和每個單元更多的存儲空間，這可以顯著提高每個單元的存儲密度。 Kioxia（原為東芝存儲）創(chuàng)造了3D NAND閃存存儲的潛在繼任者 上周四，Kioxia宣布了世界上第一個三維半圓形分裂柵閃存單元結(jié)構(gòu)，稱為
2019-12-23 10:32:21
4222 ，消費(fèi)者可能正在考慮使用諸如NAND和SSD之類的NAND閃存設(shè)備的成本顯著增加。 NAND閃存的整體價格可能會在2020年急劇上升，可能會使價格上漲40％ 如果這個預(yù)測是正確的，那么消費(fèi)者應(yīng)該會看到SSD或任何使用NAND閃存產(chǎn)品的價格急劇上漲。到2020年，從2.5英寸固態(tài)硬盤，M.2固態(tài)硬
2020-01-06 11:15:333821 據(jù)IHS公司的閃存市場動態(tài)簡報，由于在手機(jī)、游戲控制臺和混合存儲驅(qū)動器等產(chǎn)品中的使用擴(kuò)大，NAND閃存市場今年有望實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。
2013-06-25 17:04:26684 
7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:23988 由于在今年的購物假期中消費(fèi)者購買全新固態(tài)硬盤的需求不斷攀升，在接下來的數(shù)周甚至數(shù)月時間內(nèi)NAND閃存的價格可能將持續(xù)拉升。根據(jù)DRAMeXchange公布的最新報告，2016年第3季度NAND閃存全球總營收同比增長19.6%，究其原因是因為在該季度使用閃存的產(chǎn)品尤其是智能手機(jī)呈現(xiàn)了巨大的需求。
2016-12-05 16:28:10659 
本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211446 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
描述閃存驅(qū)動器控制器
2022-08-25 06:48:00
完成由P 型設(shè)備完成的任務(wù)。對LVPECL 而言，很少有人研究過完成輸出級設(shè)計所需要的發(fā)射極電流控制與傳輸線終端之間的關(guān)系。剖析LVPECL 閘道的基本原理和分析任何特定LVPECL 驅(qū)動器的典型終端，有助于工程師量身定制穩(wěn)健和高能效的LVPECL 終端。
2019-07-08 07:05:43
大家好，我正在做一個項目，我需要使用SPI閃存。然而在和諧中只有SST25存儲器芯片的驅(qū)動器。有人有經(jīng)驗修改這些驅(qū)動程序與其他芯片一起工作嗎？我有S25FL128SAGMFI1.1芯片和PIC32
2018-08-27 15:04:08
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
認(rèn)為每個組件都有自己的閃存。您如何看待，我應(yīng)該只使用一個NAND閃存進(jìn)行FPGA和處理器訪問，這意味著FPGA配置文件（.mcs）也存儲在非易失性閃存中，在加電時，ARM處理器會自動配置FPGA
2019-05-21 06:43:17
親愛的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設(shè)計他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問候錢德拉以上來自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
出現(xiàn)問題。
- 在查看 NAND 驅(qū)動器的變化后，我發(fā)現(xiàn)新的替換 NAND 驅(qū)動器的“啟動順序”比舊驅(qū)動器需要多 100 倍的時間完成（舊驅(qū)動器需要 ~10us，新驅(qū)動器需要 ~1ms） . 我懷疑這會導(dǎo)致
2023-04-27 06:50:47
我在測試板上有一個STM32G0B1VET，并嘗試使用其USB主機(jī)功能連接閃存驅(qū)動器。它只是停留在文件“usbh_msc_scsi.c”中的“USBH_MSC_SCSI_Inquiry”函數(shù)上。它不
2022-12-07 07:49:27
我想保護(hù)SPC560 MCU上的閃存。我遇到了一些像Shadow flash及其使用的術(shù)語。我使用C90LC閃存驅(qū)動器來訪問數(shù)據(jù)閃存。我也可以使用相同的驅(qū)動程序進(jìn)行陰影閃存嗎？我在數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中看到幾個
2019-03-26 13:31:34
現(xiàn)在我正在使用 cyfxusbhost 示例程序來測試 cyusb3014 作為主機(jī)的功能。 當(dāng)我連接 USB 閃存驅(qū)動器和 typec 端口時，我無法成功枚舉 USB 閃存驅(qū)動器設(shè)備。 我可以問一下可能是什么原因嗎？（我也嘗試將鼠標(biāo)連接到主機(jī)端口，但未能成功枚舉鼠標(biāo)設(shè)備）
謝謝。
2024-02-23 06:54:14
，優(yōu)化了控制器，這些產(chǎn)品還提供更快的讀/寫速度。讀取速度提高約8%，而寫入速度提高將近20%。 市場對于能夠支持智能手機(jī)、平板電腦等應(yīng)用的NAND閃存的需求繼續(xù)增長。帶控制器的嵌入式內(nèi)存尤其供不應(yīng)求，因為
2018-09-13 14:36:33
