(Block Identity),塊號(hào):Flash芯片中按擦除進(jìn)行劃分的塊號(hào)。
SAT(Sector Allocate Table),扇區(qū)分配表:一個(gè)擦寫邏輯塊中的扇區(qū)分配表。一個(gè)SAT由許多SAT單元組成,一個(gè)SAT表對(duì)應(yīng)一個(gè)Block,一個(gè)SAT單元對(duì)應(yīng)一個(gè)VSS。
每個(gè)SAT單元最高兩位為屬性位,后面各位為VSS ID號(hào)。如果一個(gè)SAT單元由16位組成,則VSS ID最大可以達(dá)到16×1024;而如果SAT單元由8位組成,則VSS ID最大可以達(dá)到64,具體約定由應(yīng)用情況而定。
2.2 實(shí)現(xiàn)原理
把每個(gè)block分為更小的虛擬邏輯塊(visual small sector),稱為虛擬扇區(qū),扇區(qū)大小根據(jù)應(yīng)用而定。每個(gè)block前面的一固定單元用于記錄本block中扇區(qū)分配的使用情況(即扇區(qū)分配表),包括扇區(qū)屬性及扇區(qū)邏輯號(hào)。圖1為邏輯扇區(qū)劃分示意圖。
在進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫和修改時(shí),以虛擬扇區(qū)塊的大小為單位。要修改某一扇區(qū)的數(shù)據(jù)時(shí),先讀出這個(gè)扇區(qū)的內(nèi)容,重新找一個(gè)未使用的扇區(qū),把修改后的內(nèi)容寫入這個(gè)新扇區(qū)。然后,修改原來(lái)扇區(qū)的屬性值為無(wú)效,修改這個(gè)新扇區(qū)的屬性為有效,拷貝VSS ID號(hào)到新扇區(qū)對(duì)應(yīng)的SAT單元中。
這樣,當(dāng)某一個(gè)block中的SAT屬性都標(biāo)為無(wú)效時(shí),才對(duì)當(dāng)前block進(jìn)行擦寫??梢姡蕴摂M扇區(qū)大小為單位的存儲(chǔ)管理,對(duì)Flash塊的擦寫次數(shù)可大大減少,從而提高了系統(tǒng)性能。 3 VSS管理實(shí)現(xiàn)要點(diǎn)
3.1 常數(shù)部分
#define BLOCKSIZE 128*1024 //可根據(jù)Flash型號(hào)修改
#define SECTORSIZE 512 //可根據(jù)Flash型號(hào)及應(yīng)用情況修改
#define MAX_BLOCK 8 //可擦除塊個(gè)數(shù)
#define MAX_SI_1B 255 //每個(gè)可擦除塊中有效SI個(gè)數(shù)
#define SATSIZE 510 //扇區(qū)分配表大小
#define VSS_MASK 0XC000 //VSS屬性屏蔽值
#define VSS_FREE 0XC000 //VSS為未使用的屬性值
#define VSS_VALID 0X4000 //VSS為有效的屬性值
#define VSS_INVALID 0X0000 //VSS為無(wú)效的屬性值
3.2 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)部分
unsigned char VSS_Table[MAX_BLOCK][MAX_SI_1B/8];用于記錄Flash中各個(gè)block的使用情況。數(shù)組中的某位為1,表示相應(yīng)sector為未使用;否則,為已經(jīng)寫過,系統(tǒng)通過這個(gè)表可以跟蹤各個(gè)block的使用情況。
3.3 函數(shù)功能部分
1) Flash_For mat()//擦除整塊Flash存儲(chǔ)介質(zhì)。
2) Flash_Init()//對(duì)VSS管理系統(tǒng)參數(shù) 進(jìn)行初始化,填充VSS_Table表,統(tǒng)計(jì)Flash的使用情況。在系統(tǒng)復(fù)位初始時(shí)調(diào)用。
3) Block_Erase(int blockID)//擦除塊號(hào)為block ID的塊。
4) Find_VSS(int vss)//查找VSS所在的block ID及分割號(hào)SI。
5) Get_Ad dr(int vss)//取得VSS所在的物理地址。
6) Scan _SAT(int blockID)//整理塊號(hào)為block ID的SAT,填充VSS_Table[]。
7) Flash_Read(long addr,char *pdata,int len)//從物理地址為addr的Flash處讀取len個(gè)字節(jié)到pdata。
8) Flash_Write(long addr,char *pdata,int len)//寫pdata中長(zhǎng)度為len的數(shù)據(jù)到指定地址為addr的Flash中。
9) Read_Sat(int bi)//讀取塊號(hào)為blockID的SAT。
10) IsValid(vat)//檢查本SAT單元屬性是否有效。
11) IsFree(vat)//檢查本SAT單元屬性是否未使用。
12) IsInvalid(vat)//檢查本SAT單元屬性是否無(wú)效。
13) Read_VSS(addr)//從地址為addr處讀一個(gè)VSS。
14) Write_VSS(addr,*pData)//把pData中的內(nèi)容寫到從地址addr開始的一個(gè)VSS中。
4 計(jì)算VSS ID的物理地址
要對(duì)某個(gè)VSS ID進(jìn)行讀寫操作,必須先找到其物理地址。
定位某個(gè)VSS ID物理地址的過程如下。
① 查找這個(gè)VSS ID所在的塊號(hào)(BI)以及在這個(gè)塊中所處的分割號(hào)(SI)。
從第一個(gè)block開始,搜索這個(gè)塊的SAT表。首先搜索屬性,只有屬性為有效的才比較VSS ID號(hào)。如果條件滿足,記錄所在的塊號(hào)BI及SAT的位置,即扇區(qū)分割號(hào)SI;否則,block號(hào)增加,繼續(xù)按照上面步驟查找。
bFound=0;
for(int i=0;i{//讀取對(duì)應(yīng)block的SAT表
psat=ReadSat(i)
for(j=0;j{//分析每個(gè)SAT單元
sat=*psat++;
if(IsValid(sat))//比較屬性是否有效
{//比較邏輯號(hào)是否相等,相等設(shè)置標(biāo)志退出
if(Equal(sat,VSSID)){bFound=1;break;}
}
}
if(bFound){bi=i;si=j;break;}//找到后記錄塊號(hào)和分割號(hào)退出
}
