創(chuàng)意電子宣布5nm HBM3 PHY和控制器經(jīng)過硅驗證，速度為8.4Gbps

來源：EE Times

先進ASIC領(lǐng)導(dǎo)廠商創(chuàng)意電子（GUC）宣布，公司HBM3解決方案已通過8.4 Gbps硅驗證，該方案采用臺積電5納米工藝技術(shù)。該平臺在臺積電2023北美技術(shù)研討會合作伙伴展示區(qū)進行了展示。利用臺積電業(yè)界領(lǐng)先的CoWoS?技術(shù)，平臺包含功能齊全的HBM3控制器和PHY IP以及供應(yīng)商HBM3儲存器。

Level4自動駕駛計算機所需的計算量呈爆炸式增長，因此車用處理器紛紛采用基于2.5D小芯片的架構(gòu)和HBM3存儲器。在惡劣的車用環(huán)境和高可靠性要求下，2.5D互連的持續(xù)監(jiān)控和故障車道的更換成為必要環(huán)節(jié)。創(chuàng)意電子將proteanTecs的運行狀況和性能監(jiān)控解決方案集成到其所有HBM和芯片間接口測試芯片中。proteanTecs的技術(shù)現(xiàn)已在創(chuàng)意電子的5nm HBM3 PHY中經(jīng)過硅驗證，速度高達8.4 Gbps。在任務(wù)模式下的數(shù)據(jù)傳輸期間，I/O信號質(zhì)量受到持續(xù)監(jiān)控，無需任何重新訓(xùn)練或中斷。每個信號通道均受到單獨監(jiān)控，從而可以在凸塊和走線缺陷導(dǎo)致系統(tǒng)運行故障之前識別并修復(fù)它們，進而延長芯片的使用壽命。創(chuàng)意電子總裁戴尚義博士表示：“我們很榮幸能夠展示世界上首個8.4Gbps的HBM3控制器和PHY。利用臺積電的7nm、5nm和 3nm技術(shù)，我們建立了完整的2.5D/3D小芯片IP產(chǎn)品系列。 憑借臺積電3DFabric?技術(shù)（包括CoWoS、InFO和 TSMC-SoIC）的設(shè)計專業(yè)知識，我們?yōu)榭蛻舻?a href="http://ttokpm.com/tags/ai/" target="_blank">AI/HPC/xPU/網(wǎng)絡(luò)/ADAS產(chǎn)品提供強大而全面的解決方案。”

創(chuàng)意電子技術(shù)負(fù)責(zé)人Igor Elkanovich表示：“我們在2.5D小芯片產(chǎn)品領(lǐng)域累積了深厚的制造經(jīng)驗，不僅借此定義出最嚴(yán)謹(jǐn)?shù)尿炞C標(biāo)準(zhǔn)，更為旗下IP提供全方位的診斷功能，可滿足全球先進汽車制造商最嚴(yán)格的品質(zhì)條件。使用HBM3、GLink-2.5D/UCIe和GLink-3D接口融合2.5D和3D封裝，可實現(xiàn)高度模塊化、以小芯片為基礎(chǔ)且不受限于光罩尺寸的新一代處理器。”

審核編輯 黃宇