美光科技（Micron）16日宣布進(jìn)一步推動(dòng)DRAM產(chǎn)品的革新，其開(kāi)始采用業(yè)界首個(gè)1z nm的工藝節(jié)點(diǎn)批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y nm相比，該公司將使用1z nm節(jié)點(diǎn)來(lái)改善
2019-08-20 10:22:36
7258 10nm。研發(fā)部門正在努力擴(kuò)展該技術(shù)，并最終將其替換為新的存儲(chǔ)器類型。 但是，到目前為止，還沒(méi)有直接的替代方法。并且，在采用新解決方案之前，供應(yīng)商將繼續(xù)擴(kuò)展DRAM并提高性能，盡管在當(dāng)前1xnm節(jié)點(diǎn)體制下將逐步增加。并且在未來(lái)的節(jié)點(diǎn)上，部分但不是全部DR
2019-11-25 11:33:185883 在歷經(jīng)16nm/14nm閘極成本持續(xù)增加后，可望在10nm時(shí)降低。雖然IBS并未預(yù)期工藝技術(shù)停止微縮，但預(yù)計(jì)試錯(cuò)成本（cost penalty）將出現(xiàn)在采用20nm bulk CMOS HKMG和16/14nm FinFET之際。
2015-06-23 10:39:271246 市場(chǎng)傳出，DRAM龍頭三星半導(dǎo)體計(jì)劃減產(chǎn)三成標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)行動(dòng)式記憶體(Mobile DRAM)，以因應(yīng)蘋果新機(jī)出貨，同時(shí)通知OEM廠8月起不再調(diào)降標(biāo)準(zhǔn)型DRAM售價(jià)。法人預(yù)期，盤跌近七個(gè)月的DRAM價(jià)格可望止跌回升，華亞科、南亞科及華邦電等DRAM族群營(yíng)運(yùn)可望再起。
2015-08-03 07:55:21451 DRAM大廠三星預(yù)定明年第1季率先量產(chǎn)1x（18奈米）DRAM，另一大廠SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron）也將于明年跟進(jìn)，三大DRAM廠明年進(jìn)入1x奈米大戰(zhàn)；臺(tái)廠除南亞科（2408）也預(yù)約1x制程技術(shù)外，其余均專注利基型記憶體，避開(kāi)戰(zhàn)火。
2015-12-31 08:20:551296 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採(cǎi)用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場(chǎng)邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個(gè)量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56673 據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國(guó)巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級(jí)（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:481662 南亞科、華亞科與華邦電等DRAM廠，受DRAM需求增加與價(jià)格上揚(yáng)影響，第3季運(yùn)營(yíng)全面獲利，業(yè)界預(yù)期第4季DRAM供給將持續(xù)短缺，報(bào)價(jià)也將續(xù)漲，DRAM廠獲利成長(zhǎng)可期，法人預(yù)期以南亞科最具爆發(fā)成長(zhǎng)性。
2016-10-31 15:45:35375 年，32GB DDR4模組價(jià)格可望漲逾300美元，南亞科直接受惠，明年上半年20奈米DDR4產(chǎn)能已全賣光。 DRAM價(jià)格今年漲了一整年，但2018年看來(lái)仍是DRAM市場(chǎng)大好年。在供給端來(lái)看，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠明年的投資仍集中在1x/1y奈米的制程微縮，舊有廠內(nèi)擠出空間
2017-12-25 08:56:387745 
