半導(dǎo)體分立器件包括二極管、三極管和MOS管等,它們有著各自的特點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域。
2024-03-22 14:55:5261 以電阻系數(shù)標(biāo)示電導(dǎo)率時(shí),半導(dǎo)體的電阻系數(shù)介于10-4至108Ωcm區(qū)間,導(dǎo)體的電阻系數(shù)位于10-8至10-4Ωcm區(qū)間,絕緣體的電阻系數(shù)橫跨108至1018Ωcm范圍。
2024-03-19 11:33:03237 近日,省工業(yè)和信息化廳公布了第八批國(guó)家級(jí)制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)名單,揚(yáng)杰科技憑借其在半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)、先進(jìn)制造和工藝、卓越品質(zhì)以及細(xì)分市場(chǎng)占有率成功入選。
2024-03-18 10:19:30127 服務(wù)內(nèi)容芯片開封測(cè)試是芯片制造、封裝環(huán)節(jié)中非常重要的一個(gè)環(huán)節(jié),它能對(duì)芯片的可靠性、品質(zhì)和生產(chǎn)成本等方面產(chǎn)生重要的影響。因此,在芯片應(yīng)用領(lǐng)域,開展芯片開封測(cè)試是非常關(guān)鍵的。廣電計(jì)量可提供化學(xué)開封、激光
2024-03-14 10:03:35
領(lǐng)帶,這可是當(dāng)年半導(dǎo)體弄潮兒的標(biāo)配。
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于是,第一個(gè)半導(dǎo)體時(shí)代誕生了——集成器件制造商時(shí)代
2024-03-13 16:52:37
想問一下,半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備,比如探針臺(tái)有沒有用到,具體要求是那些,
2024-03-08 17:04:59
半導(dǎo)體放電管TSS:原理及在電子領(lǐng)域的應(yīng)用?|深圳比創(chuàng)達(dá)電子EMC半導(dǎo)體放電管TSS是一種高壓、高速、低電流的電子元件,廣泛用于電力電子、通訊、光電子等領(lǐng)域。本文將從TSS的定義、工作原理、應(yīng)用場(chǎng)
2024-03-06 10:07:51
半導(dǎo)體放電管TSS:原理及在電子領(lǐng)域的應(yīng)用?|深圳比創(chuàng)達(dá)電子EMC
2024-03-06 10:04:16142 、高電流的半導(dǎo)體器件。TSS最早由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的研究人員于20世紀(jì)60年代初期發(fā)明,并在隨后的幾十年中得到了廣泛的應(yīng)用和發(fā)展。目前,TSS已經(jīng)成為電子領(lǐng)域中的重要組成部分,被廣泛應(yīng)用于電力電子、通訊
2024-03-06 10:03:11
近日,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)百功半導(dǎo)體成功完成了近億元人民幣的戰(zhàn)略融資。本輪融資資金將主要用于高端電容產(chǎn)品產(chǎn)線建設(shè)和產(chǎn)品開發(fā)等。這一重要融資將極大地推動(dòng)百功半導(dǎo)體在集成電路和分立器件技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展,進(jìn)一步提升其在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-05 10:30:54170 半導(dǎo)體,作為現(xiàn)代電子科技的核心材料,其應(yīng)用領(lǐng)域之廣泛幾乎滲透到了我們生活的方方面面。從手機(jī)、電腦到汽車、航空航天,再到醫(yī)療等領(lǐng)域,半導(dǎo)體的身影無處不在。然而,在這些眾多的應(yīng)用領(lǐng)域中,哪一個(gè)才是半導(dǎo)體
2024-02-26 09:33:1480 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導(dǎo)體器件等分立器件,以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn),為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù),同時(shí),我們也開展了間歇工作壽命(IOL)、HAST
2024-01-29 21:35:04
高壓變頻器的7大應(yīng)用領(lǐng)域變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。
2024-01-22 18:03:33461 半導(dǎo)體放電管是一種采用半導(dǎo)體工藝制成的PNPN結(jié)四層結(jié)構(gòu)器件,其伏安特性與晶閘管類似,具有典型的開關(guān)特性。當(dāng)浪涌電壓超過轉(zhuǎn)折的電壓VBO時(shí),器件被導(dǎo)通,這時(shí)它呈現(xiàn)一般PN結(jié)二極管的正向電壓降(VF
2024-01-04 16:52:07
“時(shí)間就是金錢”這句話在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)測(cè)試中尤為貼切。
2023-12-25 17:21:03286 近年來,全球半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)波動(dòng)變化。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2021年全球半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模為303.37億美元,同比增長(zhǎng)27.4%,2022年進(jìn)一步同比增長(zhǎng)12.1%,為339.93億美元。
2023-12-25 11:20:19366 隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高導(dǎo)熱率和高電子飽和遷移率,使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域以及發(fā)展前景。
