16日，三星電子宣布在基于EUV的高級(jí)節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)
2019-04-18 15:48:47
6010 作為業(yè)界少數(shù)幾家加入FinFET俱樂部的公司，中芯國際已經(jīng)開始使用其14 nm FinFET制造技術(shù)批量生產(chǎn)芯片。該公司設(shè)法開發(fā)了依賴于此類晶體管的制造工藝。有點(diǎn)遺憾的是，中芯國際的FinFET
2019-11-19 10:40:266858 新思科技公司（Synopsys）在過去五年多與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作共同開發(fā)了對(duì)FinFET技術(shù)的支持，通過提供經(jīng)生產(chǎn)驗(yàn)證的設(shè)計(jì)工具與IP來推進(jìn)對(duì)FinFET技術(shù)的采用。
2013-02-19 10:42:54823 那么20納米的平面型晶體管還有市場價(jià)值么？這是一個(gè)很好的問題，就在此時(shí)，在2013年初，20nm的平面型晶體管技術(shù)將會(huì)全面投入生產(chǎn)而16納米/14納米 FinFET器件的量產(chǎn)還需要一到兩年，并且還有
2013-03-15 09:02:541989 
16nm/14nm FinFET技術(shù)將是一個(gè)Niche技術(shù)，或者成為IC設(shè)計(jì)的主流？歷史證明，每當(dāng)創(chuàng)新出現(xiàn)，人們就會(huì)勾勒如何加以利用以實(shí)現(xiàn)新的、而且往往是意想不到的價(jià)值。FinFET技術(shù)將開啟電腦、通信和所有類型消費(fèi)電子產(chǎn)品的大躍進(jìn)時(shí)代。
2013-03-28 09:26:472161 ARM （LSE:ARM; Nasdaq： ARMH） 和Cadence （NASDAQ： CDNS） 今天宣布合作細(xì)節(jié)，揭示其共同開發(fā)首款基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的ARM?Cortex?-A57處理器，實(shí)現(xiàn)對(duì)16納米性能和功耗縮小的承諾。
2013-04-07 13:46:441509 Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（Cadence Design Systems， Inc.）（納斯達(dá)克代碼：CDNS）今日宣布與TSMC簽訂了一項(xiàng)長期合作協(xié)議，共同開發(fā)16納米FinFET技術(shù)，以其適用于
2013-04-09 11:00:05798 面對(duì)Altera采用英特爾（Intel）14納米三門極電晶體（Tri-gate Transistor）制程，并將于2016年量產(chǎn)14納米FPGA的攻勢，賽靈思于日前發(fā)動(dòng)反擊，將攜手臺(tái)積電采用16納米FinFET制程，搶先于2014年推出新一代FPGA。
2013-05-31 09:29:541063 Cadence系統(tǒng)芯片開發(fā)工具已經(jīng)通過臺(tái)積電（TSMC） 16納米 FinFET制程的設(shè)計(jì)參考手冊(cè)第0.1版與 SPICE 模型工具認(rèn)證,客戶現(xiàn)在可以享用Cadence益華電腦流程為先進(jìn)制程所提供的速度、功耗與面積優(yōu)勢。
2013-06-06 09:26:451236 EDA 業(yè)者正大舉在FinFET市場攻城掠地。隨著臺(tái)積電、聯(lián)電和英特爾（Intel）等半導(dǎo)體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨，并爭相發(fā)布相應(yīng)解決方案，以協(xié)助IC設(shè)計(jì)商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來的新挑戰(zhàn)，卡位先進(jìn)制程市場。
2013-08-26 09:34:041899 
昨日臺(tái)積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡稱16FF+）工藝已經(jīng)開始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本，同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi)，號(hào)稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582127 在國際電子電路研討會(huì)大會(huì)（ISSCC）上，三星展示了采用10納米FinFET工藝技術(shù)制造的300mm晶圓，這表明三星10納米FinFET工藝技術(shù)最終基本定型。
