存儲技術(shù)更加注重技術(shù)的升級 2020年中國大陸存儲將進(jìn)入豐年

與2018 年的并購、建廠、擴(kuò)產(chǎn)、投產(chǎn)相比，到目前為止，今年的存儲器領(lǐng)域并未出現(xiàn)大規(guī)模的并購建廠，而是更加注重技術(shù)的升級、以及新產(chǎn)品的研發(fā)。

2019 年長鑫 19 納米 DRAM 正式量產(chǎn)，17 納米工藝重大突破；長江存儲 64 層 3D NAND 量產(chǎn)，128 層 3D NAND 取得重大突破。2020 年中國大陸存儲進(jìn)入豐年。

下面一起回顧一下 2019 年存儲產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域發(fā)生的那些大事件。

一、國內(nèi)篇

2019 年 2 月 20 日，東南大學(xué)國家 ASIC 工程中心時龍興教授、楊軍教授團(tuán)隊在 ISSCC 上發(fā)表了題為《Sandwich-RAM： An Energy-Efficient In-Memory BWN Architecture with Pulse-Width Modulation》的論文，這是 ISSCC 上第一次錄用中國大陸存儲芯片領(lǐng)域相關(guān)論文，是首次深度學(xué)習(xí)處理器領(lǐng)域入選的論文。

1、合肥長鑫 CXMT

長鑫存儲首次介紹建設(shè)情況

2019 年 5 月 15 日，DRAM 生產(chǎn)商長鑫存儲董事長兼 CEO 朱一明介紹長鑫的建設(shè)經(jīng)歷和知識產(chǎn)權(quán)體系。

朱一明表示，長鑫存儲通過自主研發(fā)再創(chuàng)新，累計投入 25 億美元研發(fā)費用，建成了嚴(yán)謹(jǐn)合規(guī)的研發(fā)體系，并結(jié)合當(dāng)前先進(jìn)設(shè)備完成了大幅度的工藝改進(jìn)，開發(fā)出獨有的技術(shù)體系，拉近了與世界先進(jìn)水平的技術(shù)差距。長鑫存儲完成了第一座 12 英寸 DRAM 存儲器晶圓廠的建設(shè)，技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)有序開展。目前，制造工藝進(jìn)展順利，已持續(xù)投入晶圓超過 15000 片。

平爾萱談長鑫技術(shù)問題

2019 年 9 月 19 日，長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負(fù)責(zé)人平爾萱博士在演講中表示 基于授權(quán)所得的奇夢達(dá)相關(guān)技術(shù)和從全球招攬的極具豐富經(jīng)驗的人才，長鑫存儲借助先進(jìn)的機臺已經(jīng)把原本奇夢達(dá)的 46 納米 DRAM 平穩(wěn)推進(jìn)到了 10 納米級別。公司目前開始在 EUV、HKMG 和 GAA 等目前還沒有在 DRAM 上實現(xiàn)的新技術(shù)進(jìn)行探索。

8Gb DRAM 芯片宣布投產(chǎn)

2019 年 9 月 20 日，在 2019 世界制造業(yè)大會上，合肥長鑫自主制造項目宣布投產(chǎn)，其與國際主流 DRAM 產(chǎn)品同步的 19 納米第一代 8Gb DDR4 首度亮相。

據(jù)了解，長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目于 2016 年 5 月由合肥市政府旗下投資平臺合肥產(chǎn)投與細(xì)分存儲器國產(chǎn)領(lǐng)軍企業(yè)兆易創(chuàng)新共同出資組建，是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目，一期設(shè)計規(guī)劃產(chǎn)能每月 12 萬片晶圓。

目前，該項目已通過層層評審，并獲得工信部旗下檢測機構(gòu)中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測報告。據(jù)長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明表示，投產(chǎn)的 8Gb DDR4 已經(jīng)通過多個國內(nèi)外大客戶的驗證，今年底正式交付。8Gb LPDDR4X 也于第四季度實現(xiàn)投產(chǎn)。