②找到VSS ID所在的塊號(hào)及分割號(hào)(SI)后,這個(gè)VSS ID的物理地址為:
ADDR=整個(gè)Flash的偏地址+
BLOCKID*BLOCKSIZE+SATSIZE+SI*SECTERSIZE。
5 應(yīng)用
應(yīng)用于名片記錄管理系統(tǒng):由于名片記錄很大,而且記錄很多,存在常常修改的情況,因此可以使用Flash作存儲(chǔ)介質(zhì)。
名片記錄結(jié)構(gòu)為:
struct CARD
{
char name[10]; //姓名:10字節(jié)
char position[15]; //出職務(wù):15字節(jié)
char companyname[40]; //公司 名稱:15字節(jié)
char mobilephone[11]; //手機(jī) 號(hào)碼:11字節(jié)
char homephone[15]; //家庭電話:15字節(jié)
char offic ephone[15]; //辦公電話:15字節(jié)
char Emai l[30]; //郵件地址:30字節(jié)
char homepage[30]; //公司主頁(yè):30字節(jié)
char remark[40]; //備注:40字節(jié)
}card_record;
每個(gè)名片記錄大小為:181字節(jié)。
對(duì)于1MB的Flash,分為8?jìng)€(gè)block,每個(gè)block為128KB(131072字節(jié))。
針對(duì)以上情況,作如下分配:
每個(gè)扇區(qū)大小為181字節(jié);
SAT大小為1432字節(jié),每個(gè)SAT單元用16位(2字節(jié));
分為716個(gè)扇區(qū),也相當(dāng)于1個(gè)block能存716條名片記錄,則131072-1432-716×181=44字節(jié)為空閑。
常數(shù)定義部分修改如下:
#define blockSIZE 128*1024 //每個(gè)block大小
#define SECTORSIZE 181 //每個(gè)扇區(qū)大小
#define MAX_SI_1B 716 //每個(gè)可擦除塊中有SI個(gè)數(shù)
#define SATSIZE 1432 //扇區(qū)分配表大小
#define VSS_MASK 0XC000 //VSS屬性屏蔽值
#define VSS_FREE 0XC000 //VSS為未使用的屬性值
#define VSS_VALID 0X4000 //VSS為有效的屬性值
#define VSS_INVALID 0X0000 //VSS為無(wú)效的屬性值
約定:首先對(duì)名片進(jìn)行編號(hào),且約定名片的編號(hào)對(duì)應(yīng)于VSS ID邏輯號(hào)。
a) 記錄增加。增加一個(gè)記錄時(shí),根據(jù)提供的VSS?。桑奶?hào),首先查找這個(gè)記錄號(hào)是否在使用。如果還沒有使用,首先查找這個(gè)記錄號(hào)是否在使用。如果還沒有使用,則申請(qǐng)一個(gè)未使用的VSS,把相在內(nèi)容寫入這個(gè)VSS,修改其對(duì)應(yīng)的SAT單元,寫入有效屬性值和VSSID號(hào);否則,進(jìn)入記錄修改過程。
b) 記錄刪除。要?jiǎng)h除一個(gè)記錄時(shí),根據(jù)提供的VSS?。桑奶?hào),查找SAT表。如果找到,修改其對(duì)應(yīng)的SAT屬性為無(wú)效;否則,說(shuō)明這個(gè)記錄不存在。
c) 記錄查找。①由VSS ID號(hào)進(jìn)行的查找:根據(jù)提供的VSS?。桑奶?hào),查找所有的SAT表中屬性為有效的VSS?。桑?,返回相應(yīng)的BI及SI。②根據(jù)名片的用戶名查找:檢測(cè) 所有的SAT表中屬性為有效的VSS ID,得到相應(yīng)的BI及SI,由BI及SI定位到指定Flash物理地址讀入用戶各到RAM中,比較是否相等。如果相等,讀取并返回SAT單元的VSS?。桑?;否則,繼續(xù)查找。
d) 記錄修改。當(dāng)要修改一名片記錄時(shí),由VSS?。桑南劝堰@個(gè)記錄讀入到RAM中,然后修改其內(nèi)容,重新找一個(gè)未使用的扇區(qū),把修改后的內(nèi)容寫入到這個(gè)新扇區(qū)中,并拷貝其VSS ID號(hào)到這個(gè)新扇區(qū)對(duì)應(yīng)的SAT單元,修改其屬性為高,修改原來(lái)的扇區(qū)屬性為無(wú)效。
結(jié)語(yǔ)
本文提出的Flash存儲(chǔ)管理技術(shù)原理簡(jiǎn)單實(shí)用。它是對(duì)那些復(fù)雜的Flash文件管理系統(tǒng)的一種剪裁、簡(jiǎn)化和定制。對(duì)于那些不需要復(fù)雜的文件管理系統(tǒng),而又使用了Flash作為存儲(chǔ)介質(zhì)的嵌入式 系統(tǒng)有很好的借鑒意義和使用價(jià)值,如手機(jī)電話號(hào)碼簿管理、短信管理等都可以利用這種技術(shù)進(jìn)行管理。
管理技術(shù) (8426)
管理技術(shù) (8426)
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
相關(guān)推薦
存儲(chǔ) 虛擬 化是提高存儲(chǔ) 可用性的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù) ,不會(huì)增加任何管理 工作量。惠普存儲(chǔ) 虛擬 化產(chǎn)品家族提供全面的存儲(chǔ) 網(wǎng)絡(luò)解決方案,滿足企業(yè)對(duì)可靠、可擴(kuò)展的數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 不斷增長(zhǎng)的需要。
2016-10-09 11:13:24 1242 NAND Flash 是一種非易失存儲(chǔ) 器,也就是掉電不丟失類型,現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ) 設(shè)備基本都是NAND Flash ,比如U盤、固態(tài)硬盤,手機(jī)存儲(chǔ) 等等,電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:32 1684 Flash 是存儲(chǔ) 器的一種統(tǒng)稱,單片機(jī)內(nèi)部Flash 、外掛Flash 、U盤、SSD等,到處都有Flash 的身影。
2023-06-16 16:41:37 6445 FLASH 的塊/扇區(qū) /頁(yè)關(guān)系是什么?常用FLASH 擦寫規(guī)則是什么?常用存儲(chǔ) 器件有哪些分類?
