Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件
2011-05-13 08:44:56
928 Diodes公司推出一對互補性雙MOSFET組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應用
2011-06-24 09:00:341178 Diodes公司（Diodes Incorporated） 推出雙低壓差 （LDO） 穩(wěn)壓器AP7346。新器件專為智能手機、平板電腦和類似的消費電子產(chǎn)品中的指紋辨識模塊提供功率及輸入／輸出電源。
2015-09-14 11:51:00609 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出DMN61D8LVTQ雙通道電感負載驅動器，適用於汽車電感負載開關應用，包括窗戶、門鎖、天線繼電器、螺線管及小型直流電機。片上集成式齊納二極管和偏置電阻器可排除對多個外部元件的需求，有效節(jié)省成本及縮減印刷電路板占位面積。
2015-09-22 09:19:09783 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標準的48V以太網(wǎng)供電 （PoE） 系統(tǒng)的開關，能夠通過以太網(wǎng)線纜向無線接入點、VoIP網(wǎng)絡電話、銷售點終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)絡監(jiān)控鏡頭及樓房管理設備等終端應用供電。
2015-10-19 13:36:16955 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DMN3027LFG 30V N通道MOSFET作為開關使用，確保在現(xiàn)場可編程門陣列 （FPGA） 電源軌上使用的大型大容量
2015-10-27 09:47:591006 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出DMP4015SPSQ 40V P通道MOSFET，旨在為車用電子控制單元提供電池反向保護。電子控制單元在愈來愈多車用控制
2015-11-05 16:08:271176 PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。
2020-04-23 11:05:58799 汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導通功耗，節(jié)省能源，同時增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:071562 4路PWM如何控制電機H橋？
2022-02-17 08:05:03
的技術信息，RDS(ON)不到60mΩ，占位面積5mm × 0.8mm (1.2mm2) （參見圖1），是專為諸如信息娛樂系統(tǒng)等空間受限的應用情況設計的。圖1：CSD18541F5l與網(wǎng)格陣列封裝相比您的那些家用電器采用的SOT-23 (6.75mm2) 封裝（參見圖2…
2022-11-16 07:06:25
`Diodes公司繼續(xù)擴展其功率MOSFET產(chǎn)品組合，采用新型N和P通道器件，擊穿電壓高達450V，并提供多種封裝選擇。 Diodes Inc. MOSFET產(chǎn)品系列非常適合各種應用，包括DC-DC
2019-05-13 11:07:19
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的直流-直流降壓轉換器AP3405針對手機、可穿戴設備及同類型電池供電產(chǎn)品，在輕載和重載的情況下實現(xiàn)高效率。新產(chǎn)品以2MHz
2018-10-09 10:59:43
的元件在實際電路中常采用功率MOSFET管． 由步進電機H橋驅動電路原理可知，電流在繞組中流動是兩個完全相反的方向．推動級的信號邏輯應使
2009-08-20 18:24:15
P,N型晶體管H橋上橋發(fā)熱問題怎么解決
2013-05-12 22:59:18
本文的內容是要告訴大家什么是H橋以及它如何是工作的。我們首先來看馬達是如何轉動的呢？舉個例子：你手里拿著一節(jié)電池，用導線將馬達和電池兩端對接，馬達就轉動了；然后如果你把電池極性反過來會怎么樣呢？沒有
2018-10-10 17:57:33
目前一般將H橋驅動當作電機或步進電機的驅動，如下圖1所示，要做好驅動電路，必須得了解清楚MOSFET的一些原理，才不會出錯。圖1 H橋全橋驅動電機1、單個MOSFET作驅動先來看一下MOSFET
2021-07-05 07:18:34
我和H-Bridge'VNH5180A'進行了交互。我試圖找到問題好幾天了，但我找不到它。 H橋的輸出電壓不正確。 在橋的Pins是這些電壓。我用示波器測量它們：指定電阻前的電壓H橋引腳的電壓
2019-01-11 16:04:21
請問這個驅動H橋仿真有什么問題啊？一直顯示仿真錯誤
2022-03-25 16:59:52
H橋驅動電路原理
2015-04-07 13:05:37
，A點的電壓就是一個方波，最大值是12V+VBAT，最小值是12V（假設二極管為理想二極管）。A點的方波經(jīng)過簡單的整流濾波，可提供高于12V的電壓，在驅動控制電路中，H橋由4個N溝道功率MOSFET
