柵極電流流過(guò)。但柵極的正電壓會(huì)將其下面P區(qū)中的空穴推開，而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面
當(dāng)UGS大于UT（開啟電壓或閾值電壓）時(shí)，柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過(guò)空穴濃度，使P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電。
2018-03-15 15:46:10
27467 
74HC14是施密特觸發(fā)器。正向閾值指輸入端電壓由低變高達(dá)到輸出翻轉(zhuǎn)時(shí)的值。反向閾值指輸入電壓由高到低變化輸出翻轉(zhuǎn)時(shí)的輸入電壓值。正向輸入閾值電壓是輸入大于這個(gè)電壓時(shí)，輸出為低電平。反向輸入閾值電壓是輸入低于這個(gè)電壓時(shí)，輸出為高電平。
2018-10-24 09:30:3616608 
本文基于仿真和實(shí)驗(yàn)方法，開展了 100VN 溝槽 MOSFET 的設(shè)計(jì)研究工作。通過(guò)溝槽深度，體區(qū)注入劑量和柵氧化層厚度拉偏，獲得了對(duì)擊穿電壓，閾值電壓和導(dǎo)通電阻的影響規(guī)律并對(duì)機(jī)理進(jìn)行了分析，仿真
2022-10-08 09:48:306530 由閾值電壓的公式可看出，閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關(guān)，所以在設(shè)計(jì)中把它當(dāng)成一個(gè)常數(shù)。 當(dāng)器件尺寸不斷縮小時(shí)，此模型不再精確，閾值電壓與L、W和VDS有關(guān)。
2023-02-13 10:35:291269 
碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩(wěn)定性相對(duì)Si材料來(lái)講，是比較差的，對(duì)應(yīng)用端的影響也很大。
2023-05-30 16:06:181175 
當(dāng)電路工作時(shí)，電阻R兩端的電壓會(huì)隨著流過(guò)的電流的增加而升高，但是由于耗盡型MOSFET的亞閾值特性，其最大電壓值不會(huì)超過(guò)對(duì)應(yīng)電流下的閾值電壓，即V R_MAX =|V TH |。因此在該條件下，上述應(yīng)用可以作為恒流源給IC供電。
2023-11-07 14:39:44470 
本文介紹了MOSFET的物理實(shí)現(xiàn)和操作理論。MOSFET由NMOS和PMOS構(gòu)成，有截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。圖示了NMOS和PMOS的物理結(jié)構(gòu)，以及針對(duì)不同驅(qū)動(dòng)電壓的電流-電壓曲線。還討論了飽和區(qū)的細(xì)節(jié)，展示了NMOS和PMOS的漏極電流與漏極-源極電壓之間的關(guān)系。
2023-11-15 09:30:471436 
ARK（方舟微）研發(fā)的UltraVt ?超高閾值耗盡型MOSFET包括耐壓70V的DMZ0622E系列、耐壓100V的DMZ(X)1015E系列、耐壓130V的DMZ(X)1315E系列、耐壓130V的DMZ(X)1315EL系列等產(chǎn)品。
2023-11-18 16:00:38454 
MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開關(guān)的作用，正是由于上述反型層的機(jī)制
2023-11-29 14:19:08785 
上一節(jié)我們討論了柵極與半導(dǎo)體材料之間的功函數(shù)差，本節(jié)我們討論絕緣層電荷的影響。
2023-11-29 14:21:30630 
分析完閾值電壓的機(jī)制后，下面我們重點(diǎn)分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系。
2023-11-29 14:42:33999 
基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì)，開發(fā)出了短路耐受時(shí)間長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039313 
繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性–柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極
2018-11-28 14:28:20
電荷Qrr和布局的影響。因此，要想抑制這種不必要的導(dǎo)通，需要選擇具備低荷比(QGD/QGS1)的適用同步MOSFET Q2。在QGD/QGS1中，QGD代表柵漏米勒電荷，QGS1代表柵極電壓達(dá)到閾值之前
