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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>還沒(méi)用上HBM2E?HBM3要來(lái)了

還沒(méi)用上HBM2E?HBM3要來(lái)了

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2019-08-13 09:28:415518

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2020-11-08 10:56:009500

新一代AI/ML加速器新型內(nèi)存解決方案——HBM2E內(nèi)存接口

近年來(lái),隨著內(nèi)存帶寬逐漸成為影響人工智能持續(xù)增長(zhǎng)的關(guān)鍵焦點(diǎn)領(lǐng)域之一,以高帶寬內(nèi)存(HBMHBM2、HBM2E)和GDDR開(kāi)始逐漸顯露頭角,成為搭配新一代AI/ML加速器和專用芯片的新型內(nèi)存解決方案
2020-10-23 15:20:174835

深度解析HBM內(nèi)存技術(shù)

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2024-01-02 09:59:131327

WiFi 6還沒(méi)用上,WiFi 7已在路上了…

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2021-06-08 09:10:3713710

三星電子推出業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存——Flashbolt HBM DRAM

三星電子宣布推出了業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存。它是第二代Aquabolt的后繼產(chǎn)品,具有16GB的兩倍容量和3.2Gbps的更高穩(wěn)定傳輸速度。
2020-02-05 13:40:231247

HBM3萬(wàn)事俱備,只欠標(biāo)準(zhǔn)定稿

帶寬上的限制,主打大帶寬的HBM也就順勢(shì)成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 ? 當(dāng)下JEDEC還沒(méi)有給出HBM3標(biāo)準(zhǔn)的最終定稿,但參與了標(biāo)準(zhǔn)制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準(zhǔn)備工作。不久前,Rambus就率先公布了支持HBM3的內(nèi)存子系統(tǒng),近日,新思科
2021-10-12 09:33:073570

SK海力士開(kāi)發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM

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HBM3首發(fā)GPU,又要進(jìn)軍自動(dòng)駕駛

了。與此同時(shí),在我們報(bào)道的不少AI芯片、HPC系統(tǒng)中,HBM或類似的高帶寬內(nèi)存越來(lái)越普遍,為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供了支持。 ? 提及HBM,不少人都會(huì)想到成本高、良率低等缺陷,然而這并沒(méi)有影響業(yè)內(nèi)對(duì)HBM的青睞,諸如AMD的Radeon?Pro?5600M、英偉達(dá)的A100?等消費(fèi)級(jí)
2022-03-29 07:35:002025

三星GDDR6W面世,直接對(duì)標(biāo)HBM2E的顯存

在雷打不動(dòng)的GDDR6和GDDR6X上。雖然三星已經(jīng)表示GDDR7已經(jīng)在研發(fā)中,但很明顯沒(méi)個(gè)幾年時(shí)間是出不來(lái)的。 ? GPU 市場(chǎng)的顯存選擇 ? 我們?cè)匍_(kāi)看看目前GPU市場(chǎng)對(duì)于顯存的選擇,AMD在消費(fèi)級(jí)、工作站級(jí)、半定制級(jí)的GPU上都選擇了GDDR6,而在高端的數(shù)據(jù)中心加速器上選擇了HBM2E;英偉達(dá)則在
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今日看點(diǎn)丨美國(guó)將四家中國(guó)公司加入SDN名單??;SK海力士開(kāi)發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM

為由,將4家中國(guó)公司加入SDN名單。 ? 2. SK 海力士開(kāi)發(fā)出世界首款12 層堆疊HBM3 DRAM ,已向客戶提供樣品 ? SK海力士20日宣布,再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM(內(nèi)存
2023-04-20 10:22:191454

AI訓(xùn)練不可或缺的存儲(chǔ),HBM3 DRAM再升級(jí)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶) SK海力士近日發(fā)布全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片,成功開(kāi)發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:002617

追趕SK海力士,三星、美光搶進(jìn)HBM3E

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)新型存儲(chǔ)HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來(lái)越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來(lái)看,HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM
2023-10-25 18:25:242087

HBM1X1M

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2022-11-04 17:22:44

HBM9C3M

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2022-11-04 17:22:44

HBM產(chǎn)品在電機(jī)測(cè)試中的使用情況

擁有高精度的檢測(cè)儀器對(duì)于電機(jī)測(cè)試數(shù)據(jù)的可靠性尤為重要,直接關(guān)系到檢測(cè)結(jié)果的真實(shí)性。隨著國(guó)際合作交流的進(jìn)一步深入和國(guó)內(nèi)對(duì)電機(jī)測(cè)試精度要求的不斷提高,將會(huì)有更多的檢測(cè)機(jī)構(gòu)和企業(yè)使用HBM扭矩傳感器。今天小編帶大家來(lái)了解一下HBM產(chǎn)品在電機(jī)測(cè)試中的使用情況。
2021-01-22 07:33:46

