日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:40
1439 超結（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應用領域以來，在400–900V功率轉換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件，我們將在本文中重點介紹其一些性能特性和應用空間。
2023-06-08 09:33:241389 
羅姆于2020年完成開發(fā)的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時間的情況下實現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導通電阻的產(chǎn)品。
2022-03-09 09:33:582652 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
小弟在選擇MOSFET型號，要求耐壓300V左右，Id>7.5A，導通電阻越小越好，哪位大俠給推薦一款,萬分感謝！
2012-08-17 15:19:08
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過的電流占支配低位。為方便從結構角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
導通電阻方面的課題，如前所述通過采用SJ-MOSFET結構來改善導通電阻。IGBT在導通電阻和耐壓方面表現(xiàn)優(yōu)異，但存在開關速度方面的課題。SiC-DMOS在耐壓、導通電阻、開關速度方面表現(xiàn)都很優(yōu)異
2018-11-30 11:35:30
度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。 因此，在相同的耐壓值情況下，SiC可以得到標準化導通電阻（單位面積導通電阻）更低的器件?！ ±?b class="flag-6" style="color: red">900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情況下，SiC可以得到標準化導通電阻（單位面積導通電阻）更低的器件。例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現(xiàn)相同
2019-04-09 04:58:00
對體二極管進行1000小時的直流8A通電測試，結果如下。試驗證明，所有特性如導通電阻，漏電流等都沒有變化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比具有更小的芯片面積和更高的電流密度
2018-11-30 11:30:41
，但由于第三代（3G）SiC-MOSFET導通電阻更低，晶體管數(shù)得以從8個減少到4個。關于效率，采用第三代（3G）SiC-MOSFET時的結果最理想，無論哪種SiC-MOSFET的效率均超過Si IGBT
2018-11-27 16:38:39
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉換、電動汽車、家用電器等高功率應用。但是，在實際應用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結型場效應晶體管（JFET）的形式出現(xiàn)。SemiSouth實驗室遵循JFET方法，因為當時雙極結晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
R-UIS壓力測試循環(huán)后，在關鍵電氣性能（如導通電阻，閾值電壓，擊穿電壓和漏極漏電流）上無法觀察到參數(shù)偏移。也可以通過模擬獲得相關信息。圖5顯示了對MOSFET 施加1600V 的V DS所進行的模擬
2019-07-30 15:15:17
情況下，SiC可以得到標準化導通電阻（單位面積導通電阻）更低的器件。例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現(xiàn)相同
2019-05-07 06:21:55
相比，能夠以具有更高的雜質(zhì)濃度和更薄的厚度的漂移層作出600V～數(shù)千V的高耐壓功率器件。高耐壓功率器件的阻抗主要由該漂移層的阻抗組成，因此采用SiC可以得到單位面積導通電阻非常低的高耐壓器件。理論上
2019-07-23 04:20:21
誤導通的話，將有可能發(fā)生在高邊－低邊間流過直通電流（Flow-through Current）等問題。這種現(xiàn)象是SiC-MOSFET的特性之一–非?？焖俚拈_關引起的。低邊柵極電壓升高是由切換到高邊導
2018-11-30 11:31:17
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢.更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
LPC11C00宣傳頁：業(yè)界首款集成CAN收發(fā)器微控制器解決方案
2022-12-08 07:07:09
%。這對于近年來的APF（全年能效比）來說取得了非常顯著的改善效果。是一款高速trr使開關損耗降低、導通電阻更低使傳導損耗降低、Qg更低使驅動電流降低、而且高速性能更佳的系列新品。逆變器和電機驅動器電路無需
2018-12-04 10:23:36
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車電機控制器
2021-11-10 09:10:42
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
開來，并應用于電纜以將電線與電纜所穿過的環(huán)境隔離開來。 SiC MOSFET可作為1200V，20A器件提供，在+ 15V柵極-源極電壓下具有100mΩ。此外，固有的導通電阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