2023-12-21 09:43:38353 半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出新款 GaN FET 器件,該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝,為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 根據(jù)不同的誘因,常見的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體,機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí),設(shè)備由于放電而發(fā)生充電,設(shè)備接地,放電電流將立即流過電路,導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
在電子學(xué)領(lǐng)域中,半導(dǎo)體扮演著至關(guān)重要的角色。然而,為何它們被稱為“半導(dǎo)體”而不是“全導(dǎo)體”呢?本文將詳細(xì)探討半導(dǎo)體的定義、特性及其應(yīng)用,以揭示這一命名背后的奧秘。
2023-12-08 11:01:59544 功率半導(dǎo)體冷知識(shí):功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 功率半導(dǎo)體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡(jiǎn)單來說,就是進(jìn)行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導(dǎo)體器件。典型的功率處理,包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。早期的功率半導(dǎo)體器件:大功率二極管
2023-12-03 16:33:191138 按施敏教授的觀點(diǎn),半導(dǎo)體器件有四個(gè)最基本的結(jié)構(gòu)單元:金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合,比如BJT由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)構(gòu)成,MOSFET由MOS結(jié)構(gòu)和兩對(duì)PN結(jié)構(gòu)成。
2023-11-30 15:56:171035 官方網(wǎng)站稱,2015年6月成立的鉅芯科技是從事半導(dǎo)體輸出芯片和零部件研發(fā),生產(chǎn),銷售的高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品包括半導(dǎo)體分立元件芯片、半導(dǎo)體分立元件、半導(dǎo)體功率模塊及mosfet等。
2023-11-30 10:07:46343 GaN器件是平面器件,與現(xiàn)有的Si半導(dǎo)體工藝兼容性強(qiáng),因此更容易與其他半導(dǎo)體器件集成,進(jìn)一步降低用戶的使用門檻,并在不同應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)它的屬性和優(yōu)勢(shì),很有可能徹底改變世界。
2023-11-28 13:51:08541 電力半導(dǎo)體器件是進(jìn)行電力變換和控制的大功率器件。 可直接用于處理電能的主電路中,實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。主要用于整流器、逆變器、斬波器、交流調(diào)壓器等方面,廣泛用于工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、國(guó)防、交通等各個(gè)領(lǐng)域。
2023-11-28 09:54:16399 半導(dǎo)體器件擊穿機(jī)理分析及設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
2023-11-23 17:38:36474 功率半導(dǎo)體器件是電子電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的核心元器件,廣泛應(yīng)用于變頻、整流、逆變、放大等電路。封裝工藝對(duì)于功率半導(dǎo)體器件的性能、可靠性和成本具有重要影響。本文將介紹功率半導(dǎo)體器件的典型封裝工藝,包括引腳插入、塑封、散熱設(shè)計(jì)等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2023-11-23 11:12:13375 半導(dǎo)體分立器件是電子元器件中的重要組成部分,它們?cè)陔娮釉O(shè)備中發(fā)揮著重要的作用。本文將介紹半導(dǎo)體分立器件的基本概念、分類、應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)。
2023-11-23 10:12:56794 作為電子系統(tǒng)中的最基本單元,半導(dǎo)體功率器件在包括汽車電子、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電子設(shè)備、航空航天、武器裝備、儀器儀表、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療電子等各行業(yè)都起著至關(guān)重要的作用。本文辰達(dá)行將介紹功率器件的定義和分類。
2023-11-14 10:16:42683 在電子工程和微電子技術(shù)的世界里,半導(dǎo)體器件建模是一個(gè)核心概念。它涉及對(duì)半導(dǎo)體器件如晶體管、二極管等的電氣行為進(jìn)行數(shù)學(xué)和物理描述。這一過程對(duì)于設(shè)計(jì)高效、可靠的電子設(shè)備至關(guān)重要。本文旨在深入探討半導(dǎo)體器件建模的概念、其重要性以及在現(xiàn)代技術(shù)中的應(yīng)用。
2023-11-13 10:48:27515 等領(lǐng)域,這將對(duì)社會(huì)加速發(fā)展起著很大的推動(dòng)作用。電子科技大學(xué)的陳星弼院士提出的超結(jié)功率器件更是把整個(gè)功率半導(dǎo)體提升到一個(gè)全新階段,成為功率半導(dǎo)體史上的里程碑。
2023-11-10 10:15:031967 一、功率器件在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的位置功率半導(dǎo)體器件,簡(jiǎn)稱功率器件,又稱電力電子器件,屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】,典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)動(dòng)芯片
