產(chǎn)品組合，旨在提高電子系統(tǒng)的靈活性和重復(fù)利用能力。其中一款GPIO擴(kuò)展器NCA9595采用可通過(guò)寄存器配置的內(nèi)部上拉電阻，可根據(jù)實(shí)際需要自定義以優(yōu)化功耗。當(dāng)需要擴(kuò)展I/O數(shù)量時(shí)，利用該產(chǎn)品組合可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)潔的設(shè)計(jì)，同時(shí)盡可能減少互連。這有助于設(shè)計(jì)工程師增添新功能，而且不會(huì)增加
2023-04-28 10:37:19
612 
字符，這樣就編譯不過(guò)去了，提示在lcd.c中重
新定義 White0[]，怎么
定義呀？？？？？提前謝謝大家?guī)兔Γ。?/div>
2014-12-24 20:25:58
對(duì)MOSFET的重要設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行介紹。 1. 功率損耗MOSFET的功率損耗主要受限于MOSFET的結(jié)溫，基本原則就是任何情況下，結(jié)溫不能超過(guò)規(guī)格書(shū)里定義的最高溫度。而結(jié)溫是由環(huán)境溫度和MOSFET自身的功耗決定
2018-07-12 11:34:11
速度。更能說(shuō)明器件實(shí)際開(kāi)關(guān)速度的是器件的柵極電荷參數(shù)和內(nèi)部柵極電阻，Rg，這兩個(gè)參數(shù)幾乎不受這些技術(shù)指針差距 (specmanship) “游戲”的影響。圖2：定義MOSFET數(shù)據(jù)表開(kāi)關(guān)時(shí)間的波形
2018-09-05 09:59:06
MOSFET簡(jiǎn)介MOSFET的一些主要參數(shù)MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2021-03-04 06:43:10
什么是MOSFET管？由哪幾部分組成？MOSFET的主要參數(shù)是什么？如何選型？
2022-02-23 06:57:53
。推薦產(chǎn)品：BCP56-16,115；BCX56-16,115Nexperia其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：大電流三種電流增益選擇高功耗能力裸露的散熱器具有出色的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性（SOT89
2020-03-11 17:20:01
的工作環(huán)境，由于其額定溫度為+175°C，因此非常適合用于要求高溫的環(huán)境。Nexperia汽車(chē)用MOSFET具有額定重復(fù)性雪崩，開(kāi)關(guān)速度非常快，ESD電阻高。Nexperia MOSFET采用先進(jìn)的業(yè)界領(lǐng)先
2021-01-23 11:20:27
通常為 36V；最大充電電壓為 42 V。額定擊穿電壓介于 45 V 和 52.5 V 之間的 MOSFET 可提供至少 80% 的降額。然而，在這些應(yīng)用中通常使用 60 V MOSFET，因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">提供了
2022-10-28 16:18:03
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下mosfet選型什么參數(shù)優(yōu)先考慮？`
2019-10-29 16:30:15
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
)DSS。它具有正溫度特性。故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮。5、RDS(on)：在特定的VGS（一般為10V）、結(jié)溫及漏極電流的條件下，MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗。它是一個(gè)非常重要
2016-05-23 11:40:20
）其他如板上絲印所示，引出所有未使用到的 IO 管腳
新定義 TBK-RD8T3x 開(kāi)發(fā)板提供了以上各項(xiàng)功能，同時(shí)新定義 TBK-RD8T3x 開(kāi)發(fā)板也提供了豐富的開(kāi)發(fā)板資料，下面給各位朋友列出資料地址
2023-09-24 22:28:07
。
產(chǎn)品資料
新定義TBK-RD8T3x應(yīng)用資料.rar
包含TBK-RD8T37x開(kāi)發(fā)板原理圖、開(kāi)發(fā)板板載觸控demo、開(kāi)發(fā)板使用指南
KEIL 插件RD_KEIL_Setup.rar
安裝以后在
2023-09-24 22:38:03
AD16 PCB重新定義板型時(shí)沒(méi)有Redefine BoardShape，求指導(dǎo)
2017-05-14 16:05:02
的推出，為業(yè)界提供了最佳功率密度和低傳導(dǎo)損耗。FDMC8010采用飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench技術(shù)，非常適合要求在小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)最低RDS(ON)的應(yīng)用，包括：高性能DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)
2012-04-28 10:21:32
，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。然而，近年來(lái)，這些已取得的進(jìn)步開(kāi)始逐漸弱化，為下一個(gè)突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