我在網(wǎng)上一些帖子上面看到，MOS管導通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話就有可能燒壞管子，這是因為線性區(qū)的ID電流較大，同時RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應用手冊，上面提到的導通后RDS都是mΩ級別的，這個也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應該怎么計算呢？
2018-10-25 11:14:39
泛的需求，ROHM還開發(fā)出+40V和+60V耐壓的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，產(chǎn)品陣容已達12款。本系列產(chǎn)品采用ROHM新工藝，實現(xiàn)了業(yè)界超低的導通電阻，±40V耐壓產(chǎn)品的導
2021-07-14 15:17:34
公司也有生產(chǎn)，但是ROHM在推進獨自開發(fā)。此次內(nèi)置的SJ MOSFET不僅實現(xiàn)了650V的高耐壓，還實現(xiàn)了低導通電阻與低柵極電荷，開關速度也非?？臁＿@將大大改善開關即MOSFET的導通損耗與開關損耗。這
2019-04-29 01:41:22
，SiC MOSFET可在更寬的范圍內(nèi)保持低導通電阻。此外，可以看到，與150℃時的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲線斜率均放緩，因而導通電阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
導通電阻，提供出色的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖。 這些器件非常適合于高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正。推薦產(chǎn)品：TSD5N65M；TSU5N65M；TSD5N50MR
2020-04-30 15:13:55
使用，BM6101是一款電流隔離芯片，通過它進行兩級驅動Mosfet管。而驅動的電壓就是通過開關電源調(diào)整得到的電壓，驅動電路還如下圖黃框出提供了死區(qū)調(diào)整的電阻網(wǎng)絡。利用示波器在在這時對柵極源極電壓
2020-06-07 15:46:23
40mR導通電阻Ron的SIC-MOSFET來說，17A的電流發(fā)熱量還是挺大，在實際應用中需要加強散熱才可以。不過，1200V的SIC-MOSFET并不適合做低壓大電流的應用，這里才是48V的測試，屬于
2020-06-10 11:04:53
，MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ，我們希望通過使用新型開關管以提高開關頻率，縮小設備體積，提高效率，所以急需該評估版以測試和深入了解SiC MOS的性能和驅動，望批準！項目計劃1
2020-04-24 18:08:05
項目名稱：特種電源開發(fā)試用計劃：在I項目開發(fā)中，有一個關鍵電源，需要在有限空間，實現(xiàn)高壓、大電流脈沖輸出。對開關器件的開關特性和導通電阻都有嚴格要求。隨著SIC產(chǎn)品的技術成熟度越來越高，計劃把IGBT開關器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
導電溝道越大，則導通電阻越?。坏菛艠O驅動電壓太大的話，很容易將柵極和漏極之間絕緣層擊穿，造成Mosfet管的永久失效；3.為了增加開關管的速度，減少開關管的關斷時間是有必要的；且為了提高Mosfet管
2020-07-16 14:55:31
狀態(tài)之間轉換，并且具有更低的導通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側）與硅
2017-12-18 13:58:36
電氣技師和電子制造工程師用接地導通電阻測試儀驗證電器和消費產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當?shù)剡B接到了其機殼底座。當電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時，如果電器沒有適當?shù)剡B接到已接地的機殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
性能如何？650V-1200V電壓等級的SiC MOSFET商業(yè)產(chǎn)品已經(jīng)從Gen 2發(fā)展到了Gen 3，隨著技術的發(fā)展，元胞寬度持續(xù)減小，比導通電阻持續(xù)降低，器件性能超越Si器件，浪涌電流、短路能力、柵
2022-03-29 10:58:06
{:11:}手頭有個900V，1600W的開關電源，電壓一直升不上去。到底是哪的問題，查不出來。有哪位大神介紹點斬波升壓這方面的資料。
2013-01-17 09:32:42
需要具備非常先進的技術能力才能實現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率?！ D9G341AEFJ的轉換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊
2018-10-19 16:47:06
非常先進的技術能力才能實現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置
2018-12-04 10:10:43
。BD35395FJ-M終端穩(wěn)壓器IC具有低的高側導通電阻和低側導通電阻以及大負載輸出電流能力。該芯片高側和低側導通電阻值典型值均為0.35Ω，輸出電流范圍為-1.0A到1.0A。它的輸入電壓范圍為2.7V至
2019-04-28 05:31:27
CRD-60DD12N，60 kW交錯式升壓轉換器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。該演示板由四個15 kW交錯升壓級組成，每個級使用CGD15SG00D2隔離式柵極驅動板
2019-04-29 09:18:26
測試板?！ 嶒灲Y果： 電流源驅動器和傳統(tǒng)電壓源驅動器板均使用雙脈沖測試進行評估。評估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。兩款器件
