意法半導(dǎo)體宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺(tái)在測(cè)試中取得又一項(xiàng)重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。
2013-03-13 09:40:24
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橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體宣布，意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術(shù)榮獲全球兩大知名電子技術(shù)專業(yè)媒體電子工程專輯（EEtimes）和電子技術(shù)設(shè)計(jì)（EDN）的2013年度電子成就獎(jiǎng)（ACE）能源技術(shù)獎(jiǎng)。
2013-05-08 11:34:45848 意法半導(dǎo)體獨(dú)有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲(chǔ)器，有望突破更高性能，以實(shí)現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。
2013-11-09 08:54:091257 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:223744 格羅方德半導(dǎo)體（GLOBALFOUNDRIES）今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求?！?2FDX?”平臺(tái)提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)提供了一個(gè)最佳解決方案。
2015-07-14 11:18:181462 半導(dǎo)體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開(kāi)發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺(tái)，以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來(lái)自于該公司與意法半導(dǎo)體
2015-10-08 08:29:22949 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）與汽車市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對(duì)于許多人來(lái)說(shuō)，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書(shū)。
2016-04-18 10:16:033179 
Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321132 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺(tái)積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號(hào)稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn)，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設(shè)計(jì)成本也低25%左右，并降低了需要重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)。
2016-09-14 11:39:021835 
鰭式晶體管（FinFET）制程技術(shù)外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場(chǎng)，并推出22納米及12納米FDX制程平臺(tái)，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機(jī)。
2016-11-17 14:23:22845 5G時(shí)代將對(duì)半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對(duì)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來(lái)越高的要求。此時(shí)，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)日漸凸顯，人們對(duì)SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級(jí)副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當(dāng)前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 10大電源管理半導(dǎo)體供應(yīng)商面臨來(lái)自小型同業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)壓力日增------來(lái)源：iSuppli，2008年5月?lián)Suppli公司，由于增長(zhǎng)放緩、價(jià)格壓力沉重和來(lái)自小型同業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)加劇，2007年最大的10
2008-05-26 14:38:42
12月11日，2010“最具競(jìng)爭(zhēng)力”汽車零部件供應(yīng)商百?gòu)?qiáng)評(píng)選活動(dòng)在上海正式啟動(dòng)。包括通用、PSA、大眾、FIAT、大宇國(guó)際、塔塔汽車、法雷奧等50多家采購(gòu)商
2009-12-17 10:23:03
是RF SOI代工業(yè)務(wù)的領(lǐng)軍企業(yè)。因此，OEM在組件供應(yīng)商和代工產(chǎn)品方面有多種選擇。通常，代工廠提供RF SOI工藝，涵蓋從180nm到45nm的節(jié)點(diǎn)和不同的晶片尺寸。決定使用哪一個(gè)節(jié)點(diǎn)取決于具體應(yīng)用。聯(lián)
2017-07-13 08:50:15
、芯片組供應(yīng)商和智能手機(jī)制造商密切合作，為5G發(fā)展之路奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。通過(guò)對(duì)這幾家寡頭公司的分析我們也可以看到他們?nèi)绾涡纬勺约旱暮诵母?jìng)爭(zhēng)力：首先，三大公司在移動(dòng)通信射頻前端市場(chǎng)的毛利率均高于40
2017-04-14 14:41:10
個(gè)掩模，而某些基板CMOS則需要多達(dá)50個(gè)掩模。FD-SOI縮減制造工序15%，縮短交貨期10%，這兩大優(yōu)點(diǎn)可大幅降低成本。此外，采用FD-SOI工藝制造的芯片在功耗上可以大幅降低，還可以縮小面積節(jié)約
2016-04-15 19:59:26
半導(dǎo)體芯片庫(kù)存已經(jīng)上升到了一個(gè)憂心的高度，相當(dāng)于營(yíng)業(yè)收入的49.3%，自06年至此，已經(jīng)是一個(gè)最高水平了。我們所說(shuō)的庫(kù)存水平，并不是整個(gè)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈里面的庫(kù)存，而僅僅是半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商手上的庫(kù)存的水平
2013-01-31 18:04:57
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無(wú)論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長(zhǎng)期
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