2015-05-28 10:25:271715 隨著臺(tái)積電揭曉7月份營收表現(xiàn)，其中同時(shí)透露旗下16nm FinFET+制程技術(shù)將如期于今年第三季內(nèi)投入量產(chǎn)，預(yù)期將用于代工量產(chǎn)華為旗下海思半導(dǎo)體新款Kirin 950處理器，同時(shí)也將協(xié)助量產(chǎn)蘋果A9處理器。
2015-08-12 10:45:111438 臺(tái)積電第三代16納米FinFET制程從第4季起，大量對(duì)客戶投石問路，這也是臺(tái)積電口中的低價(jià)版本，隨著攻耗和效能的改善，以及價(jià)格的修正，臺(tái)積電可望在2016年全面提升FinFET制程市占率。
2015-10-16 07:47:03807 我們的FinFET制程分為兩個(gè)世代，包括14納米和7納米。過去我們的14納米是和三星電子（Samsung Electronics）合作，在7納米上我們選擇不同技術(shù)，加上收購IBM資產(chǎn)后，我們的研發(fā)資源變廣，因此決定自己開發(fā)7納米制程技術(shù)。
2016-11-03 09:17:281478 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子被指侵犯了與鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）制程工藝相關(guān)的專利，面臨訴訟。韓媒稱，韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）計(jì)劃對(duì)三星提起訴訟，指控后者侵犯其FinFET專利。KAIST稱，他們開發(fā)了10納米FinFET工藝，但是三星竊取了這項(xiàng)技術(shù)，并將其用于生產(chǎn)高通驍龍835芯片。
2016-12-05 15:35:27725 聯(lián)發(fā)科為持續(xù)強(qiáng)化新一代智能手機(jī)芯片的性能與功耗，計(jì)劃在第2季度投入臺(tái)積電最新7納米制程技術(shù)。值得注意的是，新一代手機(jī)芯片解決方案可能從目前10核心CPU增至12核心。
2017-03-10 09:12:28646 3月9日消息，展訊今天宣布與德國半導(dǎo)體公司Dialog建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)LTE芯片平臺(tái)。在合作第一階段，Dialog最新定制的SoC芯片將被應(yīng)用于展訊14納米中高端LTE芯片平臺(tái)中。對(duì)于這個(gè)芯片平臺(tái)，李力游表示要比聯(lián)發(fā)科所有芯片都好。
2017-03-10 11:13:481974 12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計(jì)將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時(shí)滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計(jì)算密集型處理需求的應(yīng)用。 這項(xiàng)全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高
2017-09-25 16:12:368666 制程進(jìn)度，共同執(zhí)行長趙海軍表示，先進(jìn)制程14納米FinFET將于2019年量產(chǎn)，第二代28納米HKMG制程也會(huì)于2018年底問世，外界都睜大眼睛等著檢視成績單。 中芯國際15日的線上法說中，仍是由趙海軍主持會(huì)議，梁孟松僅簡短發(fā)言，代表加入新團(tuán)隊(duì)后的首次現(xiàn)“聲”，也滿
2017-11-27 16:29:531345 據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)最新消息，聯(lián)電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM）領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，合作技術(shù)開發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品；聯(lián)電即日起透過授權(quán)，提供客戶具有成本效益的28納米嵌入式非揮發(fā)性MRAM技術(shù)。
2018-08-09 10:38:123129 8月30日，中芯國際發(fā)布2018年中期業(yè)績，收入同比增長11.5%至17.22億美元；毛利同比增長5.6%至4.38億美元。中芯國際在14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上獲得重大進(jìn)展。中芯國際的第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。