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，回顧2017年第四季，其中北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強(qiáng)勁，即使原廠透過(guò)產(chǎn)品線調(diào)整，但仍無(wú)法有效紓解市場(chǎng)供給吃緊的狀況。Server
2018-03-12 16:55:00772 
4月20日，DRAM大廠南亞科宣布，將在新北市泰山南林科技園區(qū)興建一座雙層無(wú)塵室的 12 吋先進(jìn)晶圓廠，采用自主研發(fā)的 10nm制程技術(shù)，規(guī)劃建置 EUV 極紫外光微影生產(chǎn)技術(shù)，月產(chǎn)能約 4.5 萬(wàn)片，計(jì)劃今年底動(dòng)工、2024 年開(kāi)始第一階段 1.5 萬(wàn)片量產(chǎn)，總投資額達(dá)新臺(tái)幣 3000 億元。
2021-04-20 14:14:438144 DRAM廠南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，第4季DRAM需求相對(duì)于上半年轉(zhuǎn)趨保守，預(yù)估產(chǎn)品單價(jià)會(huì)下滑約5%，也因此下修今年資本支出約12.5%，來(lái)到210億元（新臺(tái)幣，下同）。
2018-10-17 10:36:161212 2月份DRAM與NAND Flash價(jià)格持續(xù)上漲，DRAM上漲最主要的動(dòng)力來(lái)自于服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心正在快速布建5G基礎(chǔ)建設(shè)的需求持續(xù)強(qiáng)勁。
2020-03-10 10:39:541182 3月25日消息 三星電子（Samsung Electronics）宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)業(yè)界首款10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評(píng)估，并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門。
2020-03-26 09:12:563600 ，不過(guò)，公司也于去年重返PCDRAM市場(chǎng)，并以切入毛利率較高的服務(wù)器用DRAM為目標(biāo)，經(jīng)過(guò)一年多努力，南亞科在成功以20nm產(chǎn)生8GbDDR4DRAM、并獲手機(jī)廠導(dǎo)入產(chǎn)品后，決定將服務(wù)器用DDR4DRAM交予北美和中國(guó)大陸客戶驗(yàn)證，并訂于今年重返服務(wù)器市場(chǎng)。 此外，有消息稱，南亞科服務(wù)
2020-04-07 10:27:045633 研究機(jī)構(gòu)此前公布的數(shù)據(jù)顯示，雖然一季度主要DRAM廠商的銷售額環(huán)比下滑，但全球DRAM產(chǎn)品的價(jià)格卻有上升。由于居家經(jīng)濟(jì)對(duì)相關(guān)設(shè)備的需求依然強(qiáng)勁，對(duì)DRAM的需求也依然會(huì)保持強(qiáng)勁，DRAM的合約價(jià)格，在今年三季度仍將繼續(xù)上漲。
2020-06-02 09:41:583625 9月14日，臺(tái)資動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM）廠南亞科技今天宣布，自15日起暫停供貨華為，未來(lái)將依照相關(guān)規(guī)定向美方申請(qǐng)恢復(fù)供貨。
2020-09-15 09:43:092715 。 ? ? 南亞科董事長(zhǎng)吳嘉昭指出，今年預(yù)期DRAM市場(chǎng)售價(jià)止跌回升，整體產(chǎn)業(yè)可望走出谷底，并邁向成長(zhǎng)。南亞科將投入更多的研發(fā)資源，加速開(kāi)發(fā)10納米級(jí)制程技術(shù)與DDR5產(chǎn)品，同時(shí)規(guī)劃新廠擴(kuò)建，未來(lái)將以符合市場(chǎng)需求為目標(biāo)，逐步增加產(chǎn)出。 ? 對(duì)于今年?duì)I運(yùn)計(jì)劃
2021-04-26 13:57:353249 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報(bào)道，半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41
想了解DRAM 的EFA測(cè)試，以及她的測(cè)試程序如何，學(xué)習(xí)的技巧等
2020-11-13 13:53:41