2023-11-08 17:10:15823 半導(dǎo)體如今在集成電路、通信系統(tǒng)、照明等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用,是一種非常重要的材料。在半導(dǎo)體行業(yè)中,半導(dǎo)體測(cè)試是特別關(guān)鍵的環(huán)節(jié),以保證半導(dǎo)體器件及產(chǎn)品符合規(guī)定和設(shè)計(jì)要求,確保其質(zhì)量和性能。
2023-11-07 16:31:17309 功率半導(dǎo)體,作為現(xiàn)代電子領(lǐng)域的關(guān)鍵組成部分,扮演著將電能轉(zhuǎn)化、控制和分配到各種設(shè)備的重要角色。專門設(shè)計(jì)用于處理高功率電信號(hào)和控制電力流動(dòng)的半導(dǎo)體器件,與低功率應(yīng)用中使用的小信號(hào)半導(dǎo)體不同,功率半導(dǎo)體經(jīng)過優(yōu)化可以處理高電壓、高電流和高溫。
2023-11-06 15:10:27491 半導(dǎo)體材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件,正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料,在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 寬
2023-11-03 12:10:02273 半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 如今,半導(dǎo)體元器件已成為電子應(yīng)用中不可或缺的一部分。半導(dǎo)體元器件的需求主要受生命周期較短的消費(fèi)電子影響。
2023-10-24 16:43:51604 功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于,其在設(shè)計(jì)的時(shí)候,需要多一塊區(qū)域,來承擔(dān)外加的電壓,如圖5所示,300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比,明顯尺寸更大,這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:21879 一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)專為以下測(cè)試需求研制: 二 技術(shù)參數(shù)
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2023-10-11 09:35:49686 第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比,第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢(shì),這些優(yōu)勢(shì)源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295 半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是指在交流條件下對(duì)器件進(jìn)行測(cè)試,是確保半導(dǎo)體性能、穩(wěn)定性和可靠性的重要依據(jù)。動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)主要有開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、反向恢復(fù)電流、開關(guān)電流、耗散功率等。
2023-10-10 15:23:38278 半導(dǎo)體靜態(tài)測(cè)試參數(shù)是指在直流條件下對(duì)其進(jìn)行測(cè)試,目的是為了判斷半導(dǎo)體分立器件在直流條件下的性能,主要是測(cè)試半導(dǎo)體器件在工作過程中的電流特性和電壓特性。ATECLOUD半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)采用軟硬件架構(gòu)為測(cè)試工程師提供整體解決方案,此系統(tǒng)可程控,可以實(shí)現(xiàn)隨時(shí)隨地測(cè)試,移動(dòng)端也可實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試數(shù)據(jù)情況。
2023-10-10 15:05:30415 功率半導(dǎo)體是一種用于電力電子轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組件,它能夠?qū)崿F(xiàn)電能的高效轉(zhuǎn)換、傳輸和控制。功率半導(dǎo)體在工業(yè)、消費(fèi)電子、交通運(yùn)輸、能源等多個(gè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,如電動(dòng)汽車、高鐵、太陽能、風(fēng)能等。根據(jù)不同結(jié)構(gòu)
2023-09-27 16:48:55573 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 在日常的電源設(shè)計(jì)中,半導(dǎo)體開關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計(jì)是工程師不得不面對(duì)的問題,本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機(jī)制,以及在設(shè)計(jì)應(yīng)用中注意事項(xiàng)。
2023-09-19 11:44:382588 半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25891 分立器件是指具有單獨(dú)功能且功能不能拆分的電子器件,依據(jù)芯片結(jié)構(gòu)和功能的不同可以分為半導(dǎo)體二極管、三極管、橋式整流器、晶閘管等,從耗散功率(或額度電流)角度可劃分為小信號(hào)器件、功率器件。半導(dǎo)體分立器件
2023-09-08 11:06:341680 半導(dǎo)體器件中性能最好的是什么?? 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中最為重要的組成部分之一,是連接芯片和外部電路的中間介質(zhì)。通常,半導(dǎo)體器件的性能被評(píng)價(jià)的標(biāo)準(zhǔn)是:最大電壓、最大電流、最高工作頻率、響應(yīng)速度
2023-08-29 16:19:29539 隨著科技的快速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)滲透到我們生活的方方面面,從手機(jī)、電腦到各種高精尖的工業(yè)設(shè)備中。而在這些技術(shù)背后,金作為一種貴金屬,以其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)在半導(dǎo)體領(lǐng)域中扮演著不可替代的角色。