2018-08-31 14:44:335140 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）日前，第23屆中國國際光電博覽會(huì)（CIOE2021）在深圳國際會(huì)展中心舉辦，全球領(lǐng)先的光通信芯片和解決方案提供商Credo在展會(huì)現(xiàn)場展示了用于數(shù)據(jù)中心和無線基礎(chǔ)設(shè)施連接
2021-10-01 07:42:006947 將致力于在快速充電領(lǐng)域深入合作，全力開拓快速充電市場。 蘇州易能微電子科技有限公司，成立于2011年，總部位于江蘇昆山國家高新技術(shù)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)服務(wù)中心；專注于數(shù)字電源芯片設(shè)計(jì)開發(fā)，并在全球首次提出了可重構(gòu)
2018-08-02 10:02:03
本帖最后由 開發(fā)快 于 2016-7-12 15:41 編輯
“開發(fā)快520表白你創(chuàng)意秀”目前已經(jīng)將第一輪投票選手的文章公布出來，大家快去投出寶貴的一票吧，將你喜歡的作品送上榜首，送進(jìn)決賽
2016-06-21 11:33:31
、參與校企合作項(xiàng)目開發(fā)。您如果在這些方面需要開發(fā)擁有自己產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品，又不愿花費(fèi)太多的人工成本在這方面的，可以找我一次性開發(fā)以及開發(fā)后的維護(hù)工作，以下是我曾經(jīng)做過的部分項(xiàng)目的簡介，如有意向合作者請(qǐng)打
2012-03-01 13:36:14
、參與校企合作項(xiàng)目開發(fā)。您如果在這些方面需要開發(fā)擁有自己產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品，又不愿花費(fèi)太多的人工成本在這方面的，可以找我一次性開發(fā)以及開發(fā)后的維護(hù)工作，以下是我曾經(jīng)做過的部分項(xiàng)目的簡介，如有意向合作者請(qǐng)打
2012-03-01 13:36:59
本人新手，參加電子大賽，急需各位大神們提供一些好的創(chuàng)意，只要敢想，什么創(chuàng)意都行，留言時(shí)請(qǐng)留下您的方式，如果被采納本人必定重謝，號(hào)碼18305113595
2014-07-04 17:01:36
的小珠子，使其最后形成一個(gè)10X5比例的長方形。從這個(gè)實(shí)驗(yàn)不難看出，要達(dá)成這個(gè)目標(biāo)非常不容易，由此可以了解到，各大廠面臨的困境有多么艱難。三星和臺(tái)積電都在完成14 納米、16 納米 FinFET 的量產(chǎn)
2016-06-29 14:49:15
的長方形。從這個(gè)實(shí)驗(yàn)不難看出，要達(dá)成這個(gè)目標(biāo)非常不容易，由此可以了解到，各大廠面臨的困境有多么艱難。三星和臺(tái)積電都在完成14 納米、16 納米 FinFET 的量產(chǎn)，并以此為資本爭奪下一代iPhone
2016-12-16 18:20:11
研發(fā)實(shí)力得到進(jìn)一步夯實(shí)，正伺機(jī)而動(dòng)等待崛起之機(jī)。GF退出后，高端芯片將出現(xiàn)一定的市場缺口，這將成為中國芯爭搶市場份額的好時(shí)機(jī)。日前，7納米的中國芯制造捷報(bào)頻頻。***才宣布 14 納米FinFET
2018-09-05 14:38:53
高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開發(fā)，開發(fā)板主MCU芯片型號(hào)N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
表現(xiàn)良好，休眠模式下功耗在1uA左右，與客戶端實(shí)際需求匹配度較高。該款FM33LE0 MCU + SX126x參考設(shè)計(jì)是Semtech與復(fù)旦微電子所共同開發(fā)的第一套參考設(shè)計(jì)，方案已經(jīng)完成測試，于2023
2023-02-13 17:44:32
16納米FinFET制程，但因許多客戶認(rèn)為16納米FinFET與目前量產(chǎn)中的20納米SoC制程相較，效能及功耗上并無太明顯的差距，也因此，臺(tái)積電加快腳步開發(fā)出16納米FinFET Plus制程，除了可較
2014-05-07 15:30:16
Nano-Proprietary旗下的Applied Nanotech公司與Funai Electric先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研究所日前宣布，雙方將針對(duì)一個(gè)研究項(xiàng)目進(jìn)行合作，共同開發(fā)基于酶涂層碳納米