2019-05-13 14:11:31
MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓是為使MOSFET導(dǎo)通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說(shuō)，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導(dǎo)通。可能有
2019-05-02 09:41:04
的時(shí)間是和米勒平臺(tái)開始的時(shí)間一致？不應(yīng)該是達(dá)到閾值電壓后電流開始上升，一段時(shí)間后電流達(dá)到最大，此時(shí)米勒平臺(tái)才開始嗎？第二個(gè)問(wèn)題是米勒平臺(tái)結(jié)束后，電流Id才達(dá)到最大，不應(yīng)該是米勒平臺(tái)形成的時(shí)候，電流已經(jīng)穩(wěn)定在最大值了嗎？是不是我的電路原理圖或者元件參數(shù)設(shè)置的有問(wèn)題才會(huì)出現(xiàn)這個(gè)情況？
2019-06-04 20:39:14
mosfet沒有上電時(shí)，mosfet驅(qū)動(dòng)電壓很正常，mosfet上電后，mosfet的驅(qū)動(dòng)電壓卻變成了這個(gè)樣子，請(qǐng)問(wèn)這是為什么？
2019-03-05 09:53:17
ADP2386的典型應(yīng)用編程輸入電壓UVLO上升閾值為11 V，下降閾值為10 V，VIN = 12 V，VOUT = 5 V，IOUT = 6 A，fSW = 600 kHz。 ADP2386
2020-05-05 06:47:14
轉(zhuǎn)換，負(fù)載開關(guān)，電機(jī)控制，背光，電池保護(hù)，電池充電器，音頻電路和汽車。推薦產(chǎn)品：BSS138DW-7-F；BSS138-7-FDiodes其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng)點(diǎn)擊此處前往特征：低導(dǎo)通電阻低柵極閾值電壓輸入
2019-05-13 11:07:19
MOSFET。功率MOSFET的無(wú)損保護(hù)是LM9061。通過(guò)電源設(shè)備的電壓降（VDS）持續(xù)監(jiān)測(cè)，并與外部可編程閾值電壓進(jìn)行比較。小電流感應(yīng)電阻與負(fù)載串聯(lián)，導(dǎo)致?lián)p耗保護(hù)電路不需要可用能量。如果VDS電壓
2020-07-14 14:53:05
為什么PMOS的閾值電壓要高于NMOS呢？下面是我用HSPICE仿真的代碼.opt scale=0.1u * Set lambdamp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w
2018-11-15 14:00:50
STM32是3.3V供電的芯片，在用AD的時(shí)候，閾值電壓能否接到0-5V上？
2013-02-28 18:18:59
-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，作為門極；漂移區(qū)普遍采用N型摻雜的半導(dǎo)體來(lái)承受阻斷電壓；門極施加正壓（高于器件閾值電壓）時(shí)，器件導(dǎo)通，通態(tài)電流在漂移區(qū)縱向流動(dòng)。區(qū)別主要在于IGBT在漂移區(qū)背面有P+注入作為集電極
2019-04-22 02:17:17
講解人：魯肅老師（張飛電子學(xué)院高級(jí)工程師）我們現(xiàn)在知道了，只要讓MOSFET有一個(gè)導(dǎo)通的閾值電壓，那么這個(gè)MOSFET就導(dǎo)通了。那么在我們當(dāng)前的這個(gè)電路中，假設(shè)GS電容上有一個(gè)閾值電壓，足可以讓
2021-05-07 10:11:03
和 關(guān)斷電壓，我們把這個(gè)電壓叫做閾值。同樣的，MOSFET也有閾值電壓。MOSFET導(dǎo)通電壓：4.5V 2V 1V。這個(gè)電壓的高低在我們電路中，有多大的作用呢？我們知道了，MOSFET柵源之間是有壓
2021-05-11 17:10:06
，我們也知道，一個(gè)MOSFET的Id電流和Rdson是有一個(gè)條件的，就說(shuō)Vgs電壓，達(dá)到這個(gè)Vgs閾值電壓時(shí)，才能滿足這個(gè)參數(shù)，所以在用這顆管子時(shí)，Vgs電壓至少要高于10V才可以，那么這里可以用12V
2021-08-11 16:34:04
模型并建立篩選機(jī)制來(lái)消除潛在的失效可能***）。除了TDDB外，當(dāng)正常器件使用時(shí)，由于半導(dǎo)體-氧化界面處缺陷的產(chǎn)生或充放電，SiC MOSFET的閾值電壓會(huì)有漂移現(xiàn)象，閾值電壓的漂移可能對(duì)器件長(zhǎng)期運(yùn)行
