SK海力士開發(fā)的HBM 2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2 相比，新款HBM 2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM 2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:41 5543 2020年2月，固態(tài)存儲協(xié)會(JEDEC)對外發(fā)布了第三版HBM2 存儲標準JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM 2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2 引腳
2021-08-23 10:03:28 1550 采用Chiplet技術(shù) 的光口速率可以達到驚人的2Tbps。而本文介紹的同樣采用Chiplet技術(shù) 的HBM ，訪存帶寬高達425GB/s，那么采用這樣光口和緩存的網(wǎng)卡會是一種怎樣的高性能呢？對NIC或者
2020-11-08 10:56:00 9585 HBM 作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。HBM (High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器，通過使用先進封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個DRAM芯片進行堆疊，并與GPU一同進行封裝，形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:13 1471 3月29日消息 根據(jù)TechPowerUp的報道，美光科技在最新的收益報告中宣布，他們將開始提供HBM2 內(nèi)存/顯存，用于高性能顯卡，服務(wù)器處理器產(chǎn)品。
2020-03-30 10:03:02 4223 帶寬上的限制，主打大帶寬的HBM 也就順勢成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 ? 當下JEDEC還沒有給出HBM3 標準的最終定稿，但參與了標準制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準備工作。不久前，Rambus就率先公布了支持HBM3 的內(nèi)存子系統(tǒng)，近日，新思科
2021-10-12 09:33:07 3582 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:47 1495 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶） SK海力士近日發(fā)布全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:00 2687 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM 隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM 來看，HBM 歷經(jīng)HBM 1、HBM2 、HBM 2E、HBM3 、HBM3E
2023-10-25 18:25:24 2156 HBM 1X1M - Bluetooth V1.2 Class 1 Module - HANAMICRON
2022-11-04 17:22:44
HBM 9C3M - SafeSite Series LED High Bay Fixture - Dialight Corporation
2022-11-04 17:22:44
擁有高精度的檢測儀器對于電機測試數(shù)據(jù)的可靠性尤為重要，直接關(guān)系到檢測結(jié)果的真實性。隨著國際合作交流的進一步深入和國內(nèi)對電機測試精度要求的不斷提高，將會有更多的檢測機構(gòu)和企業(yè)使用HBM 扭矩傳感器。今天小編帶大家來了解一下HBM 產(chǎn)品在電機測試中的使用情況。
2021-01-22 07:33:46
HBM 傳感器性能介紹 T10F扭矩傳感器可測量扭矩和轉(zhuǎn)速，是第一款扭矩法蘭，采用測量剪應(yīng)力替代扭矩應(yīng)力對扭矩進行測量。這種技術(shù) 是HBM 公司的專利。它設(shè)計緊湊，占有非常小的空間；高側(cè)向的防護允許
2020-06-19 16:31:10
滿足國際標準OIML R60 的要求，所以標定等級為 III的計價秤的制造商只能安裝 C3 和 C6 等級的稱重傳感器才能滿足位于巴黎的國際度量衡組織的要求。實際上稱重傳感器一般都帶有 OIML
2018-11-02 16:11:12
[/td][td=140]芯片級系統(tǒng)級上升時間2 -10ns0.7-1ns峰值電流/KV0.66A3.75A2 .測試設(shè)備不同MK2 -芯片級靜電槍-系統(tǒng)級3 .測試方法不同芯片級HBM 測試需要對IC按照
2020-10-16 16:36:22
2015年AMD推出了Fiji核心的Fury家族顯卡，率先使用了HBM 顯存，由此給GPU市場帶來了一場革命，盡管Fury系列顯卡市場上不算成功，但AMD在技術(shù) 探索上勇氣可嘉，值得稱贊。不過在新一代
