0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

IGBT短路耐受時(shí)間的重要性

芯長(zhǎng)征科技 ? 來源:愛在七夕時(shí) ? 2024-10-08 17:12 ? 次閱讀

以下文章來源于愛在七夕時(shí) ,作者愛在七夕時(shí)

IGBT等功率器件具有稱為“短路耐受時(shí)間(SCWT:Short Circuit Withstand Time)”的電氣特性(參數(shù))。通常,在IGBT等功率元器件處于短路狀態(tài)時(shí),會(huì)流過大電流并在短時(shí)間內(nèi)造成元器件損壞,但短路耐受時(shí)間意味著在發(fā)生短路時(shí),可以承受而不至于損壞的時(shí)間,也稱之為“允許的短路時(shí)間”。

IGBT等功率元器件短路,比如IGBT(下面以IGBT為例進(jìn)行解說),是指在集電極和發(fā)射極之間被施加了高電壓(VCC)的狀態(tài)下IGBT導(dǎo)通,并且在已導(dǎo)通的IGBT中流過很大的集電極電流IC的狀態(tài)。這可能是由控制電路故障或某種誤動(dòng)作引起的。

為了幫助您理解這種短路,在下面給出了測(cè)量短路耐受時(shí)間時(shí)的基本電路示例和波形。當(dāng)將VCC施加在關(guān)斷狀態(tài)的IGBT上、通過柵極驅(qū)動(dòng)電路使IGBT導(dǎo)通時(shí),電容器中積蓄的電荷會(huì)突然流入IGBT,并且經(jīng)過一定時(shí)間后會(huì)導(dǎo)致IGBT損壞。到損壞所用的時(shí)間因VCC電壓、溫度、封裝類型等因素而異,大致為幾μs~幾十μs。在試驗(yàn)中,通過控制柵極驅(qū)動(dòng)電路并逐漸增加導(dǎo)通時(shí)間來確認(rèn)器件是否損壞,并重復(fù)此操作來測(cè)量直到損壞所用的時(shí)間。或者,可以通過確認(rèn)產(chǎn)品在規(guī)定的導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)沒有損壞來做出合格與否的判斷。

wKgaomcE94aAY6RLAAEv_Yc0kYk145.jpg

波形圖中的產(chǎn)品是ROHM的IGBT RGS系列,最短的短路耐受時(shí)間為8μs。當(dāng)IGBT根據(jù)柵極信號(hào)導(dǎo)通(短路)時(shí),流過集電極電流,當(dāng)它在13.5μs后根據(jù)柵極信號(hào)關(guān)斷時(shí),集電極電流被切斷,這個(gè)IGBT并沒有損壞,這證明在這個(gè)測(cè)試條件下,這款I(lǐng)GBT能夠承受13.5μs的短路時(shí)間。當(dāng)然,8μs的保證值是有余量的。集電極電壓在短路和關(guān)斷后會(huì)在短時(shí)間內(nèi)下降或上升,這取決于電容器到IGBT的集電極引腳之間的寄生電感的充電或放電,之后集電極電壓會(huì)恢復(fù)至VCC。受發(fā)熱的影響,集電極電流會(huì)隨著時(shí)間的經(jīng)過而減少。

如果在短路過程中IGBT損壞,基本上初期會(huì)發(fā)生短路故障,所以電流會(huì)幾乎沒有限制地持續(xù)流過IGBT,集電極電壓=VCC將下降到幾乎接地水平。當(dāng)然,即使向柵極發(fā)送關(guān)斷信號(hào),也不會(huì)關(guān)斷IGBT并切斷集電極電流。在試驗(yàn)或評(píng)估過程中IGBT損壞的情況下,如果不及時(shí)切斷電流,可能會(huì)因過電流而發(fā)熱,甚至冒煙,在某些情況下還可能會(huì)起火,很危險(xiǎn)。因此,必須采取足夠的安全對(duì)策,比如為VCC(電源)設(shè)置適當(dāng)?shù)碾娏飨拗啤?/p>

短路耐受時(shí)間的重要性

短路耐受時(shí)間是保護(hù)功率元器件、外圍電路和所連接元器件的重要參數(shù)。使用功率元器件的電路中通常都配有針對(duì)過電流等風(fēng)險(xiǎn)的保護(hù)電路。當(dāng)功率元器件處于短路狀態(tài)時(shí),保護(hù)電路會(huì)檢測(cè)出這種狀態(tài)并執(zhí)行保護(hù)工作,但是從檢測(cè)出來到啟動(dòng)保護(hù)工作之間需要MCU系統(tǒng)處理等時(shí)間,如果這個(gè)時(shí)間足夠長(zhǎng),就可以進(jìn)行切實(shí)可靠的處理。也就是說,短路耐受時(shí)間是確保系統(tǒng)保護(hù)功能所需的時(shí)間,該時(shí)間越長(zhǎng),系統(tǒng)處理的余量就越大,從而有助于提高系統(tǒng)的可靠性和安全性。

綜上所述,短路耐受時(shí)間是一項(xiàng)重要的特性,但并非所有的功率元器件都提供或保證該值。根據(jù)等級(jí)和應(yīng)用的不同,有些產(chǎn)品沒有提供,有些提供了但只是典型值(Typ.),并不是保證值,還有些則明確提供了保證值,所以在使用前需要確認(rèn)技術(shù)規(guī)格書。

