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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>Diodes 100V MOSFET H橋采用5mm x 4.5mm封裝有效節(jié)省占位面積

Diodes 100V MOSFET H橋采用5mm x 4.5mm封裝有效節(jié)省占位面積

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2021-04-16 06:39:33

緊湊的4 mm×4 mm LFCSP封裝同步降壓DC-DC穩(wěn)壓器

降壓DC-DC穩(wěn)壓器,集成44 mohm高側(cè)功率MOSFET和11 mohm同步整流MOSFET采用緊湊的4 mm×4 mm LFCSP封裝,提供高效率解決方案
2020-05-01 13:36:09

羅姆一體化封裝電源實現(xiàn)1.3mm×0.9mm小型封裝

×0.9mm的小型封裝、電路電流僅40μA的低耗電量,從而在以智能手機(jī)為首的便攜設(shè)備中廣為采用(圖5)。另外,H3REGTM 是實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)的羅姆獨創(chuàng)的控制方式。與電壓模式、電流模式及ON Time
2019-04-07 22:57:55

肖特基勢壘二極管RB068MM100和RB168MM100剖析

和贊許,成為系統(tǒng)IC和最新半導(dǎo)體技術(shù)方面首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)。 RB068MM100和RB168MM100是ROHM公司推出的2款肖特基勢壘二極管。二者的反向峰值電壓均為100V,反向電壓(VR)也均為
2019-07-23 04:20:37

請教QFN24里能放進(jìn)的最大的die面積是多少(2.7x2.7mm可以嗎)

QFN24的封裝圖,一個基島面積是2.8x2.8mm,一個是2.9x2.9mm,可以用嗎?(QFN24B) (QFN24LE)非常感謝。
2016-08-19 14:11:08

麥瑞集成功率MOSFET的高性能DC-DC轉(zhuǎn)換器MIC24085x

/1.8V/2.5V/3.3V/5V  ●輸出電流:3A  ●固定頻率:1MHz  ●工作結(jié)溫:-40℃到125℃  ●面積縮?。?6%  ●峰值效率:90%  ●封裝:16針腳3mm x 3mm MLF
2018-11-29 11:12:37

MOSFET封裝面積減半-Zetex新款無鉛型

MOSFET封裝面積減半-Zetex新款無鉛型Zetex 新款無鉛型 MOSFET占位面積減半模擬信號處理及功率管理方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02484

安華高推出高亮度藍(lán)光和綠光5mm直插型LED燈

安華高推出高亮度藍(lán)光和綠光5mm直插型LED燈   Avago Technologies(安華高科技)今日宣布,推出新系列5mm藍(lán)光和綠光高亮度高性能直插型LED燈,適
2010-01-09 09:26:44952

太陽誘電推出直流重疊特性的5mm角形電感器

太陽誘電推出直流重疊特性的5mm角形電感器 太陽誘電株式會社將兩種5mm角形的繞線型電感器投入生產(chǎn),直流重疊特性達(dá)到行業(yè)最高水平,產(chǎn)品分別
2010-03-22 15:03:24741

Diodes推出超小型DFN1006-3封裝MOSFET

Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積,較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:183330

Diodes推出采用薄型DFN2020-6封裝MOSFET

Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4,離板高度只有0.4毫米,占板面積只有四平方毫米,是一款額定電壓為 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:401838

Diodes新型MOSFET芯片高度減少50%

  Diodes公司近日推出一系列採用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4,離板高度只有0.4mm,面積只有4mm2,是一款額定電壓為 -25V的P通道元件,較同類
2012-05-04 11:34:53926

Diodes直流-直流轉(zhuǎn)換器節(jié)省LED照明應(yīng)用空間

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 為LED照明及通用功率管理應(yīng)用,推出支持升、降壓和電壓反向電路拓?fù)涞奈⑿椭绷?直流轉(zhuǎn)換器。AL8811采用3.0mm x 4.9mm x 1.1mm MSOP-8L封裝,只需少量外部元件,就能有效減少電路占位面積及物料清單成本。
2013-07-24 15:19:151121