2018-11-19 15:20:44
我想尋找一批做高端電子行業(yè)的工程師，大家一起合作，開發(fā)頂尖的電子消費(fèi)產(chǎn)品。我公司負(fù)責(zé)推廣，生產(chǎn)，你們負(fù)責(zé)研發(fā)。大家怎么看合作。可以加QQ群 397732577，尋找有想創(chuàng)業(yè)的，有共同想法的人一起合作。各發(fā)揮各自的優(yōu)勢，讓我們的研發(fā)成果能轉(zhuǎn)換成產(chǎn)品。給我們的付出帶回一定的回報(bào)。
2016-01-08 00:47:09
我想尋找一批做高端電子行業(yè)的工程師，大家一起合作，開發(fā)頂尖的電子消費(fèi)產(chǎn)品。我公司負(fù)責(zé)推廣，生產(chǎn)，你們負(fù)責(zé)研發(fā)。大家怎么看合作?？梢约観Q群 397732577，尋找有想創(chuàng)業(yè)的，有共同想法的人一起合作。各發(fā)揮各自的優(yōu)勢，讓我們的研發(fā)成果能轉(zhuǎn)換成產(chǎn)品。給我們的付出帶回一定的回報(bào)。
2016-01-03 13:38:20
芯片而在未來產(chǎn)品規(guī)劃方面，李力游強(qiáng)調(diào)，展訊將在智能手機(jī)領(lǐng)域有更多投入。此外，展訊將從2012年開始研發(fā)28納米芯片產(chǎn)品，以滿足未來LTE產(chǎn)品的使用需求。李力游表示，TD-LTE的運(yùn)算量會(huì)很大，40納米
2011-10-27 11:50:07
如題，只要是和開源軟件、電子創(chuàng)意沾邊并且適用于教學(xué)的視頻都可以，有大佬共享一下么？
2017-08-14 17:29:24
靈動(dòng)微電子怎樣？可以尋求合作嗎？
2020-07-22 00:16:27
考察團(tuán)來訪做技術(shù)合作交流，據(jù)說，在這之前已有荷蘭、日本、俄羅斯等多家國外公司到訪參觀考察。這一切正透露出這樣一個(gè)訊息：它——宣城晶瑞新材料有限公司，已初露鋒芒。宣城晶瑞新材料有限公司于2006投入運(yùn)營
2011-11-12 09:57:00
穿戴電子開發(fā)項(xiàng)目，可技術(shù)合作共同開發(fā)！各位網(wǎng)友大家好，明年是穿戴式電子元年，google glass 年底上市注定會(huì)刮起一陣電子穿戴風(fēng)，穿戴電子市場有很大的發(fā)展空間，必定會(huì)為合作伙伴帶來機(jī)會(huì)，我們
2013-06-29 17:35:47
FZ3 深度學(xué)習(xí)計(jì)算卡是米爾電子推出的一款以 Xilinx XCZU3EG 作為核心的嵌入式智能 AI 開發(fā)平臺(tái)。采用了 Xilinx 最新的基于 16nm 工藝的 Xilinx Zynq
2020-10-09 10:21:45
恒憶與三星電子共同合作開發(fā)PCM
恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲(chǔ)器 (Phase Change Memory，PCM) 產(chǎn)品的市場規(guī)格，此新一代存儲(chǔ)
2009-06-29 07:39:08658 高通攜手TSMC，繼續(xù)28納米工藝上合作
高通公司（Qualcomm Incorporated）與其專業(yè)集成電路制造服務(wù)伙伴－TSMC前不久日共同宣布，雙方正在28納米工藝技術(shù)進(jìn)行密切合作。此
2010-01-13 08:59:23910 臺(tái)積電與富士通合作開發(fā)28納米芯片
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，富士通旗下富士通微電子近期將派遣10到15名工程師與臺(tái)積電合作開發(fā)28納米芯片，臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年底將出貨富士
2010-01-14 09:10:17812 東芝欲以投資1.59億美元開發(fā)25納米閃存芯片 據(jù)國外媒體報(bào)道稱，東芝公布了一項(xiàng)新計(jì)劃，開發(fā)25納米工藝的閃存芯片。
閃存
2010-04-07 09:28:18710 瑞芯微電子與中芯國際合作推動(dòng)65納米工藝多媒體高端芯片進(jìn)入量產(chǎn) 2010-11-29 16:30 上海2010年11月29日電 /美通社亞洲/ -- 作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司
2010-11-30 10:29:071044 據(jù)外國媒體報(bào)道，IBM和ARM計(jì)劃加強(qiáng)移動(dòng)電子市場合作的同時(shí)，還會(huì)共同合作提高14納米半導(dǎo)體技術(shù)。