2016-12-07 15:54:22
FPGA芯片這兩年大熱，廠商對性能的追求也提升了，繼Altera之后賽靈思（Xilinx）公司現(xiàn)在也宣布推出基于HBM 2顯存的Virtex UltraScale+系列FPGA芯片，該芯片2015
2016-11-10 15:20:07 4230 AMD Vega 旗艦顯卡將會在8月登場，使用的是最新的 HBM2 技術(shù) ，不過也可能因為如此，Vega 才一直遲遲無法現(xiàn)身，畢竟產(chǎn)能是個問題，NVIDIA 對于 HBM2 用于游戲卡上目前倒是興趣缺缺，就連下一代 Volta 架構(gòu)也不會用上 HBM2 ，而依然是 GDDR5X。
2017-06-14 16:35:06 3251 AMD則是已經(jīng)在不斷宣揚HBM2 的優(yōu)勢，并且專門為其設(shè)置HBCC主控，具備更加強大內(nèi)存尋址性能。AMD已經(jīng)完全押寶在HBM2 上了，HBM3 的應(yīng)用估計也在路上了。不過AMD的HBM2 顯存則是由韓國另一家半導(dǎo)體巨頭SK海力士提供，即將發(fā)布的RX Vega顯卡也是采用了2顆8GB HBM2 顯存
2017-07-19 09:52:51 1441 僅僅是搭配顯卡的顯存。 Intel今天就發(fā)布了全球首款集成HBM2 顯存的 FPGA (現(xiàn)場可編程陣列)芯片“Strtix 10 MX”，可提供高達512GB/s的帶寬，相比于獨立DDR2顯存提升了足足10倍。
2018-01-22 16:50:01 1510 HBM2 是使用在SoC設(shè)計上的下一代內(nèi)存協(xié)定，可達到2Gb/s單一針腳帶寬、最高1024支針腳(PIN)，總帶寬256GB/s (Giga Byte per second)。1024針腳的HBM2
2018-01-23 14:40:20 28486 可不僅僅是搭配顯卡的顯存。 Intel今天就發(fā)布了全球首款集成HBM2 顯存的 FPGA (現(xiàn)場可編程陣列)芯片“Strtix 10 MX”，可提供高達512GB/s的帶寬，相比于獨立DDR2顯存提升了足足10倍。
2018-01-26 16:14:00 1031 據(jù)市場分析，GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減，2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚，三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2 ，價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:53 1633 三星今天宣布，開始生產(chǎn)針腳帶寬2．4Gbps的HBM2 顯存，封裝容量8GB，其中，HBM 是High Bandwidth Memory高帶寬存儲芯片的簡寫。
2018-07-02 10:23:00 1795 雖然缺少光線追蹤及AI單元，AMD發(fā)布的RX Vega II顯卡還是有很多技術(shù) 亮點的，不光是7nm工藝，還有16GB HBM2 顯存，帶寬也達到了1TB/s，這可是目前帶寬最高的游戲卡。從2015年首
2019-01-20 10:37:36 5273 由于制造技術(shù) 的進步，存儲系統(tǒng)在過去幾年中發(fā)展了很多。高帶寬存儲器（HBM ）是最新類型的存儲器芯片的一個例子，它可以支持低功耗，超寬通信通道和堆疊配置。 HBM 子系統(tǒng)涉及不同類型的存儲器控制器（全速，半速），HBM PHY和HBM DRAM。
2019-08-07 16:17:03 10295 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2 (HBM 2E)存儲芯片。
2020-02-05 13:49:11 3200 相比GDDR顯存，HBM 技術(shù) 的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領(lǐng)先，前不久JEDEC又推出了HBM 2e規(guī)范，三星搶先推出容量可達96GB的HBM 2e顯存。
2020-03-27 09:11:31 7622 IT之家3月29日消息 根據(jù)TechPowerUp的報道，美光科技在最新的收益報告中宣布，他們將開始提供HBM2 內(nèi)存/顯存，用于高性能顯卡，服務(wù)器處理器產(chǎn)品。
2020-03-29 20:34:39 2297 和 HBM2 內(nèi)存技術(shù) ，而這次的 HBM -PIM 則是在 HBM 芯片上集成了 AI 處理器的功能，這也是業(yè)界第一個高帶寬內(nèi)存（HBM ）集成人工智能（AI）處理能力的芯片。 三星關(guān)于 HBM
2021-02-18 09:12:32 2058 三星宣布新的HBM2 內(nèi)存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力，使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:46 1856 Virtex UltraScale+部分芯片中集成了HBM （High Bandwidth Memory）。HBM 的容量最小為8GB，最大可達16GB，極大地增強了存儲帶寬。 先從芯片結(jié)構(gòu)角度看，對比