2020-07-15 17:35:23
H橋因為電路長得像字母H而得名，通常它會包含四個獨立控制的開關元器件，例如下圖有四個MOSFET開關元器件Q1、Q2、Q3、Q4。它們通常用于驅動電流較大的負載，比如電機。H橋電路中間有一個直流電機
2022-10-24 11:00:10
0、小敘閑言最開始學習三極管的時候，很注重它的工作原理，后來到了實際應用，就直接把三極管或MOSFET直接當作一個開關器件使用。直到前這幾天，接觸到MOSFET組成的H橋驅動電路時，發(fā)現(xiàn)把它純當作一
2021-08-31 06:49:35
摘要：針對橋式拓撲功率MOSFET因柵極驅動信號振蕩產(chǎn)生的橋臂直通問題，給出了計及各寄生參數(shù)的驅動電路等效模型，對柵極驅動信號振蕩的機理進行了深入研究，分析了驅動電路各參數(shù)與振蕩的關系，并以此為依據(jù)
2018-08-27 16:00:08
(POL)、高效負載開關和低端切換、穩(wěn)壓器模塊(VRM)以及ORing功能。設計人員使用FDMC8010器件，能夠將封裝尺寸從5mmx6mm減小為3.3mmx3.3mm，節(jié)省66%的MOSFET占位面積
2012-04-28 10:21:32
of laser diodes.An example which compares the dispersion of q^ and q/ /characteristics of our
2009-05-12 10:57:51
LT1160的典型應用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器
2019-05-14 09:23:01
`<p>Diodes公司擴展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護式低壓側MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm
2009-01-07 16:01:44
介紹了一個完整的 H 橋直流電機驅動器，它使用四個 IR3205 功率 MOSFET 和兩個 IR2104 MOSFET 驅動器。理論上，上述 MOSFET 可以處理高達 80A 的電流，但在實踐中，如果 MOSFET 溫度保持盡可能低，使用大散熱器甚至風扇，我們可以預期電流高達 40A。
2022-06-20 07:29:22
原文鏈接0、小敘閑言最開始學習三極管的時候，很注重它的工作原理，后來到了實際應用，就直接把三極管或MOSFET直接當作一個開關器件使用。直到前這幾天，接觸到MOSFET組成的H橋驅動電路時，發(fā)現(xiàn)把它
2021-09-13 08:14:12
它會包含四個獨立控制的開關元器件（例如 MOSFET），它們通常用于驅動電流較大的負載，比如電機，至于為什么要叫H橋（H-Bridge），因為長得比較像 字母H，具體如下圖所示；這里有四個開關
2021-06-29 06:10:22
什么是H橋驅動？
2021-10-28 06:22:37
什么是H橋？H橋的原理是什么？如何利用H橋驅動直流電機？
2021-10-25 06:11:06
什么是H橋？H橋的原理是什么？
2021-10-20 06:28:12
一次。目前，我計劃使用MCU和單片MOSFET H橋，但希望減少元件數(shù)量。所以，有沒有這樣的節(jié)拍？謝爾斯達格爾 以上來自于百度翻譯 以下為原文 I have an application
2018-10-29 11:16:42
我想問一下，我想用0到+15V的方波驅動全橋的4個MOSFET，但是老師說要先讓這個方波經(jīng)過IR2110，再去驅動MOSFET，請問這個IR2110有什么作用？不能直接把方波用來驅動MOSFET嗎？
2016-03-01 05:45:05
百度查了一下關于H全/半橋電路的知識，但是可能本人理解能力不夠，看得有些不懂，有沒有大神可以通俗點的講解關于H全/半橋的電路原理。。最好的是講解三極管和MOS管的
2019-05-14 09:17:06
還是有點不懂H橋電路。。TA為0和TD置5V。怎么知道TD晶體管集電極的電勢？望各位指教
2017-02-25 15:02:19
我用IR2110連接的H橋，上面2個MOSFET用高頻方波驅動，下面2個用低頻方波驅動。當我的主路電源（也就是給H橋上負載的供電電源）斷開，上面2個MOSFET方波正常，當我把主路電源打開并慢慢調
2016-04-06 06:20:15
本帖最后由 厲害liuh 于 2021-8-21 22:59 編輯
制作一個h橋芯片測試設備，過程中測試h橋發(fā)現(xiàn)輸出波形有下沖，測試電路和h橋內部電路如下輸入電壓vs為30v，aout
2021-08-14 15:47:00
在Keysight Power Sensor上節(jié)省50％
2019-10-17 11:00:32
MOSFET的原理是什么？MOSFET的作用是什么？H橋全橋驅動的原理是什么？如何將H橋驅動當作電機或步進電機的驅動電路？
2021-08-06 07:33:11
MOSFET一般工作在橋式拓撲結構模式下，如圖1所示。由于下橋MOSFET驅動電壓的參考點為地，較容易設計驅動電路，而上橋的驅動電壓是跟隨相線電壓浮動的，因此如何很好地驅動上橋MOSFET成了設...