電路，導(dǎo)致電容會(huì)漏電和緩慢放電，所以需要經(jīng)常刷新來(lái)保存數(shù)據(jù)問(wèn)題3：我們通常所說(shuō)的內(nèi)存用的是什么呢？這三個(gè)產(chǎn)品跟我們實(shí)際使用有什么關(guān)系？答：內(nèi)存（即隨機(jī)存貯器RAM）可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM，和動(dòng)態(tài)
2012-08-15 17:11:45
、SDRAM、EDO RAM都屬于DRAM（Dynamic RAM）,即動(dòng)態(tài)內(nèi)存。所有的DRAM基本單位都是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成。請(qǐng)看下圖： [/hide]
2009-10-21 18:27:06
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
。根本原因不在三星、SK宣稱的市場(chǎng)因素，目前DRAM市場(chǎng)價(jià)格并不差，反倒是NAND的價(jià)格還在持續(xù)滑落中。擴(kuò)大價(jià)格低落的產(chǎn)品線，不是拿石頭砸自己的腳嗎？同時(shí)也不是媒體所猜測(cè)的國(guó)內(nèi)DRAM產(chǎn)能陸續(xù)釋放，國(guó)內(nèi)
2018-10-12 14:46:09
某16K x 4的存儲(chǔ)體由16個(gè)字長(zhǎng)為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時(shí)擴(kuò)展而成，DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲(chǔ)矩陣。分析：由題得，16個(gè)DRAM芯片需要先在位方向擴(kuò)展為4位得
2022-03-02 06:18:45
。這就是為什么如果兩個(gè)市場(chǎng)都使用相同的外部硬件，那么最快的CPU可以和擁有10年歷史的CPU一樣慢的原因。這也是為什么在升級(jí)系統(tǒng)時(shí)，設(shè)計(jì)師必須了解導(dǎo)致系統(tǒng)速度下降的原因。這就是選擇RAM至關(guān)重要的地方
2020-09-25 08:01:20
先準(zhǔn)備在DVSDK的基礎(chǔ)上移植u-boot,由于更換了DDR，因此要修該DDR的參數(shù)，但我找不到dram_init函數(shù)在哪一個(gè)文件里：搜索了一下有下面幾個(gè)文件比較像，但我不知到時(shí)哪一個(gè)，請(qǐng)各位幫忙
2020-08-17 11:19:18
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
通過(guò) ODT 同時(shí)管理所有內(nèi)存顆粒引腳的信號(hào)終結(jié)，并且阻抗值也可以有多種選擇，內(nèi)存控制器可以根據(jù)系統(tǒng)內(nèi)干擾信號(hào)的強(qiáng)度自動(dòng)調(diào)整阻值的大小?！比珙}，DDR2和DDR3的ODT功能只存在DQ，DQS和DM中，而這三個(gè)信號(hào)不存在多顆粒共用情況，都是每片DRAM顆粒獨(dú)立工作，怎么能起到抑制反射的作用呢？
2018-01-19 09:43:18
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的區(qū)別.
2012-12-20 15:19:20
使用NI的 FPGA，開(kāi)辟了一個(gè)1294*1040大小的DRAM，在60HZ幀頻下按地址一個(gè)MCK一個(gè)地址的刷新DRAM中的數(shù)據(jù)，也就是每個(gè)地址刷新時(shí)間不到17微秒，一開(kāi)始出現(xiàn)一個(gè)數(shù)據(jù)都寫不進(jìn)去，我
2018-11-07 23:57:30
市場(chǎng)的35%。明年，至少兩家中國(guó)集成電路供應(yīng)商（睿力集成電路和晉華集成電路）將成功進(jìn)入DRAM市場(chǎng)。盡管國(guó)產(chǎn)廠商的產(chǎn)能和制造流程最初不會(huì)與三星、SK 海力士或美光等公司匹敵，但看看中國(guó)的初創(chuàng)企業(yè)表現(xiàn)如何，將是一件有趣的事情。
2018-10-18 17:05:17