2022-03-29 10:58:06
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
圖。為了改善某些參數(shù)的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導(dǎo)通電阻、提高開關(guān)特性等有 不同的結(jié)構(gòu)及工藝，構(gòu)成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結(jié)構(gòu)。圖2是一種N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET
2011-12-19 16:52:35
，進(jìn)而使SCR導(dǎo)通。
實(shí)驗(yàn)中：穩(wěn)壓管閾值電壓較大時(shí)SCR可正常導(dǎo)通；但是穩(wěn)壓管閾值小的時(shí)候，SCR始終不通，后端電路一直有漏電流。（如圖所示穩(wěn)壓管閾值電壓為42V）
2023-10-10 08:57:00
:0] 中的值如何映射到電壓。我假設(shè)設(shè)置 ADC_HTR 中的所有 12 位將等于可能的最高閾值電壓，但我們?nèi)绾沃涝?b class="flag-6" style="color: red">電壓是多少？設(shè)置 ADC_LTR 中的所有位是否意味著低閾值盡可能低？還是清除所有 12 位將其設(shè)置為最小值？
2023-01-13 08:05:01
本文重點(diǎn)介紹為電源用高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法?，F(xiàn)在有一種為高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問(wèn)題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導(dǎo)通電
2023-02-27 10:02:15
電壓，低溫）作為最快的一種情況，而把（slow n,slow p,低電壓，高溫）作為最慢的一種情況。但是管子的閾值電壓與溫度成反比，也就是低溫時(shí)管子的閾值電壓會(huì)變高，而使得管子變慢，這就與上面的結(jié)論矛盾
2021-06-24 08:01:38
如果想改變反相滯回比較器的閾值電壓應(yīng)改變哪些參數(shù)呢？
2023-03-24 15:31:42
看到的POR比較常見的結(jié)構(gòu)，第一級(jí)通常是電壓檢測(cè)，比如如下圖結(jié)構(gòu)，當(dāng)左邊由二極管連接的PMOS對(duì)電源電壓進(jìn)行分壓，當(dāng)電源電壓上電到一定值時(shí)，V1達(dá)到右邊反相器的翻轉(zhuǎn)閾值電壓?，F(xiàn)在的問(wèn)題是，當(dāng)在
2021-06-25 07:26:16
的平方而增加。大多數(shù)MOSFET是N溝道增強(qiáng)型，即通常關(guān)斷，需要大約12V的柵極驅(qū)動(dòng)，這很容易由標(biāo)準(zhǔn)IC提供。最小閾值電壓介于 1 至 4 V 之間，可提供高達(dá) 500 V 的 P 溝道增強(qiáng)型MOSFET
2023-02-20 16:40:52
LM311供電為+-12V，VDD為5V，高低閾值電壓怎么計(jì)算呢？
2018-05-30 22:27:26
工程師習(xí)慣性的認(rèn)為：如果VGS尖峰電壓大于功率MOSFET的閾值電壓VTH，下管就會(huì)導(dǎo)通，那么上、下管就會(huì)產(chǎn)生直通，也就是所謂的Shoot Through，從而導(dǎo)致開關(guān)管的損壞。VTH，功率MOSFET
2016-11-08 17:14:57
源極區(qū)，從而降低了擊穿電壓值。如果P-體區(qū)的厚度太大，高摻雜不夠，溝道的電阻和閾值電壓將增大。因此需要仔細(xì)的設(shè)計(jì)P-體區(qū)、epi摻雜和厚度以優(yōu)化其性能。在MOSFET數(shù)據(jù)表中標(biāo)有測(cè)試條件，當(dāng)測(cè)試條件
2023-02-20 17:21:32
MOSFET中的開關(guān)損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測(cè)量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環(huán)境溫度 150 °C 和最佳柵極-發(fā)射極閾值電壓下進(jìn)行測(cè)試（圖
2023-02-22 16:34:53