集成電路制造基地項目簽約

2019 年 9 月 21 日，在 2019 世界制造業(yè)大會上，合肥市政府與長鑫存儲技術(shù)有限公司、華僑城集團(tuán)有限公司、北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司等就合肥長鑫集成電路制造基地項目簽約。

合肥長鑫集成電路制造基地項目總投資超過 2200 億元，選址位于合肥空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)，占地面積約 15.2 平方公里，由長鑫 12 英寸存儲器晶圓制造基地項目、空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園和合肥空港國際小鎮(zhèn)三個片區(qū)組成。

其中長鑫 12 英寸存儲器晶圓制造基地項目總投資 1500 億元；空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園總投資超過 200 億元，位于長鑫存儲項目以西；合肥空港國際小鎮(zhèn)總投資約 500 億元，規(guī)劃面積 9.2 平方公里，總建筑面積 420 萬平方米，位于長鑫存儲項目以北。

制造基地全部建成后，預(yù)計可形成產(chǎn)值規(guī)模超 2000 億元，集聚上下游龍頭企業(yè)超 200 家，吸引各類人才超 20 萬人。

專利授權(quán)

2019 年 12 月，長鑫存儲和 WiLAN Inc. 聯(lián)合宣布，長鑫存儲與 WiLAN Inc. 合資子公司 Polaris Innovations Limited 有關(guān)達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。依據(jù)專利許可協(xié)議，長鑫存儲從 Polaris 獲得大量奇夢達(dá)（Qimonda）的 DRAM 技術(shù)專利的實施許可。

未來規(guī)劃

根據(jù)規(guī)劃，長鑫存儲合肥 12 英寸晶圓廠分為三期，第一期滿載產(chǎn)能為 12 萬片，預(yù)計分為三個階段執(zhí)行，第一階段要完成單月 4 萬片，目前為 2 萬片，2020 年第一季底達(dá)到 4 萬片。2020 年開始規(guī)劃建設(shè)二期項目，并于 2021 年完成 17nm 工藝的 DRAM 研發(fā)。

2、紫光集團(tuán)

宣布進(jìn)軍 DRAM 產(chǎn)業(yè)

2019 年 6 月 30 日，紫光集團(tuán)正式宣布組建 DRAM 事業(yè)群，委任刁石京為 DRAM 事業(yè)群董事長，高啟全（Charles Kau）為 DRAM 事業(yè)群首席執(zhí)行官（CEO）。此舉標(biāo)志著 DRAM 業(yè)務(wù)版塊在紫光集團(tuán)內(nèi)部獲得戰(zhàn)略提升。

隨后，紫光迅速布局，8 月 27 日和重慶市人民政府簽署紫光存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地項目合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，紫光集團(tuán)將在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設(shè)立紫光國芯集成電路股份有限公司，建設(shè)包括 DRAM 總部研發(fā)中心在內(nèi)的紫光 DRAM 事業(yè)群總部、DRAM 存儲芯片制造工廠。

12 英寸 DRAM 存儲芯片制造工廠計劃于 2019 年底開工建設(shè)，預(yù)計 2021 年建成投產(chǎn)。

64 層 3D NAND 閃存投產(chǎn)

2019 年 8 月 26 日，長江存儲 64 層 3D NAND 閃存芯片在第二屆中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會上首次公開展出。

9 月 2 日，長江存儲在其官方微信正式宣布，已經(jīng)投產(chǎn)基于 Xtacking 架構(gòu)打造的 64 層 256 Gb TLC 3D NAND 閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。

長江存儲上海研發(fā)中心落戶張江

2019 年 8 月 31 日，2019 世界人工智能大會“生態(tài)引領(lǐng)、智鏈浦東”峰會在世博中心召開。會上，長江存儲上海研發(fā)中心簽約上海集成電路設(shè)計產(chǎn)業(yè)園。

紫光長存（上海）集成電路有限公司與張江高科簽約的長江存儲上海研發(fā)中心為自主研發(fā)存儲芯片項目，將在張江成立上海研發(fā)中心，預(yù)計研發(fā)投入每年不低于 1 億元。