此外,短路耐受時(shí)間越長(zhǎng)越有優(yōu)勢(shì),但保證值會(huì)因制造商和產(chǎn)品系列而異。比如前面提到的IGBT RGS系列,保證值為8μs(最小值),而另一個(gè)RGT系列的保證值則為5μs(最小值)。另外,由于VCC和溫度條件各不相同,因此不僅要確認(rèn)值,還要確認(rèn)條件,這點(diǎn)也很重要。作為實(shí)例,請(qǐng)來確認(rèn)一下這些IGBT的技術(shù)規(guī)格書。參數(shù)名稱:短路耐受時(shí)間(Short Circuit Withstand Time),符號(hào):用tSC表示條件和保證值。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1263

    文章

    3748

    瀏覽量

    248030
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    41

    文章

    1715

    瀏覽量

    90270
  • 功率元器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    42

    瀏覽量

    14673

原文標(biāo)題:半導(dǎo)體IGBT的短路耐受時(shí)間(SCWT)的詳解---基礎(chǔ)篇(20);

文章出處:【微信號(hào):芯長(zhǎng)征科技,微信公眾號(hào):芯長(zhǎng)征科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT過流和短路保護(hù)的問題及處理方法

    耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過流檢測(cè) 和保護(hù)功能的重要性。以下內(nèi)容討論了現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中成功可靠地實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)的問題。
    發(fā)表于 10-09 11:11 ?2.1w次閱讀
    工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)<b class='flag-5'>IGBT</b>過流和<b class='flag-5'>短路</b>保護(hù)的問題及處理方法

    工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的IGBT過流和短路保護(hù)

    短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過流檢測(cè)和保護(hù)功能的重要性。本文討論現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)
    發(fā)表于 07-30 14:06

    工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT過流和短路保護(hù)

    耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過流檢測(cè) 和保護(hù)功能的重要性。以下內(nèi)容討論了現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中成功可靠地實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)的問題,同時(shí)提供三相電機(jī)控制 應(yīng)用中隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)驗(yàn)
    發(fā)表于 08-20 07:40

    工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的IGBT過流和短路保護(hù)

    柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是:更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器
    發(fā)表于 10-10 18:21

    工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的短路保護(hù)如何實(shí)現(xiàn)

    可靠和穩(wěn)定性的要求不斷提高,功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是:更高的短路電流電平、更小的芯片尺
    發(fā)表于 06-27 09:06

    【案例分享】工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的IGBT過流和短路保護(hù)

    短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過流檢測(cè)和保護(hù)功能的重要性。本文討論現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)
    發(fā)表于 07-24 04:00

    現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)如何實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)

    短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過流檢測(cè)和保護(hù)功能的重要性。本文討論現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)
    發(fā)表于 01-25 06:43

    你知道IGBT短路保護(hù)對(duì)逆變電源的重要性嗎?

    由于逆變電源在電路中肩負(fù)著直流和交流之間的轉(zhuǎn)換,所以其安全就顯得尤為重要。如果逆變電源出現(xiàn)短路的情況,那么就有可能出現(xiàn)燒毀的情況,想要有效避免短路情況的發(fā)生,就要充分重視逆變電源中的
    發(fā)表于 06-08 16:03

    工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的IGBT過流和短路保護(hù)

    短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過流檢測(cè)和保護(hù)功能的重要性。
    發(fā)表于 02-10 12:31 ?2190次閱讀
    工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的<b class='flag-5'>IGBT</b>過流和<b class='flag-5'>短路</b>保護(hù)

    工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的IGBT過流和短路保護(hù)

    。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是:更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸
    發(fā)表于 01-21 10:28 ?14次下載
    工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的<b class='flag-5'>IGBT</b>過流和<b class='flag-5'>短路</b>保護(hù)

    為什么SiC MOSFET的短路耐受時(shí)間比較小

    我們都知道,IGBT發(fā)生短路時(shí),需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母
    的頭像 發(fā)表于 08-07 09:55 ?3345次閱讀

    IGBT短路耐受時(shí)間

    我們都知道IGBT發(fā)生短路故障時(shí)會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象,如圖1所示。退飽和后IGBT會(huì)承受全母線電壓,同時(shí)集電極電流也上升至額定電流的5-6倍,因此IGBT發(fā)生
    的頭像 發(fā)表于 09-26 16:32 ?5409次閱讀

    IGBT中的短路耐受時(shí)間是什么

    短路耐受時(shí)間是指IGBT短路條件下能夠持續(xù)導(dǎo)通而不發(fā)生故障的時(shí)間。這個(gè)參數(shù)對(duì)于系統(tǒng)保護(hù)策略的設(shè)
    的頭像 發(fā)表于 02-06 16:43 ?2383次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>中的<b class='flag-5'>短路</b><b class='flag-5'>耐受</b><b class='flag-5'>時(shí)間</b>是什么

    為什么IGBT短路耐受時(shí)間只有10us?10us又是如何得來的?

    為什么IGBT短路耐受時(shí)間只有10us?10us又是如何得來的? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種常用的功率半導(dǎo)體器件,用于控制高功率
    的頭像 發(fā)表于 02-18 15:54 ?1471次閱讀

    改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時(shí)間

    在本文中,我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:43 ?641次閱讀
    改善GaN HEMT功率器件的<b class='flag-5'>短路</b><b class='flag-5'>耐受</b><b class='flag-5'>時(shí)間</b>