制造成本可降低90%，日本信越開發(fā)新技術

日前，日本半導體晶圓企業(yè)信越化學工業(yè)與從事ATM及通信設備的OKI公司聯合開發(fā)出了低成本制造氮化鎵（GaN）的新技術。

據悉，這項技術可以使得氮化鎵材料的制造成本降低90%以上，如果能夠量產，將大幅降低快充充電器、電動汽車馬達電控等裝置的成本，有利于氮化鎵技術普及。

據了解，此次信越化學工業(yè)與OKI開發(fā)的新技術，可以在特有的基板上噴射鎵系氣體，使晶體生長。信越化學工業(yè)的增厚晶體技術與OKI的接合技術相結合，可以從基板上只揭下晶體，晶體放在其他基板上作為功率半導體的晶圓使用。

信越化學工業(yè)表示，在GaN基板上使GaN晶體生長的制法不僅制造耗費時間，成品率還很差，成本高。新制法可以高效制造晶體，可以降低9成成本。與在矽基板上使GaN晶體生長的制法相比，不需要基板與晶體之間的絕緣層。加上晶體的厚膜化，可以通20倍大的電流。

信越化學工業(yè)還透露，這一技術可以制造6英寸晶圓，希望在2025年增大到8英寸，今后還考慮向半導體廠商銷售技術等業(yè)務模式。