聘任坂本幸雄

2019 年 11 月 15 日，紫光集團(tuán)正式宣布任命前爾必達(dá) CEO 坂本幸雄（Yukio Sakamoto）為紫光集團(tuán)高級副總裁兼日本分公司 CEO，負(fù)責(zé)拓展紫光在日本市場的業(yè)務(wù)。

坂本幸雄在接受《鉆石周刊》獨家專訪中談到，紫光的目標(biāo)是 5 年內(nèi)量產(chǎn) DRAM，他的工作就是協(xié)助達(dá)成目標(biāo)。紫光要在日本神奈川縣川崎辦公室設(shè)立“設(shè)計中心”，預(yù)定招募 70 到 100 位工程師，和中國的制程據(jù)點密切合作，大約花 2、3 年建構(gòu)量產(chǎn)的體制。

武漢新芯二期投產(chǎn)

2019 年武漢新芯二期擴(kuò)產(chǎn)項目順利投產(chǎn)，將于 2020 正式量產(chǎn)。

2018 年 8 月 28 日，武漢新芯集成電路制造有限公司召開二期擴(kuò)產(chǎn)項目現(xiàn)場推進(jìn)會在武漢召開。據(jù)悉武漢新芯二期擴(kuò)產(chǎn)項目規(guī)劃總投資 17.8 億美元；2018 年 12 月開始進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試。

紫光成都存儲器制造基地項目

2019 年，原預(yù)計于 2020 年第三季投產(chǎn)的紫光成都存儲器制造基地項目主廠房還在建設(shè)中。

2018 年 10 月 12 日，紫光成都存儲器制造基地項目開工。據(jù)介紹，紫光成都存儲器制造基地項目占地面積約 1200 畝，總投資達(dá) 240 億美元，將建設(shè) 12 寸 3D NAND 存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售，旨在打造世界一流的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。據(jù)悉，項目全部建成將可形成月產(chǎn)芯片 30 萬片。

128 層 3D NAND 獲突破

2019 年長江存儲 128 層 3D NAND Flash 已經(jīng)取得重大突破，目前正在改進(jìn)良率中，預(yù)期 2020 年投產(chǎn)。

未來規(guī)劃

長江存儲武漢廠目前的產(chǎn)能約月產(chǎn)能 2 萬片，預(yù)計到 2020 年四季度會達(dá)到月產(chǎn)能 5 萬片。

紫光成都廠按計劃 2020 年第三季度投產(chǎn)，到 2020 年四季度月產(chǎn)能可爬升到 1 到 2 萬片。

按照計劃，2019 年順利量產(chǎn) 64 層 3D NAND Flash 之后，長江存儲會跳過 96 層堆疊直接殺向 128 層堆疊，而據(jù)悉 128 層 3D NAND Flash 也已經(jīng)取得重大突破，這也意味著，2020 年長江存儲將要進(jìn)行 128 層 3D NAND Flash 的量產(chǎn)。

3、晉華集成

據(jù)悉，晉華工廠有 200 余臺設(shè)備，原計劃 2018 年底試產(chǎn)。然而，由于福建晉華和美光之間的訴訟，美國當(dāng)?shù)貢r間 2018 年 10 月 29 日，美國將福建晉華列入了出口管制的實體清單。隨后，聯(lián)電也宣布暫停為福建晉華提供研發(fā)協(xié)助。至此福建晉華的 DRAM 幾乎陷入停滯。

但是 2019 年以來，筆者在多個場合見到晉華集成副總經(jīng)理徐征，雖然并未透露任何有關(guān)晉華的信息，但其代表晉華公開現(xiàn)身，應(yīng)該表明“晉華仍在運轉(zhuǎn)當(dāng)中”。

二、海外篇

1、鎧俠 / 東芝

與西數(shù)聯(lián)合投資北上 K1 工廠

2019 年 5 月，和西數(shù)達(dá)成正式協(xié)議，共同投資在日本巖手縣北上市建造的“K1”制造工廠。

K1 工廠的建設(shè)預(yù)計將在 2019 年秋季完成，而東芝存儲器和西部數(shù)據(jù)對 K1 工廠設(shè)備的聯(lián)合投資將從 2020 年開始實現(xiàn) 96 層 3D NAND Flash 的初始生產(chǎn)。