2021-09-02 15:09:02 3089 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:14 2068 HBM3 IP解決方案可為高性能計算、AI和圖形SoC提供高達921GB/s的內(nèi)存帶寬。
2021-10-22 09:46:36 3126 “慢而寬”的內(nèi)存技術(shù) ，用于減少芯片外內(nèi)存中的信號傳輸延遲，但現(xiàn)在HBM3 正變得越來越快，越來越寬。在某些情況下，甚至被用于L4緩存。 Arm首席研究工程師Alejandro Rico表示：“這些新功能將使每傳輸位的焦耳效率達到更高水平，而且更多設(shè)計可以使用
2021-11-01 14:30:50 6602 HBM （High Bandwidth Memory，高帶寬存儲）已成為現(xiàn)代高端FPGA的一個重要標志和組成部分，尤其是在對帶寬要求越來越高的現(xiàn)如今，DDR已經(jīng)完全跟不上節(jié)奏。本篇將分享學(xué)習(xí)一下HBM 的基本情況。
2022-07-08 09:58:09 9955 圖 2 顯示了HBM 、MM 和 CDM ESD 測試的電流 （I ESD ） 波形特性。通常，HBM ESD 測試的應(yīng)力水平大約是 MM ESD 測試條件的 10 倍。
2022-07-24 11:48:36 27037 CDM、HBM 或 MM 之間沒有相關(guān)性。因此，HBM 和CDM測試通常用于ESD保護電路測試。較長的 I ESD持續(xù)時間導(dǎo)致片上 ESD 結(jié)構(gòu)的過熱增加。HBM 和 MM 測試失敗通常出現(xiàn)在柵極氧化層或結(jié)損壞。
2022-08-09 11:49:52 15666 HBM 2E標準的每個裸片的最大容量為2GB，每個堆?？梢苑胖?2層裸片，從而可實現(xiàn)24GB的最大容量。雖然標準是允許的，但我們尚未看到市場上出現(xiàn)任何 12 層的 HBM 2E 堆棧。
2022-08-17 14:20:34 3472 需要復(fù)雜的生產(chǎn)過程和高度先進的技術(shù) 。人工智能服務(wù)的擴展扭轉(zhuǎn)了局面。一位業(yè)內(nèi)人士表示，“與性能最高的DRAM相比，HBM3 的價格上漲了五倍?！?? 據(jù)了解，目前SK海力士在HBM 市場處于領(lǐng)先地位，約有60%-70%的份額。HBM （高帶寬存儲器）是高價值、高性能存儲器，垂直互連
2023-02-15 15:14:44 4711 HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實現(xiàn)高帶寬，完美解決傳統(tǒng)存儲效率低的問題。HBM 的核心原理和普通的 DDR、GDDR 完全一樣，但是 HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實現(xiàn)了高帶寬。HBM /HBM2 使用 1024 根數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)
2023-04-16 10:42:24 3686 HBM 技術(shù) 之下，DRAM芯片從2D轉(zhuǎn)變?yōu)?D，可以在很小的物理空間里實現(xiàn)高容量、高帶寬、低延時與低功耗，因而HBM 被業(yè)界視為新一代內(nèi)存解決方案。
2023-06-30 16:31:33 644 近日，HBM 成為芯片行業(yè)的火熱話題。據(jù)TrendForce預(yù)測，2023年高帶寬內(nèi)存（HBM ）比特量預(yù)計將達到2.9億GB，同比增長約60%，2024年預(yù)計將進一步增長30%。
2023-07-11 18:25:08 724 SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E 樣品請求。英偉達首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3 ，并已索取HBM3E 樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39 712 時任AMD CEO的蘇姿豐表示，HBM 采用堆疊式設(shè)計實現(xiàn)存儲速度的提升，大幅改變了GPU邏輯結(jié)構(gòu)設(shè)計，DRAM顆粒由“平房設(shè)計”改為“樓房設(shè)計”，所以HBM 顯存能夠帶來遠遠超過當前GDDR5所能夠提供的帶寬上限，其將率先應(yīng)用于高端PC市場，和英偉達（NVIDIA）展開新一輪的競爭。
2023-07-13 15:18:24 508 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存，其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40 546 業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3 ，帶寬超過1.2TB/s，先進的1β制程節(jié)點提供卓越能效。 2023年7月27日，中國上海?——?Micron Technology Inc.