2023-08-19 11:42:36660 半導(dǎo)體技術(shù)在當(dāng)今社會(huì)已成為高科技產(chǎn)品的核心,而在半導(dǎo)體制造的各個(gè)環(huán)節(jié)中,銅憑借其出色的性能特點(diǎn),已成為眾多工藝應(yīng)用的關(guān)鍵材料。在半導(dǎo)體領(lǐng)域中,銅主要被用于制造互連線路。在傳統(tǒng)的互連制造中,銅通常被用作通過化學(xué)氣相淀積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)技術(shù)沉積在金屬膜上。
2023-08-19 11:41:15738 目前汽車電子委員會(huì)(AEC)發(fā)布的AECQ101《基于失效機(jī)理的汽車用分立器件應(yīng)力試驗(yàn)鑒定要求》已得到行業(yè)的廣泛認(rèn)可和應(yīng)用。通過汽車AECQ101鑒定的分立器件,是目前可靠性最高的民用分立器件
2023-08-15 10:11:14641 家參展企業(yè),較去年增長(zhǎng)近一倍!預(yù)計(jì)參觀觀眾將超10萬人次! ? 飛虹半導(dǎo)體作為其中一員,攜一眾同仁在8月8日當(dāng)天“開門”迎客。我們專注大功率分立器件制造20年,始終如一的為全球電子廠商提供大功率分立器件:高中低壓MOSFET、COOLMOS、IGBT、肖基特、三極管
2023-08-09 09:05:08511 先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?
2023-08-08 14:56:29
在電子工業(yè)的歷史中,硅(Si)已經(jīng)穩(wěn)定地成為半導(dǎo)體元器件的首選材料。從普通的晶體管到今天高度集成的芯片,硅都起到了不可替代的作用。但為什么在眾多元素和化合物中,人們會(huì)選擇硅作為制造半導(dǎo)體元器件的主要材料呢?本文將深入探討硅背后的秘密和它在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的無與倫比的地位。
2023-08-08 10:12:354874 隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展,芯片集成度不斷提高,封裝尺寸越來越小,半導(dǎo)體器件面臨著更高的熱應(yīng)力挑戰(zhàn)。結(jié)溫過高不僅降低了器件的電氣性能,而且增加了金屬遷移率和其他退化變化,從而導(dǎo)致芯片老化加速、故障率
2023-08-07 15:18:381968 近日,第十七屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2023年中國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在杭州蕭山舉行。大會(huì)公布了2022年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)名單,士蘭微電子再次榮登榜單最前
2023-08-07 11:34:091676 半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031979 股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“藍(lán)箭電子”)于7月28日開啟申購。 封裝 藍(lán)箭電子主要從事半導(dǎo)體封裝測(cè)試業(yè)務(wù),為半導(dǎo)體行業(yè)及下游領(lǐng)域提供分立器件和集成電路產(chǎn)品。公司主要封測(cè)產(chǎn)品為分立器件和集成電路產(chǎn)品。 公司分立器件產(chǎn)品涉及 30多個(gè)封裝系列,3,000 多個(gè)規(guī)格型號(hào),
2023-07-31 11:55:23627 設(shè)計(jì)-制造協(xié)同發(fā)展》的技術(shù)演講。 華大九天高級(jí)產(chǎn)品總監(jiān)劉曉明 分立器件是半導(dǎo)體市場(chǎng)的重要組成部分,包括功率,信號(hào)處理,光電傳感等不同器件類型,在通訊,汽車,計(jì)算機(jī),物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。分立器件廠商會(huì)從材料,結(jié)構(gòu)及工藝等環(huán)節(jié)優(yōu)化
2023-07-26 22:25:02469 功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率 IC 等。其中,功率半導(dǎo)體分立器件,按照器件結(jié)構(gòu)劃分,可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035061 熱 烈 祝 賀 揚(yáng)杰科技蟬聯(lián)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè) 功率器件十強(qiáng)企業(yè)前三 7月20日-21日,錢塘江畔,第十七屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2023年中國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇于杭州蕭山
2023-07-24 15:40:021614 ? 飛躍神州,虹貫全球 飛虹半導(dǎo)體專注大功率分立器件制造20年,始終如一的為全球電子廠商提供大功率分立器件:高中低壓MOSFET、COOLMOS、IGBT、肖基特、三極管等的應(yīng)用解決方案。 基于初心
2023-07-23 11:46:12698 半導(dǎo)體功率
器件在全球
半導(dǎo)體市場(chǎng)中占有重要的位置,其在新能源、工業(yè)控制、汽車電子等
領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。然而,中國(guó)的
半導(dǎo)體功率
器件產(chǎn)業(yè)與全球領(lǐng)先的
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)家相比,還存在一定的差距。本文將探討中國(guó)的
半導(dǎo)體功率
器件產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀,與國(guó)際先進(jìn)水平的差距以及未來的發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2023-07-19 10:31:11603 溫度傳感器是最早開發(fā),應(yīng)用★廣的一類傳感器。溫度傳感器的應(yīng)用領(lǐng)域大大超過了其他的傳感器。從17世紀(jì)初人們開始利用溫度進(jìn)行測(cè)量。在半導(dǎo)體技術(shù)的支持下,本世紀(jì)相繼開發(fā)了半導(dǎo)體熱電偶傳感器、PN結(jié)溫度傳感器和集成溫度傳感器。