HBM傳感器的安裝

分別為50N-m、100N·m、200N·m、500N·m、1kN·m、2kN·m、3kN·m、5kN·m和10kN·m,精度可達(dá)0.1%,額定轉(zhuǎn)速可達(dá)8000—15000r/min,最低可測(cè)2r/min
2020-06-19 16:31:10

HBM稱重傳感器的運(yùn)用知識(shí)

滿足國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)OIML R60 的要求,所以標(biāo)定等級(jí)為 III的計(jì)價(jià)秤的制造商只能安裝 C3 和 C6 等級(jí)的稱重傳感器才能滿足位于巴黎的國(guó)際度量衡組織的要求。實(shí)際上稱重傳感器一般都帶有 OIML
2018-11-02 16:11:12

LT8311EX符合USB2.0規(guī)范ESD:HBM2KV

(低速和全速)?支持熱插拔?內(nèi)部上拉和下拉電阻?引腳控制和I2C控制模式均衡?單路3.3V電源?20針TSSOP RoHS封裝?-40 ~ 85℃工作溫度范圍?ESD:HBM2KV3. 應(yīng)用程序?臺(tái)式機(jī)
2022-03-03 14:13:02

半導(dǎo)體測(cè)試HBM了解一下~

[/td][td=140]芯片級(jí)系統(tǒng)級(jí)上升時(shí)間2-10ns0.7-1ns峰值電流/KV0.66A3.75A2.測(cè)試設(shè)備不同MK2-芯片級(jí)靜電槍-系統(tǒng)級(jí)3.測(cè)試方法不同芯片級(jí)HBM測(cè)試需要對(duì)IC按照
2020-10-16 16:36:22

同樣都HBM,芯片級(jí)(component level)和系統(tǒng)級(jí)(system level)的差別在哪里?

-10ns 0.7-1ns峰值電流/KV0.66A3.75A2.測(cè)試設(shè)備不同,MK2芯片級(jí),靜電槍系統(tǒng)級(jí)3.測(cè)試方法不同芯片級(jí)HBM測(cè)試需要對(duì)IC按照POWER,GND,IO進(jìn)行分組測(cè)試系統(tǒng)級(jí)HBM測(cè)試分成兩種方式:1
2022-09-19 09:53:25

追求性能提升 使用8GB HBM2顯存

2015年AMD推出了Fiji核心的Fury家族顯卡,率先使用了HBM顯存,由此給GPU市場(chǎng)帶來(lái)了一場(chǎng)革命,盡管Fury系列顯卡市場(chǎng)上不算成功,但AMD在技術(shù)探索上勇氣可嘉,值得稱贊。不過(guò)在新一代
2016-12-07 15:54:22

Nvidia Volta架構(gòu)曝光:不是HBM2而是GDDR5X

AMD Vega 旗艦顯卡將會(huì)在8月登場(chǎng),使用的是最新的 HBM2 技術(shù),不過(guò)也可能因?yàn)槿绱耍琕ega 才一直遲遲無(wú)法現(xiàn)身,畢竟產(chǎn)能是個(gè)問(wèn)題,NVIDIA 對(duì)于 HBM2 用于游戲卡上目前倒是興趣缺缺,就連下一代 Volta 架構(gòu)也不會(huì)用上 HBM2,而依然是 GDDR5X。
2017-06-14 16:35:063241

三星為滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求宣布提高8GB HBM2顯存產(chǎn)能和生產(chǎn)量,為NVIDIA Volta顯卡開(kāi)始備戰(zhàn)

AMD則是已經(jīng)在不斷宣揚(yáng)HBM2的優(yōu)勢(shì),并且專門為其設(shè)置HBCC主控,具備更加強(qiáng)大內(nèi)存尋址性能。AMD已經(jīng)完全押寶在HBM2上了,HBM3的應(yīng)用估計(jì)也在路上了。不過(guò)AMD的HBM2顯存則是由韓國(guó)另一家半導(dǎo)體巨頭SK海力士提供,即將發(fā)布的RX Vega顯卡也是采用了2顆8GB HBM2顯存
2017-07-19 09:52:511427

