- 盤點半導(dǎo)體制造工藝中的主要設(shè)備及材料

設(shè)備功能：與光刻機聯(lián)合作業(yè)，首先將光刻膠均勻地涂到晶圓上，滿足光刻機的工作要求；然后，處理光刻機曝光后的晶圓，將曝光后的光刻膠中與紫外光發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的部分除去或保留下來。

所用材料：光刻膠、顯影液等。

國外主要廠商：日本TEL、德國SUSS、奧地利EVG等。

國內(nèi)主要廠商：沈陽芯源等。

7) 檢測設(shè)備（CDSEM、OVL、AOI、膜厚等）

設(shè)備功能：通過表征半導(dǎo)體加工中的形貌與結(jié)構(gòu)、檢測缺陷，以達到監(jiān)控半導(dǎo)體加工過程，提高生產(chǎn)良率的目的。

所用材料：特種氣體等。

國外主要廠商：美國的KLA-Tencor、美國應(yīng)用材料、日本Hitachi、美國Rudolph公司、以色列Camtek公司等。

國內(nèi)主要公司：上海睿勵科學(xué)儀器等。

8) 干法刻蝕機

設(shè)備功能：平板電極間施加高頻電壓，產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層，放入式樣，離子高速撞擊式樣，實現(xiàn)化學(xué)反應(yīng)刻蝕和物理撞擊，實現(xiàn)半導(dǎo)體的加工成型。

所用材料：特種氣體等。

國外主要廠商：美國應(yīng)用材料公司、美國Lam Research公司、韓國JuSung公司、韓國TES公司等。

國內(nèi)主要公司：中微半導(dǎo)體、北方微電子、中國電子科技集團第四十八所等。

9) CMP（化學(xué)機械研磨）

設(shè)備功能：通過機械研磨和化學(xué)液體溶解“腐蝕”的綜合作用，對被研磨體（半導(dǎo)體）進行研磨拋光。

所用材料：拋光液、拋光墊等。

國外主要廠商：美國Applied Materials公司、美國Rtec公司等。

國內(nèi)主要廠商：華海清科、盛美半導(dǎo)體、中電45所等。

10) 晶圓鍵合機

設(shè)備功能：將兩片晶圓互相結(jié)合，并使表面原子互相反應(yīng)，產(chǎn)生共價鍵合，合二為一，是實現(xiàn)3D晶圓堆疊的重要設(shè)備。

所用材料：鍵合膠等。

國外主要廠商：德國SUSS、奧地利EVG等。

國內(nèi)主要廠商：蘇州美圖、上海微電子裝備。

11) 濕制程設(shè)備（電鍍、清洗、濕法刻蝕等）

設(shè)備功能：1）電鍍設(shè)備：將電鍍液中的金屬離子電鍍到晶圓表面，以形成金屬互連；2）清洗設(shè)備：去除晶圓表面的殘余物、污染物等；3）濕法刻蝕設(shè)備：通過化學(xué)刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng)將被刻蝕物質(zhì)剝離下來。

所用材料：電鍍液、清洗液、刻蝕液等。

國外主要廠商：日本DNS、美國應(yīng)用材料、美國Mattson（已被北京亦莊國投收購）公司等。

國內(nèi)主要廠商：盛美半導(dǎo)體、上海新陽、沈陽芯源、蘇州偉仕泰克等。

12) 離子注入

設(shè)備功能：對半導(dǎo)體材料表面附近區(qū)域進行摻雜。

所用材料：特種氣體等。

國外主要廠商：美國AMAT公司等。

國內(nèi)主要廠商：中國電子科技集團第四十八所、中科信等。

13) 晶圓測試（CP）系統(tǒng)

設(shè)備功能：通過探針與半導(dǎo)體器件的pad接觸，進行電學(xué)測試，檢測半導(dǎo)體的性能指標(biāo)是否符合設(shè)計性能要求。

所用材料：NA。

國外主要廠商：愛德萬測試、泰瑞達等。

國內(nèi)主要廠商：北京華峰測控、上海宏測、紹興宏邦、杭州長川科技、中電45所等

14) 晶圓減薄機

設(shè)備功能：通過拋磨，把晶圓厚度減薄。

所用材料：研磨液等。

國外主要廠商：日本DISCO公司、日本OKAMOTO公司、以色列Camtek公司等。

國內(nèi)主要廠商：北京中電科、蘭州蘭新高科技產(chǎn)業(yè)股份有限公司、深圳方達研磨設(shè)備制造有限公司、深圳市金實力精密研磨機器制造有限公司、煒安達研磨設(shè)備有限公司、深圳市華年風(fēng)科技有限公司等。

15) 晶圓劃片機

設(shè)備功能：把晶圓切割成小片的Die。

所用材料：劃片刀、劃片液等。

國外主要廠商：日本DISCO公司等。