2021-07-27 06:44:41
應用電路使用ADuM3100數(shù)字隔離器是由高功率開關MOSFET組成的H橋，由低壓邏輯信號控制。該電路在邏輯信號和高功率電橋之間提供了方便的接口。該橋使用低成本N溝道功率MOSFET用于H橋的高側
2019-11-07 08:53:19
怎么實現(xiàn)MOSFET的半橋驅動電路的設計？
2021-10-11 07:18:56
MOSFET減小了75%。圖2：傳統(tǒng)SOT-23封裝，旁邊是CSD18541F5LGA封裝和這位工程師做了一些快速計算，我們的結論是如果每個電路板用10個元件，他就能節(jié)省大約55mm2占位面積——每個元件的節(jié)省
2018-08-29 16:09:11
→線圈繞組BA→VD1→電源+Vs．步進電機驅動器中，實現(xiàn)上述開關功能的元件在實際電路中常采用功率MOSFET管． 由步進電機H橋驅動電路
2008-10-21 00:50:02
求教各位大佬：MOSFET半橋驅動芯片空載時為什么HO和LO都沒有輸出波形？最近我在做D類放大，由于是分模塊做的，半橋驅動芯片沒有與mosfet相連，是空載。當我把pwm波輸入半橋驅動芯片后，半橋驅動器HO和LO無輸出。調試了半天也沒發(fā)現(xiàn)問題。各位大佬如果知道的話，請指點下小弟。萬分感謝?。?！
2018-04-09 23:54:28
描述H橋逆變器用于將直流電壓轉換為交流電壓。H 橋通常用于從 DC 方波生成純正弦波。H 橋由 4 個開關組成，可以是晶體管或 MOSFET。在這些開關中，負載兩端的電壓在用于順序驅動開關的控制信號
2022-08-30 07:30:39
請問mosfet搭建的H橋為什么比二極管搭建的H橋功耗要低呢？
2023-03-31 13:56:01
個上拉電阻器。雖然這對開關電源軌來說是業(yè)經(jīng)驗證的有效解決方案，但它具有較大的占位面積?，F(xiàn)在我們可獲得更緊湊的解決方案，如德州儀器（TI）的TPS22915等負載開關 —— 它們的占位面積不到1mm2！使用雙通道TPS22968更能顯著節(jié)省空間…
2022-11-18 07:38:15
EVAL-CN0196-EB1Z，H橋驅動器評估板，采用隔離式半橋驅動器。 CN0196是由高功率開關MOSFET組成的H橋，其由低壓邏輯信號控制。該電路在邏輯信號和高功率電橋之間提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02
用MOSFET來替代或二極管以減少發(fā)熱和節(jié)省空間
高可用性電信繫統(tǒng)采用冗餘電源或電池供電來增強繫統(tǒng)的可靠性。人們通常采用分立二極管來把這些電源組
2010-03-18 10:11:13
30 MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無鉛型Zetex 新款無鉛型 MOSFET 將占位面積減半模擬信號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02484 AP21x6 Diodes推出的新型USB電源開關系列
Diodes公司擴展其AP21x1/x2產(chǎn)品陣營，推出AP21x6雙USB電源開關系列。相比同類器件，該系列器件擁有更小的占位面
2009-07-29 14:14:24548 隨著這種新器件的發(fā)布，采用四種表面貼裝封裝類型的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET現(xiàn)已供貨，其中包括耐熱增強型PowerPAK® SO-8封裝，它可在SO-8占位面積
2009-09-12 17:42:02772 Diodes推出為VoIP應用優(yōu)化的全新MOSFET
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復雜性
2009-12-03 09:50:37764 Diodes針對VoIP應用優(yōu)化的全新MOSFET，可極大降低成本
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路
2009-12-04 08:33:09626 MJWI10占位面積為1x1吋的10W轉換器
Minmax推出占位面積為1 x 1吋的10W轉換器MJWI10，dc/dc轉換器MJWI10系列具有16個模塊，提供高達10 W的功率，采用1x1x0.4吋封
2010-05-10 11:10:061203 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:183330 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線
2011-06-01 08:54:01452 Diodes公司推出AL8807降壓型開關模式LED驅動器。AL8807 LED驅動器采用占位面積較小的SOT25封裝。
2011-12-09 10:05:19996 Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。
2012-01-11 09:12:44775 Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:401839 Diodes公司近日推出一系列採用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4mm，面積只有4mm2，是一款額定電壓為 -25V的P通道元件，較同類
2012-05-04 11:34:53926 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出首款采用了晶圓級芯心尺寸封裝的肖特基（Schottky） 二極管，為智能手機及平板電腦的設計提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實現(xiàn)雙倍功率密度。