基于7nm打造的HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)公布

Rambus首次公布HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù),最大的關(guān)注點(diǎn)在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被認(rèn)為是極限,因?yàn)榈搅?nm節(jié)點(diǎn)即使是finfet也不足以在保證性能的同時(shí)抑制漏電。所以工業(yè)界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道來(lái)提高器件性能,7nm是一項(xiàng)非常復(fù)雜的技術(shù)。
2017-12-07 15:00:001535

HBM PHY的作用 以及驗(yàn)證方面的一些難點(diǎn)介紹

由于制造技術(shù)的進(jìn)步,存儲(chǔ)系統(tǒng)在過(guò)去幾年中發(fā)展了很多。高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)是最新類型的存儲(chǔ)器芯片的一個(gè)例子,它可以支持低功耗,超寬通信通道和堆疊配置。 HBM子系統(tǒng)涉及不同類型的存儲(chǔ)器控制器(全速,半速),HBM PHY和HBM DRAM。
2019-08-07 16:17:0310170

SK海力士宣布將要推出新型HBM2E存儲(chǔ)器

雖然封裝不易,但 HBM 存儲(chǔ)器依舊會(huì)被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器,而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49815

三星推出第三代HBM2存儲(chǔ)芯片,適用于高性能計(jì)算系統(tǒng)

日前,三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲(chǔ)芯片。
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三星新發(fā)布HBM2E存儲(chǔ)芯片,其代號(hào)Flashbolt

三星近日發(fā)布了代號(hào)為“Flashbolt”的HBM2E存儲(chǔ)芯片,HBM2E單顆最大容量為16GB,由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成,單個(gè)封裝可實(shí)現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:453246

Rambus宣布一套完整的HBM2E控制器+PHY物理層方案 可幫助企業(yè)輕松用上HBM2E

最近,JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)正式公布了HBM技術(shù)第三版存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)HBM2E,針腳帶寬、總?cè)萘坷^續(xù)大幅提升。對(duì)于一些大企業(yè),集成這些技術(shù)可以說(shuō)不費(fèi)吹灰之力,但不是誰(shuí)都有這個(gè)實(shí)力。
2020-03-08 19:43:563487

HBM2e顯存到底有什么優(yōu)勢(shì)

相比GDDR顯存,HBM技術(shù)的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領(lǐng)先,前不久JEDEC又推出了HBM2e規(guī)范,三星搶先推出容量可達(dá)96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:317569

SK海力士量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’ 人工智能迎來(lái)新春天

SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度,通過(guò)1,024個(gè)I/Os(Inputs/Outputs, 輸入/輸出)能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124
2020-07-03 08:42:19432

海力士成功量產(chǎn)HBM2E存儲(chǔ),適用于新一代AI系統(tǒng)的存儲(chǔ)器解決方案

7月2日消息,據(jù)外媒報(bào)道,SK 海力士宣布,其已能夠大規(guī)模批量生產(chǎn)新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開(kāi)發(fā)僅十個(gè)月之后的成果。
2020-07-03 14:48:332549

Alchip 5nm封裝設(shè)計(jì)涵蓋SIPI/熱仿真,可提供即插即用的后硅解決方案

Alchip 5nm設(shè)計(jì)將利用高性能計(jì)算IP產(chǎn)品組合,其中包括一級(jí)供應(yīng)商提供的“同類最佳” DDR5,GDDR6,HBM2E,HBM3,D2D,PCIe5和112G serdes IP
2020-08-23 11:24:552140

SK Hynix宣布HBM2E標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器已投入量產(chǎn)

幾個(gè)月前,SK Hynix成為第二家發(fā)布基于HBM2E標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)的公司,就此加入存儲(chǔ)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)行列?,F(xiàn)在,公司宣布它們改進(jìn)的高速高密度存儲(chǔ)已投入量產(chǎn),能提供高達(dá)3.6Gbps/pin的傳輸速率及高達(dá)
2020-09-10 14:39:011988

HBM2E性能提升到4Gbps的方法

為了給人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等新興應(yīng)用提供足夠的內(nèi)存帶寬,HBM2E和GDDR6已經(jīng)成為了設(shè)計(jì)者的兩個(gè)首選方案。
2020-10-26 15:41:132139

HBM產(chǎn)品在電機(jī)測(cè)試中的使用情況

小編帶大家來(lái)了解一下HBM產(chǎn)品在電機(jī)測(cè)試中的使用情況。 HBM傳感器性能介紹 T10F扭矩傳感器可測(cè)量扭矩和轉(zhuǎn)速,是第一款扭矩法蘭,采用測(cè)量剪應(yīng)力替代扭矩應(yīng)力對(duì)扭矩進(jìn)行測(cè)量。這種技術(shù)是HBM公司的專利。它設(shè)計(jì)緊湊,占有非常小的空
2020-10-31 10:39:322501

