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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>現(xiàn)貨推薦 | Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET

      現(xiàn)貨推薦 | Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET

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      2020-11-11 17:30:28

      50N06 60V/50A 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)MOS管 TO-252 HN50N06

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      2020-07-31 14:38:46

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      60V耐壓MOS惠海半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)MOS管6A/60V N溝道 06N06貼片SOT23-3

      `型號(hào):HC080N06LS【06N06】絲?。篐C606參數(shù)：60V 6A 類型：N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 溝槽型內(nèi)阻72mR低結(jié)電容435pF 封裝：SOT23-3低開(kāi)啟電壓1.8V廣泛用于車燈照明、車載電子、電動(dòng)車應(yīng)用、LED去頻閃、LED升降壓照明、太陽(yáng)能源。`
      2021-03-08 17:11:36

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      關(guān)于MOSFET不同溝道和類型的問(wèn)題

      N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
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      2014-04-02 16:25:18

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      ，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個(gè)普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設(shè)計(jì)工
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      2012-11-26 09:28:421014

      Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

      日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
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      Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

      MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源提供
      2017-02-10 15:10:111667

      Vishay推出輸入電壓為4.5V～60V的新款2A～10A器件---SiC46X

      Vishay推出輸入電壓為4.5V～60V的新款2A～10A器件---SiC46X，擴(kuò)充其microBUCK同步降壓穩(wěn)壓器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分節(jié)省空間，在小尺寸
      2018-05-21 10:56:001893

      NP50P06D6(60V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)

      NP50P06D6(60V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
      2022-07-13 10:49:341560

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMX700CN

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMX700CN
      2023-02-09 18:50:560

      60V,雙N溝道溝槽 MOSFET-2N7002HS

      60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HS
      2023-02-14 19:22:520

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HW

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HW
      2023-02-15 18:43:580

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H
      2023-02-15 18:44:250

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV164ENE

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV164ENE
      2023-02-15 18:45:180

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV37ENE

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV37ENE
      2023-02-15 18:46:070

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMN37ENE

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN37ENE
      2023-02-15 18:46:540

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-NX6008NBKW

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX6008NBKW
      2023-02-15 19:51:260

      60V,雙N溝道溝槽 MOSFET-NX6008NBKS

      60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX6008NBKS
      2023-02-15 19:51:380

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AK

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AK
      2023-02-16 20:08:330

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AKM

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AKM
      2023-02-16 20:25:210

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMN40SNA

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN40SNA
      2023-02-16 20:54:000

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMN55ENEA

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN55ENEA
      2023-02-16 21:17:361

      60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P

      60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
      2023-02-17 18:44:050

      60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP061-60YE

      60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP061-60YE
      2023-02-17 18:45:550

      60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE

      60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE
      2023-02-17 18:46:150

      60V,360mAN溝道溝槽 MOSFET-2N7002P

      60 V、360 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002P
      2023-02-17 19:11:410

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKM

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKM
      2023-02-17 19:40:020

      60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PMV100EPA

      60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMV100EPA
      2023-02-20 19:03:300

      60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P

      60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P
      2023-02-20 19:13:270

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E
      2023-02-20 19:14:442

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002NXBK

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002NXBK
      2023-02-20 19:44:550

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV37ENEA

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV37ENEA
      2023-02-20 19:51:040

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV164ENEA

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV164ENEA
      2023-02-20 19:53:520

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E
      2023-02-20 19:57:030

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E
      2023-02-20 19:57:430

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMN120ENEA

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN120ENEA
      2023-02-20 19:58:020

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMN230ENEA

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN230ENEA
      2023-02-20 19:59:070

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMN40ENA

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN40ENA
      2023-02-20 20:01:240

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E
      2023-02-20 20:03:400

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E
      2023-02-20 20:04:170

      60V,300mAN溝道溝槽 MOSFET-2N7002

      60 V、300 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002
      2023-02-21 19:23:100

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMN230ENE

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN230ENE
      2023-02-21 19:34:560

      60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P

      60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P
      2023-02-22 18:53:020

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMN120ENE

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN120ENE
      2023-02-23 19:04:350

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E
      2023-02-23 19:05:270

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BK

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BK
      2023-02-27 19:07:020

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB55ENEA

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB55ENEA
      2023-02-27 19:12:230

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKW

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKW
      2023-02-27 19:17:360

      60V,雙N溝道溝槽 MOSFET-NX138BKS

      60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKS
      2023-02-27 19:17:510

      60V,雙N溝道溝槽 MOSFET-NX138AKS

      60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AKS
      2023-02-27 19:18:200

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKM

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKM
      2023-03-02 23:00:470

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKMB

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKMB
      2023-03-02 23:01:060

      60V,雙N溝道溝槽 MOSFET-NX7002AKS

      60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002AKS
      2023-03-02 23:01:240

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BSN20BK

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BSN20BK
      2023-03-02 23:02:470

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV55ENEA

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV55ENEA
      2023-03-03 19:33:310

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV450ENEA

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV450ENEA
      2023-03-03 19:34:170

      60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA

      60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA
      2023-03-03 19:34:480

      60V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV120ENEA

      60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV120ENEA
      2023-03-03 19:35:230

      N 溝道 60 V 7.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F(SOT186A)-PSMN7R6-60XS

      N 溝道 60 V 7.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN7R6-60XS
      2023-03-03 20:01:200

      N 溝道 60V,4.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F(SOT186A)-PSMN3R9-60XS

      N 溝道 60 V、4.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN3R9-60XS
      2023-03-03 20:08:570

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