MOS替換方法及流程之柵源閾值電壓的mosfet源
1.1VGS_th柵源閾值電壓
?NXP:BUK7510-55AL:
?IRF 3305:
?英飛凌:IPP 80 n06s2-05
1.2與最大柵極限電壓進(jìn)行比較
下表給出了V的計算。-GATEVbat = 16V，不同溫度:
| Vbat = 16 V | |||||
| VGATE | 正常時 | 堵轉(zhuǎn)時 | |||
| TYP | 最大 | 估計Tj | |||
| -40°C | 70 | 84 | 14°C | 16°C | |
| 25°C | 1、48 | 1,59 | 79°C | 81°C | |
| 100°C | 1、14 | 1、22 | 154°C | 156°C |
?NXP:BUK7510-55AL:
?IRF 3305:
?英飛凌:IPP 80 n06s2-05
結(jié)論:
VGSth所有mosfet源的特性都非常接近。關(guān)于計算，柵電壓(V)GATE_max) 總是小于VGSth在所有mosfet中，那么模塊將總是能夠在關(guān)閉狀態(tài)下開關(guān)MOS(如果MOS沒有損壞)。R33/R86的比例已經(jīng)選得很好。
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原文標(biāo)題：MOS替換方法及流程之柵源閾值電壓
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