HBM扭矩傳感器在電機(jī)測(cè)試中的應(yīng)用

擁有高精度的檢測(cè)儀器對(duì)于電機(jī)測(cè)試數(shù)據(jù)的可靠性尤為重要,直接關(guān)系到檢測(cè)結(jié)果的真實(shí)性。隨著國(guó)際合作交流的進(jìn)一步深入和國(guó)內(nèi)對(duì)電機(jī)測(cè)試精度要求的不斷提高,將會(huì)有更多的檢測(cè)機(jī)構(gòu)和企業(yè)使用HBM扭矩傳感器。今天小編帶大家來(lái)了解一下HBM產(chǎn)品在電機(jī)測(cè)試中的使用情況。
2021-01-20 13:57:3810

使用帶HBM芯片有哪些要注意的地方

Virtex UltraScale+部分芯片中集成了HBM(High Bandwidth Memory)。HBM的容量最小為8GB,最大可達(dá)16GB,極大地增強(qiáng)了存儲(chǔ)帶寬。 先從芯片結(jié)構(gòu)角度看,對(duì)比
2021-09-02 15:09:023047

HBM3萬(wàn)事俱備 只欠標(biāo)準(zhǔn)定稿

算法和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)上,卻屢屢遇上內(nèi)存帶寬上的限制,主打大帶寬的HBM也就順勢(shì)成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 當(dāng)下JEDEC還沒(méi)有給出HBM3標(biāo)準(zhǔn)的最終定稿,但參與了標(biāo)準(zhǔn)制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準(zhǔn)備工作。不久前,Rambus就率先公布了支持
2021-10-12 14:54:341391

SK海力士成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片

韓國(guó)SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實(shí)現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來(lái)了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055

新思科技推出業(yè)界首個(gè)完整HBM3 IP和驗(yàn)證解決方案,加速多裸晶芯片設(shè)計(jì)

HBM3 IP解決方案可為高性能計(jì)算、AI和圖形SoC提供高達(dá)921GB/s的內(nèi)存帶寬。
2021-10-22 09:46:363104

什么是HBM3 為什么HBM很重要

點(diǎn)擊藍(lán)字關(guān)注我們 從高性能計(jì)算到人工智能訓(xùn)練、游戲和汽車應(yīng)用,對(duì)帶寬的需求正在推動(dòng)下一代高帶寬內(nèi)存的發(fā)展。 HBM3將帶來(lái)2X的帶寬和容量,除此之外還有其他一些好處。雖然它曾經(jīng)被認(rèn)為是一種
2021-11-01 14:30:506492

HBM的基本情況

HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬存儲(chǔ))已成為現(xiàn)代高端FPGA的一個(gè)重要標(biāo)志和組成部分,尤其是在對(duì)帶寬要求越來(lái)越高的現(xiàn)如今,DDR已經(jīng)完全跟不上節(jié)奏。本篇將分享學(xué)習(xí)一下HBM的基本情況。
2022-07-08 09:58:099715

HBM、MM和CDM測(cè)試的基礎(chǔ)知識(shí)

  圖 2 顯示了HBM、MM 和 CDM ESD 測(cè)試的電流 (I ESD ) 波形特性。通常,HBM ESD 測(cè)試的應(yīng)力水平大約是 MM ESD 測(cè)試條件的 10 倍。
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為 AI 黃金時(shí)段做好準(zhǔn)備的高帶寬內(nèi)存:HBM2e 與 GDDR6

AI 訓(xùn)練和推理 SoC 和系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員正在通過(guò) HBM2e 和 GDDR 規(guī)范進(jìn)行組合,以確定哪種風(fēng)格最適合他們的下一代設(shè)計(jì)。 幾乎每天都有新的人工智能 (AI) 應(yīng)用程序涌現(xiàn)。然而,訓(xùn)練和推理
2022-07-30 11:53:501804

HBM、MM和CDM測(cè)試的基礎(chǔ)知識(shí)

CDM、HBM 或 MM 之間沒(méi)有相關(guān)性。因此,HBM和CDM測(cè)試通常用于ESD保護(hù)電路測(cè)試。較長(zhǎng)的 I ESD持續(xù)時(shí)間導(dǎo)致片上 ESD 結(jié)構(gòu)的過(guò)熱增加。HBM 和 MM 測(cè)試失敗通常出現(xiàn)在柵極氧化層或結(jié)損壞。
2022-08-09 11:49:5215449