2013-07-03 13:55:001355 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 為LED照明及通用功率管理應用，推出支持升、降壓和電壓反向電路拓撲的微型直流-直流轉換器。AL8811采用3.0mm x 4.9mm x 1.1mm MSOP-8L封裝，只需少量外部元件，就能有效減少電路占位面積及物料清單成本。
2013-07-24 15:19:151121 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出行業(yè)首款采用了DFN0806-3微型封裝的小信號雙極型晶體管。這些器件的占位面積為0.48mm2，離板厚度僅0.4mm，面積比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型器件少20%。
2013-08-06 12:26:271220 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出低壓差 （LDO） 穩(wěn)壓器AP7340，在1kHz頻率下提供高達75dB的電源抑制比，以及在10Hz到100kHz的頻率范圍內達到60μVrms的低噪聲性能，能夠為對噪聲敏感的音頻、視頻及射頻應用中的模擬電路提供優(yōu)質供電。
2014-01-15 14:26:17879 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出具有升、降壓和逆變功能的直流-直流轉換器AL8812。這款器件集成了60V/3.6A的NMOS通道以滿足直流-直流控制器采用緊湊的雙帶散熱焊盤DFN6040-12封裝的基本功能，能夠減少MR16 LED燈電路的波形因數(shù)。
2014-07-25 10:23:00794 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出全球首批采用DFN0606封裝的NPN晶體管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶體管MMBT3906FZ和BC857BFZ。
2015-01-28 14:07:571385 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護。
2015-02-02 17:23:421032 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的100V全H橋DMHC10H170SFJ，把雙N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封裝 （5mm x 4.5mm）。
2016-02-16 10:56:361385 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達+175°C，非常適合在高溫環(huán)境下工作。
2016-03-23 11:41:391070 了解MOSFET數(shù)據(jù)手冊中的安全工作面積（SOA）下
2018-08-23 05:27:001998 關鍵詞：Diodes , LCD , MOSFET , 背光 , 器件 Diodes 公司進一步擴展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對 LCD 電視和顯示器背光應用的新型器件。新器件
2018-09-10 00:05:02344 關鍵詞：邏輯器件 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出兩款采用了全球最小封裝形式DFN0808的單門邏輯器件系列74AUP1G及74LVC1G。兩款微型邏輯器件的占位
2018-09-23 12:38:02221 該視頻展示了16nm FinFet器件的性能，并討論了Xilinx RFSoC技術如何減少占位面積和功耗，同時提高下一代無線電和RF通信系統(tǒng)的硬件靈活性。
2018-11-30 06:27:003124 了解MOSFET數(shù)據(jù)手冊中的安全工作面積（SOA）上
2019-04-23 06:19:001557 
您的功耗相關設計可以節(jié)省雙MOSFET的空間，因為您經(jīng)常成對使用這些功能。飛兆半導體（圖片）的P溝道FDZ2552P和類似的N溝道FDZ2551N MOSFET用于低閾值電池保護應用（V GS
2019-08-12 15:08:402772 半導體基礎元器件生產(chǎn)領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。
2020-05-09 11:07:263165 ，但是使用的方法不一樣，芯片的面積是不一樣的?；赟RAM有兩個事實： （1）1R1W的SRAM面積要比1RW的SRAM的面積大不少。 同樣規(guī)格的SRAM，增加一組讀寫接口，其面積會增加很多。但是有一種辦法其實有可能將本來需要使用1R1W的SRAM改用1RW SRAM替掉，從而節(jié)省
2020-06-22 13:36:091116 占位面積為 9mm2 并內置微功率比較器的獨立鋰離子電池充電器
2021-03-21 15:22:500 概述 1、描述：progressbutton是占位面積很小的自定義進度指示器。默認實現(xiàn)提供了一個pin進度按鈕。 2、實現(xiàn)功能： a.自定義圓形進度條。 b.實現(xiàn)根據(jù)Slider滑動更新自定義進度條
2022-03-18 14:45:103 借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積
2022-11-02 08:16:250 在計算機科學和人機交互領域中，占位符（Placeholder）是一種用于表示臨時或未指定值的符號或字段。占位符在軟件開發(fā)和設計中起到重要的作用，特別是在用戶界面設計和數(shù)據(jù)處理方面。隨著數(shù)字時代的發(fā)展
2023-11-30 10:15:34185
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