2011-01-19 08:09:55330 NI攜手RIGOL和北京信息科技大學(xué)共同開發(fā)全新電子電路實(shí)驗(yàn)教程,之后三方共同為此課程揭牌，標(biāo)志著此課程正式投入使用。
2012-06-12 16:22:18846 昨日，半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電和ARM達(dá)成一項(xiàng)多年期的合作協(xié)議，雙方合作的范圍將延續(xù)至20納米制程以下。ARM官方表示，雙方技術(shù)合作的目的，是讓ARM芯片可運(yùn)用于FinFET （鰭式場效晶體管
2012-07-24 10:41:12468 該14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)上開發(fā)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術(shù)以14納米標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551270 新思科技公司日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)關(guān)鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實(shí)現(xiàn)了首款測試芯片的流片
2013-01-09 12:11:311062 ，采用臺(tái)積公司先進(jìn)的16納米FinFET （16FinFET）工藝打造擁有最快上市、最高性能優(yōu)勢的FPGA器件。
2013-05-29 18:21:14869 光刻物理分析器成功完成20納米系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）測試芯片流片。雙方工程師通過緊密合作，運(yùn)用Cadence解決方案克服實(shí)施和可制造性設(shè)計(jì)（DFM）驗(yàn)證挑戰(zhàn)，并最終完成設(shè)計(jì)。
2013-07-09 15:53:24769 全球電子創(chuàng)新設(shè)計(jì)Cadence公司與上海華力微電子，15日共同宣布了華力微電子基于Cadence Encounter數(shù)字技術(shù)交付55納米平臺(tái)的參考設(shè)計(jì)流程。華力微電子首次在其已建立55納米工藝上實(shí)現(xiàn)了從RTL到GDSII的完整流程。
2013-08-16 11:08:111383 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今天宣布，立即推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP（知識(shí)產(chǎn)權(quán)）。
2014-05-21 09:44:541769 全球知名電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司 （NASDAQ： CDNS），今日宣布臺(tái)積電采用了Cadence?16納米FinFET單元庫特性分析解決方案。
2014-10-08 19:03:221594 設(shè)計(jì)參考手冊(cè)（Design Rule Manual，DRM） 與SPICE認(rèn)證，相比于原16納米FinFET制程，可以使系統(tǒng)和芯片公司通過此新工藝在同等功耗下獲得15%的速度提升、或者在同等速度下省電30%。
2014-10-08 19:10:45663 美國加州圣何塞（2014年9月26日）-全球知名的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今日宣布為臺(tái)積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。
2014-10-08 19:19:22919 ?）創(chuàng)意電子（Global Unichip Corp. GUC）宣布，創(chuàng)意電子在臺(tái)積電16納米FinFET Plus （16FF +）制程上采用Cadence? Encounter?數(shù)字設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)完成首個(gè)高速運(yùn)算ASIC的設(shè)計(jì)方案（tape-out）。
2014-10-21 09:27:541129 三星于2015年第一季度發(fā)布了半導(dǎo)體芯片行業(yè)首款采用14nmLPE （Low-Power Early） 工藝量產(chǎn)的Exynos 7 Octa處理器，成為FinFET邏輯制程上的行業(yè)引領(lǐng)者。
2016-01-15 17:12:47927 FastSPICE? （AFS） 平臺(tái)。除此之外，Calibre 和 Analog FastSPICE 平臺(tái)已可應(yīng)用在基于TSMC 7 納米 FinFET 工藝最新設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè) （DRM） 和 SPICE 模型的初期設(shè)計(jì)開發(fā)和 IP 設(shè)計(jì)。