介紹HBM3標(biāo)準(zhǔn)的一些關(guān)鍵功能

HBM2E標(biāo)準(zhǔn)的每個(gè)裸片的最大容量為2GB,每個(gè)堆??梢苑胖?2層裸片,從而可實(shí)現(xiàn)24GB的最大容量。雖然標(biāo)準(zhǔn)是允許的,但我們尚未看到市場(chǎng)上出現(xiàn)任何 12 層的 HBM2E 堆棧。
2022-08-17 14:20:343376

SK海力士將向英偉達(dá)系統(tǒng)供應(yīng)HBM3

SK海力士在業(yè)界率先開(kāi)發(fā)出最新高帶寬存儲(chǔ)器(HBM, High Bandwidth Memory)產(chǎn)品HBM31,公司不僅又一次創(chuàng)造歷史,更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在DRAM市場(chǎng)上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:251175

三星GDDR6W面世,直接對(duì)標(biāo)HBM2E的顯存

在雷打不動(dòng)的GDDR6和GDDR6X上。 雖然三星已經(jīng)表示GDDR7已經(jīng)在研發(fā)中,但很明顯沒(méi)個(gè)幾年時(shí)間是出不來(lái)的。 GPU市場(chǎng)的顯存選擇 我們?cè)倏纯茨壳癎PU市場(chǎng)對(duì)于顯存的選擇,AMD在消費(fèi)級(jí)、工作站級(jí)、半定制級(jí)的GPU上都選擇了GDDR6,而在高端的數(shù)據(jù)中心加速器上選擇了HBM2E;英偉達(dá)則在部分
2022-12-02 07:15:03852

ChatGPT帶旺HBM存儲(chǔ)

需要復(fù)雜的生產(chǎn)過(guò)程和高度先進(jìn)的技術(shù)。人工智能服務(wù)的擴(kuò)展扭轉(zhuǎn)了局面。一位業(yè)內(nèi)人士表示,“與性能最高的DRAM相比,HBM3的價(jià)格上漲了五倍?!?? 據(jù)了解,目前SK海力士在HBM市場(chǎng)處于領(lǐng)先地位,約有60%-70%的份額。HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)是高價(jià)值、高性能存儲(chǔ)器,垂直互連
2023-02-15 15:14:444689

大算力模型,HBM、Chiplet和CPO等技術(shù)打破技術(shù)瓶頸

HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實(shí)現(xiàn)高帶寬,完美解決傳統(tǒng)存儲(chǔ)效率低的問(wèn)題。HBM 的核心原理和普通的 DDR、GDDR 完全一樣,但是 HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實(shí)現(xiàn)了高帶寬。HBM/HBM2 使用 1024 根數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)
2023-04-16 10:42:243539

HBM性能驗(yàn)證變得簡(jiǎn)單

HBM2E(高帶寬內(nèi)存)是一種高性能 3D 堆疊 DRAM,用于高性能計(jì)算和圖形加速器。它使用更少的功率,但比依賴DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(tǒng)(如內(nèi)存子系統(tǒng)、互連總線和處理器)結(jié)構(gòu)復(fù)雜,驗(yàn)證內(nèi)存的性能和利用率對(duì)用戶來(lái)說(shuō)是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。
2023-05-26 10:24:38437

三星加速進(jìn)軍HBM

據(jù)韓媒報(bào)道,韓國(guó)三星電子公司正在加緊努力,更深入地滲透到HBM3市場(chǎng),由于其在整個(gè)內(nèi)存芯片市場(chǎng)中所占的份額很小,因此相對(duì)于其他高性能芯片來(lái)說(shuō),該公司一直忽視了這一領(lǐng)域。
2023-06-27 17:13:03453

HBM內(nèi)存:韓國(guó)人的游戲

HBM技術(shù)之下,DRAM芯片從2D轉(zhuǎn)變?yōu)?D,可以在很小的物理空間里實(shí)現(xiàn)高容量、高帶寬、低延時(shí)與低功耗,因而HBM被業(yè)界視為新一代內(nèi)存解決方案。
2023-06-30 16:31:33626

大模型市場(chǎng),不止帶火HBM

近日,HBM成為芯片行業(yè)的火熱話題。據(jù)TrendForce預(yù)測(cè),2023年高帶寬內(nèi)存(HBM)比特量預(yù)計(jì)將達(dá)到2.9億GB,同比增長(zhǎng)約60%,2024年預(yù)計(jì)將進(jìn)一步增長(zhǎng)30%。
2023-07-11 18:25:08702

瘋搶!HBM成為AI新瓶頸!