2022-01-20 07:47:23
的、針對(duì)嵌入式應(yīng)用的文件系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)Flash 存儲(chǔ) 器的損耗均衡,并且實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的有效管理 ,對(duì)于提高其使用壽命具有一定的意義。
2019-08-16 07:06:12
Flash 類型與技術(shù) 特點(diǎn)Flash 主要分為NOR和NAND兩類。下面對(duì)二者作較為詳細(xì)的比較。1. 性能比較Flash 閃存是非易失存儲(chǔ) 器,可以對(duì)存儲(chǔ) 器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何Flash 器件進(jìn)行寫入
2011-06-02 09:25:45
首先說(shuō)明下flash 。flash 由N個(gè)扇區(qū) 組成。1個(gè)扇區(qū) =16 page1page =16 block1 block =4 bytes其中最小的寫入單元是block,最小的擦除單元是page。即
2021-10-29 08:51:16
FLASH 磨損均衡原理及實(shí)現(xiàn)背景磨損均衡原理磨損均衡實(shí)現(xiàn)定長(zhǎng)數(shù)據(jù)讀寫不定長(zhǎng)數(shù)據(jù)讀寫多個(gè)不定長(zhǎng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 讀寫總結(jié)背景flash 為嵌入式設(shè)備中常見的存儲(chǔ) 器,優(yōu)點(diǎn):便宜,容量大,但缺點(diǎn)也比較明顯,最大的缺點(diǎn)
2022-01-26 06:38:11
現(xiàn)在想找一塊最小扇區(qū) 1K或者512字節(jié)的存儲(chǔ) 芯片,有推薦的嗎?我找了很多都是4K的。我用STM8的MCU才有2K的RAM, 這樣MCU緩存的數(shù)據(jù)不夠4K放不滿一個(gè)扇區(qū) 。
2017-06-30 10:35:50
。通過這一技術(shù) 可以大大減少企業(yè)對(duì)網(wǎng)站成本的投入,并可以方便的擴(kuò)大市場(chǎng),宣傳產(chǎn)品擴(kuò)大知名度。特點(diǎn) 1,可在線實(shí)時(shí)開通 web 服務(wù) 2,支持域名、虛擬 主機(jī)、數(shù)據(jù)庫(kù)、郵局等產(chǎn)品在線實(shí)時(shí)開通 3
2014-07-31 14:03:53
,頁(yè)寫入產(chǎn)生壞塊。文件系統(tǒng)以NAND_FLASH 壞塊管理 驅(qū)動(dòng)運(yùn)行。NAND_FLASH 支持ECC數(shù)據(jù)糾錯(cuò),每個(gè)扇區(qū) 二次ECC糾錯(cuò),保證數(shù)據(jù)正確讀出。NAND_FLASH 管理 層如果發(fā)現(xiàn)不可糾錯(cuò)恢復(fù)的扇區(qū)
2015-08-28 11:16:05
IMG打開查看里面的文件.本代碼可以用在U盤使用SPI_FLASH 作存儲(chǔ) 的項(xiàng)目上,以及其它SPI_FLASH 需要扇區(qū) 讀寫功能上.用戶如果需要技術(shù) 支持,請(qǐng)與我們?nèi)〉寐?lián)系.qq:292942278 e-mail:tony_yang123@sina.com.cn
2020-03-02 11:12:41
用WIN IMG打開查看里面的文件.本代碼可以用在U盤使用SPI_FLASH 作存儲(chǔ) 的項(xiàng)目上,以及其它SPI_FLASH 需要扇區(qū) 讀寫功能上.