2023-08-01 15:38:21 500 來源：半導(dǎo)體芯科技編譯 業(yè)內(nèi)率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，帶寬超過1.2TB/s，并通過先進的1β工藝節(jié)點實現(xiàn)“卓越功效”。 美光科技已開始提供業(yè)界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:07 614 sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)
hbm3 的經(jīng)驗為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版
hbm3e ?！皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的
hbm 供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，從明年上半年開始批量生產(chǎn)
hbm3e ，鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位?！?/div>
2023-08-21 09:21:49 585 該公司表示，HBM3E （HBM3 的擴展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3 大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM 產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E ，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41 552 HBM3E 內(nèi)存（也可以說是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3 規(guī)范的擴展，它有著當前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:07 575 與此同時，SK海力士技術(shù) 團隊在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù) ，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E 還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3 組成的系統(tǒng)中，無需修改其設(shè)計或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:13 480 有分析師爆料稱三星將成為英偉達的HBM3 存儲芯片關(guān)鍵供應(yīng)商，三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達供應(yīng)HBM3 。
2023-09-01 09:46:51 40572 來源：EE Times 先進ASIC領(lǐng)導(dǎo)廠商創(chuàng)意電子（GUC）宣布，公司HBM3 解決方案已通過8.4 Gbps硅驗證，該方案采用臺積電5納米工藝技術(shù) 。該平臺在臺積電2023北美技術(shù) 研討會合作伙伴展示
2023-09-07 17:37:50 274 目前，HBM 產(chǎn)品的主要供應(yīng)商是三星、SK海力士和美光。根據(jù)全球市場調(diào)研機構(gòu)TrendForce集邦咨詢的調(diào)查顯示，2022年，SK海力士在HBM 市場占據(jù)了50%的份額，三星占據(jù)了40%，美光占據(jù)了10%。
2023-09-15 16:21:16 389 )、HBM3 (第四代)、HBM3E (第五代)的順序開發(fā)。而HBM3E 是 HBM3 的擴展(Extended)版本。 ? 美光科技日前宣稱新款HBM3E 同樣可以達到 1.2 TB/s的速度
2023-10-10 10:25:46 428 HBM 技術(shù) 是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM，它可以為高性能計算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲解決方案。本文將介紹HBM 技術(shù) 的原理、優(yōu)勢、應(yīng)用和發(fā)展趨勢。
2023-11-09 12:32:52 5334 如何加速HBM 仿真迭代優(yōu)化？
2023-11-29 16:13:18 215 速度優(yōu)勢是HBM 產(chǎn)品成功的關(guān)鍵
2023-11-29 16:22:53 179 由于hbm 芯片的驗證過程復(fù)雜，預(yù)計需要2個季度左右的時間，因此業(yè)界預(yù)測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e 的驗證結(jié)果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e 驗證結(jié)果將最終決定英偉達hbm 購買分配權(quán)重值，還需要進一步觀察。
2023-11-27 15:03:57 457 HBM 4 預(yù)計將于 2026 年推出，具有針對英偉達和其他 CSP 未來產(chǎn)品量身定制的增強規(guī)格和性能。在更高速度的推動下，HBM 4 將標志著其最底部邏輯芯片（基礎(chǔ)芯片）首次使用 12 納米工藝晶圓，由代工廠提供。
2023-11-28 09:45:13 215 由于hbm 芯片的驗證過程復(fù)雜，預(yù)計需要2個季度左右的時間，因此業(yè)界預(yù)測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e 的驗證結(jié)果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e 驗證結(jié)果將最終決定英偉達hbm 購買分配權(quán)重值，還需要進一步觀察。
2023-11-29 14:13:30 376 英偉達的圖形處理器（gpu）是高附加值產(chǎn)品，特別是high end h100車型的售價為每個6000萬韓元（約4.65萬美元）。英偉達將在存儲半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)揮潛在的游戲鏈條作用。hbm3 營銷的領(lǐng)先者sk海力士自去年以后獨家向英偉達供應(yīng)hbm3 ，領(lǐng)先于三星電子。
2023-11-29 14:37:00 519 HBM 存儲器堆棧通過微凸塊連接到 HBM 堆棧中的硅通孔（TSV 或連接孔），并與放置在基礎(chǔ)封裝層上的中間件相連，中間件上還安裝有處理器，提供 HBM 到處理器的連接。
2023-12-06 10:40:49 152 為增強AI/ML及其他高級數(shù)據(jù)中心工作負載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率，支持HBM3 內(nèi)存標準的未來演進 實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2 TB/s以上內(nèi)存吞吐量
