0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英偉達向SK海力士提出提前供應HBM4芯片要求

科技綠洲 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-11-05 10:52 ? 次閱讀

近日,韓國SK集團會長透露了一項重要信息,即英偉達公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應其下一代高帶寬內(nèi)存芯片,這款芯片被命名為HBM4。

HBM4作為高帶寬內(nèi)存的最新一代產(chǎn)品,具有出色的數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲能力,對于提升計算機系統(tǒng)的整體性能具有重要意義。因此,英偉達作為全球領(lǐng)先的圖形處理器(GPU)制造商,對于HBM4的需求自然不言而喻。

對于SK海力士而言,黃仁勛的這一要求無疑是一項嚴峻的挑戰(zhàn)。然而,作為一家在全球半導體市場中占據(jù)重要地位的企業(yè),SK海力士有望通過自身的技術(shù)實力和創(chuàng)新能力,滿足英偉達的這一需求。

綜上所述,英偉達向SK海力士提出了提前供應HBM4芯片的要求,這既體現(xiàn)了英偉達對于高性能內(nèi)存芯片的迫切需求,也展示了SK海力士在全球半導體市場中的重要地位。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    452

    文章

    50165

    瀏覽量

    420589
  • 計算機
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    7346

    瀏覽量

    87621
  • 英偉達
    +關(guān)注

    關(guān)注

    22

    文章

    3718

    瀏覽量

    90646
  • SK海力士
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    941

    瀏覽量

    38392
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    HBM3E量產(chǎn)后,第六代HBM4要來了!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn),HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā),從規(guī)格標準到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進展,原本SK
    的頭像 發(fā)表于 07-28 00:58 ?4742次閱讀
    <b class='flag-5'>HBM</b>3E量產(chǎn)后,第六代<b class='flag-5'>HBM4</b>要來了!

    英偉加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器

    日,英偉(NVIDIA)的主要高帶寬存儲器(HBM供應商南韓SK集團會長崔泰源透露,英偉
    的頭像 發(fā)表于 11-05 14:22 ?199次閱讀

    HBM4需求激增,英偉SK海力士攜手加速高帶寬內(nèi)存技術(shù)革新

    董事長崔泰源透露,英偉公司首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出請求,希望其能提前六個月
    的頭像 發(fā)表于 11-05 14:13 ?174次閱讀

    英偉加速推進HBM4需求,SK海力士等存儲巨頭競爭加劇

    韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭
    的頭像 發(fā)表于 11-04 16:17 ?366次閱讀

    SK海力士攜手臺積電,N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存

    在半導體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標志著SK
    的頭像 發(fā)表于 07-18 09:47 ?588次閱讀

    SK海力士探索無焊劑鍵合技術(shù),引領(lǐng)HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)

    在半導體存儲技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中,SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正積極探索前沿技術(shù),以推動高帶寬內(nèi)存(HBM)的進一步演進。據(jù)最新業(yè)界消息,
    的頭像 發(fā)表于 07-17 15:17 ?683次閱讀

    英偉、臺積電與SK海力士攜手,2026年量產(chǎn)HBM4內(nèi)存,能效顯著提升

    科技行業(yè)持續(xù)AI時代邁進的浪潮中,英偉、臺積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項重大合作,旨在通過組建“三角聯(lián)盟”共同推進下一代高帶寬內(nèi)存(
    的頭像 發(fā)表于 07-15 17:28 ?667次閱讀

    SK海力士HBM4芯片前景看好

    瑞銀集團最新報告指出,SK海力士HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的領(lǐng)軍企業(yè),
    的頭像 發(fā)表于 05-30 10:27 ?672次閱讀

    SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產(chǎn)

    SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術(shù)團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士
    的頭像 發(fā)表于 05-15 11:32 ?754次閱讀

    SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計劃至2025年

    SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議,原本預計
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:10 ?403次閱讀

    剛剛!SK海力士出局!

    在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月英偉
    的頭像 發(fā)表于 03-27 09:12 ?540次閱讀

    SK海力士預計3月量產(chǎn)HBM3E,供貨英偉

    長達半年的嚴格性能評估。據(jù)此,SK海力士計劃在今年3月開始量產(chǎn)這款高頻寬記憶體,以供應英偉作為他們下一代Blackwell系列AI
    的頭像 發(fā)表于 02-25 11:22 ?838次閱讀

    SK海力士擬在美國建廠生產(chǎn)HBM芯片

    韓國存儲芯片巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州投資興建一座先進封裝工廠,專注于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存(HBM芯片。這一舉措旨在與
    的頭像 發(fā)表于 02-06 16:10 ?1153次閱讀

    英偉SK海力士協(xié)調(diào)2025年HBM供應

    據(jù)可靠消息來源透露,英偉SK海力士已開始就2025年第一季度的高帶寬存儲器(HBM供應量進
    的頭像 發(fā)表于 02-01 16:41 ?786次閱讀

    英偉SK海力士和美光支付巨額預付款

    據(jù)報道,英偉為了確保其高性能內(nèi)存(HBM)的穩(wěn)定供應,已經(jīng)采取了積極的措施。為了達到這一目的,英偉
    的頭像 發(fā)表于 01-07 17:37 ?1446次閱讀