，額定電壓-60V，最大電流-5.3A - 開通電阻為58mΩ(@VGS=10V, VGS=20V) - 門極閾值電壓(Vth)范圍為-1~-3V
2024-03-19 14:20:45
全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
：-30V- 額定電流：-7A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：23mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓（Vth）：-1.37V**封裝：** SOP
2024-02-19 16:30:29
**VBsemi SPP80P06P-H-VB****詳細參數(shù)說明:**- 類型: P溝道場效應(yīng)管 (P-Channel MOSFET)- 額定電壓(VDS): -60V- 最大電流(ID
2024-02-19 14:20:14
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 通電阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V門極閾值電壓(Vth): -1V**詳細參數(shù)說明:**1. **溝道類型:** P—Cha
2024-01-03 11:29:55
): -38A導(dǎo)通電阻(RDS(ON)): 61mΩ @ VGS=10V, VGS=20V門極閾值電壓(Vth): -1.3V**詳細參數(shù)說明:**1. **溝道類型:**
2024-01-02 16:46:12
型號：SI7617DN-VB絲?。篤BQF2309品牌：VBsemi參數(shù)：- 封裝：DFN8(3X3)- 溝道類型：P—Channel溝道- 額定電壓：-30V- 最大電流：-45A- 開態(tài)電阻
2024-01-02 11:58:32
)- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：28mΩ (N溝道) / 51mΩ (P溝道) @ 10V, 34mΩ (N溝道) / 60mΩ (P溝道) @ 4.5V- 閾值電
2023-12-22 10:50:18
型號：SI2307CDS-T1-E3-VB絲?。篤B2355品牌：VBsemi參數(shù)：- 溝道類型：P溝道- 額定電壓：-30V- 最大持續(xù)電流：-5.6A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：47m
2023-12-21 17:08:00
型號：SI4401BDY-T1-E3-VB絲印：VBA2412品牌：VBsemi參數(shù)：- 溝道類型：P溝道- 額定電壓：-40V- 最大持續(xù)電流：-11A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：13m
2023-12-21 16:11:17
型號：RSR025P03TL-VB絲?。篤B2355品牌：VBsemi參數(shù)：- P溝道- 最大耐壓：-30V- 最大電流：-5.6A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V
2023-12-20 15:58:08
型號：FDN338P-NL-VB絲?。篤B2290品牌：VBsemi參數(shù)：- P溝道- 最大耐壓：-20V- 最大電流：-4A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V
2023-12-20 15:12:52
型號：50P06-VB絲?。篤BE2625品牌：VBsemi參數(shù)：- P溝道 MOSFET- 額定電壓：-60V- 最大持續(xù)電流：-50A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：20mΩ @ 10V
2023-12-20 15:07:09
型號：SI4425BDY-T1-E3-VB絲?。篤BA2311品牌：VBsemi參數(shù)：- P溝道- 最大耐壓：-30V- 最大電流：-11A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻：10mΩ @ 10V, 13m
2023-12-20 11:46:33
型號：SI4850DY-T1-E3-VB絲?。篤BA1630品牌：VBsemi參數(shù)：- N溝道- 最大耐壓：60V- 最大電流：7.6A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻：27mΩ @ 10V, 32m
2023-12-20 10:44:08
型號: HM4447-VB絲印: VBA2305品牌: VBsemi參數(shù):- 溝道類型: P溝道- 額定電壓: -30V (負值表示P溝道)- 最大電流: -15A (負值表示P溝道)- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻
2023-12-15 09:44:05
型號：SI2301CDS-T1-GE3-VB絲印：VB2290品牌：VBsemi參數(shù)說明：- MOSFET類型：P溝道- 額定電壓：-20V- 最大電流：-4A- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：57m
2023-12-15 09:20:38
型號：SI2302DS-VB絲?。篤B1240品牌：VBsemi參數(shù)說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：20V- 最大電流：6A- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：24mΩ @ 4.5V