2019-12-23 09:17:21
_FS 代碼已經(jīng)由我們開發(fā)完成,并經(jīng)過了嚴(yán)格的測(cè)試。壞塊管理 功能包括基于壞塊表的管理 程序,可以提供單/多扇區(qū) 的操作。多扇區(qū) 為nandflash專門設(shè)計(jì),可以降低NANDFLASH物理擦除數(shù),具有FLASH 上
2016-07-07 17:30:25
的管理 程序,可以提供單/多扇區(qū) 的操作。多扇區(qū) 為nandflash專門設(shè)計(jì),可以降低NANDFLASH物理擦除數(shù),具有FLASH 上直接預(yù)分配功能。其上面可以運(yùn)行(Cheap_Flash _FS(支持多扇區(qū) 操作
2017-04-24 10:28:18
由我們開發(fā)完成,并經(jīng)過了嚴(yán)格的測(cè)試。壞塊管理 功能包括基于壞塊表的管理 程序,可以提供單/多扇區(qū) 的操作。多扇區(qū) 為nandflash專門設(shè)計(jì),可以降低NANDFLASH物理擦除數(shù),具有FLASH 上直接預(yù)分配功能
2015-08-15 13:38:04
Cheap_Flash _FS極速版--嵌入式NandFlash文件系統(tǒng)源碼下載本代碼已經(jīng)由我們開發(fā)完成,并經(jīng)過了嚴(yán)格的測(cè)試。壞塊管理 功能包括基于壞塊表的管理 程序,可以提供單/多扇區(qū) 的操作。多扇區(qū) 為
2018-10-14 18:44:56
寫入產(chǎn)生的壞塊。文件系統(tǒng)通過NAND FLASH 壞塊管理 驅(qū)動(dòng)層運(yùn)行。ECC糾錯(cuò)支持,對(duì)每個(gè)扇區(qū) 進(jìn)行二次ECC糾錯(cuò),保證正確的數(shù)據(jù)讀出。如果發(fā)現(xiàn)Unrecoverable_error的扇區(qū) ,把扇區(qū) 讀出置為
2014-10-15 12:23:29
員必須在局域網(wǎng)擊破存儲(chǔ) 連接。 FCoE存儲(chǔ) 也需要新的步驟來(lái)把服務(wù)器連接到存儲(chǔ) 。對(duì)于虛擬 主機(jī)配置,IT管理 員必須熟悉以太網(wǎng)的配置要求,這和光纖通道的管理 員不一樣。有了FCoE存儲(chǔ) ,存儲(chǔ) 管理 員不單單只負(fù)責(zé)
2011-12-13 15:07:55
嵌入式系統(tǒng)開發(fā)嵌入式系統(tǒng)開發(fā)工具進(jìn)程控制Linux虛擬 內(nèi)存管理 技術(shù) 嵌入式系統(tǒng)開發(fā)工具進(jìn)程控制1、定義:(1)、進(jìn)程是可并發(fā)執(zhí)行的程序,是一個(gè)在數(shù)據(jù)集合上的運(yùn)行過程。(2)、當(dāng)一個(gè)程序開始執(zhí)行之后,在
2021-12-22 06:33:19
清楚,請(qǐng)聯(lián)系技術(shù) 支持。表1 NandFlash分區(qū)信息NAND Flash 存儲(chǔ) 器分區(qū)??EPC-6Y2C-L板載256MB的NAND Flash ,其扇區(qū) 大小為128KB,uboot、linux內(nèi)核以及文件系統(tǒng)等都安裝在其中,NAND Flash 的分區(qū)情況如表1所列。注
2021-12-15 06:34:30
的 flash _mode 和時(shí)鐘頻率?
2) ROM加載這個(gè)扇區(qū) 后會(huì)發(fā)生什么?(我原以為它會(huì)開始執(zhí)行該扇區(qū) 中包含的任何代碼,但它似乎在閃存中搜索半隨機(jī)地址處的其他代碼)。
3) 假設(shè) ROM 在閃存
2023-06-09 09:03:28
STM32F407的FLASH 為什么只能按扇區(qū) 擦除?怎樣使用STM32F407內(nèi)部扇區(qū) 儲(chǔ)存數(shù)據(jù)?
2021-09-24 12:04:38
我想保存少量的設(shè)置數(shù)據(jù)在FLASH 中,這樣斷電數(shù)據(jù)不丟失。F2XX和F4XX的FLASH ,一擦就是一個(gè)扇區(qū) ,前面的幾個(gè)扇區(qū) 還小一些,后面的扇區(qū) 都是128K。程序得從開頭運(yùn)行吧,只能使用最后一個(gè)扇區(qū) ,可后面的扇區(qū) 都是128K,太浪費(fèi)了。不知道ST對(duì)這個(gè)事是怎么考慮的。
2019-03-21 08:04:39
1 Flash 類型與技術(shù) 特點(diǎn)Flash 主要分為NOR和NAND兩類。下面對(duì)二者作較為詳細(xì)的比較。1.1 性能比較Flash 閃存是非易失存儲(chǔ) 器,可以對(duì)存儲(chǔ) 器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何Flash 器件
2011-04-23 09:22:47
據(jù)信息。NAND的讀和寫操作采用512字節(jié)的塊,這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理 此類操作。很自然地,基于NAND的存儲(chǔ) 器就可以取代硬盤或其它塊設(shè)備。1.3 容量和成本NAND Flash 的單元尺寸幾乎是NOR器件
2012-12-25 19:29:41
系統(tǒng)設(shè)計(jì)Flash 在每MB的存儲(chǔ) 開銷上較RAM要昂貴,但對(duì)于uClinux系統(tǒng)來(lái)說(shuō),選擇Flash 作為存儲(chǔ) 器具有一定的優(yōu)勢(shì)。UClinux系統(tǒng)在上電后,需要運(yùn)行的程序代碼和數(shù)據(jù)都可以存儲(chǔ) 在Flash
2011-06-02 09:26:24
tinyFlash一種超輕量級(jí)的flash KV數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 方案Github 地址:https://github.com/ospanic/tinyFlash設(shè)計(jì)原理本方案采用兩個(gè)扇區(qū) 輪流使用的方法存儲(chǔ)
2021-12-20 06:08:07
虛擬 化技術(shù) 作為建設(shè)綠色數(shù)據(jù)中心的一項(xiàng)重要技術(shù) ,一直在不斷發(fā)展完善,其應(yīng)用領(lǐng)域包括操作系統(tǒng)、服務(wù)器、存儲(chǔ) 以及網(wǎng)絡(luò)。網(wǎng)絡(luò)的虛擬 化技術(shù) 主要依托于以太網(wǎng)交換機(jī)實(shí)現(xiàn),自2009年以來(lái),以太網(wǎng)交換機(jī)的主流廠商都推出了自己的虛擬 化解決方案,下面就將這幾種主要的虛擬 化技術(shù) 列比說(shuō)明下。
2019-08-14 06:52:16
在擦除扇區(qū) 和寫入扇區(qū) 時(shí)報(bào)FLASH _ERROR_PROGRAM錯(cuò)誤??赡茉颍?b class="flag-6" style="color: red">flash沒有初始化。在操作前初始化即可。void drv_flash _Init(void){FLASH
2021-08-05 08:10:44
STM32L431CC 對(duì)其 FLASH 使用頁(yè)面而不是扇區(qū) ,因此這是我用來(lái)寫入其 FLASH 存儲(chǔ) 器的代碼:HAL_FLASH _Unlock();__HAL_FLASH
2023-01-12 07:47:33
Flash 類型與技術(shù) 特點(diǎn)有哪些?如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)器?如何去設(shè)計(jì)Flash 存儲(chǔ) 器?