四日市工廠停電

2019 年 6 月 15 日，日本四日市停電 13 分鐘（從 18:25 到 18:38），而東芝存儲器因為在該市擁有多個工廠也隨之備受關(guān)注。

東芝存儲器在四日市市運營的 6 個晶圓廠（NY2，Y3，Y4，Y5-1，Y5-2 和 Y6），都遭受不同程度的損失。

2019 年 6 月下旬，西部數(shù)據(jù)表示停電事故影響到西部數(shù)據(jù)共約 6EB 當(dāng)量的 wafer 產(chǎn)出，約占當(dāng)季供應(yīng)量的一半左右。

收購***光寶 SSD 業(yè)務(wù)

2019 年 8 月 30 日，與光寶（liton Technology Corporation）簽署了收購其 SSD（固態(tài)硬盤）業(yè)務(wù)的最終協(xié)議。收購價格為 1.65 億美元，該交易預(yù)計將于 2020 年上半年完成，并將根據(jù)慣例進(jìn)行收市調(diào)整和監(jiān)管審批。

其中收購包括存貨、機器設(shè)備、員工團(tuán)隊、技術(shù)與知識產(chǎn)權(quán)、客戶供應(yīng)商關(guān)系等營業(yè)與資產(chǎn)，預(yù)計 2020 年 4 月 1 日完成。

此次收購視為加強公司 SSD 業(yè)務(wù)的一種方式。

更名 Kioxia

2019 年 10 月 1 日，東芝存儲器正式更名為 Kioxia 公司。全球所有東芝存儲器公司都會采用新的品牌名稱 Kioxia，基本上同一天生效。而東芝電子（中國）有限公司計劃將于 2020 年春天完成更名。

東芝存儲器稱，融合了“記憶”與“價值”的雙重含義，Kioxia 代表了公司以“存儲”助力世界發(fā)展的使命，同時也是公司愿景的基石。

Kioxia 將開創(chuàng)新的存儲器時代，以應(yīng)對日益增大的容量、高性能存儲和數(shù)據(jù)處理的需求。

2、美光

恢復(fù)向華為出貨部分芯片

2019 年 5 月，美國商務(wù)部將華為列入一項黑名單后，美國存儲芯片大廠美光也停止了華為的出貨。然而，不久之后，有外媒報道，美光執(zhí)行長 Sanjay Mehrotra 表示，在評估美國對華為的禁售令之后，已經(jīng)恢復(fù)部分芯片出貨。

美光確定，可以合法恢復(fù)一部分現(xiàn)有產(chǎn)品出貨，因為這些產(chǎn)品不受出口管理條例 （EAR） 和實體清單的限制。Mehrotra 同時指出，因為華為的情況依然存在不確定性，因此美光無法預(yù)測對華為出貨的產(chǎn)品數(shù)量或持續(xù)時間。

不過，到目前為止，尚未有美光再次向華為停止出貨的消息傳出。

延遲日本廣島 DRAM 新廠投資計劃

美光位于日本廣島的 DRAM 工廠（Fab 15）最新的生產(chǎn)廠房 B 棟已于 2019 年 6 月初落成啟用，其無塵室的面積較原先擴(kuò)大了 10%，并計劃進(jìn)行新一代 DRAM 的生產(chǎn)，以縮小與三星的差距。

Fab 15 實際上是在 2013 年美光買下爾必達(dá)后納入麾下的，原計劃在今年中期在該廠展開 1Z nm 制程的下一代 DRAM 生產(chǎn)，不過據(jù)傳該廠已動工的 F 棟廠房部分?jǐn)U建已經(jīng)向后推遲了 7 個月，F(xiàn) 棟廠房原本預(yù)計在 2020 年的 7 月份完成興建，如今已經(jīng)延遲到 2021 年的 2 月份，足足向后延遲了 7 個月的時間。