2023-07-14 11:14:57892 在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域,高壓(HV)分立功率半導(dǎo)體器件變得越來越重要,Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 憑借供給充足、質(zhì)量穩(wěn)定等優(yōu)勢(shì),志得持續(xù)在國(guó)內(nèi)分立器件二極管領(lǐng)域不斷提升市場(chǎng)份額,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代。
2023-06-30 13:53:04366 功率半導(dǎo)體器件,簡(jiǎn)稱功率器件,又稱電力電子器件,屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】,典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)動(dòng)芯片】等,屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的集成電路。
2023-06-27 11:36:36806 日前,為覆蓋更多工業(yè)用戶需求擴(kuò)大產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域,深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司下稱“福斯特半導(dǎo)體”與世強(qiáng)先進(jìn)(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強(qiáng)先進(jìn)”)簽署授權(quán)代理協(xié)議,將利用世強(qiáng)先進(jìn)30年技術(shù)分銷經(jīng)驗(yàn)和多年互聯(lián)網(wǎng)推廣經(jīng)驗(yàn),布局線上和線下功率器件渠道市場(chǎng),讓更多的用戶了解并使用公司產(chǎn)品。
2023-06-20 14:16:17312 提到半導(dǎo)體,大家應(yīng)該都耳熟能詳,但種類如此繁多,大家是否清楚的了解半導(dǎo)體產(chǎn)品的類別應(yīng)該如何區(qū)分呢?小編給大家找了相關(guān)資料,科普一下半導(dǎo)體的幾大產(chǎn)品類別和應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-06-10 11:45:392405 在電子技術(shù)和半導(dǎo)體行業(yè)中,功率半導(dǎo)體、分立器件、功率器件、集成電路、功率分立器件等術(shù)語常常出現(xiàn),了解它們的區(qū)別和關(guān)聯(lián)是理解電子器件工作原理的重要一環(huán)。本文將深入解析這些術(shù)語,幫助你分清它們的界定和劃分。
2023-06-10 10:20:522925 分立器件行業(yè)概況半導(dǎo)體分立器件是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一,其具有應(yīng)用領(lǐng)域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。從市場(chǎng)需求看,分立器件受益于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、智能家居、健康護(hù)理、安防電子
2023-05-26 15:15:01657 分立器件行業(yè)概況
半導(dǎo)體分立器件是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一,其具有應(yīng)用領(lǐng)域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。
從市場(chǎng)需求看,分立器件受益于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、智能家居、健康護(hù)理、安防電子
2023-05-26 14:24:29
半導(dǎo)體分立器件是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一,其具有應(yīng)用領(lǐng)域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。
2023-05-26 14:19:15655 功率半導(dǎo)體分立器件的應(yīng)用十分廣泛,幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè),傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)電機(jī)等。近年來,新能源汽車及充電系統(tǒng)、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電、航空航天及武器裝備等也逐漸成為了功率半導(dǎo)體分立器件的新興應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-05-26 09:51:40573 分立器件行業(yè)概況 半導(dǎo)體分立器件是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一,其具有應(yīng)用領(lǐng)域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。 從市場(chǎng)需求看,分立器件受益于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、智能家居、健康護(hù)理、安防電子
2023-05-26 08:50:02525 摘 要:針對(duì)半導(dǎo)體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度,分析半導(dǎo)體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢(shì),重點(diǎn)介紹集成電路工藝設(shè)備、分立器件工藝設(shè)備等細(xì)分領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展態(tài)勢(shì)和主要技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-05-23 15:23:47974 二極管半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和參數(shù)對(duì)比NO.1二極管種類區(qū)別按操作特性進(jìn)行比較:器件結(jié)構(gòu)說明對(duì)比:肖特基二極管由金屬與半導(dǎo)體結(jié)結(jié)形成。在電氣方面,它由多數(shù)載波進(jìn)行,具有較低的電流泄漏和正向偏置電壓(VF