操作。 另外，采用2個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘是處理時(shí)鐘相位偏移的對(duì)策，DDRSDRAM利用雙向的選通信號(hào)實(shí)施時(shí)鐘相位偏移的處理對(duì)策，而Direct Rambus DRAM預(yù)各了由DRAM向
2008-12-04 10:16:36
[資訊] DRAM挺過(guò)7月 有望旺到后年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）價(jià)格年初以來(lái)維持強(qiáng)勢(shì)，但封測(cè)廠強(qiáng)調(diào)，7月?tīng)柋剡_(dá)新增產(chǎn)能是否可以去化是重要觀察期，一旦能順利消化，DRAM產(chǎn)業(yè)榮景將能持續(xù)到明、后年
2010-05-10 10:51:03
芯片可以存儲(chǔ)16384個(gè)bit數(shù)據(jù)，同時(shí)期可同時(shí)進(jìn)行1bit的讀取或者寫入操作。DRAM地址引腳為7根，SRAM地址引腳為14根，這顆16K DRAM通過(guò)DRAM接口把地址一分為二，然后利用兩個(gè)連續(xù)
2010-07-15 11:40:15
臺(tái)積電與三星的10nm工藝。智能手機(jī)的普及，大大地改變了現(xiàn)代人們的生活方式，言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來(lái)自于人性”依舊適用，人們對(duì)于智能手機(jī)的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標(biāo)。就像
2018-06-14 14:25:19
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對(duì)DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
***地區(qū)廠商達(dá)17.9%。由于三星、海力士與美光等廠商在產(chǎn)能配置上著重于Flash顆粒以及CMOS Image Sensor等產(chǎn)品，2007年僅***地區(qū)廠商大量的擴(kuò)充DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能，因此未來(lái)***地區(qū)廠商DRAM銷售額比重仍將持續(xù)攀高。
2008-05-26 14:43:30
介紹初步無(wú)名飛控解（上）鎖與遙控器簡(jiǎn)單設(shè)置無(wú)名科創(chuàng)自研飛控平臺(tái)，經(jīng)過(guò)武漢科技大學(xué)連續(xù)四屆研究生師兄們參考國(guó)內(nèi)外主流飛控（APM、Pixhawk、Autoquad、MWC、CC3D、無(wú)窮開(kāi)、ANO
2019-08-01 11:38:45
成。業(yè)界人看好南亞科及華邦電第二季也獲利跳增，第三季因價(jià)格持續(xù)看漲，營(yíng)收及獲利可望再寫新高。無(wú)新產(chǎn)能，導(dǎo)致淡季變旺今年上半年包括三星、SK海力士、美光等記憶體大廠雖提高資本支出，但多數(shù)資金都用來(lái)進(jìn)行
2017-06-13 15:03:01
是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容，并用電容有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為了防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò)，需要周期性地給DRAM充電，故DRAM的充電速度比SRAM慢。另一方面，這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)
2019-09-18 09:05:09
`觀點(diǎn)：受益于國(guó)內(nèi)低端智能手機(jī)市場(chǎng)火爆，聯(lián)發(fā)科銷售量迅速增長(zhǎng)，使中國(guó)***廠商首度拿下全球第三大智能機(jī)芯片廠商的榮譽(yù)。為占更多市場(chǎng)份額，聯(lián)發(fā)科瞄向了東南亞平價(jià)智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)市場(chǎng)，近日與印尼
2012-10-12 16:55:49
近日，SIA發(fā)了個(gè)聳人聽(tīng)聞的新聞，說(shuō)intel放棄了10nm工藝的研發(fā)，當(dāng)然這肯定是假消息就是了，今天intel也出面辟謠。不過(guò)相信很多人也會(huì)覺(jué)得奇怪，那邊TSMC 7...