2023-02-21 16:36:47
”這個參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉換器的傳遞函數(shù)導出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉換器為基礎，按照同樣步驟來推導。右側電路圖在上次給出的升降壓轉換器簡圖上標出了作為開關的MOSFET的導通電阻
2018-11-30 11:48:22
陣營。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件，可為廣泛大電流電機控制及電源應用提供優(yōu)異的散熱性能?！ ∽畹?b class="flag-6" style="color: red">導通電阻： 兩款最新 80V 及 100V
2018-11-29 17:13:53
怎么實現(xiàn)基于業(yè)界首款Cortex-M33雙核微控制器LPC55S69的電路設計？
2021-06-15 09:14:03
新品發(fā)布|業(yè)界首款！潤開鴻最新推出RISC-V 高性能芯片? OpenHarmony標準系統(tǒng)的智能硬件開發(fā)平臺HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
求推薦一款導通電阻毫歐級別的常閉型固態(tài)繼電器，或者其他的導通電阻很小的也行,不想用電磁繼電器，要求就是常態(tài)下是閉合，給電才導通
2021-01-09 09:50:06
結構SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
` （1）不同耐壓的MOS管的導通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導通電阻除了在選定開關時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
的應用優(yōu)勢優(yōu)于 IGBT?？紤]到所有開關損耗、導通電阻相關傳導損耗和內(nèi)部二極管的正向電壓損耗，基于 SiC MOSFET 的設計比基于 IGBT 的同類設計可節(jié)省約 66% 的損耗（圖 2）。這種效率改進為
2023-02-22 16:34:53
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電阻
2023-04-11 15:29:18
更進一步。其中UF系列的最新產(chǎn)品在1200V和650V器件上的導通電阻達到了同類產(chǎn)品最低，分別小于9毫歐和7毫歐。這些器件具有低損耗體二極管效應以及固有的抗過電壓和短路的能力，與Si-MOSFET或
2023-02-27 14:28:47
方面的所有課題。而且，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，單位面積的導通電阻降低了約30％，實現(xiàn)了芯片尺寸的小型化。另外，通過獨創(chuàng)的安裝技術，還成功將傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體
2019-03-18 23:16:12
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET：SCT2H12NZ（右）的導通電阻與VGS特性比較圖。從比較圖中可以看出，上述IC的柵極驅動電壓在每種MOSFET將要飽和前變?yōu)閂GS。由于該比較不是
2018-11-27 16:54:24
的輸出功率，采用TO-247封裝的C3M0060065D 650V 60mohm SiC MOSFET，為CCM圖騰柱PFC的高頻半橋選擇了并聯(lián)的兩個部分。選擇單個C3M0060065D作為PFC的低頻半
2019-10-25 10:02:58
請問有人知道MOS管作為開關如何仿真在開啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點的導通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結果查看ZM的實部，但是出來的結果如下所示：結果都很小并且打開和關斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
，Si-MOSFET在這個比較中，導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現(xiàn)更佳。平面MOSFET與超級結MOSFETSi-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面
2018-11-28 14:28:53
。與此同時，SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進實現(xiàn)更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
的矛盾?！ 〖幢闳绱?，高壓MOSFET在額定結溫下的導通電阻產(chǎn)生的導通壓降仍居高不下，耐壓500V以上的MOSFET 的額定結溫、額定電流條件下的導通電壓很高，耐壓800V以上的導通電壓高得驚人，導
2023-02-27 11:52:38
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
。本篇將以ROHM的產(chǎn)品陣容及其特征作為SJ-MOSFET的具體案例來進行說明。SJ-MOSFET的種類以ROHM為例，SJ-MOSFET是根據(jù)噪聲、導通電阻、高速性及獨有結構等進行分類的。首先
2018-12-03 14:27:05
黎志遠_業(yè)界首款電流模式LLC AC-DC 控制器 NCP1399
2018-02-01 17:46:50
900 V、65 mΩ、32 A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 通過引入最先進的 SiC MOSFET 技術（業(yè)界首個 900 V MOSFET 平臺）擴大了其在碳化硅