2023-05-11 10:11:45221 據(jù)統(tǒng)計(jì),IGBT、MOS管、電源管理IC等在儲(chǔ)能逆變器里占比高、數(shù)量多,是必不可少的半導(dǎo)體器件。
2023-05-08 15:46:30862 半導(dǎo)體產(chǎn)品主要包括集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器件,其中集成電路在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中占比最高,超過80%。2021年全球集成電路銷售額為4608.14億美元,傳感器件銷售額為187.9億美元,光電子器件銷售額為432.29億美元,分立器件銷售額為301億美元,集成電路占比達(dá)到83%。
2023-05-06 10:31:05965 意法半導(dǎo)體(ST)宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 中國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)在上世紀(jì)50年代初創(chuàng),70年代逐漸成長(zhǎng),80年代的改革開放到90年代以后進(jìn)入全面發(fā)展階段,21世紀(jì)初中國(guó)加入WTO,為我國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)帶來了新的發(fā)展契機(jī)。受益于國(guó)際電子
2023-04-14 16:29:51299 、可穿戴設(shè)備、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子、VR/AR、安防電子等新興應(yīng)用領(lǐng)域將成為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長(zhǎng)點(diǎn)。晶導(dǎo)微成立于2013年,聚焦二極管、整流橋等半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品以及集成電路
2023-04-14 16:00:28
中國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)在上世紀(jì)50年代初創(chuàng),70年代逐漸成長(zhǎng),80年代的改革開放到90年代以后進(jìn)入全面發(fā)展階段,21世紀(jì)初中國(guó)加入WTO,為我國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)帶來了新的發(fā)展契機(jī)。 受益于國(guó)際電子
2023-04-14 15:55:27225 、可穿戴設(shè)備、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子、VR/AR、安防電子等新興應(yīng)用領(lǐng)域將成為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長(zhǎng)點(diǎn)。晶導(dǎo)微成立于2013年,聚焦二極管、整流橋等半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品以及集成電路
2023-04-14 13:46:39
半導(dǎo)體行業(yè)的資深人士,先楫半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁陳丹Danny Chen分析了制造業(yè)、新能源、汽車等行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)、技術(shù)創(chuàng)新、未來方向等,并對(duì)作為核心器件的MCU做了深刻的思考和分享,結(jié)合動(dòng)蕩的國(guó)際形勢(shì)
2023-04-10 18:39:28
2023年3月31日,由深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)主辦的深圳市集成電路產(chǎn)業(yè)總結(jié)大會(huì)暨深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)第七屆第三次會(huì)員大會(huì)活動(dòng),在深圳順利召開。本次大會(huì)是深圳半導(dǎo)體與集成電路行業(yè)的年度盛會(huì),會(huì)上將邀請(qǐng)
2023-04-03 15:28:32
有幾種方法可有效改善當(dāng)今分立半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)時(shí)遇到的高溫問題。仿真技術(shù)對(duì)于衡量各種方法的工作情況至關(guān)重要。
2023-03-31 10:02:541643 半導(dǎo)體分立器件是由單個(gè)半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的具有獨(dú)立、完整功能的器件。例如:二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-29 16:59:37404 半導(dǎo)體分立器件是由單個(gè)半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的具有獨(dú)立、完整功能的器件。例如:二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-28 13:10:04457 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料,在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長(zhǎng)光電器件以及5G通訊等領(lǐng)域具有硅半導(dǎo)體無法比擬的優(yōu)勢(shì)。然而,散熱問題是制約其發(fā)展和應(yīng)用的瓶頸。通常氮化鎵需要氮化鋁(AlN)作為過渡層連接到具有高導(dǎo)熱系數(shù)的襯底上。
2023-03-24 10:37:04570
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