2021-07-26 08:10:47
SoC芯片的自研，顯然是想將手機(jī)的優(yōu)勢(shì)帶入到更廣泛的物聯(lián)網(wǎng)終端領(lǐng)域。OPPO推出6nm的NPU芯片，也是考慮到通過(guò)自研芯片拉開(kāi)和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，給自家高端化手機(jī)提供差異化體驗(yàn)。國(guó)產(chǎn)替代的三個(gè)誤區(qū)集成電路
2022-01-02 08:00:00
三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代
三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮，積極導(dǎo)入40納米制程，第4季已開(kāi)始小幅試產(chǎn)DDR3，預(yù)計(jì)2010年下半40納米將成為主流制程
2009-11-18 09:20:55466 南亞科擴(kuò)建12寸廠 全球市占挑戰(zhàn)10%
南亞科將逆勢(shì)擴(kuò)建旗下12寸廠，從現(xiàn)有3萬(wàn)片擴(kuò)增至5萬(wàn)~6萬(wàn)片，成為此波DRAM景氣復(fù)蘇后，首家擴(kuò)產(chǎn)的臺(tái)系DRAM廠。值得注意
2010-01-22 09:52:57639 DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory隨機(jī)存貯器)是指通過(guò)指令可以隨機(jī)地、個(gè)別地對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問(wèn)、訪問(wèn)所需時(shí)間基本固定、且
2010-03-24 16:04:3313084 DRAM模塊,DRAM模塊是什么意思
DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM"，翻譯成中文就是"動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器"。。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，
2010-03-24 16:17:211587 由于市場(chǎng)需求仍持續(xù)低迷，以現(xiàn)階段DRAM總投片約1300K為基準(zhǔn)來(lái)計(jì)算，至少需減產(chǎn)20%，才有機(jī)會(huì)讓市場(chǎng)供需平衡，DRAM價(jià)格至少到明年第2季后才能見(jiàn)到春燕歸來(lái)的跡象。
2011-08-28 10:19:10839 利基型記憶體包括Mobile DRAM、Specialty DRAM，與Graphics DRAM等3大類產(chǎn)品線，各產(chǎn)品線主要終端應(yīng)用產(chǎn)品各自不同。加總Mobile DRAM、Specialty DRAM與Graphics DRAM等3大產(chǎn)品總市場(chǎng)需求，DIGITIMES預(yù)估
2011-10-28 09:39:003382 本月，三星電子宣布實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，再次拉大與“三國(guó)殺”剩下兩個(gè)玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031033 三星是全球最大的DRAM芯片供應(yīng)商，自己一家就占據(jù)了47.5%的份額，遠(yuǎn)高于SK Hynix和美光。不僅如此，三星在DRAM技術(shù)上也遙遙領(lǐng)先于其他兩家，去年3月份就宣布量產(chǎn)18nm工藝的DRAM芯片
2017-03-03 14:22:572482 在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中，介紹了單個(gè) Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
2017-03-17 16:12:144417 
Digitimes發(fā)布消息稱，英特爾可以按計(jì)劃在今年底首發(fā)10nm處理器，但僅限低功耗移動(dòng)平臺(tái)，預(yù)計(jì)是Core m或者后綴U系列的低電壓版本。而就在上周，英特爾剛宣布，第一代基于10nm工藝制程Cannon Lake處理器已經(jīng)完工，同時(shí)第二代10nm處理器Ice Lake也已經(jīng)完成了最終設(shè)計(jì)。
2017-06-15 11:43:441317 三星在DRAM市場(chǎng)的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:011534 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤(rùn)高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331472 三星的DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)十分強(qiáng)勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場(chǎng)龐大需求，三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:38835 隨物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來(lái)臨，數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視，研調(diào)單位指出，協(xié)助運(yùn)算處理的DRAM與資訊儲(chǔ)存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科（2408）日前表示，今年DRAM市場(chǎng)仍供不應(yīng)求，帶動(dòng)存儲(chǔ)器族群行情向上，旺宏（2337）在權(quán)證市場(chǎng)同受關(guān)注，昨（29）日登上成交金額之首。
2018-06-22 15:45:001233 內(nèi)存廠南亞科24日舉行股東會(huì)，展望今年整體市況，董事長(zhǎng)吳嘉昭表示，預(yù)期今年DRAM位元需求將年增22%，位元供給將增加21%，DRAM整體仍是需求仍大于供給，今年?duì)I運(yùn)狀況不錯(cuò)。