2016-03-24 11:13:19816 2016年5月19日，北京訊——ARM今日發(fā)布了首款采用臺(tái)積電公司（TSMC）10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準(zhǔn)檢驗(yàn)結(jié)果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機(jī)計(jì)算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù)，此測試芯片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。
2016-05-19 16:41:50662 瑞薩電子（TSE：6723瑞薩）與臺(tái)積電（TWSE：2330、NYSE：TSM）今日共同宣布，雙方合作開發(fā)28納米嵌入式閃存（eFlash）制程技術(shù)，以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車與自動(dòng)駕駛汽車的微控制器（MCU）。
2016-09-01 15:09:35512 賽靈思、Arm、Cadence和臺(tái)積公司今日宣布一項(xiàng)合作，將共同構(gòu)建首款基于臺(tái)積7納米FinFET工藝的支持芯片間緩存一致性（CCIX）的加速器測試芯片，并計(jì)劃在2018年交付
2017-09-23 10:32:124003 在2011年初，英特爾公司推出了商業(yè)化的FinFET，使用在其22納米節(jié)點(diǎn)的工藝上［3］。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術(shù)。由于FinFET具有
2018-07-18 13:49:00119524 
據(jù)悉，三星電子日前宣布與丹麥頂級(jí)音響公司Steinway Lyngdorf合作，共同開發(fā)下一代顯示器“The Wall Professional”。
2018-06-08 14:33:00867 麒麟970是華為自研的一款芯片，這款芯片采用的是臺(tái)積電的10納米制造工藝，目前麒麟970已經(jīng)被裝備在華為剛發(fā)布不久的P20和P20 Pro上。此前有傳聞指出，三星將負(fù)責(zé)代工華為下一代麒麟980芯片，不過今天有報(bào)告指出，麒麟980的大部分訂單將繼續(xù)由臺(tái)積電生產(chǎn)。
2018-05-11 17:43:002744 大陸消費(fèi)者追求高、大、上終端產(chǎn)品規(guī)格的需求，反映在半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)的企圖心上，臺(tái)積電大陸區(qū)業(yè)務(wù)發(fā)展副總羅鎮(zhèn)球強(qiáng)烈感受，不但第二波28納米制程客戶蓄勢待發(fā)，大陸IC設(shè)計(jì)公司的蓬勃朝氣，更反映在16納米
2018-05-15 11:52:00869 中芯國際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn)，距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)
2018-07-06 15:23:523383 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子（UMC）的先進(jìn)14納米FinFET制程技術(shù)認(rèn)證。ANSYS和聯(lián)電透過認(rèn)證和完整套裝半導(dǎo)體設(shè)計(jì)解決方案，支援共同客戶滿足下一代行動(dòng)和高效能運(yùn)算（HPC）應(yīng)用不斷成長的需求。
2018-07-17 16:46:003391 據(jù)國外媒體報(bào)道，芯片代工商 臺(tái)積電 的CEO魏哲家日前透露，他們的7納米工藝已投入生產(chǎn)，更先進(jìn)的5納米工藝最快會(huì)在明年底投產(chǎn)。
2018-08-01 16:48:343225 格芯方面表示，他們正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢的FinFET發(fā)展路線圖，以服務(wù)未來幾年采用該技術(shù)的下一波客戶。公司將相應(yīng)優(yōu)化開發(fā)資源，讓14/12納米 FinFET平臺(tái)更為這些客戶所用，提供包括射頻、嵌入式存儲(chǔ)器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能。