2021-04-27 06:20:01
一顆flash 存儲(chǔ) 空間大小不一樣,地址線位寬也是不一樣的。比如:一顆flash 存儲(chǔ) 空間為64Mbit,每個(gè)地址內(nèi)存儲(chǔ) 1byte(8bit)數(shù)據(jù),共8Mbyte空間。地址分為 128 扇區(qū)
2021-12-10 07:19:38
FLASH 存儲(chǔ) 器是什么?嵌入式Flash 的特性有哪些?嵌入式Flash 扇區(qū) 擦除有哪些步驟?
2021-09-24 14:40:28
必須尋求一個(gè)完備的存儲(chǔ) 器數(shù)據(jù)管理 方法[ 1] 。本文介紹了一種適用于無(wú)文件系統(tǒng)環(huán)境下的N OR Flash 管理 方法, 采用分塊管理 和狀態(tài)轉(zhuǎn)換的方法使得Flash 的使用效率和操作可靠性得到大大提高。
2020-04-07 06:10:21
大家好, 我有一個(gè)問題是通過I2C管理 扇區(qū) 安全狀態(tài)。我的步驟在這里描述: - 顯示I2C密碼,如數(shù)據(jù)表中所述(僅在啟動(dòng)時(shí)需要) - 寫入所需扇區(qū) 的SSS字節(jié)。 作為一個(gè)仔細(xì)檢查,我將讀取剛剛寫入
2019-08-20 12:42:48
求一套FLASH 存儲(chǔ) 器實(shí)時(shí)存取管理 方案。
2021-04-25 08:18:52
用SPI接口擴(kuò)展外部Flash 存儲(chǔ) 器本應(yīng)用例使用SPMC75F2413A的SPI(Serial Peripheral Interface)功能實(shí)現(xiàn)對(duì)具有SPI接口的Flash 存儲(chǔ) 設(shè)備進(jìn)行操作。完成
2009-09-21 09:19:30
項(xiàng)目中用到stm32內(nèi)部flash 存儲(chǔ) 一些系統(tǒng)運(yùn)行數(shù)據(jù),每次上電重新加載保存的數(shù)據(jù)。早先用法如下圖所示,擦除之前每次要關(guān)閉總中斷,解鎖flash ,擦除對(duì)應(yīng)扇區(qū) ,然后寫入數(shù)據(jù)
2022-01-26 07:51:05
的FlashFlash存儲(chǔ) 器有以下特點(diǎn)最大1M字節(jié)的能力128位,也就是16字節(jié)寬度的數(shù)據(jù)讀取字節(jié),半字,字和雙字寫入扇區(qū) 擦除和批量擦除存儲(chǔ) 器的構(gòu)成主要存儲(chǔ) 區(qū)塊包含4個(gè)16K字節(jié)扇區(qū) ,1個(gè)64K字節(jié)扇區(qū) 和7個(gè)128K字節(jié)扇區(qū) 。系統(tǒng)存儲(chǔ) 器是用于在系統(tǒng)boot模式啟動(dòng)設(shè)備的。這一...
2021-07-22 08:45:40
我有一個(gè)數(shù)據(jù)文件想保存在207 內(nèi)部FLASH 某個(gè)扇區(qū) 。請(qǐng)問,有什么工具可以支持燒寫任意格式文件到指定扇區(qū) ?如果沒有,那只有自己實(shí)現(xiàn)IAP了。
2018-08-28 10:50:46
以TRI 公司的基于NOR Flash 的Flash 管理 軟件FMM 為例, 詳細(xì)介紹嵌入式系統(tǒng)中如何根據(jù)Flash 的物理特性來(lái)進(jìn)行Flash 存儲(chǔ) 管理 。
2009-05-15 13:21:42 15 較為詳細(xì)地介紹嵌入式操作系統(tǒng)uClinux 平臺(tái)下的Flash 存儲(chǔ) 技術(shù) ,并給出基于三星S3C4510 系統(tǒng)下Flash 存儲(chǔ) 器的具體設(shè)計(jì)實(shí)例。
2009-05-15 15:47:24 10 首先, 針對(duì)閃存Flash 的存儲(chǔ) 編程特點(diǎn), 提出一種基于虛擬 扇區(qū) 的閃存管理 技術(shù) , 使系統(tǒng)對(duì)Flash 的擦寫次數(shù)大大降低,從而提高Flash 的使用壽命和整個(gè)系統(tǒng)的性能。然后,通過嵌入式
2009-05-16 13:30:20 19 本文以TRI 公司的基于NOR Flash 的Flash 管理 軟件FMM 為例,詳細(xì)介紹嵌入式系統(tǒng)中如何根據(jù)Flash 的物理特性來(lái)進(jìn)行Flash 存儲(chǔ) 管理 ,并比較與不采用FMM
2009-09-14 09:44:54 9 VxWorks 操作系統(tǒng)提供文件系統(tǒng)來(lái)訪問和管理 Flash 存儲(chǔ) 器,這種方式不能滿足實(shí)時(shí)寫入和系統(tǒng)可控的要求。本文提出一種通過接管系統(tǒng)時(shí)鐘中斷來(lái)控制Flash Memory 讀寫操作和基于管理 區(qū)
2009-09-22 11:36:12 29 NAND FLASH 開始廣泛應(yīng)用于星載存儲(chǔ) 器,針對(duì)FLASH 的數(shù)據(jù)高效管理 成為該類存儲(chǔ) 器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 特點(diǎn),引入文件系統(tǒng)的概
2010-02-24 14:41:26 10 NAND FLASH 開始廣泛應(yīng)用于星載存儲(chǔ) 器,針對(duì)FLASH 的數(shù)據(jù)高效管理 成為該類存儲(chǔ) 器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 特點(diǎn),引入文件系統(tǒng)的概
2010-07-17 18:06:29 14 Nand+Flash 存儲(chǔ) 管理 在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn)
Nand Flash 作為一種安全、快速的存儲(chǔ) 體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已
2010-04-12 13:42:17 1174 淺析虛擬 化技術(shù) 各種形式管理 方案