2018-07-04 06:30:00605 DRAM大廠陸續(xù)洽談第3季DRAM合約價(jià)格，維持小漲局面，推升全球本季DRAM產(chǎn)值將再改寫新高，臺(tái)系DRAM南亞科（2408）和華邦電等，預(yù)料今年將繳出逐季創(chuàng)新高佳績(jī)。
2018-07-04 17:08:00581 12月20日，三星宣布已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:25723 三星宣布推出基于10nm級(jí)（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789 三星宣布成功開(kāi)發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來(lái)，三星就開(kāi)始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過(guò)渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281050 7月10日?qǐng)?bào)導(dǎo)，JP摩根目前對(duì)今明兩年DRAM市場(chǎng)銷售額、出貨量預(yù)估較上個(gè)月高出5-6%。JP摩根分析師Harlan Sur指出，美光科技的年度銷售額大約有30%來(lái)自服務(wù)器用DRAM。他預(yù)期服務(wù)器用DRAM將占整體產(chǎn)業(yè)銷售額的四分之一、超越PC用DRAM成為第二大產(chǎn)品（僅次于移動(dòng)設(shè)備用DRAM）。
2018-08-09 15:50:541052 4月25日，三星電子宣布已開(kāi)始批量生產(chǎn)汽車用10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能，同時(shí)還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262143 DRAM價(jià)格飆漲帶動(dòng)2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值沖破4000億美元，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI預(yù)估，在三星電子、SK海力士（SK Hynix）持續(xù)擴(kuò)展DRAM產(chǎn)能下，2018年DRAM供給端產(chǎn)能可能再
2018-08-27 17:05:531850 臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進(jìn)，完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通過(guò)個(gè)人電腦（PC）客戶認(rèn)證，本月開(kāi)始出貨，為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后，再度重返個(gè)人電腦市場(chǎng)，明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場(chǎng)，南亞科借此成為韓系和美系大廠之后，另一穩(wěn)定供貨來(lái)源。
2018-08-28 16:09:212734 由于DRAM市場(chǎng)正逐漸由供貨吃緊轉(zhuǎn)向供過(guò)于求，在需求前景不明且供給持續(xù)增加下，買方回補(bǔ)庫(kù)存意愿偏低，DRAM價(jià)格可能終結(jié)連9季上揚(yáng)態(tài)勢(shì)，南亞科第4季營(yíng)收恐難再創(chuàng)高。
2018-09-05 14:12:034161 DRAM大廠南亞科今昨日公布第3季財(cái)報(bào)，展望后市，南亞科總經(jīng)理李培瑛不諱言，第4季DRAM需求相對(duì)前半年保守，預(yù)期單季平均銷售單價(jià)可能下滑5%左右，PC需求為目前唯一表現(xiàn)趨緩的應(yīng)用，且由于
2018-10-18 16:40:111089 三星電子今天宣布，開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763 19日出具調(diào)查報(bào)告指出，今年上半年DRAM市場(chǎng)仍供過(guò)于求，價(jià)格持續(xù)下跌，不僅本季價(jià)格跌幅將超過(guò)二成，下季仍持續(xù)看跌15%，相當(dāng)于上半年累計(jì)跌價(jià)幅度超過(guò)三成，比市場(chǎng)原預(yù)期更悲觀，華邦、南亞科等芯片廠，以及模組廠威剛、宇瞻等，營(yíng)運(yùn)將面臨下修壓力。
2019-02-22 09:20:122234 今年以來(lái)DRAM價(jià)格持續(xù)下跌，DRAM廠南亞科今年獲利表現(xiàn)恐不如去年好。為了維持穩(wěn)定獲利，南亞科將朝向優(yōu)化產(chǎn)品組合方向調(diào)整，提高DDR4及LPDDR4X等毛利率較好的產(chǎn)品比重。此外，南亞科已取得美光的1x/1y納米制程技術(shù)授權(quán)選擇權(quán)，并啟動(dòng)自主研發(fā)的10納米世代制程研發(fā)。
2019-03-01 16:30:254125 DRAM大廠南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，近期服務(wù)器用DRAM需求已經(jīng)反彈，此舉將幫助第二季DRAM市況優(yōu)于首季，下半年轉(zhuǎn)好。
