SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高，將集成更多功能
據(jù)5月29日消息，韓國科技巨頭SK海力士有意在HBM4E內(nèi)存中融合更多功能，以推動(dòng)HBM技術(shù)進(jìn)入新階段。
SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲(chǔ)設(shè)備，意欲打造集計(jì)算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)于一身的新型HBM產(chǎn)品，進(jìn)而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
據(jù)韓國媒體ETNews報(bào)道，此類創(chuàng)新尚處于設(shè)想階段，然而SK海力士已開始研發(fā)相關(guān)IP，逐步實(shí)現(xiàn)這一愿景。
SK海力士計(jì)劃在HBM上集成內(nèi)存控制器，使之位于HBM架構(gòu)的基礎(chǔ)芯片之上，為第七代HBM4E內(nèi)存提供全新計(jì)算選項(xiàng)，為多元化HBM應(yīng)用鋪平道路。
此舉雖可提升性能，滿足未來HBM的多元需求，卻背離了業(yè)界慣常采用的HBM與半導(dǎo)體芯片分離處理策略。
SK海力士計(jì)劃將封裝作為一個(gè)整體進(jìn)行處理，既能保證更快的傳輸速度，又因結(jié)構(gòu)間隙大幅減小而提高能效。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
數(shù)據(jù)傳輸
+關(guān)注
關(guān)注
9文章
1792瀏覽量
64410 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
943瀏覽量
38399 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
365瀏覽量
14681
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品
近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK
SK海力士引領(lǐng)未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲(chǔ)技術(shù)格局
今日，半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項(xiàng)業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑，該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?；a(chǎn)，此舉不僅將
聯(lián)合電子新能源產(chǎn)品交付量再創(chuàng)新高
隨著新能源汽車市場的蓬勃發(fā)展，聯(lián)合電子憑借自身先進(jìn)的技術(shù)能力和可靠的產(chǎn)品質(zhì)量。2020年10月開始交付第一臺(tái)電橋，到2024年4月，電橋產(chǎn)品累計(jì)交付量已突破100萬臺(tái)。同時(shí)，聯(lián)合電子的逆變器產(chǎn)品和電機(jī)產(chǎn)品累計(jì)交付量也同樣突破了200萬和300萬，再創(chuàng)新高！
SK海力士探索無焊劑鍵合技術(shù)，引領(lǐng)HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中，SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正積極探索前沿技術(shù)，以推動(dòng)高帶寬內(nèi)存（HBM）的進(jìn)一步演進(jìn)。據(jù)最
SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息，該公司計(jì)劃于2026年在其高性能內(nèi)存（High Bandwidth Memory,
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出，SK海力士的HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起，每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的領(lǐng)軍企業(yè)，
SK海力士創(chuàng)新下一代HBM，融入計(jì)算與通信功能
SK海力士正引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入新時(shí)代，開發(fā)了一種融合計(jì)算與通信功能的下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。這一創(chuàng)新戰(zhàn)略旨在鞏固其在
SK海力士與臺(tái)積電攜手量產(chǎn)下一代HBM
近日，SK海力士與臺(tái)積電宣布達(dá)成合作，計(jì)劃量產(chǎn)下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。在這項(xiàng)合作中，臺(tái)積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝（FEOL）和后續(xù)布線工藝（BEOL），確?；A(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。
SK海力士HBM4E存儲(chǔ)器提前一年量產(chǎn)
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲(chǔ)研討會(huì)上，由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。SK
SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄
SK海力士近日宣布，其高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要?dú)w功于人工智能（AI）技術(shù)的蓬勃發(fā)展，極大地推動(dòng)了市場對H
SK海力士將采用臺(tái)積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片
HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺(tái)積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務(wù)便是提升
SK海力士聯(lián)手臺(tái)積電推出HBM4，引領(lǐng)下一代DRAM創(chuàng)新
SK海力士表示，憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲(chǔ)器發(fā)展的領(lǐng)先地位，以及與臺(tái)積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ)，該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合IC設(shè)計(jì)廠、晶圓代工廠及存儲(chǔ)器廠
剛剛！SK海力士出局！
來源：集成電路前沿，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 3月25日消息，據(jù)報(bào)道，由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問題，英偉達(dá)所需的12層HBM3E內(nèi)存，將由三星獨(dú)家供貨，
SK海力士宣布HBM內(nèi)存生產(chǎn)配額全部售罄
SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲(chǔ)的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以
SK海力士資本支出大增，HBM是重點(diǎn)
SK海力士明年計(jì)劃的設(shè)施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預(yù)期。證券界最初預(yù)測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟(jì)挑戰(zhàn)，觀察人士預(yù)計(jì)嚴(yán)
工商網(wǎng)監(jiān)
評論