ST提供的文檔UM1653中有針對SLC NAND的高級閃存驅(qū)動，里面有文件系統(tǒng)FATFS還做了讀寫均衡和壞塊管理，不知道哪里可以下載到源碼？
2019-03-26 16:23:28
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個鏈接器來構(gòu)建 .stldr？我走對路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
我正在嘗試啟動 IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
如何選擇伺服驅(qū)動器？威科達(dá)通用型伺服驅(qū)動器的特點是什么？
2021-11-15 06:57:50
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項目僅限于Virtex 4平臺，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
閃存被廣泛用于移動存儲、數(shù)碼相機(jī)、 MP3 播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動， NAND 閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級的超高速增長， NAND 可望在近期超過 NOR 成為閃存技術(shù)的主導(dǎo)。
2018-06-14 14:34:31
時，客戶端將文本發(fā)送到服務(wù)器，然后從服務(wù)器將文本發(fā)送到客戶端，使led打開和關(guān)閉。現(xiàn)在我正試圖通過PIC套件的OTG端口或使用USB主機(jī)將接收到的(pic)文本存儲到USB閃存驅(qū)動器(Pen.)中，或者
2020-03-18 10:09:16
/讀取代碼（比如apps/././sqi/flash_read_dma_mode等）。微芯片關(guān)于釋放數(shù)據(jù)FSSST26VF040B SQI和諧驅(qū)動支持？2）是否有人成功地開發(fā)了SQI閃存驅(qū)動器來實現(xiàn)和諧？謝爾斯科夫
2019-10-11 08:15:07
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
我有一個使用PIC32MX795F512L的項目，它緩沖從編碼器接收的MP3音頻，然后使用FAT文件系統(tǒng)將它寫到USB閃存驅(qū)動器，它重復(fù)這個直到固定數(shù)量的數(shù)據(jù)以證明概念。在USB媒體上修改，直到
2020-03-06 08:24:04
我正在嘗試確定 RT1176 是否適合需要讀取/寫入各種大小的 FAT32 格式 USB 閃存驅(qū)動器的應(yīng)用程序。我正在查看
2023-05-06 06:46:44
LED驅(qū)動器終端應(yīng)用涉及到較大的高端顯示屏?xí)r，如何才能將現(xiàn)有的LED驅(qū)動器從31級調(diào)光增加到93級？
2021-04-07 06:27:06
斯舉行的消費(fèi)性電子展(CES2010)上展示【關(guān)鍵詞】：驅(qū)動器,閃存,存儲方案,科技公司,消費(fèi)性,制造商,移動,模塊,端口,電子【DOI】：CNKI:SUN:GWDZ.0.2010-02-062【正文
2010-04-24 10:04:28
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器，主要用于存儲卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26 SanDiski推出NAND嵌入式閃存驅(qū)動器支持e.MMC 4.4
SanDisk（閃迪）推出了全新SanDisk® iNAND™嵌入式閃存驅(qū)動器（Embedded Flash Drives, EFD），支持e.MMC 4.4規(guī)格。這些驅(qū)動器基于
2010-02-24 16:37:071048 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
被稱之為USB閃存驅(qū)動器、“U盤驅(qū)動器”或“USBDONGLE”的USB類存儲設(shè)備，真正使數(shù)據(jù)存儲的方式發(fā)生了革命性的變革并極大地推動了便攜性的發(fā)展。自2000年誕生以來，在全球各
2010-09-07 17:28:043419 
SanDisk (NASDAQ: SNDK)今天宣布推出全新iNAND? Extreme?嵌入式閃存驅(qū)動器(Embedded Flash Drive; EFD)系列;
2011-06-02 08:41:071275 今年全球NAND閃存營業(yè)收入預(yù)計增長8%，從2011年的212億美元上升到229億美元。按照今年的營業(yè)收入預(yù)期，全球出貨量相當(dāng)于28823個1GB器件，而2011年是17401個。隨著智能手機(jī)、平板電腦和超
2012-04-24 09:40:51571 
對于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品
2012-07-27 17:03:381471 
美光在NAND閃存市場的份額首次超過20%， 營業(yè)收入增長，使得排名第三的美光縮小與第二名東芝之間的差距。
2012-09-14 09:34:32877 
內(nèi)存市場日益擴(kuò)大，研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報告預(yù)測，DRAM 與 NAND 閃存等，未來 5 年年均復(fù)合增長率（CAGR）可達(dá) 7.3%，產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴(kuò)增至 1，099 億美元。
