基于虛擬扇區(qū)管理技術提高Flash存儲器的應用系統(tǒng)性能

引言

隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展和廣泛應用，大量需要一種能多次編程，容量大，讀寫、擦除快捷、方便、簡單，外圍器件少，價格低廉的非易揮發(fā)存儲器件。閃存Flash存儲介質就是在這種背景需求下應運而生的。它是一種基于半導體的存儲器，具有系統(tǒng)掉電后仍可保留內(nèi)部信息，及在線擦寫等功能特點，是一種替代EEPROM存儲介質的新型存儲器。因為它的讀寫速度比EEPROM更快，在相同容量的情況下成本更低，因此閃存Flash將是嵌入式系統(tǒng)中的一個重要組成單元。然而，由于Flash讀寫存儲的編程特點，有必要對其進行存儲過程管理，以使整個系統(tǒng)性能得以改善。

1、 閃存Flash的存儲編程特點

Flash寫：由1變?yōu)?，變?yōu)?后，不能通過寫再變?yōu)?。

Flash擦除：由0變?yōu)?，不能只某位單元進行擦除。

Flash的擦除包括塊擦除和芯片擦除。塊擦除是把某一擦除塊的內(nèi)容都變?yōu)?，芯片擦除是把整個Flash的內(nèi)容都變?yōu)?。通常一個Flash存儲器芯片，分為若干個擦除block，在進行Flash存儲時，以擦除block為單位。

當在一個block中進行存儲時，一旦對某一block中的某一位寫0，再要改變成1，則必須先對整個block進行擦除，然后才能修改。通常，對于容量小的block操作過程是：先把整個block讀到RAM中，在RAM中修改其內(nèi)容，再擦除整個block，最后寫入修改后的內(nèi)容。顯然，這樣頻繁復雜的讀-擦除-寫操作，對于Flash的使用壽命以及系統(tǒng)性能是很不好的，而且系統(tǒng)也常常沒有這么大的RAM空間資源。一種基于虛擬扇區(qū)的管理技術可以有效地控制Flash的擦寫次數(shù)，提高Flash的使用壽命，從而提高系統(tǒng)性能。

2、 基本原理

2.1概念

VSS（Visual Small Sector），虛擬小扇區(qū)：以它為單位讀寫Flash內(nèi)容。

VSS ID（Visual Small Sector Identity），虛擬小扇區(qū)號：只通過虛擬扇區(qū)號進行存儲，不用考慮它的真實物理地址。

SI（Sector Identity），分割號：一個擦寫邏輯塊中物理扇區(qū)的順序分割號。

BI（Block Identity），塊號：Flash芯片中按擦除進行劃分的塊號。

SAT（Sector Allocate Table），扇區(qū)分配表：一個擦寫邏輯塊中的扇區(qū)分配表。一個SAT由許多SAT單元組成，一個SAT表對應一個Block，一個SAT單元對應一個VSS。

每個SAT單元最高兩位為屬性位，后面各位為VSS ID號。如果一個SAT單元由16位組成，則VSS ID最大可以達到161024；而如果SAT單元由8位組成，則VSS ID最大可以達到64，具體約定由應用情況而定。

2.2 實現(xiàn)原理

把每個block分為更小的虛擬邏輯塊（visual small sector），稱為虛擬扇區(qū)，扇區(qū)大小根據(jù)應用而定。每個block前面的一固定單元用于記錄本block中扇區(qū)分配的使用情況（即扇區(qū)分配表），包括扇區(qū)屬性及扇區(qū)邏輯號。圖1為邏輯扇區(qū)劃分示意圖。

在進行數(shù)據(jù)讀寫和修改時，以虛擬扇區(qū)塊的大小為單位。要修改某一扇區(qū)的數(shù)據(jù)時，先讀出這個扇區(qū)的內(nèi)容，重新找一個未使用的扇區(qū)，把修改后的內(nèi)容寫入這個新扇區(qū)。然后，修改原來扇區(qū)的屬性值為無效，修改這個新扇區(qū)的屬性為有效，拷貝VSS ID號到新扇區(qū)對應的SAT單元中。