2023-12-14 14:52:04
型號：SI4425DY-T1-E3-VB絲?。篤BA2311品牌：VBsemi參數(shù)：- 溝道類型：P溝道- 額定電壓：-30V- 最大連續(xù)電流：-11A- 靜態(tài)開啟電阻（RDS(ON)）：10m
2023-12-14 14:19:46
型號：SI2347DS-T1-GE3-VB絲?。篤B2355品牌：VBsemi參數(shù)：- 類型：P溝道- 最大耐壓：-30V- 最大電流：-5.6A- 靜態(tài)開啟電阻 (RDS(ON))：47m
2023-12-14 10:43:26
型號：SI2371EDS-T1-GE3-VB絲?。篤B2355品牌：VBsemi參數(shù)：- 類型：P溝道- 額定電壓（Vds）：-30V- 最大持續(xù)電流（Id）：-5.6A- 導(dǎo)通電阻（RDS
2023-12-14 10:40:40
型號: SI2301ADS-T1-GE3-VB絲印: VB2290品牌: VBsemi詳細參數(shù)說明:- 溝道類型: P溝道- 額定電壓: -20V- 最大電流: -4A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS
2023-12-14 10:20:39
型號: SI4465ADY-T1-E3-VB絲印: VBA2309品牌: VBsemi詳細參數(shù)說明:- 溝道類型: P溝道- 額定電壓: -30V- 最大電流: -11A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS
2023-12-14 09:18:55
型號：NCE4606-VB絲?。篤BA5325品牌：VBsemi參數(shù)：- 類型：N+P溝道- 額定電壓（Vds）：±30V- 最大持續(xù)電流（Id）：9A（N溝道） / -6A（P溝道）- 導(dǎo)通電阻
2023-12-13 17:47:59
型號：SI4948BEY-T1-E3-VB絲?。篤BA4658品牌：VBsemi參數(shù)：- 類型：2個P溝道- 額定電壓（Vds）：-60V- 最大持續(xù)電流（Id）：-5.3A- 導(dǎo)通電阻（RDS
2023-12-13 17:35:24
）- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：15mΩ @ 10V (N溝道) / 42mΩ @ 10V (P溝道)- 門源電壓范圍（Vgs）：20V（正負）- 閾值電壓（V
2023-12-13 16:54:39
型號：SI1555DL-T1-GE3-VB絲?。篤BK5213N品牌：VBsemi詳細參數(shù)說明：- 類型：N+P溝道MOSFET- 額定電壓（Vds）：±20V- 額定電流（Id）：2.5A (N
2023-12-13 15:33:24
SI4559EY-T1-E3 (VBA5638)參數(shù)說明：N+P溝道，±60V，正向電流6.5A，反向電流5A，導(dǎo)通電阻28mΩ@10V，34mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，正負閾值電壓
2023-12-13 10:46:20
SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)參數(shù)說明:極性：P溝道；額定電壓：-30V；最大電流：-7A；導(dǎo)通電阻：23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V；門源
2023-12-13 10:26:00
SI3442CDV (VB7322)參數(shù)說明：N溝道，30V，6A，導(dǎo)通電阻30mΩ@10V，40mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓1.2V，封裝：SOT23-6。
2023-12-13 10:18:11
應(yīng)用簡介： Si2399DS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，適用于需要控制電流的應(yīng)用。由于其低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），能有效降低導(dǎo)通損耗，在需要高效能轉(zhuǎn)換
2023-12-13 10:11:37
：SI2333CDS-T1-GE3是一款適用于低電壓、高電流的P溝道MOSFET。其低導(dǎo)通電阻和小封裝適合高效能、小型化的電路。常用于電池供電設(shè)備、小型電子設(shè)備等
2023-12-09 15:05:38
SI2323CDS-T1-GE3 (VB2355)參數(shù)說明：P溝道，-30V，-5.6A，導(dǎo)通電阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1V，封裝：SOT23
2023-12-09 15:03:33
SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)參數(shù)說明：P溝道，-30V，-5.6A，導(dǎo)通電阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1V，封裝：SOT23
2023-12-09 15:02:20
SI2305CDS-T1-GE3 (VB2290)參數(shù)說明：P溝道，-20V，-4A，導(dǎo)通電阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，閾值電壓-0.81V，封裝：SOT23
2023-12-09 14:57:26
