Intel大連公司破記錄 QLC 3D NAND存儲芯片產(chǎn)量突破1000萬

自2018年底以來，Intel公司的中國大連工廠已經(jīng)累計生產(chǎn)QLC NAND芯片超過1000萬個。

英特爾Intel大連公司（Fab 68）是英特爾全球的第一個存儲器芯片工廠，是英特爾全球最先進的存儲器生產(chǎn)基地之一，主要產(chǎn)品是英特爾第一代代 3D NAND 芯片。

詳細信息：

英特爾半導體（大連）有限公司成立于2006年06月06日，注冊地位于遼寧省大連經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)淮河東路。

主要經(jīng)營范圍是：半導體集成電路產(chǎn)品制造、封裝測試、加工、倉儲、銷售自產(chǎn)產(chǎn)品和售后服務；高科技信息領域內(nèi)的與半導體集成電路產(chǎn)品和技術有關的研發(fā)、中試；提供安裝、測試、維護、咨詢、技術解決方案等技術服務（依法須經(jīng)批準的項目，經(jīng)相關部門批準后方可開展經(jīng)營活動。）

英特爾公司（Intel）在2019年4月推出了具有固態(tài)存儲的英特爾Optane內(nèi)存H10。該產(chǎn)品將Optane技術的響應能力與QLC 3D NAND技術的M.2存儲能力相結合。

英特爾客戶SSD戰(zhàn)略規(guī)劃和產(chǎn)品營銷總監(jiān)Dave Lundell表示：“ 許多人都在談論QLC技術，但英特爾已經(jīng)大規(guī)模交付了它?！?“ 我們已經(jīng)看到了對獨立QLC SSD（英特爾SSD 660p）的高性價比容量以及Optane Technology + QLC解決方案（Intel Optane Memory H10）的性能的強烈需求?！?/p>

相關信息：

Intel QLC 3D NAND用于 Intel SSD 660p， Intel SSD 665p和 Intel Optane Memory H10 存儲解決方案。；

這些QLC驅(qū)動器每個單元具有4位，并以64層和96層NAND配置存儲數(shù)據(jù)；

該公司在過去十年中一直在開發(fā)這項技術。在2016年，其工程師將業(yè)已證明的浮柵（FG）技術的方向更改為垂直，并將其包裹在柵的全方位結構中。最終的TLC技術可以存儲384Gb /裸片。在2018年，3D QLC閃存成為現(xiàn)實，它具有64個層（每個單元4位），能夠存儲1，024Gb /管芯。在2019年，英特爾遷移到96層，從而降低了總體面密度；

QLC是英特爾總體存儲產(chǎn)品組合的一部分，該產(chǎn)品組合包括客戶端和數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品。