2018-08-31 15:12:043042 Credo 在2016年展示了其獨(dú)特的28納米工藝節(jié)點(diǎn)下的混合訊號(hào)112G PAM4 SerDes技術(shù)來實(shí)現(xiàn)低功耗100G光模塊，并且快速地躍進(jìn)至16納米工藝結(jié)點(diǎn)來提供創(chuàng)新且互補(bǔ)的112G連接
2018-10-30 11:11:125204 4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)，現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008 IC設(shè)計(jì)服務(wù)廠創(chuàng)意電子持續(xù)積極沖刺先進(jìn)制程技術(shù)，今年3月完成5納米測試芯片設(shè)計(jì)定案，預(yù)計(jì)投入新臺(tái)幣10億元開發(fā)5納米制程設(shè)計(jì)流程，將于第4季完成驗(yàn)證。
2019-04-16 17:44:422833 UltraScale+ 器件系列以低功耗半導(dǎo)體工藝（TSMC 16 納米FinFET+）為基礎(chǔ)，與 7 系列 FPGA 及 SoC 相比，能將整體器件級(jí)電源節(jié)省達(dá) 60%。架構(gòu)改進(jìn)。
2019-08-01 15:46:331252 瑞薩電子與臺(tái)積電共同宣布，雙方合作開發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù)，以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車與自動(dòng)駕駛汽車的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162164 據(jù)中國臺(tái)灣消息報(bào)道，中國大陸芯片代工廠商中芯國際已經(jīng)從競爭對(duì)手臺(tái)積電手中，奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的14納米FinFET工藝的芯片代工訂單。
2020-01-14 15:31:432677 關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》（DigiTimes）1 月 13 日?qǐng)?bào)道稱，中國大陸芯片代工廠商中芯國際擊敗臺(tái)積電，奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的 14 納米 FinFET 工藝芯片代工訂單。
2020-01-16 09:00:015094 臺(tái)積電3納米將繼續(xù)采取目前的FinFET晶體管技術(shù)，這意味著臺(tái)積電確認(rèn)了3納米工藝并非FinFET技術(shù)的瓶頸，甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術(shù)下，在3納米制程里取得水準(zhǔn)以上的良率。這也代表著臺(tái)積電的微縮技術(shù)遠(yuǎn)超過其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:232929 Credo 的數(shù)字信號(hào)處理（DSP）技術(shù)和均衡技術(shù)可在保持芯片低功耗的同時(shí)很好地補(bǔ)償光損耗。 所有Credo Dove系列產(chǎn)品全部具有Credo 數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)的關(guān)鍵特性，包括：
2020-09-08 14:31:362052 ，在 2022 年量產(chǎn) 3 納米芯片。該高管透露，三星電子已在與主要合作方開發(fā)初步設(shè)計(jì)工具。 三星電子向其下一代芯片業(yè)務(wù)投入 1160 億美元，其中包括為外部客戶制造芯片。 三星電子領(lǐng)導(dǎo)人李在镕此前曾透露，該公司計(jì)劃采用正在開發(fā)的最新 3 納米全柵極 （gate-all-around，簡稱 GAA）工藝技術(shù)來
2020-11-19 11:39:071446 三星電子高管Park Jae-hong最近在一次活動(dòng)中表示，公司已定下目標(biāo)，在2022年量產(chǎn)3納米芯片。該高管透露，三星電子已在與主要合作方開發(fā)初步設(shè)計(jì)工具。
2020-11-27 10:15:191728 2020年12月10日，歌爾股份有限公司（以下簡稱“歌爾”）與上海泰矽微電子有限公司（以下簡稱“泰矽微”）在歌爾總部簽署長期合作框架協(xié)議、芯片合作開發(fā)協(xié)議及采購框架協(xié)議。根據(jù)協(xié)議
2020-12-11 11:10:562554 北京時(shí)間1月26日早間消息，據(jù)報(bào)道，特斯拉正在開發(fā)下一代HW4硬件，該硬件可以用于目前正在研發(fā)中的新型4D FSD（四維完全自動(dòng)駕駛）全自動(dòng)駕駛套裝。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，提升將與三星合作，共同開發(fā)這種全新的5納米芯片。