SI2305ADS-T1-GE3 (VB2290)參數(shù)說明：P溝道，-20V，-4A，導(dǎo)通電阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，門源電壓范圍12V(±V)，閾值電壓-0.81V，封裝
2023-12-09 14:55:59
SI2302DS-T1-GE3 (VB1240)參數(shù)說明：N溝道，20V，6A，導(dǎo)通電阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，門源電壓范圍8V(±V)，可調(diào)閾值電壓范圍0.45~1V，封裝
2023-12-09 14:53:11
SI2301DS-T1-GE3 (VB2290)參數(shù)說明:極性：P溝道；額定電壓：-20V；最大電流：-4A；導(dǎo)通電阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V；門源電壓范圍：12Vgs
2023-12-09 14:50:12
SI2301BDS-T1-GE3 (VB2290)參數(shù)說明:極性：P溝道；額定電壓：-20V；最大電流：-4A；導(dǎo)通電阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V；門源電壓范圍：12Vgs
2023-12-09 14:48:47
RU20P4C (VB2355)參數(shù)說明：P溝道，-30V，-5.6A，導(dǎo)通電阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1V，封裝：SOT23。應(yīng)用簡介
2023-12-09 14:45:43
IRFR9024NTRPBF (VBE2610N)參數(shù)說明：P溝道，-60V，-38A，導(dǎo)通電阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1.3V，封裝：TO252
2023-12-08 15:25:35
AOD407 (VBE2610N)參數(shù)說明：P溝道，-60V，-38A，導(dǎo)通電阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1.3V，封裝：TO252。應(yīng)用簡介
2023-12-06 13:39:46
AO6801 (VB4290)參數(shù)說明：2個P溝道，-20V，-4A，導(dǎo)通電阻75mΩ@4.5V，100mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，閾值電壓-1.2~-2.2V，封裝：SOT23-6
2023-12-06 12:01:38
AO3423 (VB2290)參數(shù)說明:極性：P溝道；額定電壓：-20V；最大電流：-4A；導(dǎo)通電阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V；門源電壓范圍：12Vgs (±V)閾值電壓
2023-12-06 11:54:41
AO3407 (VB2355)參數(shù)說明：P溝道，-30V，-5.6A，導(dǎo)通電阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1V，封裝：SOT23。應(yīng)用簡介
2023-12-06 11:52:49
AO2301 (VB2290)參數(shù)說明:極性：P溝道；額定電壓：-20V；最大電流：-4A；導(dǎo)通電阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V；門源電壓范圍：12Vgs (±V)閾值電壓
2023-12-06 11:49:17
詳細參數(shù)說明：該型號VBsemi SI4953ADY-T1-E3-VB是一款SOP8封裝的P溝道MOSFET。它具有兩個P溝道，工作電壓為-30V，最大電流為-7A。其在10V下的導(dǎo)通電阻為35m
2023-11-20 17:48:10
型號 ZXMC4559DN8TA-VB絲印 VBA5638品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 N+P溝道
2023-11-15 17:08:55
;-30V 工作電流 -6A 導(dǎo)通電阻 40mΩ（在10V下） 導(dǎo)通電阻 54mΩ（在4.5V下）&nbs
2023-11-15 11:56:53
-30V 額定電流 -5.2A 導(dǎo)通電阻 33mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V 門源
2023-11-15 11:48:58
） -30V 最大持續(xù)電流（Id） -5.6A 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） 47mΩ @ 10V
2023-11-14 10:19:12
額定電壓 -20V 最大電流 -4A 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 57mΩ @ 4.5V,
2023-11-13 17:04:42
額定電壓 20V 最大電流 6A 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 24mΩ @ 4.5V, 3
2023-11-13 10:54:52
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10459 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 ;最大工作電壓 -40V 最大工作電流 -65A 導(dǎo)通電阻 10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V, 20V
2023-11-07 16:40:01
