美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)對(duì)于***地區(qū)臺(tái)中廠擴(kuò)建一案提出正式回應(yīng)說(shuō)明。美光表示,如同美光于公布2019會(huì)計(jì)年度第三季度財(cái)報(bào)時(shí)所言,今年4月美光于臺(tái)中的無(wú)塵室擴(kuò)建工程正式動(dòng)土。
美光表示,由于未來(lái)開(kāi)發(fā)DRAM節(jié)點(diǎn)所需處理步驟可能更繁雜,需要更多無(wú)塵室空間以因應(yīng)。無(wú)塵室的擴(kuò)建將有助于推進(jìn)***美光現(xiàn)有晶圓產(chǎn)能DRAM制程轉(zhuǎn)換,美光并不會(huì)因該擴(kuò)建而增加任何新的晶圓產(chǎn)能。***美光將不就任何有關(guān)進(jìn)一步擴(kuò)建或投資***的猜測(cè)及謠言發(fā)表評(píng)論。
綜觀全球,美光確認(rèn)將2019會(huì)計(jì)年度的資本支出從年初105億美元加減5%,調(diào)降至大約90億美元。相較于2019會(huì)計(jì)年度,美光也計(jì)劃有意義地降低2020會(huì)計(jì)年度資本支出投資水平。
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。 這筆補(bǔ)貼將支持美光到 2030 年在美國(guó)投資 500 億美元(當(dāng)前約 3630 億元人民幣),在紐約州克萊建設(shè)兩座先進(jìn) DRAM 內(nèi)存“超級(jí)晶圓廠,并在總部所在地愛(ài)達(dá)荷州博伊西建設(shè)一座先進(jìn)
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