SK海力士正忙于處理來(lái)自客戶的大量HBM3E樣品請(qǐng)求。英偉達(dá)首先要求提供樣品,這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會(huì)在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3,并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39685

HBM的崛起!

時(shí)任AMD CEO的蘇姿豐表示,HBM采用堆疊式設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)速度的提升,大幅改變了GPU邏輯結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),DRAM顆粒由“平房設(shè)計(jì)”改為“樓房設(shè)計(jì)”,所以HBM顯存能夠帶來(lái)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)當(dāng)前GDDR5所能夠提供的帶寬上限,其將率先應(yīng)用于高端PC市場(chǎng),和英偉達(dá)(NVIDIA)展開(kāi)新一輪的競(jìng)爭(zhēng)。
2023-07-13 15:18:24497

三星計(jì)劃為英偉達(dá)AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù);傳蘋果悄悄開(kāi)發(fā)“Apple GPT” 或?qū)⑻魬?zhàn)OpenAI

熱點(diǎn)新聞 1、三星計(jì)劃為英偉達(dá)AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù) 據(jù)報(bào)道,英偉達(dá)正在努力實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封裝的采購(gòu)多元化。消息人士稱,這家美國(guó)芯片巨頭正在
2023-07-20 17:00:02404

美光推出業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存

Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開(kāi)始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存,其帶寬超過(guò)
2023-07-28 11:36:40535

美光推出性能更出色的大容量高帶寬內(nèi)存 (HBM) 助力生成式人工智能創(chuàng)新

業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3,帶寬超過(guò)1.2TB/s,先進(jìn)的1β制程節(jié)點(diǎn)提供卓越能效。 2023年7月27日,中國(guó)上海?——?Micron Technology Inc.
2023-08-01 15:38:21489

三星正與英偉達(dá)開(kāi)展GPU HBM3驗(yàn)證及先進(jìn)封裝服務(wù)

在此之前,英偉達(dá)將大部分gpu的高級(jí)成套產(chǎn)品委托給tsmc。半導(dǎo)體方面,將sk海力士的hbm3安裝在自主制造的單一gpu芯片上,生產(chǎn)英偉達(dá)h100。但是最近隨著生成型人工智能的普及,h100的需求劇增,在處理nvidia的所有訂單上遇到了困難。
2023-08-02 11:54:18720

業(yè)界最快、容量最高的HBM

來(lái)源:半導(dǎo)體芯科技編譯 業(yè)內(nèi)率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2,帶寬超過(guò)1.2TB/s,并通過(guò)先進(jìn)的1β工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)“卓越功效”。 美光科技已開(kāi)始提供業(yè)界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:07587

SK海力士開(kāi)發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ),成功開(kāi)發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),從明年上半年開(kāi)始批量生產(chǎn)hbm3e,鞏固在針對(duì)ai的存儲(chǔ)器市場(chǎng)上的獨(dú)一無(wú)二的地位。”
2023-08-21 09:21:49563

SK海力士開(kāi)發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向英偉達(dá)提供樣品

該公司表示,HBM3E(HBM3的擴(kuò)展版本)的成功開(kāi)發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平,SK海力士計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E,鞏固其在AI內(nèi)存市場(chǎng)無(wú)與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41541

SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存(也可以說(shuō)是顯存)主要面向AI應(yīng)用,是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展,它有著當(dāng)前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對(duì)AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:07559

SK海力士成功開(kāi)發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E

與此同時(shí),SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù),其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中,無(wú)需修改其設(shè)計(jì)或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:13461

三星或?qū)牡谒募径乳_(kāi)始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3

有分析師爆料稱三星將成為英偉達(dá)的HBM3存儲(chǔ)芯片關(guān)鍵供應(yīng)商,三星或?qū)牡谒募径乳_(kāi)始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3
2023-09-01 09:46:5140553

創(chuàng)意電子宣布5nm HBM3 PHY和控制器經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證,速度為8.4Gbps

來(lái)源:EE Times 先進(jìn)ASIC領(lǐng)導(dǎo)廠商創(chuàng)意電子(GUC)宣布,公司HBM3解決方案已通過(guò)8.4 Gbps硅驗(yàn)證,該方案采用臺(tái)積電5納米工藝技術(shù)。該平臺(tái)在臺(tái)積電2023北美技術(shù)研討會(huì)合作伙伴展示
2023-09-07 17:37:50250

