超200億半導體項目新進展披露

來源：集邦化合物半導體

10月30日，長飛先進武漢基地相關負責人對外介紹，長飛先進武漢碳化硅基地11月設備即將進駐廠房，明年年初開始調試，預計2025年5月可以量產通線，隨后將開啟良率提升和產能爬坡。

source:光谷融媒體中心

據悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產，項目總投資預計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設內容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產配套用房設施等。項目投產后可年產36萬片SiC晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應用于新能源汽車、光儲充等領域。該項目于2023年8月25日落戶武漢，并于7天后動工建設。今年6月，項目主體結構全面封頂。按照原計劃，項目將于2025年1月設備搬入，2025年7月量產通線，2026年年底達到滿產。截止目前項目最新動態(tài)顯示，項目提前了2個月的進度。

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值得一提的是，長飛先進武漢碳化硅基地加速建設的同時，其在蕪湖的第三代半導體項目也迎來了新進展。10月29日，據蕪湖市生態(tài)局披露的建設項目環(huán)評審批公告顯示，安徽長飛先進將對其位于蕪湖市弋江區(qū)的第三代半導體項目進行改造，具體內容為：對現有研發(fā)方案中6萬片/年的6英寸碳化硅半導體芯片和1.2萬片/年的4、6英寸氮化鎵半導體芯片進行研發(fā)工藝的改進，提高研發(fā)產品的質量，優(yōu)化研發(fā)產品的結構，研發(fā)產能保持不變。

據悉，該項目由長飛先進全資子公司蕪湖太赫茲工程中心有限公司負責。項目于2017年6月動工建設，2021年完成自主驗收，公司后續(xù)在2022年對項目進行了擴產。

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審核編輯 黃宇