各中原因，眾說紛紜，有說是因為對華為禁運，有說是因為數(shù)據(jù)市場低迷。

新加坡閃存廠完成擴(kuò)建

2019 年 8 月 14 日，美光宣布完成新加坡 NAND Flash 廠 Fab 10A 的擴(kuò)建，這是繼 Fab 10N、Fab 10X 之后的第三座 NAND Flash 工廠。

擴(kuò)建的 Fab 10A 為晶圓廠區(qū)無塵室空間帶來運作上的彈性，可促進(jìn) 3D NAND 技術(shù)先進(jìn)制程節(jié)點的技術(shù)轉(zhuǎn)型。另外，擴(kuò)建的 Fab 10A 廠區(qū)將根據(jù)市場需求調(diào)整資本支出，在技術(shù)及產(chǎn)能轉(zhuǎn)換調(diào)整情況下，F(xiàn)ab 10 廠區(qū)總產(chǎn)能將保持不變。

*** DRAM 擴(kuò)產(chǎn)

2019 年 8 月，美光（Micron）將在***加碼投資，要在現(xiàn)有廠區(qū)旁興建 2 座晶圓廠，總投資額達(dá) 4000 億元新臺幣（約合人民幣 903 億元），生產(chǎn)最新制程 DRAM。美光此次 4000 億新臺幣擴(kuò)建案，規(guī)劃在目前中科廠旁，興建 A3 及 A5 二座晶圓廠。

其中，A3 廠房是以擴(kuò)建無塵室為名，且已進(jìn)入工程興建階段，預(yù)定 2020 年 8 月完工投，并陸續(xù)裝機，2020 年第 4 季導(dǎo)入最新的 1Z 制程試產(chǎn)，借此縮小與三星的差距；第二期 A5 廠將視市場需求，逐步擴(kuò)增產(chǎn)能，規(guī)劃設(shè)計月產(chǎn)能 6 萬片。

完成收購 IMF，結(jié)束和英特爾的合作

2019 年 10 月 31 日，美光完成對英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies 的股權(quán)收購，位于猶他州 Lehi 的工廠成為美光的全資子公司。此舉表明，美光和英特爾在 NAND Flash 方面的合作也將徹底結(jié)束，包括 3D NAND 技術(shù)的研發(fā)，將各自獨立推動自己的未來技術(shù)路線圖。

3、SK 海力士

停產(chǎn)部分 NAND Flash 產(chǎn) 品

2019 年第一季度，SK 海力士財報表現(xiàn)不盡如人意，營收為 6.77 兆韓元，環(huán)比下滑 32%，同比下滑 22%；營業(yè)利潤為 1.37 兆韓元，環(huán)比下滑 69%，同比下滑 69%；凈利潤 1.1 兆韓元，環(huán)比下滑 68%，同比下滑 65%。

因此，SK 海力士表示，為專注于改善收益，在 NAND Flash 部分，將停止生產(chǎn)成本較高的 36 層與 48 層 3D NAND，同時提高 72 層產(chǎn)品的生產(chǎn)比重。

在 DRAM 領(lǐng)域，將逐漸擴(kuò)大第一代 10 納米 （1X） 產(chǎn)量，并從下半年起，將主力產(chǎn)品更換為第二代 10 納米 （1Y） 產(chǎn)品。與此同時，為支援新款服務(wù)器芯片的高用量 DRAM 需求，將開始供給 64GB 模塊產(chǎn)品。

無錫新廠完工

2019 年 4 月 18 日，SK 海力士無錫二工廠（C2F）舉行了竣工儀式。二工廠是在原有 DRAM 生產(chǎn)線 C2 的基礎(chǔ)上實施的擴(kuò)建工程。二工廠項目全部建成后，SK 海力士無錫工廠將形成月產(chǎn) 18 到 20 萬片 12 英寸晶圓的產(chǎn)能。

不過由于各種原因，目前產(chǎn)能推進(jìn)不是很積極。

量產(chǎn)業(yè)界首款 128 層 4D NAND 芯片

2019 年 6 月 26 日，SK 海力士宣布，已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存芯片。