范圍內(nèi)，OptiMOS 3器件不僅具備同類(lèi)最佳性能，而且同時(shí)在幾個(gè)重要參數(shù)上取得了改善。這種全新的器件具備較低的柵極電荷特性、較高的開(kāi)關(guān)速度和良好的抗雪崩性能，從而成為眾多開(kāi)關(guān)電源（SMPS）產(chǎn)品的理想之
2018-12-07 10:21:41
;  MOSFET的規(guī)格書(shū)中，通常會(huì)給出MOSFET的特性參數(shù)，如輸出曲線、輸出電壓、通態(tài)電阻RDS(ON)、柵極閥值電壓VGS(TH)等。在選擇MOSFET時(shí)，需要根據(jù)電路
2010-08-10 11:46:47
HSI_VALUE 值為 4000000，它被重新定義為編譯器指令：-mcpu=cortex-m0plus -std=gnu11 -g3 -DDEBUG -DSTM32L031xx
2022-12-13 06:07:18
各位大神，有沒(méi)有經(jīng)典的MOSFET，所給的說(shuō)明書(shū)里，能提供襯底摻雜濃度這樣的信息？ 小弟畢設(shè)要用到這些參數(shù)，奈何市面上很多都沒(méi)有這個(gè)信息。特發(fā)此貼，求大神解答、謝！{:1:}
2014-04-19 22:38:47
提供了詳盡的文檔資料，包括技術(shù)規(guī)格、硬件設(shè)計(jì)指南、開(kāi)發(fā)指南等。這些文檔為開(kāi)發(fā)者提供了必要的技術(shù)支持和參考資料，有助于更深入地了解NBK-RD8x3x的功能和使用方法。
總結(jié)
綜上所述，新定義mcu
2023-09-24 22:11:00
MOSFET技術(shù)的過(guò)程中，以往常見(jiàn)以QG和QGD(即RDS(on)×QG和RDS(on)×QGD)為基礎(chǔ)的因子(FOM)已無(wú)法滿足需求，若堅(jiān)持采用固定因子，將可能導(dǎo)致技術(shù)選擇無(wú)法達(dá)成優(yōu)化。通過(guò)此次分析的啟示
2019-07-04 06:22:42
。MOSFET數(shù)據(jù)表的第二部分提供器件的電氣特性。每個(gè)參數(shù)被定義為一組特定的測(cè)試條件，并顯示器件的典型值、最小值和最大值。數(shù)據(jù)表的第三部分包含一組典型的性能曲線，描繪器件在多種條件下包括電壓、電流
2018-10-18 09:13:03
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時(shí)候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過(guò)漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
單片機(jī)中宏定義與重新定義數(shù)據(jù)類(lèi)型（typedef）區(qū)別，并且各自的優(yōu)勢(shì)（初學(xué)單片機(jī)）eg:#define SKY unsigned chartypedef unsigned char SKY
2012-08-27 20:21:25
在AD14中如何在重新定義板子形狀時(shí)畫(huà)出圓形的板子，求高手解答
2015-08-17 10:36:16
` 功率MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開(kāi)關(guān)電源，馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來(lái)越廣。通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中，電子工程師對(duì)其的驅(qū)動(dòng)電路以及驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注
2011-09-27 11:25:34
確地控制閾值電壓和柵極電阻分布提供了許多優(yōu)勢(shì)。有幾個(gè)這種性質(zhì)的設(shè)備參數(shù)，其中參數(shù)的絕對(duì)值不如觀察到的參數(shù)變化寬度重要。對(duì)這些分布進(jìn)行更嚴(yán)格的控制將使設(shè)計(jì)人員能夠靈活地在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中做出權(quán)衡，根據(jù)特定
2023-02-27 10:02:15
51單片機(jī)里有引腳重新定義命令***it如：***it LED_G = P1^6 ;在pic里頭要把RA0定義為LED_G呢，請(qǐng)教大俠什么實(shí)現(xiàn)：***it LED_G = RA0； 編譯提示錯(cuò)誤的
2013-11-18 17:34:03
■記者：胥京宇?lèi)?ài)特梅爾公司推出結(jié)合了 USB 控制器和高性能模擬功能的全新AVR微控制器產(chǎn)品，型號(hào)為 ATmega16UA 和 ATmega32U4。雖然電池供電設(shè)備能夠通過(guò)USB連接進(jìn)行充電，然而
2019-06-27 07:20:29
更優(yōu)的雪崩耐量，提高了器件應(yīng)用中的可靠性。同時(shí)，采用自主創(chuàng)新先進(jìn)的多層外延技術(shù)，優(yōu)化了器件開(kāi)關(guān)特性，使其在系統(tǒng)應(yīng)用中具有更好的表現(xiàn)，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更多選擇。 安森德SJ MOSFET優(yōu)勢(shì) 效率高
2023-06-13 16:30:37
請(qǐng)教大神怎樣去重新定義 _write函數(shù)呢？
2021-12-01 07:55:36
請(qǐng)問(wèn)AD21版本如何重新定義板子形狀？
2022-02-07 09:15:27
圖取自NXP / Nexperia發(fā)布的本應(yīng)用筆記。結(jié)論本文回顧了在器件選擇中起著重要作用的低頻MOSFET特性。在下一篇文章中，我們將研究動(dòng)態(tài)參數(shù)，由于它經(jīng)常使用FET代替線性控制器作為開(kāi)關(guān)模式控制器（例如，在開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，LED調(diào)光器，音頻放大器中使用），因此動(dòng)態(tài)參數(shù)在當(dāng)今尤為重要。