型號 SI9948AEYT1E3絲印 VBA4658品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 極性 2個P溝道 額定電壓 60V 額定電流 5.3A 開通電阻（RDS(ON)） 58m
2023-11-07 10:56:52
型號 20P03絲印 VBE2338品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 26A 開通電阻（RDS(ON)） 33mΩ @ 10V, 46m
2023-11-06 11:24:18
型號 SI4401DDYT1GE3絲印 VBA2412品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 11A 導(dǎo)通電阻 13mΩ@10V, 17m
2023-11-06 11:15:08
型號 SI2323DDST1GE3 絲印 VB2355 品牌 VBsemi 參數(shù) 溝道類型 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 5.6A 導(dǎo)通電阻 47m
2023-11-06 11:02:58
型號 SI2323DST1GE3絲印 VB2355品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 5.6A 導(dǎo)通電阻 47mΩ @10V, 56m
2023-11-06 09:17:31
型號 AOD425A絲印 VBE2317品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 40A 導(dǎo)通電阻 18mΩ@10V, 25mΩ@4.5V
2023-11-03 14:34:40
型號 FDS4435BZNL絲印 VBA2317品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 7A 導(dǎo)通電阻 23mΩ@10V, 29m
2023-11-03 14:04:50
型號 ZXMP6A18DN8TA絲印 VBA4658品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 2個P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 5.3A 導(dǎo)通電阻 58mΩ@10V
2023-11-03 10:44:41
型號 NDS9407NL絲印 VBA2658品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 6A 導(dǎo)通電阻 50mΩ@10V, 61mΩ@4.5V
2023-11-03 10:01:07
型號 SI4920DYT1E3絲印 VBA3316品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 2個N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 8.5A 導(dǎo)通電阻 20mΩ @10V
2023-11-02 15:19:13
型號 FDC6420CNL絲印 VB5222品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 N+P溝道MOSFET 最大耐壓 ±20V 最大電流 7A / 4.5A 導(dǎo)通電阻 20mΩ / 70m
2023-11-02 14:31:58
型號 SI2369DST1GE3絲印 VB2355品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 5.6A 導(dǎo)通電阻 47mΩ@10V, 56m
2023-11-02 10:57:13
Si1553CDLT1GE3詳細參數(shù)說明 極性 N+P溝道 額定電壓 ±20V 額定電流 2.5A (N溝道), 1.5A (P溝道) 導(dǎo)通電阻 130mΩ @ 4.5V (N溝道
2023-11-02 10:26:43
型號 SQD50P0615LGE3絲印 VBE2625品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 50A 導(dǎo)通電阻 20mΩ @10V, 25m
2023-11-02 09:28:15
型號 SI2307DST1GE3絲印 VB2355品牌 VBsemi參數(shù)說明 MOSFET類型 P溝道 額定電壓(VDS)
2023-11-02 09:13:48
型號 SI3911DVT1GE3絲印 VB4290品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 2個P溝道MOSFET 最大耐壓 20V 最大電流 4A 導(dǎo)通電阻 75mΩ @4.5V
2023-11-01 15:46:24
SI2319DST1GE3詳細參數(shù)說明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 5.6A 導(dǎo)通電阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V
2023-11-01 11:30:21
型號 AO4425絲印 VBA2311品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 11A 導(dǎo)通電阻 10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V
2023-11-01 10:37:54
型號 MDD3754RH絲印 VBE2412品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 65A 導(dǎo)通電阻 10mΩ @10V, 13m