存儲(chǔ)廠商HBM訂單暴增

目前,HBM產(chǎn)品的主要供應(yīng)商是三星、SK海力士和美光。根據(jù)全球市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢的調(diào)查顯示,2022年,SK海力士在HBM市場(chǎng)占據(jù)了50%的份額,三星占據(jù)了40%,美光占據(jù)了10%。
2023-09-15 16:21:16374

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點(diǎn)

? ? 據(jù)了解,HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個(gè)DRAM,能夠提升數(shù)據(jù)處理速度,HBM DRAM產(chǎn)品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代
2023-10-10 10:25:46400

一文解析HBM技術(shù)原理及優(yōu)勢(shì)

HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM,它可以為高性能計(jì)算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲(chǔ)解決方案。本文將介紹HBM技術(shù)的原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)。
2023-11-09 12:32:524343

三星電子將從明年1月開(kāi)始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存

據(jù)預(yù)測(cè),進(jìn)入今年以來(lái)一直萎靡不振的三星電子半導(dǎo)體業(yè)績(jī)明年將迅速恢復(fù)。部分人預(yù)測(cè),三星電子明年下半年的hbm市場(chǎng)占有率將超過(guò)sk海力士。
2023-11-14 11:50:57451

HBM的未來(lái)

Rambus產(chǎn)品營(yíng)銷高級(jí)總監(jiān) Frank Ferro 在 Rambus 設(shè)計(jì)展會(huì)上發(fā)表演講時(shí)表示:“HBM 的優(yōu)點(diǎn)在于,可以在可變的范圍內(nèi)獲得所有這些帶寬,并且表示獲得了非常好的功耗。”
2023-11-15 15:50:19266

如何加速HBM仿真迭代優(yōu)化?

如何加速HBM仿真迭代優(yōu)化?
2023-11-29 16:13:18189

速度優(yōu)勢(shì)是HBM產(chǎn)品成功的關(guān)鍵

速度優(yōu)勢(shì)是HBM產(chǎn)品成功的關(guān)鍵
2023-11-29 16:22:53172

預(yù)計(jì)英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗(yàn)證過(guò)程復(fù)雜,預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間,因此業(yè)界預(yù)測(cè),最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是,驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示,各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購(gòu)買分配權(quán)重值,還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-27 15:03:57443

英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗(yàn)證過(guò)程復(fù)雜,預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間,因此業(yè)界預(yù)測(cè),最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是,驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示,各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購(gòu)買分配權(quán)重值,還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-29 14:13:30353

HBM市場(chǎng)將爆發(fā)“三國(guó)之戰(zhàn)”

英偉達(dá)的圖形處理器(gpu)是高附加值產(chǎn)品,特別是high end h100車型的售價(jià)為每個(gè)6000萬(wàn)韓元(約4.65萬(wàn)美元)。英偉達(dá)將在存儲(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)揮潛在的游戲鏈條作用。hbm3營(yíng)銷的領(lǐng)先者sk海力士自去年以后獨(dú)家向英偉達(dá)供應(yīng)hbm3,領(lǐng)先于三星電子。
2023-11-29 14:37:00504

下一代HBM技術(shù)路線選擇對(duì)行業(yè)有何影響?

HBM 存儲(chǔ)器堆棧通過(guò)微凸塊連接到 HBM 堆棧中的硅通孔(TSV 或連接孔),并與放置在基礎(chǔ)封裝層上的中間件相連,中間件上還安裝有處理器,提供 HBM 到處理器的連接。
2023-12-06 10:40:49136

Rambus通過(guò)9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

為增強(qiáng)AI/ML及其他高級(jí)數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達(dá)9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率,支持HBM3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的未來(lái)演進(jìn) 實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2 TB/s以上內(nèi)存吞吐量
2023-12-07 11:01:13115

Rambus通過(guò)9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和 IP 核供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)今日宣布 Rambus HBM3 內(nèi)存控制器 IP 現(xiàn)在可提供高達(dá) 9.6
2023-12-07 14:16:06329

AI大模型不斷拉高上限,內(nèi)存控制器IP提早部署,力拱HBM3E的到來(lái)

數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加,HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場(chǎng)景。最近,內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:48885

英偉達(dá)斥資預(yù)購(gòu)HBM3內(nèi)存,為H200及超級(jí)芯片儲(chǔ)備產(chǎn)能

據(jù)最新傳聞,英偉達(dá)正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級(jí)芯片,這也進(jìn)一步說(shuō)明了對(duì)于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04231