2019-10-25 09:40:30
傳感器參數(shù)來(lái)優(yōu)化實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)捕獲提供了三個(gè)技巧。您可能需要監(jiān)控電機(jī)的位置和轉(zhuǎn)速、調(diào)節(jié)電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電站的輸出功率，甚至需要測(cè)量車(chē)輛與其前方停車(chē)間的極近距離。無(wú)論什么應(yīng)用，對(duì)于閉環(huán)系統(tǒng)的安全
2022-11-03 07:33:52
和編譯器并使其工作。他們的最終產(chǎn)品不是芯片。而是系統(tǒng)，他們需要能有效地解決他們的問(wèn)題的東西。你提供的是一種尺寸縮減的帶有大量功能和選項(xiàng)的器件，所以你需要滿足每個(gè)人的需求，從最高級(jí)的用戶到開(kāi)發(fā)一次性產(chǎn)品
2018-01-10 15:45:47
Diodes推出為VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)一種更堅(jiān)固的解決方案，極大地降低了電路的復(fù)雜性
2009-12-03 09:50:37764 Diodes針對(duì)VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET，可極大降低成本
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)一種更堅(jiān)固的解決方案，極大地降低了電路
2009-12-04 08:33:09626 飛兆UniFET II MOSFET優(yōu)化消費(fèi)產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器
2011-02-09 10:53:02936 2015年2月4日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 宣布推出了四款全新SIMPLE SWITCHER? 超小型電源模塊。這幾款模塊重新定義了應(yīng)用于較小空間的電源設(shè)計(jì)。
2015-02-04 11:06:321266 通過(guò)高壓創(chuàng)新重新定義電源管理，感興趣的可以瞧一瞧。
2016-11-16 15:22:12
1 ？MultiTasking Once More（重新定義多任務(wù)），表明360手機(jī)N5將會(huì)在多任務(wù)處理上，進(jìn)行更多的改進(jìn)和優(yōu)化，360手機(jī)覺(jué)得要通過(guò)“重新定義多任務(wù)管理”，令用戶的體驗(yàn)更加出彩。
2017-02-20 16:49:142070 中國(guó)北京2017年6月6日訊 – 全球領(lǐng)先的測(cè)量解決方案提供商——泰克科技公司再次突破創(chuàng)新障礙，基于全新平臺(tái)推出5系列混合信號(hào)示波器（MSO）。為了更好地滿足現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，5系列MSO融入大量
2017-06-06 17:43:261146 智能家居新定義有兩個(gè)變化：增加了人工智能技術(shù)、明確了營(yíng)造個(gè)性化的智慧健康場(chǎng)景這一功能需求。
2018-08-08 16:41:34668 3月12日，TCL 2019春季發(fā)布會(huì)在上海1933老場(chǎng)坊拉開(kāi)帷幕，夢(mèng)想之家T-HOME第四個(gè)成員TCL X10洗衣機(jī)全球耀世發(fā)布，3月14日X10洗衣機(jī)亮相2019AWE，驚艷四座，引發(fā)重磅關(guān)注。X10洗衣機(jī)打破傳統(tǒng)洗衣概念，將免污帶入洗衣行業(yè)，全新定義洗衣機(jī)，走向高端家電市場(chǎng)。
2019-03-25 13:46:011399 有一個(gè)共同的用戶界面所有的工具在你的設(shè)計(jì)過(guò)程聽(tīng)起來(lái)像一個(gè)好主意,但是你會(huì)使用Microsoft?Excel寫(xiě)一本書(shū)嗎?更好的方法是優(yōu)化的用戶界面手頭的任務(wù)。墊提供特定于任務(wù)的用戶界面,這樣你可以盡可能高效地交付高質(zhì)量的產(chǎn)品。
2019-10-10 07:02:002918 總部位于荷蘭的分立和 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia公司今日推出一款全新高質(zhì)量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功率汽車(chē)雙極晶體管（符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
2019-12-03 09:32:352721 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。
2020-05-09 11:07:263164 ，部分供應(yīng)商和制造商。 嵌入式世界今天，PCB設(shè)計(jì)軟??件的全球領(lǐng)導(dǎo)者altium宣布推出新的基于云的應(yīng)用程序，該應(yīng)用程序重新定義了設(shè)計(jì)師之間共享印刷電路板設(shè)計(jì)的方式，部分供應(yīng)商和制造商。！ 由Altium 365云平臺(tái)提供支持的A365 Viewer是一種全新的創(chuàng)新方式，
2020-10-27 09:57:461558 本應(yīng)用筆記介紹了IXYS功率MOSFET數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義。本文檔介紹了基本額定值和特性，例如溫度，能量，機(jī)械數(shù)據(jù)以及電流和電壓額定值。它還簡(jiǎn)要介紹了數(shù)據(jù)手冊(cè)中包含的圖形以及功率MOSFET
