為壓制國(guó)產(chǎn)自主內(nèi)存，三星80億美元增投中國(guó)芯片廠

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱，三星電子將對(duì)其中國(guó)芯片工廠增加80億美元的投資，以促進(jìn)NAND閃存芯片的生產(chǎn)。據(jù)預(yù)計(jì)，由于供應(yīng)有限，以及對(duì)5G設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)需求的不斷上升，明年全球內(nèi)存芯片市場(chǎng)將出現(xiàn)反彈。

三星是世界上最大的NAND閃存芯片制造商，NAND閃存芯片可以永久保存數(shù)據(jù)，普遍用于移動(dòng)設(shè)備、存儲(chǔ)卡、USB閃存驅(qū)動(dòng)器和固態(tài)驅(qū)動(dòng)器中。三星2017年曾宣布，未來(lái)三年將向生產(chǎn)NAND閃存芯片的西安工廠投資70億美元。在此之前，三星早些時(shí)候還向西安的一家檢測(cè)和包裝工廠投資了108億美元。

此次80億美元的投資是三星西安閃存芯片項(xiàng)目的二期的第二階段投資，之前的 108億美元為一期投資。二期項(xiàng)目總投資150億美元，第一階段投資約70億美元，第二階段為80億美元。

二期項(xiàng)目預(yù)計(jì)于2021年下半年竣工，建成后將新增產(chǎn)能每月13萬(wàn)片，新增產(chǎn)值300億元。

有分析人士表示，三星為了打擊國(guó)產(chǎn)自主內(nèi)存，正在加大投資，以保證足夠的創(chuàng)新。今年9月，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。