2021-01-26 09:36:281506 據(jù)韓國媒體報(bào)道，特斯拉已經(jīng)與三星達(dá)成合作，雙方將聯(lián)手開發(fā)一款全新的用于完全自動(dòng)駕駛的5納米芯片。
2021-01-26 14:39:051552 昨（28）日晚間，富滿電子發(fā)公告宣布擬非公開發(fā)行股票募集資金不超過10.5億元，投入建設(shè)LED芯片、Mini/Micro LED顯示芯片、5G射頻芯片等項(xiàng)目。
2021-01-29 11:07:235881 虹科伙伴Lytid與法國波爾多大學(xué)IMS實(shí)驗(yàn)室的納米電子團(tuán)隊(duì)共同合作，針對(duì)監(jiān)視，無損檢測和傳感應(yīng)用中的高端太赫茲技術(shù)和系統(tǒng)，創(chuàng)立了大型研究與生產(chǎn)計(jì)劃。.. 一、照明圖案可調(diào)的THz光束整形單元 此次與IMS納米電子團(tuán)隊(duì)的合作旨在克服傳
2021-06-17 15:48:041548 HiWire AEC（有源電纜）等高速互聯(lián)解決方案。 Credo成立于2008年，由3名海歸華人創(chuàng)始人在中國創(chuàng)立，公司專注于串行高速 I/O（SerDes） 技術(shù)，是業(yè)內(nèi)屈指可數(shù)能在28nm/16nm/12nm/7nm全部工藝基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)400G/800G連接解決方案的公司，服務(wù)的客戶及合作伙伴涵蓋數(shù)據(jù)中心
2021-10-08 11:15:472081 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件與聯(lián)華電子 （UMC） 近日達(dá)成合作，共同開發(fā)適用于聯(lián)華電子 110 納米和 180 納米 BCD 技術(shù)平臺(tái)的工藝設(shè)計(jì)套件 （PDK）。
2022-02-17 10:43:201132 
今日，安謀科技宣布與Rokid達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將一同開發(fā)應(yīng)用于元宇宙的終端芯片，并完成生態(tài)的建設(shè)。 安謀科技董事長吳雄昂認(rèn)為互動(dòng)性作為元宇宙顯著的特點(diǎn)，這一點(diǎn)是站在極高的算力、算法和安全要求之上
2022-04-17 11:27:421303 在芯片設(shè)計(jì)和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7納米工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量，幾乎是14納米工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:35:55123297 ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE： 3035）今日推出支援多家晶圓廠FinFET工藝的芯片后端設(shè)計(jì)服務(wù)（design implementation service），由客戶指定制程（8納米、7納米、5納米及更先進(jìn)工藝）及生產(chǎn)的晶圓廠。
2022-10-25 11:52:17724 工廠和投入更多研發(fā)資金。 英特爾目前正在大力促進(jìn)芯片生產(chǎn)；現(xiàn)在已經(jīng)在大規(guī)模生產(chǎn)7納米芯片，而且已經(jīng)在積極準(zhǔn)備開始制造4納米芯片，并將于2023年下半年轉(zhuǎn)向3納米制程。 從公開消息可以看出盡管英特爾下調(diào)了2022財(cái)年的業(yè)績預(yù)期值，但是英特爾依
2022-12-07 14:21:402861 恩智浦和臺(tái)積電聯(lián)合開發(fā)采用臺(tái)積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級(jí)，消除量產(chǎn)瓶頸 恩智浦計(jì)劃于2025年初推出采用該技術(shù)
2023-05-26 20:15:02396 流程現(xiàn)已通過 Intel 16 FinFET 工藝技術(shù)認(rèn)證，其 Design IP 現(xiàn)可支持 Intel Foundry Services（IFS）的此工藝節(jié)點(diǎn)。 與此同時(shí)，Cadence 和 Intel 共同發(fā)布
2023-07-14 12:50:02381 
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