2021-05-26 14:52:161508 
高通5G芯片在5G領(lǐng)域占據(jù)著重要地位，每一款高通5G芯片都成為市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn)。第三代高通5G芯片驍龍888，采用了全新半導(dǎo)體制程、全新處理器架構(gòu)的高通5G芯片重新定義了“旗艦機(jī)型”性能和體驗(yàn)，一經(jīng)推出，便熱度不斷。
2020-12-21 14:43:501996 Alitum中如何將原有默認(rèn)的板框刪除或重新定義板框
2020-12-24 09:25:390 等……諸多蘋(píng)果造車(chē)的信息引發(fā)股市、車(chē)企、ICT產(chǎn)業(yè)的廣泛關(guān)注。蘋(píng)果重新定義了智能手機(jī)，現(xiàn)在蘋(píng)果要造車(chē)，會(huì)重新定義汽車(chē)嗎？蘋(píng)果會(huì)顛覆誰(shuí)？又會(huì)給未來(lái)車(chē)的世界帶來(lái)怎樣的變革？
2020-12-29 09:26:201901 重新定義ADC在無(wú)線領(lǐng)域的角色
2021-05-26 16:23:081 搜芯易今天宣布，它從知名半導(dǎo)體企業(yè)Nexperia獲得原廠正式授權(quán)代理，可在全球范圍內(nèi)銷(xiāo)售Nexperia產(chǎn)品。通過(guò)互利共贏的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，Sourceability與Nexperia在全新的全球分銷(xiāo)協(xié)議框架下，進(jìn)一步增強(qiáng)了搜芯易在滿足采購(gòu)用戶需求與提供高質(zhì)量零件的能力，同時(shí)還擴(kuò)大對(duì)元器件市場(chǎng)的洞
2021-07-06 16:10:40279 AD pcb設(shè)計(jì)規(guī)則檢查報(bào)錯(cuò)Silk To Solder Mask Clearance Constraint問(wèn)題：新版本沒(méi)有“重新定義板子形狀”解決軟件版本Altium Designer
2021-12-04 16:51:050 Nexperia今天宣布，其位于德州達(dá)拉斯的全新設(shè)計(jì)中心正式啟動(dòng)。值此成為獨(dú)立實(shí)體五周年之際，這一舉措標(biāo)志Nexperia朝著2030年成為全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)的既定目標(biāo)又邁出了重要的一步。
2022-03-25 09:13:241015 
基本半導(dǎo)體專(zhuān)家Nexperia今天宣布為其 MOSFET 器件發(fā)布新的增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為其 MOSFET 提供仿真模型，但這些模型通常只包含在典型工作溫度下建模的有限數(shù)量的器件參數(shù)
2022-03-28 09:56:054259 Nexperia全新POWER MOSFET工程師設(shè)計(jì)指南 認(rèn)識(shí)理解功率 MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的參數(shù) 功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩強(qiáng)度限值 RC 熱阻模型的使用 基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設(shè)
2022-04-07 11:40:220 揚(yáng)杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用先進(jìn)的SGT （Shield Gate Trench MOSFET） 制程工藝，針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS等應(yīng)用設(shè)計(jì)，優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時(shí)，提升MOSFET抗沖擊電流能力。
2022-04-08 15:01:341688 
超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護(hù)器件，如今更進(jìn)一步，Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運(yùn)用到MOSFET產(chǎn)品
2022-07-06 16:13:22586 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia(安世半導(dǎo)體)今日宣布MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個(gè)工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。
2022-09-21 00:08:34704 TI全新Sitara?? AM2x系列重新定義MCU，處理能力相比現(xiàn)有器件提高10倍
2022-10-28 12:00:090 通過(guò)高壓創(chuàng)新 重新定義電源管理
2022-11-02 08:16:230 全面優(yōu)化12V熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用中控制浪涌電流的RDS(on)和SOA ? 奈梅亨， 2022 年 11 月 18 日： 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布擴(kuò)展其適用于熱插拔
2022-11-18 10:32:58399 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)展其適用于熱插拔和軟啟動(dòng)的 ASFET 產(chǎn)品組合，推出 10 款全面優(yōu)化的 25V 和 30V 器件。新款器件將業(yè)內(nèi)領(lǐng)先