這樣，當某一個block中的SAT屬性都標為無效時，才對當前block進行擦寫。可見，以虛擬扇區(qū)大小為單位的存儲管理，對Flash塊的擦寫次數(shù)可大大減少，從而提高了系統(tǒng)性能。

3 、VSS管理實現(xiàn)要點

3.1 常數(shù)部分

#define BLOCKSIZE 128*1024 //可根據(jù)Flash型號修改

#define SECTORSIZE 512 //可根據(jù)Flash型號及應用情況修改

#define MAX_BLOCK 8 //可擦除塊個數(shù)

#define MAX_SI_1B 255 //每個可擦除塊中有效SI個數(shù)

#define SATSIZE 510 //扇區(qū)分配表大小

#define VSS_MASK 0XC000 //VSS屬性屏蔽值

#define VSS_FREE 0XC000 //VSS為未使用的屬性值

#define VSS_VALID 0X4000 //VSS為有效的屬性值

#define VSS_INVALID 0X0000 //VSS為無效的屬性值

3.2 數(shù)據(jù)結構部分

unsigned char VSS_Table［MAX_BLOCK］［MAX_SI_1B/8］;用于記錄Flash中各個block的使用情況。數(shù)組中的某位為1，表示相應sector為未使用；否則，為已經(jīng)寫過，系統(tǒng)通過這個表可以跟蹤各個block的使用情況。

3.3 函數(shù)功能部分

1） Flash_Format（）//擦除整塊Flash存儲介質。

2） Flash_Init（）//對VSS管理系統(tǒng)參數(shù)進行初始化，填充VSS_Table表，統(tǒng)計Flash的使用情況。在系統(tǒng)復位初始時調(diào)用。

3） Block_Erase（int blockID）//擦除塊號為block ID的塊。

4） Find_VSS（int vss）//查找VSS所在的block ID及分割號SI。

5） Get_Addr（int vss）//取得VSS所在的物理地址。

6） Scan_SAT（int blockID）//整理塊號為block ID的SAT，填充VSS_Table［］。

7） Flash_Read（long addr，char *pdata，int len）//從物理地址為addr的Flash處讀取len個字節(jié)到pdata。

8） Flash_Write（long addr，char *pdata，int len）//寫pdata中長度為len的數(shù)據(jù)到指定地址為addr的Flash中。

9） Read_Sat（int bi）//讀取塊號為blockID的SAT。

10） IsValid（vat）//檢查本SAT單元屬性是否有效。

11） IsFree（vat）//檢查本SAT單元屬性是否未使用。

12） IsInvalid（vat）//檢查本SAT單元屬性是否無效。

13） Read_VSS（addr）//從地址為addr處讀一個VSS。

14） Write_VSS（addr，*pData）//把pData中的內(nèi)容寫到從地址addr開始的一個VSS中。

4、 計算VSS ID的物理地址

要對某個VSS ID進行讀寫操作，必須先找到其物理地址。

定位某個VSS ID物理地址的過程如下。

① 查找這個VSS ID所在的塊號（BI）以及在這個塊中所處的分割號（SI）。

從第一個block開始，搜索這個塊的SAT表。首先搜索屬性，只有屬性為有效的才比較VSS ID號。如果條件滿足，記錄所在的塊號BI及SAT的位置，即扇區(qū)分割號SI；否則，block號增加，繼續(xù)按照上面步驟查找。

bFound=0;

for（int i=0;iMAX_block;i++）

{//讀取對應block的SAT表

psat=ReadSat（i）

for（j=0;jMAX_SI_1B;j++）

{//分析每個SAT單元

sat=*psat++;

if（IsValid（sat））//比較屬性是否有效

{//比較邏輯號是否相等，相等設置標志退出

if（Equal（sat，VSSID））{bFound=1;break;}

}

}

if（bFound）{bi=i;si=j;break;}//找到后記錄塊號和分割號退出

}

②找到VSS ID所在的塊號及分割號（SI）后，這個VSS ID的物理地址為：

ADDR=整個Flash的偏地址+

BLOCKID*BLOCKSIZE+SATSIZE+SI*SECＴＥＲＳＩＺＥ。

５、應用

應用于名片記錄管理系統(tǒng)：由于名片記錄很大，而且記錄很多，存在常常修改的情況，因此可以使用Flash作存儲介質。

名片記錄結構為：

struct CARD

{

char name［10］; //姓名：１０字節(jié)

char position［15］; //出職務：１５字節(jié)

char companyname［40］; //公司名稱：１５字節(jié)

char mobilephone［11］; //手機號碼：１１字節(jié)

char homephone［15］; //家庭電話：１５字節(jié)

char officephone［15］; //辦公電話：１５字節(jié)

char Email［30］; //郵件地址：３０字節(jié)

char homepage［30］; //公司主頁：３０字節(jié)

char remark［40］; //備注：４０字節(jié)