隨著存儲(chǔ) 網(wǎng)絡(luò)技術(shù) 的成熟,大容量和復(fù)雜度較高的方案實(shí)現(xiàn)變得十分常見。不同架構(gòu)的存儲(chǔ) 平臺(tái)大大增加了管理
2010-04-27 17:34:09 546 最近幾年,隨著企業(yè)業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)量(郵件數(shù)據(jù)、應(yīng)用程序、業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)、特殊機(jī)密數(shù)據(jù)等等)的爆炸性增加,隨之而來(lái)的是存儲(chǔ) 容量和數(shù)據(jù)管理 難度的增加;加上虛擬 化將越來(lái)越普及
2010-09-10 17:59:43 327 Flash 存儲(chǔ) 器的簡(jiǎn)介
在眾多的單片機(jī)中都集成了 Flash 存儲(chǔ) 器系統(tǒng),該存儲(chǔ) 器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)
2010-11-11 18:25:09 4564 現(xiàn)如今,任何技術(shù) 幾乎都可以虛擬 化,按照這種邏輯的話,存儲(chǔ) 當(dāng)然也不例外。這意味著要隱藏虛擬 層之后發(fā)生的一切——包括分層,分層概念在本質(zhì)上很簡(jiǎn)單,即在成本效益的基礎(chǔ)上,將數(shù)據(jù)儲(chǔ)存于最合適的存儲(chǔ) 類型中。換言之,數(shù)據(jù)的價(jià)值越高,就越應(yīng)該被保存在更快
2011-02-23 10:16:24 884 分析當(dāng)前網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ) 系統(tǒng)存在的問題,給出一種基于企業(yè)卷管理 系統(tǒng)技術(shù) 的帶外虛擬 網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ) 系統(tǒng)基本結(jié)構(gòu)。分別闡述該存儲(chǔ) 系統(tǒng)的客戶端、內(nèi)部數(shù)據(jù)的讀/寫操作、存儲(chǔ) 系統(tǒng)在線存儲(chǔ) 容量
2011-05-18 18:50:31 38 FLASH 的全稱是FLASH EEPROM,但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同, FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH 按扇區(qū) 操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲(chǔ) 單元的結(jié)構(gòu)也不同
2011-12-28 10:02:19 6031 存儲(chǔ) 虛擬 化技術(shù) 將底層存儲(chǔ) 設(shè)備進(jìn)行抽象化統(tǒng)一管理 ,向服務(wù)器層屏蔽存儲(chǔ) 設(shè)備硬件的特殊性,而只保留其統(tǒng)一的邏輯特性,從而實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ) 系統(tǒng)集中、統(tǒng)一而又方便的管理 。對(duì)比一個(gè)
2012-02-15 14:40:39 1526 一般而言,存儲(chǔ) 虛擬 化的實(shí)現(xiàn)方式通常分為三種:交換架構(gòu)虛擬 化,磁盤陣列虛擬 化,以及整合到應(yīng)用設(shè)備內(nèi)的虛擬 化。對(duì)于三種不同的虛擬 化方式,存儲(chǔ) 供應(yīng)商都有各自的獨(dú)門兵器。
2012-08-01 09:18:26 729 表的管理 程序,可以提供單/多扇區(qū) 的操作。
多扇區(qū) 為nandflash專門設(shè)計(jì),可以降低NANDFLASH物理擦除數(shù),具有FLASH 上直接預(yù)分配功能。
2016-09-19 16:57:48 0 uClinux平臺(tái)下的Flash 存儲(chǔ) 技術(shù)
2017-01-19 21:22:54 12 基于虛擬 存儲(chǔ) 技術(shù) 構(gòu)建容災(zāi)備份系統(tǒng)_李懷江
2017-03-15 08:00:00 0 Flash 存儲(chǔ) 問題總是在我們技術(shù) 支持渠道位列榜首。Toradex投入了大量資源保證存儲(chǔ) 盡可能的穩(wěn)定。然而,了解一些關(guān)于存儲(chǔ) 的基本知識(shí)還是十分重要的。首先你需要知道存儲(chǔ) 是否磨損,當(dāng)往內(nèi)置的存儲(chǔ) 設(shè)備
2017-09-18 11:51:21 19 本文提供一種利用MCU內(nèi)部數(shù)據(jù)Flash 存儲(chǔ) 非易失性數(shù)據(jù)的方法,它不僅操作方便,應(yīng)用接口簡(jiǎn)單,而且可以盡量避免扇區(qū) 擦除操作,提高存儲(chǔ) 效率,同時(shí)提高M(jìn)CU內(nèi)部數(shù)據(jù)Flash 的使用壽命。
2017-09-19 11:13:46 4 Flash 存儲(chǔ) 器技術(shù) 趨于成熟,應(yīng)用廣泛,它結(jié)合了OTP存儲(chǔ) 器的成本優(yōu)勢(shì)和EEPROM的可再編程性能,是目前比較理想的存儲(chǔ) 器。Flash 存儲(chǔ) 器具有電可擦除、無(wú)需后備電源來(lái)保護(hù)數(shù)據(jù)、可在線編程、存儲(chǔ) 密度
2017-10-11 18:57:41 3776 虛擬 化正處在業(yè)界討論的風(fēng)口浪尖,它的興起使得眾多存儲(chǔ) 廠商爭(zhēng)相上馬虛擬 化技術(shù) 。然而,盡管所有人都同意存儲(chǔ) 虛擬 化在簡(jiǎn)化存儲(chǔ) 管理 和降低存儲(chǔ) 資產(chǎn)管理 成本方面具有巨大潛力,但市場(chǎng)中仍然存在一些對(duì)虛擬 化的誤解