2017-01-10 11:28:23599 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲芯片，國內(nèi)的存儲芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長江存儲正在
2018-05-16 10:06:003750 基于NAND閃存的固態(tài)硬盤（SSD）正在取代許多應(yīng)用中的硬盤驅(qū)動器（HDD），尤其是便攜式和消費(fèi)類設(shè)備。由于閃存固有的高性能，這種技術(shù)也正在進(jìn)軍企業(yè)存儲領(lǐng)域，同樣由于其堅固性（robustness
2018-06-09 18:30:002691 
DVEVM可以啟動或（默認(rèn)），與非門，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問；然而，由于它的價格低，速度快，壽命長，許多客戶想設(shè)計NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 對于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND正被證明極具
2018-06-06 12:27:009847 
據(jù)悉美光計劃在今年年底推出QLC閃存驅(qū)動器，目前閃存驅(qū)動器已經(jīng)在蠶食近線磁盤驅(qū)動器市場。
2018-07-22 12:26:00689 
被稱之為USB閃存驅(qū)動器 、“U盤驅(qū)動器”或“USB Dongle”的USB類存儲設(shè)備，真正使數(shù)據(jù)存儲的方式發(fā)生了革命性的變革并極大地推動了便攜性的發(fā)展。自2000年誕生以來，在全球各地生產(chǎn)與銷售此類設(shè)備不計其數(shù)。統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，僅2008年一年生產(chǎn)的USB類閃存驅(qū)動器就高達(dá)1.73億部。
2019-12-20 08:02:003550 
閃迪公司（SanDisk）面向中國及其他高速增長市場的入門級平板電腦和智能手機(jī)發(fā)布一款理想的存儲解決方案——iNAND Standard嵌入式閃存驅(qū)動器（EFD）。利用最新1Y納米X3 NAND閃存解決方案，原始設(shè)備制造商（OEM）可快速推出搭載性能可靠的閃迪存儲器的新型入門級數(shù)碼設(shè)備。
2018-10-15 08:30:003579 從NAND閃存中啟動U-BOOT的設(shè)計 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對大容量數(shù)據(jù)存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01485 關(guān)鍵詞：平板電腦 , 智能手機(jī) , iNAND , 閃存驅(qū)動器 , EFD 閃迪公司（SanDisk）面向中國及其他高速增長市場的入門級平板電腦和智能手機(jī)發(fā)布一款理想的存儲解決方案——iNAND
2018-09-28 15:06:02240 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
IDC調(diào)整了其對NAND閃存的供需預(yù)測，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長39％和38％。并預(yù)計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01282 IDC調(diào)整了其對NAND閃存的供需預(yù)測，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長39％和38％。并預(yù)計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。
2019-03-24 10:05:26582 
SM3267是一個USB 3.0單通道閃存驅(qū)動器控制器，為SLC、MLC、TLC和高速切換和ONFI DDR NAND提供高性能和高兼容性。對于USB 3.0閃存磁盤應(yīng)用程序，此控制器支持多達(dá)4個NAND閃存設(shè)備的高容量。
2019-05-13 08:00:0029 現(xiàn)在你已經(jīng)完成了！只需重新啟動計算機(jī)，將其設(shè)置為從BIOS中的閃存驅(qū)動器啟動，然后加載它！
2019-11-06 11:10:422053 iNAD是一款專為手機(jī)和消費(fèi)電子設(shè)備設(shè)計的嵌入式閃存驅(qū)動器（EFD）。iNAD是一種混合設(shè)備，結(jié)合了嵌入式薄閃存控制器和標(biāo)準(zhǔn)的MLC NAND閃存，具有工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的E.MMC4.411接口。通過
2019-10-22 08:00:0019 無論您如何使用設(shè)備或日常計算需求，實際上都必須購買滿足您需求的最佳USB閃存驅(qū)動器。
2019-10-27 10:49:542173 據(jù)韓媒BusinessKorea報道，市場研究公司預(yù)測，基于固態(tài)硬盤（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場的增長。
