三星預(yù)測(cè)HBM需求至2025年翻倍增長(zhǎng)
三星電子近期發(fā)布預(yù)測(cè)，指出全球HBM（高帶寬內(nèi)存）需求正迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。據(jù)三星估算，到2025年，全球HBM需求量將躍升至250億GB，較今年預(yù)測(cè)的120億GB實(shí)現(xiàn)翻番，這主要得益于人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展對(duì)高性能內(nèi)存的迫切需求。
展望未來(lái)，三星進(jìn)一步預(yù)測(cè)，到2026年HBM需求將攀升至350億GB，而到2027年則將突破470億GB大關(guān)，展現(xiàn)出持續(xù)強(qiáng)勁的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。這一系列預(yù)測(cè)不僅彰顯了HBM市場(chǎng)的巨大潛力，也預(yù)示著半導(dǎo)體行業(yè)正加速向更高性能、更大數(shù)據(jù)處理能力的方向邁進(jìn)。
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發(fā)表于 08-01 11:08
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三星預(yù)計(jì)2028年AI相關(guān)收入將增長(zhǎng)九倍
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英偉達(dá)否認(rèn)三星HBM未通過(guò)測(cè)試
英偉達(dá)公司CEO黃仁勛近日就有關(guān)三星HBM（高帶寬內(nèi)存）的傳聞進(jìn)行了澄清。他明確表示，英偉達(dá)仍在認(rèn)證三星提供的HBM內(nèi)存，并否認(rèn)了三星
三星HBM芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題影響測(cè)試，與英偉達(dá)合作暫時(shí)擱淺
這是三星首次公開(kāi)承認(rèn)未能通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試的原因。三星在聲明中表示，HBM是定制化存儲(chǔ)產(chǎn)品，需“依據(jù)客戶需求進(jìn)行優(yōu)化”，并強(qiáng)調(diào)正與客戶緊密合作以提升產(chǎn)品性能。然而，對(duì)于具體客戶信息，
三星電子與SK海力士預(yù)測(cè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，HBM產(chǎn)能售罄
全球知名存儲(chǔ)芯片制造巨頭三星及SK海力士預(yù)判，今年DRAM和高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）價(jià)格將持續(xù)攀升，受益于市場(chǎng)對(duì)于高端芯片，尤其是人工智能相關(guān)芯片的強(qiáng)大需求。
英偉達(dá)尋求從三星采購(gòu)HBM芯片
英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系，計(jì)劃從后者采購(gòu)高帶寬存儲(chǔ)（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時(shí)，三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士，
英偉達(dá)CEO贊譽(yù)三星HBM內(nèi)存，計(jì)劃采購(gòu)
提及此前有人預(yù)測(cè)英偉達(dá)可能向三星購(gòu)買(mǎi)HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力，稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)
三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM
三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已開(kāi)發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新
Hanmi半導(dǎo)體與三星電子討論HBM供應(yīng)鏈，擴(kuò)大客戶群和市場(chǎng)份額
美國(guó)IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場(chǎng)迅速成長(zhǎng)。預(yù)計(jì)至2024年，HBM供應(yīng)緊缺問(wèn)題將愈發(fā)嚴(yán)重。對(duì)此，三星計(jì)劃于2023
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