美光預測AI需求將大幅增長,計劃2025年投產(chǎn)EUV DRAM

隨著人工智能技術(shù)日益普及，從云端服務器拓展至消費級設備，對高級內(nèi)存的需求持續(xù)攀升。鑒于此趨勢，美光科技已將其高帶寬內(nèi)存（HBM）的全部產(chǎn)能規(guī)劃至2025年。美光科技的中國臺灣業(yè)務負責人兼公司副總裁Donghui Lu指出，公司正積極應對AI需求的激增，并預測到2025年，其產(chǎn)品性能將實現(xiàn)顯著提升。

Donghui Lu特別提到，大型語言模型的涌現(xiàn)，對內(nèi)存及存儲解決方案提出了前所未有的需求。作為存儲領域的領軍企業(yè)之一，美光科技完全具備把握這一增長機遇的能力。盡管近期AI領域的投資激增，主要用于新建支持大型語言模型的數(shù)據(jù)中心，但這一基礎設施仍在逐步完善中，預計需數(shù)年時間才能全面成型。

美光科技預計，AI的下一波增長將源自其在智能手機、個人電腦等消費設備中的廣泛應用。這一趨勢將促使存儲容量大幅提升，以更好地支撐AI應用的運行。Donghui Lu介紹稱，HBM融合了先進封裝技術(shù)，集成了前端（晶圓制造）與后端（封裝和測試）工藝，為行業(yè)帶來了新的挑戰(zhàn)。

在競爭激烈的存儲市場中，企業(yè)研發(fā)與推出新產(chǎn)品的速度至關(guān)重要。Donghui Lu解釋說，HBM的生產(chǎn)可能會對傳統(tǒng)內(nèi)存生產(chǎn)造成沖擊，因為每個HBM芯片都需要多個傳統(tǒng)內(nèi)存芯片，這可能會對整體行業(yè)產(chǎn)能構(gòu)成壓力。他強調(diào)，內(nèi)存行業(yè)供需之間的微妙平衡是亟待解決的關(guān)鍵問題，并警告稱，生產(chǎn)過剩可能引發(fā)價格戰(zhàn)，進而導致行業(yè)衰退。

Donghui Lu還著重強調(diào)了中國臺灣在美光AI業(yè)務中的核心地位，指出公司在中國臺灣的研發(fā)團隊與制造設施對于HBM3E的開發(fā)與生產(chǎn)具有舉足輕重的作用。美光的HBM3E產(chǎn)品通常與臺積電的CoWoS技術(shù)相結(jié)合，這種緊密合作帶來了顯著優(yōu)勢。

鑒于極紫外光刻（EUV）技術(shù)對于提升存儲芯片性能與密度的重要性，美光已決定推遲在1α和1β節(jié)點的應用，轉(zhuǎn)而優(yōu)先關(guān)注性能與成本效益。Donghui Lu指出，EUV設備成本高昂且技術(shù)復雜，需要制造過程進行重大調(diào)整以適應。美光的主要目標是以具有競爭力的成本生產(chǎn)高性能存儲產(chǎn)品，推遲采用EUV將有助于更有效地實現(xiàn)這一目標。

美光一直聲稱，其8層和12層HBM3E產(chǎn)品的功耗比競爭對手低30%。公司計劃于2025年在中國臺灣大規(guī)模生產(chǎn)采用EUV技術(shù)的1γ節(jié)點產(chǎn)品。此外，美光還計劃在日本廣島工廠引入EUV技術(shù)，盡管時間稍晚。