2019-12-20 15:18:463156 12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報道，市場研究公司預(yù)測，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實將引領(lǐng)明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場的增長。
2019-12-23 14:13:44647 任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識的人都知道，控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
據(jù)消息報道，臺灣內(nèi)存芯片制造商的消息人士預(yù)測，NAND閃存合同價格將在2020年上漲40％。這將包括硬件產(chǎn)品，例如存儲卡、USB閃存驅(qū)動器和固態(tài)驅(qū)動器。根據(jù)DRAMeXchange的說法，SSD的合同價格已經(jīng)下降了幾年，在生產(chǎn)問題導(dǎo)致NAND產(chǎn)量下降之后，直到2019年第二季度才開始再次上漲。
2020-01-03 17:15:482761 2月25日消息報道，NAND閃存芯片去年第四季度的出貨量環(huán)比有明顯增長，整體行業(yè)的營收也有提升。
2020-02-26 16:18:282325 無論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?；趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
隨著今年Corona 19的傳播，由于遠(yuǎn)程辦公，視頻會議和Internet使用的增加，對服務(wù)器的需求激增，進(jìn)入服務(wù)器的固態(tài)驅(qū)動器（SSD和輔助存儲設(shè)備）的銷量也大大增加。SSD是由NAND閃存制成的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，用于服務(wù)器，PC和游戲機(jī)。
2020-09-08 10:08:401471 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:552599 芯片巨頭美光11月10日正式宣布，將向客戶交付176層TLC NAND閃存。 這使得美光成為全球第一家量產(chǎn)176層TLC NAND閃存的芯片商。 176層NAND支持的接口速度為 1600MT
2020-11-13 14:25:131552 同比增長了47％，而其中以小間距LED為首LED無縫拼接視頻墻的需求正在顯著增長。 當(dāng)前隨著3D、VR/AR、紅外線感應(yīng)等交互技術(shù)應(yīng)用成熟，LED視頻墻正憑借超強(qiáng)視覺沖擊力以及互動性，成為市場炙手可熱的顯示設(shè)備。尤其是一些網(wǎng)紅視頻墻項目落地后，更是
2021-01-06 16:06:213065 寫入問題確實是NAND閃存的在企業(yè)級應(yīng)用中的一個限制么？
2021-04-01 17:50:562894 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
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2022-08-02 10:52:090 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個塊的P/E周期達(dá)到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲時，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個塊的P/E周期達(dá)到最大值時，這些塊變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
一、NAND閃存市場分析 據(jù)歐洲知名半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)Yole發(fā)布的報告顯示，2020年起，NAND閃存市場發(fā)展趨勢保持穩(wěn)定增長，2021年，NAND閃存市場份額達(dá)到了近670億美元（見圖1），同年
2022-12-26 18:13:09991 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 閃存存儲設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495232 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見的非易失性存儲器，存在于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動器和智能手機(jī)存儲等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17422 
三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標(biāo)價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222
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