帶隙基準(zhǔn)電壓源核心電路

在電路中雙極晶體管構(gòu)成了電路的核心，實(shí)現(xiàn)了VBE與VT的線性疊加，獲得近似為零溫度系數(shù)的輸出電壓。圖中雙極型晶體管Q1和Q2的發(fā)射區(qū)面積相同，Q3和Q4的發(fā)射區(qū)面積相同，考慮設(shè)計(jì)需求，取Q1和Q2的發(fā)射區(qū)面積為Q3和Q4的發(fā)射區(qū)面積的8倍。帶隙基準(zhǔn)電壓源核心電路:

帶隙基準(zhǔn)電壓源核心電路

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電源電路(64055) 電源電路(64055)
基準(zhǔn)電壓源(20477) 基準(zhǔn)電壓源(20477)

評(píng)論

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2010-08-03 10:51:34

帶隙基準(zhǔn)源的現(xiàn)狀及其發(fā)展趨勢(shì)

在模擬電路和混合模擬電路中,帶隙基準(zhǔn)電路作為一個(gè)很重要的單元,隨著集成電路的發(fā)展和SOC系統(tǒng)的復(fù)雜化,已經(jīng)越來越受到國(guó)內(nèi)外學(xué)者的重視。本文簡(jiǎn)單介紹了傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)源的

2010-07-29 15:48:34

一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)

本文提出了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單高電源抑制比的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源，供電電源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS工藝。Spectre仿真結(jié)果表明，基準(zhǔn)輸出電壓在溫度為-40～+80℃時(shí)，溫度系數(shù)為45.53×10-6/℃

2010-07-14 16:14:36

低壓CM0S帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)

低壓CM0S帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì) 近年來，隨著微電子技術(shù)的迅速發(fā)展，低壓低功耗已成為當(dāng)今電路設(shè)計(jì)的重要標(biāo)準(zhǔn)之一。比如，在一些使用電池的系統(tǒng)

2010-05-12 17:36:54

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低溫漂低功耗的帶隙基準(zhǔn)源技術(shù)設(shè)計(jì)

低溫漂低功耗的帶隙基準(zhǔn)源技術(shù)設(shè)計(jì) 摘要：設(shè)計(jì)一種低溫漂低功耗的帶隙基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，在傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)核心電路結(jié)構(gòu)上增加一對(duì)PNP管，兩個(gè)雙極型晶

2010-04-28 08:59:11

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14位Pipeline ADC設(shè)計(jì)的帶隙電壓基準(zhǔn)源技術(shù)

14位Pipeline ADC設(shè)計(jì)的帶隙電壓基準(zhǔn)源技術(shù) 目前，基準(zhǔn)電壓源被廣泛應(yīng)用與高精度比較器，

2010-04-23 09:42:49

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低電壓帶隙基準(zhǔn)電壓源技術(shù)解決方案

低電壓帶隙基準(zhǔn)電壓源技術(shù)解決方案本文采用一種低電壓帶隙基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。在TSMC0．13μm

2010-04-17 15:41:41

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低壓低功耗CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)及啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)

介紹了一種低壓電流模帶隙電壓基準(zhǔn)電路，并提出了一種新穎的啟動(dòng)電路結(jié)構(gòu)．電路采用預(yù)先設(shè)置電路工作點(diǎn)和反饋控

2010-04-13 08:58:44

一種3ppmoC帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)

采用二級(jí)溫度補(bǔ)償對(duì)傳統(tǒng)電流模式結(jié)構(gòu)的帶隙基準(zhǔn)電壓電路進(jìn)行改進(jìn)，基于chartered 0.35um cmos工藝，使用cadence spectre進(jìn)行仿真，結(jié)果表明工作電壓為2v時(shí)，電路可以輸出100mv—1.8v的寬范

2010-02-23 11:39:54

一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)

本文提出了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單高電源抑制比的CMOS 帶隙基準(zhǔn)電壓源，供電電源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS 工藝。Spectre 仿真結(jié)果表明，基準(zhǔn)輸出電壓在溫度為-40～+80℃時(shí)，溫度系數(shù)為45.53×10-6/