2019-03-05 17:30:134400 3月21日，三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083251 ，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。自開(kāi)始批量生產(chǎn)第二代10nm級(jí)（1y-nm）8Gb DDR4以來(lái)僅僅16個(gè)月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開(kāi)發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說(shuō)明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:541444 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:163659 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01215 DRAM廠南亞科昨日舉行股東會(huì)，總經(jīng)理李培瑛會(huì)后受訪表示，第2季DRAM市況已看到會(huì)比第1季好，第3季又會(huì)比第2季稍好，合約價(jià)跌幅會(huì)比現(xiàn)貨價(jià)小；整體而言，隨著旺季到來(lái)，下半年DRAM還是會(huì)比上半年好。
2019-05-31 16:58:212105 DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢(shì)。
2019-07-06 11:38:563485 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開(kāi)發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。
2019-09-27 17:23:291003 南亞科總經(jīng)理李培瑛近日宣布，已完成自主研發(fā)10納米級(jí)DRAM技術(shù)。
2020-01-13 15:16:102164 三星電子（Samsung Electronics）今天宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)業(yè)界首款10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評(píng)估，并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門。
2020-03-25 16:53:572345 的工藝節(jié)點(diǎn)都不使用明確的數(shù)字，而是1x、1y、1z、1α等等，越往后越先進(jìn)，或者說(shuō)1xnm比較接近20nm，1αnm則更接近10nm。 美光的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內(nèi)存芯片，尤其適用于最新旗艦手機(jī)標(biāo)配的LPDDR5，相比于1z工藝可以將容量密度增加多達(dá)40％，同時(shí)還能讓功耗降低15％
2021-01-27 17:28:331589 DRAM作為PC必備器件之一，大家自然對(duì)DRAM較為熟悉。但是，大家知道DRAM存儲(chǔ)具有哪些分類嗎？大家了解DRAM控制器是如何設(shè)計(jì)出來(lái)的嗎？如果你對(duì)DRAM以及本文即將要闡述的內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:193766 
Intel正在各個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從14nm向10nm的過(guò)渡：輕薄本上代還是14/10nm混合，現(xiàn)在已經(jīng)完全是10nm；游戲本、服務(wù)器馬上就都會(huì)首次嘗鮮10nm；桌面則要等到明年底的12代最終實(shí)現(xiàn)交接。
2020-12-07 10:00:071764 據(jù)悉，南亞科技預(yù)計(jì)DRAM的價(jià)格一季度開(kāi)始上漲，是因?yàn)槭袌?chǎng)供應(yīng)緊張，供不應(yīng)求所致，價(jià)格上漲的趨勢(shì)將持續(xù)到二季度。
2021-01-12 10:57:221585 據(jù)etnews報(bào)道，SK海力士已開(kāi)始在其位于韓國(guó)利川的M16工廠安裝EUV光刻機(jī)，以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設(shè)產(chǎn)線以生產(chǎn)下一代DRAM，不過(guò)并未透露
2021-01-20 18:19:202146 美光今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513088 
2月22日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英文媒體此前曾多次報(bào)道，DRAM的價(jià)格在今年一季度將上漲，二季度仍將持續(xù)，相關(guān)的廠商將從中獲益。 在此前的報(bào)道中，英文媒體就提到，受市場(chǎng)供應(yīng)緊張，供不應(yīng)求推動(dòng)，南亞
2021-02-22 16:28:011645 ％。其中生產(chǎn)設(shè)備資本支出降幅約四成。 ? 展望2022第四季度DRAM市場(chǎng)供需，南亞科表示，全球性總體經(jīng)濟(jì)面臨衰退，受高通膨、升息、俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)、封控等負(fù)面因素電子產(chǎn)品市場(chǎng)需求疲弱，部分終端客戶庫(kù)存逐步去化。 ? 供應(yīng)商庫(kù)存增加，部分供應(yīng)商調(diào)降資本支出，整體市
2022-10-19 14:16:081747 DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代（不到20nm世代）已經(jīng)過(guò)去五年了。過(guò)去五年，DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此，本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢(shì)。
2023-11-25 14:30:15538 
部分存儲(chǔ)模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià)，故預(yù)計(jì)后者將會(huì)持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年年底上漲2%-3%，不及3D TLC NAND約10%；
2024-01-03 10:46:21550
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