2023-12-07 11:01:13 124 作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和 IP 核供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布 Rambus HBM3 內(nèi)存控制器 IP 現(xiàn)在可提供高達 9.6
2023-12-07 14:16:06 342 數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加，HBM 內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場景。最近，內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E 競爭當中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3 內(nèi)存
2023-12-13 15:33:48 941 美光已明確表示，預(yù)期明年將進占市場份額約5%，排名第三。為了縮小與各領(lǐng)軍者間的距離，他們決定在受到矚目的HBM3E 上加大研發(fā)力度，且計劃于2023年最后階段為英偉達提供測試。
2023-12-26 14:39:31 165 英偉達（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E 內(nèi)存，為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準備。也預(yù)示著內(nèi)存市場將新一輪競爭。
2023-12-29 16:32:50 613 據(jù)最新傳聞，英偉達正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E 內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E 的H200 GPU及GH200超級芯片，這也進一步說明了對于HBM 內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04 276 美國IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM 市場迅速成長。預(yù)計至2024年，HBM 供應(yīng)緊缺問題將愈發(fā)嚴重。對此，三星計劃于2023年末和2024年初供應(yīng)第四代HBM 產(chǎn)品HBM3 ，并計劃啟動第五代HBM 產(chǎn)品HBM3E 的量產(chǎn)。在此
2024-01-03 13:41:02 412 目前，只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e 內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3 相比，HBM3e 的速度提升了50%，單個平臺可以達到10TB/s的帶寬，單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率，內(nèi)存容量高達141GB。
2024-02-25 11:22:42 135 美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達納（Sumit Sadana）稱，公司已實現(xiàn)HBM3E 的市場首發(fā)和卓越性能，同時能耗具有顯著優(yōu)勢，使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占先機。他還強調(diào)，美光擁有業(yè)界頂尖的HBM3E 及HBM 4路線圖，DRAM與NAND技術(shù) 相結(jié)合
2024-02-27 09:38:42 127 美光指出，專為AI、超級計算機設(shè)計的HBM3E 預(yù)計2024年初量產(chǎn)，有望于2024會計年度創(chuàng)造數(shù)億美元的營收。Mehrotra對分析師表示，“2024年1~12月，美光HBM 預(yù)估全數(shù)售罄”。
2024-02-27 10:25:15 154 “隨著AI行業(yè)對大容量
HBM 的需求日益增大，我們的新產(chǎn)品
HBM3E 12H應(yīng)運而生，”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的
HBM 核心
技術(shù) 、以及創(chuàng)新堆疊
技術(shù) 的成果展示?！?/div>
2024-02-27 10:36:25 232 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM 產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00 269 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E ）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù) 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM 產(chǎn)品，其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:21 390 據(jù)手機資訊網(wǎng)站IT之家了解，MI300加速器配備了HBM3 內(nèi)存模塊，并面向HBM3E 進行了重新設(shè)計。另外，該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入，不僅與主要的存儲器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系，同時也與如臺積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。
2024-02-27 15:45:05 188 美國記憶體制造巨頭美光（Micron）于26日宣布，其最新的高頻寬記憶體HBM3E 已正式量產(chǎn)。此項技術(shù) 將被用于今年第2季度的英偉達（NVIDIA）H200 Tensor Core GPU，標志著
2024-02-28 14:17:10 173 除了GPU，另一個受益匪淺的市場就是HBM 了。HBM 是一種高性能的內(nèi)存技術(shù) ，能夠提供比傳統(tǒng)DRAM更高的帶寬和更低的延遲，這使得其在需要大量數(shù)據(jù)傳輸和處理的人工智能應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。
2024-02-29 09:43:05 118 其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E ?內(nèi)存，并于 2024?年第二季度開始出貨。美光通過這一
