中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員宋志棠、王浩敏組成聯(lián)合研究小組,首次利用GNR邊緣接觸制備了世界上最小的相變存儲單元器件。
據(jù)了解,今天的數(shù)據(jù)生產(chǎn)正在呈現(xiàn)爆炸性增長,傳統(tǒng)的馮·諾依曼計算架構(gòu)已成為未來繼續(xù)提高計算系統(tǒng)性能的主要技術(shù)障礙。相變隨機(jī)存取存儲器(PCRAM)可以將存儲和計算功能結(jié)合起來,是突破馮·諾依曼計算體系結(jié)構(gòu)瓶頸的理想途徑。
據(jù)中科院介紹,這是世界上首次使用GNR邊緣接觸實現(xiàn)超大尺寸的高性能相變存儲單元,器件尺寸接近相變存儲技術(shù)的擴(kuò)展極限。這種新型相變存儲單元的成功開發(fā)代表了PCRAM在低功耗下執(zhí)行邏輯操作方面的進(jìn)步,并為未來的內(nèi)存計算開辟了新的技術(shù)途徑。
綜合中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所整合
審核編輯:郭婷
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