2017-10-20 11:23:54 1 。 然而,最終用戶都希望虛擬 桌面的性能和用戶體驗(yàn)至少和物理桌面一樣好,但是對(duì)于某些應(yīng)用如視頻播放、網(wǎng)頁(yè)Flash 播放等等VDI的用戶體驗(yàn)均不理想。本文針對(duì)VDI環(huán)境下網(wǎng)頁(yè)Flash 視頻播放效果差的問題,提出了一種基于虛擬 通道的Flash 映射技術(shù) ,大幅度提
2017-11-16 16:36:10 0 , 這就必須尋求一個(gè)完備的存儲(chǔ) 器數(shù)據(jù)管理 方法[ 1] 。本文介紹了一種適用于無(wú)文件系統(tǒng)環(huán)境下的N OR Flash 管理 方法, 采用分塊管理 和狀態(tài)轉(zhuǎn)換的方法使得Flash 的使用效率和操作可靠性得到大大提高。 2 NOR Flash 存儲(chǔ) 器及其特性 NOR Flash 和NAND Fl
2017-11-30 04:25:01 725 的工作, 這就必須尋求一個(gè)完備的存儲(chǔ) 器數(shù)據(jù)管理 方法[ 1] 。本文介紹了一種適用于無(wú)文件系統(tǒng)環(huán)境下的N OR Flash 管理 方法, 采用分塊管理 和狀態(tài)轉(zhuǎn)換的方法使得Flash 的使用效率和操作可靠性得到大大提高。 2 NOR Flash 存儲(chǔ) 器及其特性 NOR Flash 和NAND
2017-11-30 04:44:29 180 。 然而,最終用戶都希望虛擬 桌面的性能和用戶體驗(yàn)至少和物理桌面一樣好,但是對(duì)于某些應(yīng)用如視頻播放、網(wǎng)頁(yè)Flash 播放等等VDI的用戶體驗(yàn)均不理想。本文針對(duì)VDI環(huán)境下網(wǎng)頁(yè)Flash 視頻播放效果差的問題,提出了一種基于虛擬 通道的Flash 映射技術(shù) ,大幅度提
2017-12-05 11:07:48 0 由于采用了存儲(chǔ) 虛擬 化技術(shù) ,數(shù)據(jù)中心的運(yùn)維人員在日常管理 與維護(hù)中通常無(wú)需對(duì)單一存儲(chǔ) 設(shè)備進(jìn)行操作,而是通過存儲(chǔ) 虛擬 化控制器提供的統(tǒng)一界面,對(duì)存儲(chǔ) 資源進(jìn)行管理 。對(duì)存儲(chǔ) 系統(tǒng)擴(kuò)容時(shí),可以靈活地根據(jù)需求、成本、項(xiàng)目預(yù)算等因素考慮采用利舊,對(duì)原有設(shè)備擴(kuò)容及采購(gòu)異構(gòu)存儲(chǔ) 等多種方案,實(shí)現(xiàn)了業(yè)務(wù)的不中斷操作。
2018-08-16 18:03:18 6275 隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用,大量需要一種能多次編程,容量大,讀寫、擦除快捷、方便、簡(jiǎn)單,外圍器件少,價(jià)格低廉的非易揮發(fā)存儲(chǔ) 器件。閃存Flash 存儲(chǔ) 介質(zhì)就是在這種背景需求下應(yīng)運(yùn)而生的。它是一種
2020-05-25 08:01:00 1225 FLASH 的全稱是FLASHEEPROM,但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同。 FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH 按扇區(qū) 操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲(chǔ) 單元的結(jié)構(gòu)
2018-09-21 22:40:01 779 本視頻主要詳細(xì)介紹了虛擬 化技術(shù) 有哪些,分別有CPU虛擬 化、網(wǎng)絡(luò)虛擬 化、服務(wù)器虛擬 化、存儲(chǔ) 虛擬 化、應(yīng)用虛擬 化。
2019-01-02 16:25:05 37087 虛擬 化改變了計(jì)算機(jī)使用存儲(chǔ) 的方式。就像物理機(jī)器抽象成虛擬 機(jī)(VM:Virtual Machine)一樣,物理存儲(chǔ) 設(shè)備也被抽象成虛擬 磁盤(Virtual Disk)。
2019-05-19 11:39:20 1174 近日,據(jù)外媒報(bào)道,東芝存儲(chǔ) 器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ) 器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash ,該技術(shù) 是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù) 和SLC
2019-08-07 10:56:32 665 據(jù)外媒報(bào)道,東芝存儲(chǔ) 器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ) 器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash ,該技術(shù) 是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù) 和SLC。
2019-09-04 16:41:32 1234 虛擬 存儲(chǔ) 提供了一個(gè)大容量存儲(chǔ) 系統(tǒng)集中管理 的手段,由網(wǎng)絡(luò)中的一個(gè)環(huán)節(jié)(如服務(wù)器)進(jìn)行統(tǒng)一管理 ,避免了由于存儲(chǔ) 設(shè)備擴(kuò)充所帶來(lái)的管理 方面的麻煩。
2020-03-18 14:04:25 2235 存儲(chǔ) 虛擬 化技術(shù) 可以減少存儲(chǔ) 系統(tǒng)的管理 開銷、實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ) 系統(tǒng)的數(shù)據(jù)共享、提供透明的高可靠性和可擴(kuò)展性、優(yōu)化使用存儲(chǔ) 系統(tǒng)。