2010-01-11 14:20:43

基于BiCMOS工藝的帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)

電壓基準(zhǔn)是模擬集成電路的重要單元模塊，本文在0.35um BiCMOS 工藝下設(shè)計(jì)了一個(gè)帶隙基準(zhǔn)電壓源。仿真結(jié)果表明，該基準(zhǔn)源電路在典型情況下輸出電壓為1.16302V，在-45℃～105℃范圍

2010-01-11 11:42:05

如何選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源

選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源供稿：美信摘要：電壓基準(zhǔn)源簡(jiǎn)單、穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，作為電路設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵因素，電壓基準(zhǔn)源的選擇需要考慮多方面的問題并作出折衷。本文討

2010-01-08 23:02:30

選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源

選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源摘要：電壓基準(zhǔn)源簡(jiǎn)單、穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，作為電路設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵因素，電壓基準(zhǔn)源的選擇需要考慮多方面的問題并作出折衷。本文討論了

2009-12-07 14:32:23

一種低功耗差動(dòng)CMOS帶隙基準(zhǔn)源

設(shè)計(jì)了一種采用0.6μmCMOS工藝的低功耗差動(dòng)帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。在設(shè)計(jì)中采用兩個(gè)pn結(jié)串聯(lián)結(jié)構(gòu)來減小運(yùn)放失調(diào)電壓的影響，并采用自偏置共源共

2009-09-04 08:57:34

一種采用曲率補(bǔ)償技術(shù)的高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)

本文設(shè)計(jì)了采用曲率補(bǔ)償，具有較高的溫度穩(wěn)定性的高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源。設(shè)計(jì)中沒有使用運(yùn)算放大器，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，且避免運(yùn)算放大器所帶來的高失調(diào)和必須補(bǔ)償?shù)娜毕?。?/div>

2009-08-31 11:29:44

一種低壓低功耗共源共柵帶隙基準(zhǔn)電壓源的實(shí)現(xiàn)

提出了一種低壓低功耗的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路，設(shè)計(jì)基于0.5μm 2P3M BiCMOS Process，并使用了低壓共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)減少了對(duì)電源電壓的依賴，消除了精度與余度之間的矛盾，并用HL50S-

2009-08-22 09:27:53

一種BiCMOS能隙基準(zhǔn)電壓電路

設(shè)計(jì)了一種采用BiCMOS工藝的高精度能隙基準(zhǔn)電壓電路，該基準(zhǔn)電壓源主要用于線性穩(wěn)壓器。在CSMC 0.6um工藝條件下，使用CADAENCE SPECTRE仿真工具進(jìn)行仿真可得溫度在20C～80C變化時(shí)，其輸

2009-08-17 10:10:02

選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源

摘要：電壓基準(zhǔn)源簡(jiǎn)單、穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，作為電路設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵因素，電壓基準(zhǔn)源的選擇需要考慮多方面的問題并作出折衷。本文討論了不同類型的電壓基準(zhǔn)源以及它們的關(guān)鍵

2009-05-06 09:29:30

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選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源

2009-05-03 14:42:34

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選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源

2009-04-27 11:12:06

精密基準(zhǔn)方波基準(zhǔn)電壓源電路圖

精密基準(zhǔn)方波基準(zhǔn)電壓源電路圖

2009-04-15 09:00:27

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帶隙基準(zhǔn)電路的研究

本文闡述了Banba 和Leung 兩種基本帶隙基準(zhǔn)電壓源電路的工作原理，分析了Leung結(jié)構(gòu)對(duì)于Banba 結(jié)構(gòu)改進(jìn)的方法，分別對(duì)兩個(gè)電路的參數(shù)進(jìn)行了設(shè)計(jì)，并仿真其性能，由此來比較了

2009-03-11 17:28:36

選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源

選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源摘要：電壓基準(zhǔn)源簡(jiǎn)單、穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，作為電路設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵因素，電壓基準(zhǔn)源的選擇需要考慮多方面的問題并作出

2009-01-23 22:03:12

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帶隙基準(zhǔn)電壓源核心電路

評(píng)論