等公司是這一歷史階段的先驅(qū)?，F(xiàn)在，ASIC 供應(yīng)商向所有人提供了設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施、芯片實(shí)施和工藝技術(shù)。在這個(gè)階段，半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)始出現(xiàn)分化。有了設(shè)計(jì)限制，出現(xiàn)了一個(gè)更廣泛的工程師社區(qū)，它們可以設(shè)計(jì)和構(gòu)建定制
2024-03-13 16:52:37
。預(yù)計(jì)5月份，北美、亞太地區(qū)和日本地區(qū)有望繼續(xù)維持銷售回暖的趨勢(shì)，但歐洲地區(qū)受債務(wù)危機(jī)影響，特別是5月份以來(lái)歐債危機(jī)有所惡化，預(yù)計(jì)銷售數(shù)據(jù)不是很樂(lè)觀，可能會(huì)維持低位徘徊的態(tài)勢(shì)。當(dāng)然，半導(dǎo)體供應(yīng)商更確信庫(kù)存水位保持在適當(dāng)?shù)奈恢?，這更有利于半導(dǎo)體行業(yè)需求逐漸恢復(fù)到穩(wěn)定的預(yù)期。
2012-06-12 15:23:39
蘇州晶淼專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體、光伏、LED等行業(yè)清洗腐蝕設(shè)備，可根據(jù)要求定制濕法腐蝕設(shè)備。晶淼半導(dǎo)體為國(guó)內(nèi)專業(yè)微電子、半導(dǎo)體行業(yè)腐蝕清洗設(shè)備供應(yīng)商，歡迎來(lái)電咨詢。電話：***，13771786452王經(jīng)理
2016-09-05 10:40:27
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
工藝節(jié)點(diǎn)中設(shè)計(jì)，但是 FD-SOI 技術(shù)提供最低的功率，同時(shí)可以承受輻射效應(yīng)。與體 CMOS 工藝相比，28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器需要同時(shí)具有高帶寬和低功耗，以
2023-02-07 14:11:25
是RF SOI代工業(yè)務(wù)的領(lǐng)軍企業(yè)。因此，OEM在組件供應(yīng)商和代工產(chǎn)品方面有多種選擇。通常，代工廠提供RF SOI工藝，涵蓋從180nm到45nm的節(jié)點(diǎn)和不同的晶片尺寸。決定使用哪一個(gè)節(jié)點(diǎn)取決于具體應(yīng)用。聯(lián)
2017-07-13 09:14:06
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V/SOI 波導(dǎo)電路的化學(xué)機(jī)械拋光工藝開(kāi)發(fā)編號(hào)：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
GlobalFoundries買下，高通遂轉(zhuǎn)移到GlobalFoundries生產(chǎn)，但中芯藉由犀利的價(jià)格策略，逐漸取代GlobalFoundries成為高通在電源管理芯片的主要供應(yīng)商。 半導(dǎo)體業(yè)者透露，高通新一代電源管理
2017-09-22 11:11:12
工作地點(diǎn)：上海張江招聘崗位：供應(yīng)商管理工程師工作經(jīng)驗(yàn)：3年以上聯(lián)系郵箱：676340403@qq.com
2016-05-12 19:51:12
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
可穿戴設(shè)備絕對(duì)是科技界的熱點(diǎn)之一，盡管可穿戴市場(chǎng)還沒(méi)有真正起飛，但各大廠商都在積極布局，以期在競(jìng)爭(zhēng)激烈的可穿戴市場(chǎng)中占得一席在新一輪的可穿戴設(shè)備
芯片戰(zhàn)引爆前，我們先來(lái)了解一下目前主流的幾家可穿戴設(shè)備
芯片供應(yīng)商情況如何?！ ?/div>
2021-02-03 06:42:43
亞太地區(qū)十大半導(dǎo)體供應(yīng)商排行榜1. 英特爾（Intel) 2. 三星電子（Samsung Electronics) 3. 德州儀器
2008-05-26 14:27:18
半導(dǎo)體為代表的歐洲半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)和公司相繼迎來(lái)技術(shù)突破，快速發(fā)展，為MRAM的商業(yè)化應(yīng)用埋下了伏筆。 2014年，三星與意法半導(dǎo)體簽訂28nm FD-SOI技術(shù)多資源制造全方位合作協(xié)議，授權(quán)三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
所在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來(lái)增長(zhǎng)強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo)，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:46:29
本帖最后由 1142437339 于 2018-12-4 15:27 編輯
近日，華為首次對(duì)外公布2018年核心供應(yīng)商名單92家，該名單共分為六大類，包括“連續(xù)十年金牌供應(yīng)商”、“金牌供應(yīng)商
2018-11-29 13:57:36
嗨，我正在嘗試創(chuàng)建一個(gè)多接口USB描述符。我想知道在哪里可以找到供應(yīng)商設(shè)備類（0xFF）的設(shè)備子類。我可以為我需要的子類實(shí)現(xiàn)一個(gè)控制接口（0xFF）。謝謝，尤努斯
2019-10-16 10:46:24
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用？
2021-06-26 07:14:03
設(shè)計(jì)中”，它說(shuō)“在本例中添加對(duì)供應(yīng)商命令和事件的支持”，我不明白它的意思。如何在設(shè)計(jì)中添加供應(yīng)商命令的支持？？？PNG70.1 K
2019-09-29 12:09:21
你好，實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)和供應(yīng)商級(jí)之間的區(qū)別是什么？有什么相關(guān)的文件嗎？請(qǐng)?zhí)峁┙o我。謝謝您。 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文Hi,what is the difference between
2018-10-10 14:57:15
小弟正在做LED驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)及單片機(jī)相關(guān)產(chǎn)品 ，本公司生產(chǎn)LED球泡燈，桶燈，吸頂燈，T8，T5日光燈，戶外礦燈，及無(wú)線紅外，遙控，感應(yīng)等產(chǎn)品，由于手頭供應(yīng)商太少，現(xiàn)尋LED驅(qū)動(dòng)電源IC供應(yīng)商和單片機(jī)
2013-08-26 09:10:33
小弟在一家LED燈具公司做驅(qū)動(dòng)電源開(kāi)發(fā)，目前剛起步，急需LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)方案和元器件供應(yīng)商，包括IC，變壓器，及電源相關(guān)的各種元器件，希望IC供應(yīng)商最好能夠提供DEMO板和技術(shù)支持。有的留下聯(lián)系方式。先謝了
2012-08-16 13:34:48
產(chǎn)業(yè)從原來(lái)引入兩家大廠的風(fēng)光無(wú)限，陷入了迷茫。德國(guó)是歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的心臟，位居世界頂級(jí)半導(dǎo)體生產(chǎn)地之列。德國(guó)在整個(gè)價(jià)值鏈中擁有世界領(lǐng)先的材料、組件和設(shè)備的設(shè)備制造商和供應(yīng)商。德國(guó)原計(jì)劃花費(fèi)高達(dá) 500
2023-03-21 15:57:28
想用炬力ATS2815做一個(gè)藍(lán)牙小音箱，求供應(yīng)商