Diodes公司推出行業(yè)最小雙極型晶體管

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出行業(yè)首款采用了DFN0806-3微型封裝的小信號雙極型晶體管。這些器件的占位面積為0.48mm2,離板厚度僅0.4mm,面積采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型器件少20%。
2013-08-06 12:26:271220

Diodes MOSFET H橋節(jié)省50%占位面積

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對MOSFET H橋,DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產(chǎn)品通過減少元件數(shù)量及縮減50%的印刷電路板占位面積,簡化電機(jī)驅(qū)動和電感無線充電電路。
2015-03-03 10:43:401459

Diodes DFN2020封裝P通道MOSFET 降低負(fù)載開關(guān)損耗

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設(shè)計小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝,分別
2015-12-16 16:57:431159

Diodes新款邏輯器件采微型封裝,大幅節(jié)省便攜產(chǎn)品空間

關(guān)鍵詞:邏輯器件 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出兩款采用了全球最小封裝形式DFN0808的單門邏輯器件系列74AUP1G及74LVC1G。兩款微型邏輯器件的占位
2018-09-23 12:38:02220

Vishay推出0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET

最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01380

C1301系列4.5mm線對線卡扣連接器的數(shù)據(jù)手冊免費下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是C1301系列4.5mm線對線卡扣連接器的數(shù)據(jù)手冊免費下載
2019-06-19 08:00:000

4.5mm高貼片電解電容封裝規(guī)格說明

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是4.5mm高貼片電解電容封裝規(guī)格說明。
2021-01-07 08:00:001

DN466 - 熱插拔控制器、MOSFET 和檢測電阻器集成在一個 5mm x 3mm DFN 封裝中,以在緊湊狹小的空間提供 準(zhǔn)確的電流限制和負(fù)載電流監(jiān)視

DN466 - 熱插拔控制器、MOSFET 和檢測電阻器集成在一個 5mm x 3mm DFN 封裝中,以在緊湊狹小的空間提供 準(zhǔn)確的電流限制和負(fù)載電流監(jiān)視
2021-03-18 21:25:585

4mm x 7mm 占板面積的 IC 可產(chǎn)生 7 個穩(wěn)定輸出

4mm x 7mm 占板面積的 IC 可產(chǎn)生 7 個穩(wěn)定輸出
2021-03-19 06:09:497

具擴(kuò)展頻譜調(diào)制功能的 17V、4MHz、雙輸出 3.5A 同步 降壓型穩(wěn)壓器降低了 EMI 并采用緊湊型 3mm x 5mm QFN 封裝

具擴(kuò)展頻譜調(diào)制功能的 17V、4MHz、雙輸出 3.5A 同步 降壓型穩(wěn)壓器降低了 EMI 并采用緊湊型 3mm x 5mm QFN 封裝
2021-03-19 08:14:058

采用 3mm x 5mm QFN 封裝的 6A、4MHz、同步降壓型穩(wěn)壓器

采用 3mm x 5mm QFN 封裝的 6A、4MHz、同步降壓型穩(wěn)壓器
2021-03-21 05:15:158

15V、4MHz、同步雙輸出 3A 電流降壓型穩(wěn)壓器采用 4mm x 5mm QFN 封裝

15V、4MHz、同步雙輸出 3A 電流降壓型穩(wěn)壓器采用 4mm x 5mm QFN 封裝
2021-03-21 06:00:377

占位面積為 9mm<sup>2</sup> 并內(nèi)置微功率比較器的獨立鋰離子電池充電器

占位面積為 9mm2 并內(nèi)置微功率比較器的獨立鋰離子電池充電器
2021-03-21 15:22:500

5mm x 5mm 三相 DC/DC 控制器可于高達(dá) 140oC 工作

5mm x 5mm 三相 DC/DC 控制器可于高達(dá) 140oC 工作
2021-03-21 17:14:028

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積
2022-11-02 08:16:250

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩN溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,8.7 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF
2023-02-23 18:42:140

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100V,8.8 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、8.8 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF
2023-02-23 18:44:520

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:040

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF
2023-02-23 18:45:230

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,9 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、9 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF
2023-02-23 18:51:500

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,7 mΩN溝道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF
2023-02-23 18:52:290

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