｝card_record;

每個名片記錄大小為：１８１字節(jié)。

對于１ＭＢ的Flash，分為８個block，每個block為１２８ＫＢ（１３１０７２字節(jié)）。

針對以上情況，作如下分配：

每個扇區(qū)大小為１８１字節(jié)；

ＳＡＴ大小為１４３２字節(jié)，每個ＳＡＴ單元用１６位（２字節(jié)）；

分為７１６個扇區(qū)，也相當于１個block能存７１６條名片記錄，則１３１０７２－１４３２－７１６１８１＝４４字節(jié)為空閑。

常數(shù)定義部分修改如下：

#define blockSIZE 128*1024 //每個block大小

#define SECTORSIZE 181 //每個扇區(qū)大小

＃define MAX_SI_1B 716 //每個可擦除塊中有ＳＩ個數(shù)

＃define SATSIZE 1432／／扇區(qū)分配表大小

#define VSS_MASK 0XC000 //ＶＳＳ屬性屏蔽值

#define VSS_FREE 0XC000 //VSS為未使用的屬性值

＃define VSS_VALID 0X4000 //VSS為有效的屬性值

＃define VSS_INVALID 0X0000 //VSS為無效的屬性值

約定：首先對名片進行編號，且約定名片的編號對應于ＶＳＳＩＤ邏輯號。

a） 記錄增加。增加一個記錄時，根據(jù)提供的ＶＳＳＩＤ號，首先查找這個記錄號是否在使用。如果還沒有使用，首先查找這個記錄號是否在使用。如果還沒有使用，則申請一個未使用的ＶＳＳ，把相在內(nèi)容寫入這個ＶＳＳ，修改其對應的ＳＡＴ單元，寫入有效屬性值和ＶＳＳＩＤ號；否則，進入記錄修改過程。

b） 記錄刪除。要刪除一個記錄時，根據(jù)提供的ＶＳＳＩＤ號，查找ＳＡＴ表。如果找到，修改其對應的ＳＡＴ屬性為無效；否則，說明這個記錄不存在。

c） 記錄查找。①由ＶＳＳＩＤ號進行的查找：根據(jù)提供的ＶＳＳＩＤ號，查找所有的ＳＡＴ表中屬性為有效的ＶＳＳＩＤ，返回相應的ＢＩ及ＳＩ。②根據(jù)名片的用戶名查找：檢測所有的ＳＡＴ表中屬性為有效的ＶＳＳＩＤ，得到相應的ＢＩ及ＳＩ，由ＢＩ及ＳＩ定位到指定Flash物理地址讀入用戶各到ＲＡＭ中，比較是否相等。如果相等，讀取并返回ＳＡＴ單元的ＶＳＳＩＤ；否則，繼續(xù)查找。

d） 記錄修改。當要修改一名片記錄時，由ＶＳＳＩＤ先把這個記錄讀入到ＲＡＭ中，然后修改其內(nèi)容，重新找一個未使用的扇區(qū)，把修改后的內(nèi)容寫入到這個新扇區(qū)中，并拷貝其ＶＳＳＩＤ號到這個新扇區(qū)對應的ＳＡＴ單元，修改其屬性為高，修改原來的扇區(qū)屬性為無效。

6、結語

本文提出的Flash存儲管理技術原理簡單實用。它是對那些復雜的Ｆlash文件管理系統(tǒng)的一種剪裁、簡化和定制。對于那些不需要復雜的文件管理系統(tǒng)，而又使用了Ｆlash作為存儲介質的嵌入式系統(tǒng)有很好的借鑒意義和使用價值，如手機電話號碼簿管理、短信管理等都可以利用這種技術進行管理。

責任編輯：gt