2018-04-27 17:37:54
問(wèn)個(gè)菜的問(wèn)題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝 來(lái)個(gè)人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
如圖，四個(gè)連接插件叫什么插件？有做這個(gè)的供應(yīng)商嗎？謝謝！
2017-07-06 11:49:54
緯湃科技選擇羅姆為其SiC技術(shù)的首選供應(yīng)商
2021-03-11 08:01:56
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
半導(dǎo)體公司Dialog負(fù)責(zé)，博通供應(yīng)無(wú)線網(wǎng)路芯片，以及NXP負(fù)責(zé)NFC芯片。關(guān)于最重要的A10芯片，蘋(píng)果一改此前雙芯片供應(yīng)商的策略，即由三星和臺(tái)積電負(fù)責(zé)；以去年A9為例，就是分別采用臺(tái)積電16nm芯片
2016-07-21 17:07:54
。與任何行業(yè)一樣，全球半導(dǎo)體行業(yè)格局自問(wèn)世以來(lái)已演進(jìn)了。大批量制造廠據(jù)點(diǎn)在整個(gè)亞洲出現(xiàn)。在北美，采用無(wú)晶圓廠營(yíng)運(yùn)模式的芯片供應(yīng)商的比例在過(guò)去十年中顯著增加，現(xiàn)在絕大多數(shù)整合元件制造商(IDM)和基于代工
2018-10-23 09:09:23
（2005年3月） 安森美半導(dǎo)體日本索尼掌上游戲機(jī)千萬(wàn)顆芯片供應(yīng)商獎(jiǎng) NIS5102獲《電子設(shè)計(jì)應(yīng)用》“2005年度最佳電路保護(hù)類產(chǎn)品獎(jiǎng)” NCP1337及NCP1603獲《電子設(shè)計(jì)應(yīng)用》“2005年度
2014-05-21 10:13:17
能獲此殊榮，表明這家LED供應(yīng)商憑借其LED的亮度性能和價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力贏得了全世界的認(rèn)可。 首爾半導(dǎo)體歐洲副總裁ManuelZarauza在其獲獎(jiǎng)致辭中表示，“意大利是歐洲電子零件業(yè)務(wù)的核心市場(chǎng)，對(duì)于首爾
2011-10-27 22:41:28
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 IBM、ARM同一批半導(dǎo)體生產(chǎn)商正在進(jìn)行一項(xiàng)關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計(jì)劃，打算將采用體硅制成的CMOS設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56427 意法半導(dǎo)體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室和設(shè)計(jì)公司將可透過(guò)CMP的硅中介服務(wù)採(cǎi)用意法半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501201 日前，意法半導(dǎo)體（ST）宣布位于法國(guó)Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:27793 意法半導(dǎo)體（ST）宣布意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術(shù)榮獲2013年度電子成就獎(jiǎng)（ACE）能源技術(shù)獎(jiǎng)。根據(jù)客戶的節(jié)能與性能權(quán)衡策略，FD-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50%的能耗，使終端設(shè)備可更快散熱，并實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的使用壽命。
2013-05-10 09:06:43913 據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來(lái)提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:425975 集微網(wǎng)消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術(shù)平臺(tái)，以支持用于工業(yè)及消費(fèi)
2018-01-10 20:44:02707 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來(lái)消息，又迎來(lái)意法半導(dǎo)體（ST）的大單進(jìn)補(bǔ)，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411 在工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)展方面，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示，三星晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個(gè)方向，FD-SOI平臺(tái)路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001703 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說(shuō)2018以及未來(lái)五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù)，除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程，以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn)，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單，其中有超過(guò)十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會(huì)在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565 格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，專為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:002394 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺(tái)已通過(guò)AEC-Q100(2級(jí))認(rèn)證，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)），三星代工廠（28納米工藝投產(chǎn)中，18納米工藝計(jì)劃投產(chǎn)），以及格芯代工廠（22納米工藝投產(chǎn)中，12納米計(jì)劃投產(chǎn)）。
2018-08-02 11:35:244402 FD-SOI正獲得越來(lái)越多的市場(chǎng)關(guān)注。在5月份的晶圓代工論壇上，三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)階段。
2018-08-02 14:27:2811603 無(wú)論東西方各國(guó)，都把半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)視為兵家必爭(zhēng)之地，國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights公布今年前15大半導(dǎo)體供應(yīng)商，臺(tái)積電由去年第3名降至第4名，被韓廠海力士超車！
2018-11-16 09:16:273714 
Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)，滿足當(dāng)下及未來(lái)消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求，確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00495 隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注，Soitec的業(yè)務(wù)也迎來(lái)了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財(cái)務(wù)報(bào)表即可見(jiàn)一斑。
2018-12-23 16:45:122777 當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時(shí)，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
12 為求低功耗、高能效及高性價(jià)比之元件，市場(chǎng)逐漸開(kāi)發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結(jié)構(gòu)；而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心，透過(guò)傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu)，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245 
日前，格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個(gè)長(zhǎng)期的300 mm SOI芯片長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議以滿足格芯的客戶對(duì)于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術(shù)平臺(tái)日益增長(zhǎng)的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關(guān)系上，此份協(xié)議即刻生效，以確保未來(lái)數(shù)年的高水平大批量生產(chǎn)。
2019-06-11 16:47:333457 但是隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、智能駕駛這樣的新應(yīng)用對(duì)半導(dǎo)體提出了全新的挑戰(zhàn)，而FinFET工藝也遇到了瓶頸，尤其是FinFET的制造、研發(fā)成本越來(lái)越高，已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不是一般玩家能夠承受的起的了。
2019-09-05 10:40:383612 事實(shí)勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢(shì)相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說(shuō)明其優(yōu)勢(shì)，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:453340 長(zhǎng)期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢(shì)的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對(duì)FD-SOI未來(lái)走勢(shì)做出預(yù)測(cè)。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問(wèn)題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273 唯樣科技與著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商Alpha and Omega Semiconductor Limited簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，正式成為AOS的授權(quán)代理商。
2019-10-15 16:41:231013 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺(tái)，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可程序化邏輯門(mén)數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:17842 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺(tái)，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可程序化邏輯門(mén)數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-27 14:54:38739 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過(guò)去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開(kāi)始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”，Soitec
2020-07-07 16:04:043335 IC Insights在本月晚些時(shí)候發(fā)布的2020 McClean報(bào)告的更新中，討論了2020年預(yù)測(cè)的前25名半導(dǎo)體供應(yīng)商。該研究公告涵蓋了預(yù)期的2020年排名前15位的半導(dǎo)體供應(yīng)商。
2020-11-24 15:11:131871 
Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問(wèn)世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會(huì)推出基于FD-SOI平臺(tái)的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719 于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請(qǐng)到國(guó)內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專家參與。三年內(nèi)國(guó)內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化，FD-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術(shù)又有哪些變化？ ? 半導(dǎo)體工藝在2001年的新工藝技術(shù)的兩條路
2023-11-01 16:39:041069 
，在AI時(shí)代下邊緣端設(shè)備會(huì)出現(xiàn)高速發(fā)展，而FD SOI制造工藝對(duì)于AI邊緣芯片市場(chǎng)增長(zhǎng)來(lái)說(shuō)非常重要。 ? 圖：IBS CEO Handel Jones在論壇上致詞發(fā)表對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的預(yù)測(cè)和看法
2023-11-21 17:39:11805 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 
本文簡(jiǎn)單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù)，能夠通過(guò)簡(jiǎn)化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標(biāo)：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲(chǔ)和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:2369 
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