英特爾競購High-NA EUV設(shè)備，臺(tái)積電決定回避

英特爾宣布引入ASML的高數(shù)值孔徑極紫外光（High-NA EUV）設(shè)備，被視作回歸技術(shù)主導(dǎo)地位的重要舉措。然而，有業(yè)內(nèi)人士擔(dān)心這可能導(dǎo)致英特爾的虧損進(jìn)一步加劇。此舉引發(fā)了對(duì)其是否成功回歸技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位的探討。

另一方面，臺(tái)積電的年度技術(shù)論壇正在美國和歐洲如火如荼地進(jìn)行，備受世人矚目的是該公司計(jì)劃在2026年量產(chǎn)A16技術(shù)，該技術(shù)將結(jié)合納米片晶體管和超級(jí)電軌架構(gòu)。而對(duì)于英特爾斥巨資引進(jìn)High-NA EUV設(shè)備，卻被曝臺(tái)積電決定繼續(xù)沿用現(xiàn)有EUV設(shè)備代替High-NA EUV設(shè)備，形成鮮明對(duì)比。

據(jù)悉，盡管英特爾希望借助High-NA EUV設(shè)備重回技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者之列，但實(shí)際市場反應(yīng)部分項(xiàng)目經(jīng)理擔(dān)憂這可能增加英特爾的生產(chǎn)成本并降低其盈利能力。因此，英特爾是否真的能憑借High-NA EUV設(shè)備重回技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者之列，仍需要時(shí)間來驗(yàn)證。

在此背景下，臺(tái)積電決定A16制程不采用High-NA EUV設(shè)備的原因引起了廣泛關(guān)注。有專家分析，臺(tái)積電可能已經(jīng)權(quán)衡過High-NA EUV設(shè)備的優(yōu)缺點(diǎn)，并選擇了更為經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的方案。同時(shí)，也有人認(rèn)為，如果客戶愿意支付更高的費(fèi)用，臺(tái)積電仍然有可能選擇High-NA EUV設(shè)備。

此外，ASML表示，High-NA EUV設(shè)備的數(shù)值孔徑從0.33增大到0.55，具有更高的分辨率和精度，有助于簡化制造流程，縮短生產(chǎn)時(shí)間，提高生產(chǎn)效率。然而，由于設(shè)備價(jià)格昂貴，每套設(shè)備售價(jià)高達(dá)3.8億美元，比EUV設(shè)備高出近一倍，這無疑給制造商帶來了巨大壓力。

總的來說，雖然英特爾和臺(tái)積電都在積極推進(jìn)先進(jìn)工藝，但他們的策略和選擇各有不同。英特爾的舉動(dòng)是否能幫助其重回技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者之列，以及臺(tái)積電是否會(huì)改變主意，采用High-NA EUV設(shè)備，這些問題都有待時(shí)間給出答案。