2024-03-04 14:51:51 569 2024 年 3?月 4?日全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布已開始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬
2024-03-04 18:51:41 765 在以臺積電與三星代工為首的諸多企業(yè)中，長期以來，保持硅晶圓高效產(chǎn)出的良品率一直是個難題。然而，這個難關(guān)如今已經(jīng)蔓延至HBM 行業(yè)。
2024-03-07 09:41:25 234 近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲器及影像產(chǎn)品制造商美光公司宣布，已開始大規(guī)模生產(chǎn)用于人工智能的新型高帶寬芯片——
HBM3E 。這一里程碑式的進展不僅標志著美光在半導(dǎo)體
技術(shù) 領(lǐng)域的又一次突破，也預(yù)示著人工智能領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀鼮閺妱诺挠嬎隳芰χС帧?/div>
2024-03-08 10:02:07 157 三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器（HBM ）。
2024-03-08 10:10:51 179 這一結(jié)構(gòu)性調(diào)整體現(xiàn)出三星對于存儲器領(lǐng)域HBM 產(chǎn)品間競爭壓力的關(guān)注。SK海力士已然在HBM3 市場奪得先機，并因其在人工智能領(lǐng)域的廣泛運用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:50 1433 同日，SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱，該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商，每秒鐘能處理高達 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時內(nèi)處理多達約 33，800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:44 311 SK海力士作為HBM3E 的首發(fā)玩家，預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3 制造商所累積的經(jīng)驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:21 309 據(jù)悉，HBM3E 廣泛應(yīng)用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片；AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其技術(shù) 。至于GDDR7，有望在RTX 50系列顯卡中得到應(yīng)用。
2024-03-20 10:25:59 150 Rambus HBM3E /3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37 314 HBM3E 的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù) 推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53 379 提及此前有人預(yù)測英偉達可能向三星購買HBM3 或HBM3E 等內(nèi)存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM 內(nèi)存進行測試，未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:24 390 英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系，計劃從后者采購高帶寬存儲（HBM ）芯片。HBM 作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時，三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士，后者已率先實現(xiàn)下一代HBM3E 芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:04 338 據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11 94 據(jù)最新消息透露，英偉達即將從今年9月開始大規(guī)模采購12層HBM3E 內(nèi)存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔。這一消息無疑為業(yè)內(nèi)帶來了不小的震動。
2024-03-26 10:59:06 146 據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E 芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代，這意味著它將成為英偉達12層HBM3E 的壟斷供應(yīng)商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09 107 12層HBM3e 將每個堆?？捎玫目値捥岣叩襟@人的1,280GB/s，這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:09 91 HBM3 自2022年1月誕生，便憑借其獨特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu)，迅速成為高性能計算領(lǐng)域的翹楚。HBM3 不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性，更在技術(shù) 上取得了顯著的突破。它采用了高達1024位的數(shù)據(jù)路徑，并以驚人的6.4 Gb/s的速率運行，實現(xiàn)了高達819 Gb/s的帶寬，為高性能計算提供了強大的支持。
2024-03-30 14:34:10 1600 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM （高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM 已經(jīng)發(fā)展出HBM2 、HBM 2e以及HBM3 。HBM3E 是HBM3 的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3 的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:31 2165 已全部加載完成
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