電容擊穿的概念
電容的電介質(zhì)承受的電場(chǎng)強(qiáng)度是有一定限度的,當(dāng)被束縛的電荷脫離了原子或分子的束縛而參加導(dǎo)電,就破壞了絕緣性能,這一現(xiàn)象稱(chēng)為電介質(zhì)的擊穿。
電容器被擊穿的條件
電容器被擊穿的條件達(dá)到擊穿電壓。
擊穿電壓是電容器的極限電壓,超過(guò)這個(gè)電壓,電容器內(nèi)的介質(zhì)將被擊穿。額定電壓是電容器長(zhǎng)期工作時(shí)所能承受的電壓,它比擊穿電壓要低。電容器在不高于擊穿電壓下工作都是安全可靠的,不要誤認(rèn)為電容器只有在額定電壓下工作才是正常的。
定義 PN 結(jié)發(fā)生臨界擊穿對(duì)應(yīng)的電壓為 PN 結(jié)的擊穿電壓 BV,BV 是衡量 PN 結(jié)可靠性與使用范圍的一個(gè)重要參數(shù),在 PN 結(jié)的其它性能參數(shù)不變的情況下,BV 的值越高越好。
一般電容擊穿是開(kāi)路還是短路?
一般電容擊穿后則相當(dāng)于短路,原因是當(dāng)電容接在直流上時(shí)是看為開(kāi)路,接在交流電上時(shí)看為短路,電容有個(gè)性質(zhì)是通交隔直,擊穿一詞在電工的理解是短路,擊穿形成的原因主要是外界電壓超過(guò)其標(biāo)稱(chēng)電壓所導(dǎo)致的永久性破壞,叫做擊穿。
在固體電介質(zhì)中發(fā)生破壞性放電時(shí),稱(chēng)為擊穿。擊穿時(shí),在固體電介質(zhì)中留下痕跡,使固體電介質(zhì)永久失去絕緣性能。如絕緣紙板擊穿時(shí),會(huì)在紙板上留下一個(gè)孔。可見(jiàn)擊穿這個(gè)詞僅限用于固體電介質(zhì)中。
電容擊穿的原因
電容擊穿的根本原因就是其電介質(zhì)的絕緣性被破壞,產(chǎn)生了極化。造成電介質(zhì)絕緣性被破壞的原因有:
工作電壓超過(guò)了電容的最大耐壓;
電容質(zhì)量不好,漏電流大,溫度逐漸升高,絕緣強(qiáng)度下降。
避免介質(zhì)擊穿的方法
采用絕緣強(qiáng)度高的材料;
絕緣材料有一定厚度,且不含雜質(zhì),如氣泡或水分;
設(shè)法使電場(chǎng)按要求分布,避免電力線(xiàn)在某些地方過(guò)于密集。
有極性電容的極性接反或者接到了交流電源之上。
電容擊穿后能否恢復(fù)
電介質(zhì)是氣體或者是液體,均是自恢復(fù)絕緣介質(zhì),擊穿可逆;
電介質(zhì)是固體,擊穿不可逆,是唯一擊穿后不可恢復(fù)的絕緣介質(zhì)。
安規(guī)電容的失效問(wèn)題
這里將安規(guī)電容的失效問(wèn)題單獨(dú)拎出來(lái),主要是安規(guī)電容跟常規(guī)電容有一些區(qū)別。簡(jiǎn)單介紹下安規(guī)電容,安規(guī)電容主要包括 X 電容和 Y 電容:
X 電容又分為 X1、X2、X3,主要區(qū)別在于:
X1 電容耐壓值大于 2.5kV,小于等于 4kV;
X2 電容耐壓值小于等于 2.5kV;
X3 電容耐壓值小于等于 1.2kV;
Y 電容又分為 Y1、Y2、Y3、Y4 電容,主要區(qū)別在于:
Y1 電容耐壓值大于 8kV;
Y2 電容耐壓值大于 5kV;
Y3 電容對(duì)耐壓值沒(méi)有特別限制;
Y4 電容耐壓值大于 2.5kV;
X 電容主要用于交流電源線(xiàn)的 L 與 N 之間,使用 X 電容后,當(dāng)電容失效時(shí),電容處于開(kāi)路狀態(tài),不至于產(chǎn)生線(xiàn)間短路。X 電容的測(cè)試條件是:在交流電壓有效值的 1.5 倍電壓下工作 100 小時(shí),至少再加上 1kV 的脈沖高壓測(cè)試。
Y 電容主要作用于交流電源線(xiàn)的 L、N 與地線(xiàn)之間,或其他電路的公共地與外殼之間。跨于這些位置的電容一旦出現(xiàn)失效短路,就會(huì)導(dǎo)致電擊危險(xiǎn)(尤其是對(duì)外殼部分),這時(shí)必須強(qiáng)制使用 Y 電容(Y 電容的失效模式是開(kāi)路)。Y 電容的測(cè)試條件是:在交流電壓有效值的 1.7 倍電壓下工作 100 小時(shí),至少再加上 2kV 脈沖高壓測(cè)試。
總結(jié)來(lái)說(shuō):常規(guī)電容失效一般為短路,安規(guī)電容失效一般表現(xiàn)為斷路,因此切記!在使用交流大電壓的場(chǎng)合不能用常規(guī)電容去代替安規(guī)電容使用,以防電容失效后對(duì)人造成電擊事故。
審核編輯黃昊宇
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