2022-11-21 16:11:38646 重新定義零售體驗(yàn)——RF技術(shù)的四大機(jī)遇
2022-12-26 10:16:19692 
使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)
2022-12-29 10:02:53785 
邊緣計(jì)算如何重新定義 IIoT 應(yīng)用程序
2023-01-03 09:45:08455 
針對(duì)空間非常緊湊的功率MOSFET應(yīng)用而言，3x3封裝是理想的尺寸。因此，在Nexperia的MOSFET產(chǎn)品序列中，采用了非常可靠的高性能LFPAK33封裝。Nexperia開(kāi)發(fā)了MLPAK33，它是一款功率MOSFET封裝，與業(yè)界聞名的DFN3333封裝保持管腳兼容性，提供給客戶另外一個(gè)選項(xiàng)。
2023-02-08 09:18:00243 、可靠的線性模式性能、增強(qiáng)保護(hù)或EMI特性等。突然之間，一系列全新的MOSFET參數(shù)（例如安全工作區(qū)域(SOA)）已經(jīng)成為某個(gè)特定應(yīng)用的關(guān)鍵參數(shù)。而優(yōu)化這些參數(shù)通常會(huì)對(duì)歷來(lái)很重要的參數(shù)產(chǎn)生直接負(fù)面影響。
2023-02-08 09:22:39590 用于功率 MOSFET 的 SPICE 和 VHDL-AMS 中的 Nexperia 精密電熱模型-AN90034
2023-02-09 21:43:380 MOSFET 和 GaN FET 應(yīng)用手冊(cè)-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1625 NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET 中的最大連續(xù)電流-AN90016
2023-02-17 19:38:100 Nexperia（安世半導(dǎo)體）的高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，共將分為（上）（下）兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品及封裝等
內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia（安世半導(dǎo)體）氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝
2023-02-22 15:40:430 超重載AGV領(lǐng)域全新一代單只載荷20T“神獸級(jí)”舵輪-讓鳳凰動(dòng)力重新定義“精工制造”
2023-03-03 14:23:40970 
【工業(yè)實(shí)踐干貨分享】AI2.0時(shí)代，工業(yè)視覺(jué)正被重新定義
2023-04-12 13:40:11876 
Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專(zhuān)用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專(zhuān)用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 重新定義連接-物聯(lián)網(wǎng)卡流量池解決方案
2023-09-22 10:11:16272 Nexperia ASFET 是定制器件。經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可用于特定的設(shè)計(jì)和 IU。通過(guò)專(zhuān)注于對(duì)某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù)，它提供全新性能水平，從而最好地滿足系統(tǒng)要求。
2023-11-02 16:07:45292 
) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。 三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車(chē)、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)
2023-11-14 10:06:00101 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADC中的集成式容性PGA:重新定義性能.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 10:40:390 Nexperia 適用于 36V 電池系統(tǒng)的特定應(yīng)用 MOSFET
2023-11-30 11:47:40251 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia NEH2000BY 能量采集 PMIC產(chǎn)品手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-08 16:57:380 全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Nexperia（安世半導(dǎo)體）最近發(fā)布了全新的專(zhuān)用于監(jiān)測(cè)和保護(hù)1.8V電子系統(tǒng)的4通道和8通道模擬開(kāi)關(guān)系列產(chǎn)品。這一創(chuàng)新系列產(chǎn)品的推出，旨在滿足汽車(chē)、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用等多樣化領(lǐng)域?qū)Ω咝阅苣M開(kāi)關(guān)的需求。
2024-03-11 10:08:3582 
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