遲滯比較器的閾值電壓除了由我的電阻參數(shù)設(shè)定 還要其他因素嗎？我做的實(shí)驗(yàn)中顯示我的設(shè)定值與實(shí)際值在某些情況下相差挺大的，我采用的是LM339這款比較器芯片。比如 我設(shè)定的值為VTL=1.5V、VTH=2.5V時(shí)，通過(guò)示波器觀察的到的VTL=2.48V、VTH=3.64V。
2019-04-01 16:51:27
（即施加到柵極的電壓相對(duì)于施加到源極的電壓）達(dá)到某個(gè)特定值（稱為閾值電壓）以上，MOSFET才會(huì)傳導(dǎo)大量電流。您需要確保FET的閾值電壓低于驅(qū)動(dòng)電路的輸出電壓。像通常的物理現(xiàn)象一樣，MOSFET的導(dǎo)
2019-10-25 09:40:30
1中的t1），源極電壓（VGS）正接近MOSFET的閾值電壓，VTH和漏電流為零。因此，在此期間的功率損耗為零。在t2時(shí)段，MOSFET的寄生輸入電容（CISS）開始充電，而漏極電流開始流經(jīng)
2022-11-16 08:00:15
AB類輸出級(jí)精度不高可能有下列幾個(gè)原因：
·柵極閾值電壓變化與VGS溫度系數(shù)變化引起的MOSFET與雙極管間相對(duì)溫度系數(shù)的失配。
·輸出器件與檢測(cè)器件間耦合的延
2009-01-18 22:05:361638 
施密特觸發(fā)器原理及應(yīng)用
我們知道，門電路有一個(gè)閾值電壓，當(dāng)輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時(shí)電路的狀
2010-05-27 09:29:323838 
用電阻噪聲確定一個(gè)低噪聲放大器的特性，由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET 通用方波電路[8]，它是構(gòu)成邏輯門電路的基本單元
2011-09-30 11:08:121469 
在數(shù)／?；旌霞呻娐吩O(shè)計(jì)中電壓基準(zhǔn)是重要的模塊之一。針對(duì)傳統(tǒng)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點(diǎn)，提出一種新的設(shè)計(jì)方案，電路中不使用雙極晶體管，利用PMOS和
2012-10-10 16:38:054694 
面向BTI特征分析的在運(yùn)行中閾值電壓測(cè)量
2017-01-22 13:38:08
7 電壓比較器的輸出電壓與輸入電壓的函數(shù)關(guān)系 U0＝f（uI），一般用曲線來(lái)描述，稱為電壓傳輸特性。電壓傳輸特性的三個(gè)要素：輸出電平、閾值電壓、躍變方向
2017-11-07 10:47:3153915 
閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電壓隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
2017-11-27 17:18:4367572 
本文開始介紹了單限比較器的電路和單限比較器的理論分析及計(jì)算，其次介紹了單限電壓比較器的工作原理，最后介紹了單限比較器閾值的電壓計(jì)算。
2018-02-26 15:58:0264104 
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。關(guān)于計(jì)算，柵電壓(V)GATE_max) 總是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模塊將總是能夠在關(guān)閉狀態(tài)下開關(guān)MOS(如果MOS沒有損壞)。R33/R86的比例已經(jīng)選得很好。
2018-09-23 11:17:007733 由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征，以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性，會(huì)引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異，解釋這些差異與材料本身特性的關(guān)系，評(píng)估其對(duì)應(yīng)用、系統(tǒng)的影響，需要更多的研究及探索。
2018-11-08 16:48:268362 圖3-4是閃存芯片里面存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布函數(shù)，橫軸是閾值電壓，縱軸是存儲(chǔ)單元數(shù)量。其實(shí)在0或1的時(shí)候，并非所有的存儲(chǔ)單元都是同樣的閾值電壓，而是以這個(gè)電壓為中心的一個(gè)分布。讀的時(shí)候采樣電壓值，落在1范圍里面，就認(rèn)為是1；落在0范圍里面，就認(rèn)為是是0。
2018-11-13 15:44:2911001 
一、為什么E-MOSFET的閾值電壓隨著半導(dǎo)體襯底摻雜濃度的提高而增大?而隨著溫度的升高而下降?