在相同的 4D 平臺和工藝優(yōu)化下，SK 海力士在現(xiàn)有 96 層 NAND 的基礎(chǔ)上又增加了 32 層，使制造工藝總數(shù)減少了 5%。與以往技術(shù)遷移相比，96 層向 128 層 NAND 過渡的投資成本降低了 60%，大大提高了投資效率。

這款 128 層的 1Tb NAND 閃存芯片實現(xiàn)了業(yè)界最高的垂直堆疊，擁有 3600 多億個 NAND 單元，每個單元在一個芯片上存儲 3 位。相較于此前的 96 層 4D NAND，SK 海力士新的 128 層 1Tb 4D NAND 可使每塊晶圓的位產(chǎn)能提高 40%。

4、三星

全球首發(fā)量產(chǎn) 512GB eUFS3.0 閃存芯片

2019 年 2 月 27 日，三星電子宣布，全球首發(fā)量產(chǎn) 512GB eUFS3.0 閃存芯片，成為了全球唯一一家可以量產(chǎn) 512GB eUFS3.0 閃存芯片的公司，該芯片用于三星折疊屏手機 Galaxy Fold。

三星電子表示，eUFS3.0 芯片連續(xù)讀取速度可達(dá) 2100MB/s，是現(xiàn)有 eUFS 2.1 速度的兩倍有余，也是普通 SD 卡速度的 20 多倍，計劃下半年開始供應(yīng) 1TB 與 256GB 規(guī)格的 eUFS 3.0 閃存芯片。

推出 1Z 納米制程 DRAM

在 DRAM 制程陸續(xù)進(jìn)入 10 納米級制程后，三星電子于 2019 年 3 月 21 日宣布，開發(fā)第三代 10 納米等級（1znm）8GB DDR4。

而這也是三星發(fā)展第二代（1ynm）制程 DRAM 之后，經(jīng)歷 16 個月，在不使用 EUV 的情況下，再次開發(fā)出更先進(jìn)制程的 DRAM 產(chǎn)品。

隨著 1znm 制程產(chǎn)品問世，并成為業(yè)界最小的存儲器生產(chǎn)節(jié)點，三星的生產(chǎn)效率比以前 1ynm 等版 DDR4 DRAM 高 20%以上。

三星指出，跨入 1znm 制程的 DRAM 生產(chǎn)，將為全球 IT 加快朝向下一代 DRAM 界面，包括 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6 等預(yù)做準(zhǔn)備。

量產(chǎn)全球首款 12Gb LPDDR5 DRAM

2019 年 7 月 18 日，三星電子官方宣布量產(chǎn)全球首款 12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解，三星 12Gb LPDDR5 DRAM 主要針對未來智能手機，優(yōu)化其 5G 和 AI 功能。

采用第 2 代 10 納米等級（1ynm）制程的新款 12Gb LPDDR5 DRAM，傳輸速度可達(dá)到 5500Mbps，是現(xiàn)有 LPDDR4X 速率 4266Mbps 的 1.3 倍。

三星表示，2020 年將量產(chǎn) 16Gb 的 LPDDR5 DRAM 顆粒。

三星西安基地擴(kuò)產(chǎn)

2019 年 12 月 25 日，三星西安二期二階段開工，預(yù)計投資達(dá) 80 億美元，規(guī)劃月產(chǎn)能 7 萬片。

三星西安基地二期一階段月產(chǎn)能 6 萬片，已經(jīng)開始投片試產(chǎn)，將于 2020 年 3 月正式量產(chǎn)。

二期整體完工后，西安總產(chǎn)能將高達(dá) 25 萬片。

三星華城停電

2019 年 12 月 31 日下午，三星華城基地發(fā)生大約一分鐘的斷電事故，導(dǎo)致三星華城芯片工廠的部分芯片生產(chǎn)已經(jīng)暫停。

據(jù)悉，此次斷電是因為區(qū)域電力傳輸電纜出現(xiàn)問題，目前部分 DRAM 和 NAND 閃存的生產(chǎn)已經(jīng)暫停，預(yù)計需要大約兩到三天時間才能全面恢復(fù)。此次事故可能造成數(shù)百萬美元損失，但沒有造成重大破壞。