Hanmi半導(dǎo)體與三星電子討論HBM供應(yīng)鏈,擴(kuò)大客戶群和市場(chǎng)份額

美國(guó)IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場(chǎng)迅速成長(zhǎng)。預(yù)計(jì)至2024年,HBM供應(yīng)緊缺問(wèn)題將愈發(fā)嚴(yán)重。對(duì)此,三星計(jì)劃于2023年末和2024年初供應(yīng)第四代HBM產(chǎn)品HBM3,并計(jì)劃啟動(dòng)第五代HBM產(chǎn)品HBM3E的量產(chǎn)。在此
2024-01-03 13:41:02348

SK海力士第四季轉(zhuǎn)虧為盈 HBM3營(yíng)收增長(zhǎng)5倍

韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財(cái)報(bào)中,展現(xiàn)出強(qiáng)大的增長(zhǎng)勢(shì)頭。數(shù)據(jù)顯示,公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營(yíng)收較2022年分別增長(zhǎng)了4倍和5倍以上,成為推動(dòng)公司營(yíng)收增長(zhǎng)的主要力量。
2024-01-26 16:32:24641

AMD發(fā)布HBM3e AI加速器升級(jí)版,2025年推新款I(lǐng)nstinct MI

目前,只有英偉達(dá)的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比,HBM3e的速度提升了50%,單個(gè)平臺(tái)可以達(dá)到10TB/s的帶寬,單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率,內(nèi)存容量高達(dá)141GB。
2024-02-25 11:22:42121

三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00250

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM

近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存(HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品,其性能也實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:21330

AMD MI300加速器將支持HBM3E內(nèi)存

據(jù)手機(jī)資訊網(wǎng)站IT之家了解,MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊,并面向HBM3E進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)。另外,該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入,不僅與主要的存儲(chǔ)器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系,同時(shí)也與如臺(tái)積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。
2024-02-27 15:45:05152

HBM、HBM2、HBM3HBM3e技術(shù)對(duì)比

AI服務(wù)器出貨量增長(zhǎng)催化HBM需求爆發(fā),且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加,經(jīng)測(cè)算,預(yù)期25年市場(chǎng)規(guī)模約150億美元,增速超過(guò)50%。
2024-03-01 11:02:53203

HBM良率問(wèn)題影響AI芯片產(chǎn)量

在以臺(tái)積電與三星代工為首的諸多企業(yè)中,長(zhǎng)期以來(lái),保持硅晶圓高效產(chǎn)出的良品率一直是個(gè)難題。然而,這個(gè)難關(guān)如今已經(jīng)蔓延至HBM行業(yè)。
2024-03-07 09:41:25204

三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM

三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星已開(kāi)發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)。
2024-03-08 10:10:51158

三星強(qiáng)化HBM工作團(tuán)隊(duì)為永久辦公室,欲搶占HBM3E領(lǐng)域龍頭地位?

這一結(jié)構(gòu)性調(diào)整體現(xiàn)出三星對(duì)于存儲(chǔ)器領(lǐng)域HBM產(chǎn)品間競(jìng)爭(zhēng)壓力的關(guān)注。SK海力士已然在HBM3市場(chǎng)奪得先機(jī),并因其在人工智能領(lǐng)域的廣泛運(yùn)用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:501408

四川長(zhǎng)虹回應(yīng)幫華為代工 HBM芯片備受關(guān)注

四川長(zhǎng)虹回應(yīng)幫華為代工 HBM芯片備受關(guān)注 AI的爆發(fā)極大的推動(dòng)了HBM芯片的需求;今日市場(chǎng)有傳聞稱四川長(zhǎng)虹將為華為代工HBM芯片,對(duì)此傳言四川長(zhǎng)虹回應(yīng)稱,尚未收到相關(guān)消息。 “HBM”作為一種新型
2024-03-18 18:42:552387

SK海力士HBM3E正式量產(chǎn),鞏固AI存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn),將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:21252

英偉達(dá)CEO贊譽(yù)三星HBM內(nèi)存,計(jì)劃采購(gòu)

 提及此前有人預(yù)測(cè)英偉達(dá)可能向三星購(gòu)買HBM3HBM3E等內(nèi)存,黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力,稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測(cè)試,未來(lái)可能增加采購(gòu)量。
2024-03-20 16:17:24352

英偉達(dá)、微軟、亞馬遜等排隊(duì)求購(gòu)SK海力士HBM芯片,這些國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠迎機(jī)遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲(chǔ)器),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品,SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:312126

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