2020-03-20 16:21:37 486 云存儲(chǔ) 中的一種典型存儲(chǔ) 方式為分布式存儲(chǔ) 。在這種方式中,一般采用帶外虛擬 化的方式管理 存儲(chǔ) 設(shè)備,元數(shù)據(jù)管理 和數(shù)據(jù)傳輸都是通過IP網(wǎng)絡(luò)來(lái)完成。
2020-03-21 15:46:17 1289 SNIA 存儲(chǔ) 網(wǎng)絡(luò)工業(yè)協(xié)會(huì)對(duì)存儲(chǔ) 虛擬 化定義:通過對(duì)存儲(chǔ) (子)系統(tǒng)或存儲(chǔ) 服務(wù)的內(nèi)部功能進(jìn)行抽象、隱藏或隔離,使存儲(chǔ) 或數(shù)據(jù)的管理 與應(yīng)用、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)資源的管理 分離,從而實(shí)現(xiàn)應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)的獨(dú)立管理 。
2020-07-02 09:45:13 1012 虛擬 化技術(shù) 可以更好的管理 虛擬 基礎(chǔ)架構(gòu)的存儲(chǔ) 資源,使系統(tǒng)大幅提升存儲(chǔ) 資源利用率和靈活性,提高應(yīng)用的正常運(yùn)行時(shí)間。
2020-07-31 14:42:37 2736 虛擬 存儲(chǔ) 器是存儲(chǔ) 管理 中一個(gè)特別重要的概念,你要認(rèn)真掌握虛存的定義和特征。此外,你還要知道為何要引入虛存、實(shí)現(xiàn)虛存技術(shù) 的物質(zhì)基礎(chǔ)、虛存容量受到哪兩方面的限制。
2020-11-25 16:37:22 14942 的Flash Flash 存儲(chǔ) 器有以下特點(diǎn) 最大1M字節(jié)的能力 128位,也就是16字節(jié)寬度的數(shù)據(jù)讀取 字節(jié),半字,字和雙字寫入 扇區(qū) 擦除和批量擦除 存儲(chǔ) 器的構(gòu)成 主要存儲(chǔ) 區(qū)塊包含4個(gè)16K字節(jié)扇區(qū)
2021-02-23 15:59:32 5168 FLASH ,指Flash Memory,是一種非易失性存儲(chǔ) 器(閃存),掉電能正常保存數(shù)據(jù)。 STM32的存儲(chǔ) 器通常包含內(nèi)部SRAM、內(nèi)部FLASH ,部分系列還包含EEPROM。其中FLASH 通常
2021-03-12 17:13:39 1567 ME32F030采用高可靠的嵌入式Flash 技術(shù) ,64K用戶區(qū)間,支持IAP/ISPFlash擦寫技術(shù) 。MCUFlash采用32位數(shù)據(jù)總線讀寫,充分利用32位ARMCPU性能優(yōu)勢(shì),同時(shí)它的512字節(jié)小扇區(qū) 結(jié)構(gòu),管理 操作也更加靈活。
2021-05-01 16:21:00 5702 。比如大家熟悉的STM32F1中小容量一頁(yè)大小只有1K,而F1大容量一頁(yè)有2K。 還比如有些系列以扇區(qū) 為最小單元,有的扇區(qū) 最小16K,有的128K不等。 通常Flash 包含幾大塊,這里以F40x為例: 主存儲(chǔ) 器:用來(lái)存放用戶代碼或數(shù)據(jù)。 系統(tǒng)存儲(chǔ) 器:用來(lái)存放出廠程序,一般是啟動(dòng)程序代碼。 OTP 區(qū)域:
2021-06-27 11:41:47 3261 盡管虛擬 化存儲(chǔ) 有很多好處,但目前還沒有一種明確的方法來(lái)部署或管理 該技術(shù) ;這部分是因?yàn)槠髽I(yè)有不同的要求,并且產(chǎn)品在功能、技術(shù) 要求和用例方面差異很大。 存儲(chǔ) 虛擬 化有助于簡(jiǎn)化管理 并提高資源使用率。還可
2021-10-13 16:32:33 1643 主要介紹mcu-內(nèi)部flash 1、STM32F207VET6跟GD32F407VET6,flash 的結(jié)構(gòu):包含4個(gè)16KB的扇區(qū) 、1個(gè)64KB的扇區(qū) 、3個(gè)128KB的扇區(qū) 。塊0跟塊1。內(nèi)部flash
2021-12-01 21:06:07 11 FLASH 磨損均衡原理及實(shí)現(xiàn)背景磨損均衡原理磨損均衡實(shí)現(xiàn)定長(zhǎng)數(shù)據(jù)讀寫不定長(zhǎng)數(shù)據(jù)讀寫多個(gè)不定長(zhǎng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 讀寫總結(jié)背景flash 為嵌入式設(shè)備中常見的存儲(chǔ) 器,優(yōu)點(diǎn):便宜,容量大,但缺點(diǎn)也比較明顯,最大的缺點(diǎn)
2021-12-02 10:06:05 8 項(xiàng)目中用到stm32內(nèi)部flash 存儲(chǔ) 一些系統(tǒng)運(yùn)行數(shù)據(jù),每次上電重新加載保存的數(shù)據(jù)。早先用法如下圖所示,擦除之前每次要關(guān)閉總中斷,解鎖flash ,擦除對(duì)應(yīng)扇區(qū) ,然后寫入數(shù)據(jù)
2021-12-02 11:51:13 16 寫flash 芯片時(shí)為什么需要先擦除? 在講解為什么需要先擦除Flash 芯片之前,先來(lái)了解一下Flash 芯片的基本概念和組成部分。 Flash 芯片是非易失性存儲(chǔ) 器,內(nèi)部由多個(gè)塊組成,每個(gè)塊都是一定
2023-10-29 17:24:37 2320 ,包括其結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)以及如何寫入數(shù)據(jù)。 一、STM32 Flash 的結(jié)構(gòu) STM32 Flash 存儲(chǔ) 器通常被分為多個(gè)扇區(qū) ,每個(gè)扇區(qū) 大小為2KB到256KB不等,根據(jù)不同的型號(hào)有所不同。每個(gè)扇區(qū) 可以獨(dú)立進(jìn)行
2024-01-31 15:46:03 421
已全部加載完成
評(píng)論
查看更多