2023-10-31 16:14:45
型號 NTR0202PLT1G絲印 VB2290品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 20V 最大電流 4A 導(dǎo)通電阻 57mΩ @4.5V, 83m
2023-10-31 14:13:24
型號 2SJ668絲印 VBE2610N品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 38A 導(dǎo)通電阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
2023-10-30 15:13:18
型號 FR5305絲印 VBE2625品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 50A 導(dǎo)通電阻 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V
2023-10-30 10:03:05
型號 AP4563GH絲印 VBE5415品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 N+P溝道MOSFET 最大耐壓 ±40V 最大電流 50A/50A 導(dǎo)通電阻 15mΩ @10V
2023-10-28 16:06:13
FDG6321C詳細參數(shù)說明 極性 N+P溝道 額定電壓 ±20V 額定電流 2.5A / 1.5A 導(dǎo)通電阻 130mΩ / 230mΩ @ 4.5V, 160mΩ / 280m
2023-10-28 15:25:52
型號 FDD5614P絲印 VBE2610N品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 38A 導(dǎo)通電阻 61mΩ @10V, 72m
2023-10-28 11:48:41
AO6604詳細參數(shù)說明 極性 N+P溝道 額定電壓 ±20V 額定電流 7A / 4.5A 導(dǎo)通電阻 20mΩ / 70mΩ @ 4.5V, 29mΩ / 106mΩ @ 2.5V
2023-10-28 11:38:06
SI1967DH-T1-GE3詳細參數(shù)說明 - 極性 2個P溝道 - 額定電壓 -20V - 額定電流 -1.5A - 導(dǎo)通電阻 230mΩ @ 4.5V, 276mΩ @ 2.5V
2023-10-28 09:49:14
型號 SI2324DS-T1-GE3絲印 VB1102M品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 - 類型 N溝道MOSFET- 最大耐壓 100V- 最大電流 2A- 導(dǎo)通電阻 246m
2023-10-27 17:18:42
最大占空比和PWM頻率的振蕩器。它還具有開機可編程軟啟動時間、短路PMOS關(guān)閉和自動重新啟動保護功能。
特征
?精密反饋參考電壓：0.5V（2%）
?寬電源電壓工作范圍：3.6至20V
?低電流消耗：3
2023-10-19 14:19:01
FP6102 20V、3A降壓開關(guān)調(diào)節(jié)器芯片
一般說明
FP6102是一種用于廣泛工作電壓應(yīng)用領(lǐng)域的降壓開關(guān)調(diào)節(jié)器。FP6102包括高電流P-MOSFET，用于將輸出電壓與反饋放大器進行比較
2023-09-19 14:36:57
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
DMP2007UFG 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP2007UFG 該 MOSFET 的設(shè)計旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻（RDS（ON））并保持卓越的開關(guān)性能，使其非常適合高效率電源管理
2023-09-11 19:37:32
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實際應(yīng)用需要
2023-08-18 08:32:56513 
SiSS23DN P溝道20V(D-S)MOSFET規(guī)格書
特征
? 溝槽場效應(yīng)晶體管?功率場效應(yīng)管
? 低熱阻功率包?
小尺寸和低 0.75 mm 封裝輪廓
? 100
2023-07-25 16:44:16
0 20V N溝道增強型MOS場效應(yīng)管FS8205規(guī)格書
特點
? 專有的先進平面技術(shù)
? 高密度超低電阻設(shè)計
? 大功率、大電流應(yīng)用
? 理想的鋰電池應(yīng)用
? 封裝形式：SOT23-6、TSSOP-8
2023-07-03 15:18:312 PL30502是寶礫微電子推出的20V同步升壓轉(zhuǎn)換器，內(nèi)置柵極驅(qū)動器，可斷開負載。 PL30502集成了兩個低導(dǎo)通電阻功率FET：一個7mΩ的開關(guān)FET和一個7mΩ的整流FET。PL30502
2023-05-30 14:54:09
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項信息。 點擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
并提高可靠性。東芝實驗證實，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212
2023-03-28 22:33:39
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