而 2018 年，三星平澤工廠一次半小時的斷電造成了據(jù)估計高達(dá) 500 億韓元（約合 4332 萬美元）的損失。

5、英特爾

2019 年 9 月，英特爾表示，3D XPoint 閃存依然采用第一代兩層堆疊技術(shù)，制造還依賴美光工廠的產(chǎn)能。

明年上市的第四代 3D 閃存已經(jīng)確定將使用 144 層堆疊技術(shù)，并且同 96 層堆疊時代不同的是 QLC 閃存將成為首發(fā)產(chǎn)品。但繼續(xù)沿用 Floating Gate 浮柵結(jié)構(gòu)，英特爾表示這種結(jié)構(gòu)在數(shù)據(jù)保存期上較 Charge Trap 結(jié)構(gòu)更有優(yōu)勢。

PLC（5bit per cell）可行性也在討論中，并沒有量產(chǎn)的時間表。

出售 IMF，結(jié)束和美光的合作

2019 年 10 月 31 日，英特爾完成在和美光的合資公司 IM Flash Technologies 中的股權(quán)出售，位于猶他州 Lehi 的工廠成為美光的全資子公司。此舉表明，美光和英特爾在 NAND Flash 方面的合作也將徹底結(jié)束，包括 3D NAND 技術(shù)的研發(fā)，將各自獨立推動自己的未來技術(shù)路線圖。

6、華邦電子

高雄新廠延后

華邦電子高雄 12 英寸廠房于 2019 年 7 月封頂，原本預(yù)期 2021 年底可開始進(jìn)入生產(chǎn)，初期以 25 納米 DRAM 開始投片。2019 的 2 月 6 日華邦電子表示，由于 2012 年存儲器市況將趨于穩(wěn)定，但因存儲器價格仍然不好，所以高雄 12 英寸廠的裝機時間將遞延到 2022 年第一季。

中科廠挺進(jìn)下一代制程

2019 年，中科廠已經(jīng)安裝 20 納米和 25 納米的 DRAM 設(shè)備，在此試驗新制程，如果良率得以提升，然后再搬到高雄新廠量產(chǎn)。

7、旺宏電子

加碼 3D NAND Flash

2019 年 12 月 9 日，旺宏公司表示將于 2020 年下半年開始量產(chǎn) 48 層 3D NAND 存儲器，并且已經(jīng)收到了客戶的訂單。此外，公司計劃在 2021 年量產(chǎn) 96 層，在 2022 年量產(chǎn) 192 層 3D NAND 存儲器。

旺宏成立 30 年，目前已經(jīng)在 ROM、NOR Flash 拿下全球第一的地位，下一個目標(biāo)則是要在 20 年內(nèi)，成為 NAND Flash 的領(lǐng)導(dǎo)廠商。

8、南亞科技

自主研發(fā) 10 納米級工藝

2019 年，南亞科技完成自主研發(fā) 10 納米級 DRAM 技術(shù)，將在 2020 年下半年試產(chǎn)。

南亞科技現(xiàn)在以 20 納米技術(shù)為主力，技術(shù)來源為美光。隨著南亞科技 10 納米制程導(dǎo)入自主技術(shù)，意味未來不再仰賴美光授權(quán)，擺脫數(shù)十年來技術(shù)長期依賴國際大廠的狀況，免除動輒上百億元的授權(quán)費用。

南亞科技已成功開發(fā)出 10 納米 DRAM 新型記憶體生產(chǎn)技術(shù)，使 DRAM 產(chǎn)品可持續(xù)微縮至少三個時代。第一代的 10 納米前導(dǎo)產(chǎn)品 8Gb DDR4、LPDDR4 及 DDR5 將建構(gòu)在自主制程技術(shù)及產(chǎn)品技術(shù)平臺，2020 下半年后將進(jìn)入產(chǎn)品試產(chǎn)。第二代 10 納米制程技術(shù)已開始研發(fā)階段，預(yù)計 2022 年前導(dǎo)入試產(chǎn)，后續(xù)會開發(fā)第三代 10 納米制程技術(shù)。