2023-07-28 11:51:18
導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912 羅姆展出了采用溝道構造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于，與普通SiC制SBD相比二極管導通電壓(以下稱導通電壓)較低。溝道型SBD的導通電壓為0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301111 Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1，這是業(yè)界首款在單個半電橋封裝中結合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產(chǎn)品。
2013-06-05 10:17:191224 世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結構的SiC-MOSFET，導通電阻大大降低，有助于工業(yè)設備等大功率設備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:461974 全球SiC領先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場效應晶體管技術，該n溝道增強型功率器件還對高頻電力電子
2016-01-04 17:00:191782 意法半導體 (ST) 同級領先的900V MOSFET晶體管，提升反激式轉換器的輸出功率和能效
2017-09-21 14:45:167390 TI推出業(yè)界首款65nmCort_4MCU系列_Stellaris
2017-09-26 08:51:17
4 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0012629 安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:403728 Charger：OBC）等領域擁有很高的市場份額。此次，導通電阻和短路耐受時間之間取得更好權衡的第4代SiC MOSFET的推出，除現(xiàn)有市場之外，還將加速在以主機逆變器為主的市場中的應用。
2020-06-19 14:21:074198 
對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:12771 ROHM于2015年世界上第一家成功地實現(xiàn)了溝槽結構SiC MOSFET的量產(chǎn)，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754 比較SiC開關的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢，但是這一指標也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2022-11-14 09:05:17663 )(統(tǒng)稱“東芝”)已經(jīng)開發(fā)了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實現(xiàn)低導通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:531070 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
2023-02-08 13:43:211381 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032100 
比較SiC開關的數(shù)據(jù)手冊可能很困難。SiC MOSFET在導通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:56592 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
新產(chǎn)品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLW9N90CZ美浦森高壓MOSFET 900V 9A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 13:48:280 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLW9N90C美浦森高壓MOSFET 900V 9A .pdf》資料免費下載
2022-04-29 13:53:240 可行的解決方案。 首先，讓我們了解一下SIC MOSFET的基本原理和結構。SIC（碳化硅）MOSFET是一種基于碳化硅材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管。相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET，SIC MOSFET具有更高的載流能力、更低的導通電阻和更優(yōu)秀的耐高溫性能，可以應用于高頻、高功率和高溫環(huán)境
2023-12-21 11:15:52272 MOSFET的基本結構。SIC MOSFET是一種由碳化硅材料制成的傳導類型晶體管。與傳統(tǒng)的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的遷移率和擊穿電壓，以及更低的導通電阻和開關損耗。這些特性使其成為高溫高頻率應用中的理想選擇。 SIC MOSFET在電路中具有以下幾個主要的作用： 1. 電源開關
2023-12-21 11:27:13686 新一代900V高性能電驅平臺采用自研面向900V的碳化硅電驅平臺，雙電機冗余設計保證了在惡劣天氣和濕滑路面上的穩(wěn)定行駛，后永磁同步電機在體積更小的情況下提供更強勁的動力輸出。
2023-12-26 10:52:27230 
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316
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