適用于人工智能的磁存儲器HS4MANSQ1A-DS1，容量高達4M

如今，人工智能應(yīng)用都需要使用存內(nèi)計算、存算一體等非馮架構(gòu)，更緊密地將處理器與存儲器進行結(jié)合。當(dāng)今先進的AI芯片中的磁存儲器可高達芯片面積的70%。磁存儲器具有媲美SRAM的高速隨機讀寫特性，滿足數(shù)據(jù)高速處理的需求。

并且磁存儲器的存儲單元只需要1個晶體管（SRAM需6個晶體管），使用磁存儲器替代SRAM時，可以將內(nèi)存所需面積減少大約25%。另外磁存儲器還具有良好的數(shù)據(jù)非易失性，可以大幅降低芯片靜態(tài)功耗。因此磁存儲器可以作為人工智能應(yīng)用的理想選擇。本文主要介紹磁存儲器HS4MANSQ1A-DS1的應(yīng)用特征。

HS4MANSQ1A-DS1是一個大容量4Mbit的國產(chǎn)磁存儲器，SPI/QPI(串行單線/四線接口)。該芯片可配置為1位I/O獨立接口或4位I/O通用接口，而且HS4MANSQ1A-DS1存儲陣列中的數(shù)據(jù)可以保持10年以上，適用于工業(yè)、工業(yè)等眾多應(yīng)用場景。

磁存儲器特點如下：

1、低電壓操作：單一電源，VCC 3.3V（標準電壓）

2、數(shù)據(jù)保護：軟保護模式，BP0, BP1 在模式寄存器#1

3、電力消耗：休眠電流 2μA (典型值)

待機電流 2mA (典型值)

寫電流 12mA (典型值 @SPI 200MHz)

讀電流 5.2mA (典型值 @SPI 100MHz)

4、可靠性：數(shù)據(jù)保留>10年@105℃

數(shù)據(jù)保留>20年@85℃

5、工作溫度范圍：-40℃~125℃

6、封裝：SOP8

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