【答】E-MOSFET的閾值電壓就是使半導(dǎo)體表面產(chǎn)生反型層(導(dǎo)電溝道)所需要加的柵極電壓。對(duì)于
2019-01-27 10:42:098022 
關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對(duì)其閾值電壓 Vth 的影響，實(shí)際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜，但是也可以有一些簡(jiǎn)化的分析，這里主要還是分析當(dāng)晶體管處在窄溝道和短溝道情況下，MOSFET 耗盡區(qū)的電荷的變化，從而分析其對(duì)晶體管的閾值電壓的作用。
2019-06-18 17:19:4635146 
本文報(bào)道了一個(gè)深入研究的負(fù)閾值電壓不穩(wěn)定性的gan-on-si金屬絕緣體半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管部分凹陷algan?；谝唤M在不同溫度下進(jìn)行的應(yīng)力/恢復(fù)實(shí)驗(yàn)，我們證明：1）在高溫和負(fù)柵偏壓（-10v
2019-10-09 08:00:002 利用一個(gè)簡(jiǎn)單的示波器裝置，研究了由正向柵偏壓引起的gan基金屬絕緣體半導(dǎo)體hemts閾值電壓漂移（vth）的快速動(dòng)力學(xué)。我們發(fā)現(xiàn)，vth的對(duì)數(shù)恢復(fù)時(shí)間依賴性，以前發(fā)現(xiàn)的恢復(fù)時(shí)間從10 ms到1 ms
2019-10-09 08:00:000 本文報(bào)道了algan/gan高電子遷移率晶體管（hemt）在反向柵偏壓作用下閾值電壓的負(fù)漂移。該器件在強(qiáng)pinch-off和低漏源電壓條件下偏置一定時(shí)間（反向柵極偏置應(yīng)力），然后測(cè)量傳輸特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電源如MOSFET，JFET等，因?yàn)槿?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET有個(gè)柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過(guò)閾值電壓（VGS-TH）時(shí)MOSFET才開始導(dǎo)通。
2020-01-29 14:18:0019390 
《工業(yè)級(jí)SiC MOSFET的柵極氧化層可靠性——偏壓溫度不穩(wěn)定性（BTI）》 在正常使用器件時(shí)，由于半導(dǎo)體-氧化層界面處缺陷的產(chǎn)生和/或充放電，SiC MOSFET的閾值電壓可能略有漂移。閾值電壓
2021-01-12 16:09:105064 
AN-680: ADG451/ADG452/ADG453閾值電壓與數(shù)字電壓 VL
2021-03-18 20:33:082 0 1 我們現(xiàn)在知道了，只要讓MOSFET有一個(gè)導(dǎo)通的閾值電壓，那么這個(gè)MOSFET就導(dǎo)通了。那么在我們當(dāng)前的這個(gè)電路中，假設(shè)GS電容上有一個(gè)閾值電壓，足可以讓MOSFET導(dǎo)通，而且電容沒有放電回路
2021-04-23 10:35:588405 
我們現(xiàn)在知道了，只要讓MOSFET有一個(gè)導(dǎo)通的閾值電壓，那么這個(gè)MOSFET就導(dǎo)通了。那么在我們當(dāng)前的這個(gè)電路中，假設(shè)GS電容上有一個(gè)閾值電壓，足可以讓MOSFET導(dǎo)通，而且電容沒有放電回路，不消
2021-05-03 10:39:003187 
接下來(lái)討論低閾值管子的優(yōu)勢(shì)。那么，MOSFET的導(dǎo)通閾值低，它的好處就說(shuō)對(duì)信號(hào)的幅值要求就小了。假設(shè)MOSFET的導(dǎo)通閾值是1V 或者2V，那么一個(gè)3.3V的單片機(jī)就可以搞定了。 那么，我們也知道
2021-08-13 17:09:574546 
，對(duì)應(yīng)的就是開
通電壓和關(guān)斷電壓，我們把這個(gè)電壓叫做閾值。同樣的，MOSFET
也有閾值電壓徹底搞懂MOSFET講解（四）
2021-08-30 19:35:1147 兩個(gè)重要變量（例如閾值電壓和結(jié)溫）之間的現(xiàn)有關(guān)系為變化，因?yàn)橛^察到 Lss' 上的電壓發(fā)生了變化。由于 SiC MOSFET 的開爾文源和電源 Lss' 之間存在寄生電感，最終會(huì)通過(guò)電壓的上升來(lái)反映，因此存在電壓以同步方式突然升高的高端可能性。
2022-08-04 09:42:551502 
為了實(shí)現(xiàn)良好的并聯(lián)設(shè)計(jì)，傳統(tǒng)上選擇 MOSFET——通過(guò)篩選——基于它們的閾值電壓相似，以確保它們同時(shí)導(dǎo)通。然而，屏蔽 MOSFET 會(huì)增加成本和復(fù)雜性，并且仍然容易受到溫度不穩(wěn)定性的影響。因此，考慮到上述問(wèn)題，專用 MOSFET 技術(shù)可以在并聯(lián)應(yīng)用中提供更好的解決方案，而無(wú)需額外的篩選過(guò)程。
2022-08-04 08:59:513293 
Vt roll-off核心是（同一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)下面）閾值電壓與柵長(zhǎng)之間的關(guān)系。當(dāng)溝道長(zhǎng)度比較長(zhǎng)的時(shí)候，Vt值是比較穩(wěn)定的。隨著溝道長(zhǎng)度的減小，閾值電壓會(huì)下降（對(duì)于PMOS而言是絕對(duì)值的下降）。
2022-12-30 15:14:411332 從本文開始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對(duì)電路的可靠性至關(guān)重要。通常情況下，閾值電壓是通過(guò)向溝道區(qū)的離子注入來(lái)調(diào)整的。
2023-02-09 14:26:361147 此外，襯底偏壓也能影響閾值電壓。當(dāng)在襯底和源極之間施加反向偏壓時(shí)，耗盡區(qū)被加寬，實(shí)現(xiàn)反轉(zhuǎn)所需的閾值電壓也必須增加，以適應(yīng)更大的Qsc。
2023-02-09 14:26:381661 nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢(shì)，Cox為晶體管的歐姆容量。
2023-02-11 16:30:149783 
Vt指的是MOS管的閾值電壓（threshold voltage）。具體定義（以下圖NMOS為例）：當(dāng)柵源電壓（Vgs）由0逐漸增大，直到MOS管溝道形成反型層（圖中的三角形）所需要的電壓為閾值電壓。
2023-03-10 17:43:114541 由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同，SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩(wěn)定性，在器件測(cè)試過(guò)程中閾值電壓會(huì)有明顯漂移，導(dǎo)致其電性能測(cè)試以及高溫柵偏試驗(yàn)后的電測(cè)試結(jié)果嚴(yán)重依賴于測(cè)試
2023-05-09 14:59:06853 
如圖，電流分?jǐn)U散電流和漂移電流，工作時(shí)的mosfet電流很大，主要是漂移電流，因此忽略掉擴(kuò)散電流的成分。
2023-05-30 16:02:396185 
碳化硅mosfet有哪些主要參數(shù) 碳化硅MOSFET相關(guān)的主要參數(shù)包括： 1. 閾值電壓（Vth）- 這是MOSFET開啟的電壓。隨著Vth的增加，MOSFET的開關(guān)速度會(huì)變慢。 2. 導(dǎo)通電
2023-06-02 14:09:032010 目錄 ⊙擊穿電壓 ⊙導(dǎo)通電阻 ⊙跨導(dǎo) ⊙閾值電壓 ⊙二極管正向電壓 ⊙功率耗散 ⊙動(dòng)態(tài)特性 ⊙柵極電荷 ⊙dv/dt 能力 盡管分立式功率MOSFET的幾何結(jié)構(gòu)，電壓和電流電平與超大規(guī)模集成電路
2023-06-17 14:24:52591 
8.2.9閾值電壓控制8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.8UMOS的先進(jìn)設(shè)計(jì)∈《碳化硅
2022-03-02 09:27:23531 
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來(lái)取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39989 
如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚閾值電壓對(duì)電池延遲的影響。(注：以下電阻公式是關(guān)于NMOS的。您也可以為PMOS導(dǎo)出類似的公式(只需將下標(biāo)“n”替換為“p”)。
2023-09-07 10:03:59649 
其工作性能和穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)介紹影響MOSFET閾值電壓的因素，包括材料、結(jié)構(gòu)、工藝和環(huán)境等方面。 一、材料因素 1.襯底材料 襯底材料對(duì)MOSFET的閾值電壓有顯著的影響。普通的MOSFET襯底材料為硅晶片，但硅晶片在高溫、高電場(chǎng)下易發(fā)生擊穿，從而降低了閾值
2023-09-17 10:39:446679 為什么亞閾值區(qū)還有電流？為什么亞閾值區(qū)電流飽和條件是Vds是Vt的三四倍以上？ 亞閾值區(qū)是指晶體管工作狀態(tài)下，柵極電壓小于閾值電壓的區(qū)域。在這個(gè)區(qū)域內(nèi)，晶體管會(huì)出現(xiàn)漏電流，造成能量浪費(fèi)和損耗。因此
2023-09-21 16:09:15917 在上述電路中，無(wú)需使用其它DC-DC元件，僅使用一顆耗盡型MOSFET，即可將較高的電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的低電壓給LDO輸入端供電。LDO的輸入電壓Vin與輸出電壓VOUT的關(guān)系滿足：Vin=VOUT+|Vth|
(Vth即DMD4523E在一定電流下的閾值電壓)。
2023-11-08 11:28:26283 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:17223 
是MOSFET的控制電路，它對(duì)于MOSFET的工作狀態(tài)和性能有著重要的影響。以下是關(guān)于MOSFET柵極電路常見的作用以及電壓對(duì)電流的影響的詳細(xì)介紹。 1. 控制MOSFET的導(dǎo)通與截止： MOSFET的柵極電壓決定了通道電流的大小，從而決定MOSFET的導(dǎo)通與截止。當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí)，
2023-11-29 17:46:40571
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