據(jù)悉，F(xiàn)D-SOI 是一種先進的平面半導體技術(shù)，能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:23
50 臺中科學園區(qū)已初步規(guī)劃A14和A10生產(chǎn)線，將視市場需求決定是否新增2nm制程工藝。
2024-01-31 14:09:34241 英特爾對此次活動的定位如下： “誠摯邀請您傾聽英特爾高層精英、技術(shù)專才以及各方合作伙伴深度解讀我們的戰(zhàn)略布局、卓越
工藝技術(shù)、尖端封裝技巧與生態(tài)建設(shè)。旨在讓您深入理解英特爾的代工廠服務如何助力貴司充分利用英特爾強大的彈性供應實力構(gòu)筑芯片設(shè)計?！?/div>
2024-01-05 09:40:29368 結(jié)合5nm和6nm工藝節(jié)點，采用先進的小芯片（Chiplets）設(shè)計，全新的計算單元和第二代AMD高速緩存技術(shù)，相比AMD RDNA 2架構(gòu)的每瓦性能提高54%；
2024-01-04 16:27:36509 
這座晶圓廠于2022年4月開始新建，大樓主結(jié)構(gòu)已完工，且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級工藝芯片，這是日本目前最先進的半導體工藝。22ULP工藝也會在這里生產(chǎn)，但注意它不是22nm，而是28nm的一個變種，專用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:27433 據(jù)悉，2024年臺積電的第二代3nm工藝（稱為N3E）有望得到更廣泛運用。此前只有蘋果有能力訂購第一代N3B高端晶圓。經(jīng)過解決工藝難題及提升產(chǎn)量后，臺積電推出經(jīng)濟實惠的3nm版型，吸引更多企業(yè)采用。
2024-01-03 14:15:17279 據(jù)了解，臺積電公司（TSMC）的CoWoS產(chǎn)能已經(jīng)飽和，且未來擴產(chǎn)計劃主要服務于英偉達，為滿足AMD需求新建生產(chǎn)線需耗時6—9個月。據(jù)此推測，AMD可能會尋找具有類似CoWoS 封裝技術(shù)的其他制造商合作，日月光、安靠（Amkor）、力成以及京元電或許是首選對象。
2024-01-03 14:07:58196 英特爾的Intel 20A和Intel 18A工藝已經(jīng)開始流片，意味著量產(chǎn)階段已經(jīng)不遠。而2nm工藝和1.8nm工藝的先進程度無疑已經(jīng)超過了三星和臺積電的3nm工藝。
2023-12-20 17:28:52799 來源：EETOP，謝謝 編輯：感知芯視界 萬仞 臺積電在近日舉辦的IEEE 國際電子器件會議（IEDM）的小組研討會上透露，其1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時，臺積電還再次強調(diào)，2nm
2023-12-19 09:31:06318 12 月 14 日消息，臺積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會議（IEDM）的小組研討會上透露，其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時，臺積電重申，2nm 級制程將按計劃于 2025
2023-12-18 15:13:18191 此外，對于臺積電的1.4nm制程技術(shù)，媒體預計其名稱為A14。從技術(shù)角度來看，A14節(jié)點可能不會運用垂直堆疊互補場效應晶體管（CFET）技術(shù)。
2023-12-15 10:23:12264 1. 臺積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計劃 2025 年量產(chǎn) ? 臺積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會議（IEDM）的小組研討會上透露，其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)
2023-12-14 11:16:00733 SemiAnalysis自媒體Dylan Patel曝光的幻燈片顯示，臺積電1.4nm制程的正式名稱為A14。截至目前，關(guān)于該節(jié)點的具體量產(chǎn)日期及參數(shù)暫未公開。但是，根據(jù)其與N2及N2P等節(jié)點的生產(chǎn)排期預測，我們預期A14節(jié)點將會在2027至2028年度面市。
2023-12-14 10:27:23195 最近流傳的一份謠言顯示，包括AMD、高通、MediaTek和NVIDIA在內(nèi)的一批企業(yè)似乎有意將一部分3nm和2nm的晶圓制造訂單交由三星或者英特爾代為生產(chǎn)。然而，另一位知情人士表示，盡管NVIDIA與三星合作的重點在于存儲芯片
2023-12-12 15:40:53266 芯片的7nm工藝我們經(jīng)常能聽到，但是7nm是否真的意味著芯片的尺寸只有7nm呢？讓我們一起來看看吧！
2023-12-07 11:45:311591 
3nm工藝剛量產(chǎn)，業(yè)界就已經(jīng)在討論2nm了，并且在調(diào)整相關(guān)的時間表。2nm工藝不僅對晶圓廠來說是一個重大挑戰(zhàn)，同樣也考驗著EDA公司，以及在此基礎(chǔ)上設(shè)計芯片的客戶。
2023-12-06 09:09:55693 今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process flow 進行對比學習。 言歸正傳，接下來介紹平面工藝最后一個節(jié)點22nm process flow。
2023-11-28 10:45:514232 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
采用先進的14nm FinFET工藝，具有較低的有源功耗和更快的峰值CPU性能.
2023-11-18 14:24:45537 
內(nèi)情人士透露，AMD採用Zen 5c架構(gòu)的新一代芯片包含眾多型號，其中低階芯片將由三星4nm制程代工，高階芯片則由臺積電3nm制程代工。業(yè)界認為臺積電3nm制程技術(shù)在完整性、整合度及效能表現(xiàn)上還不夠成熟，因此對AMD而言三星4nm制程與臺積電3nm制程技術(shù)相當。
2023-11-17 16:37:29330 Tick-Tock，是Intel的芯片技術(shù)發(fā)展的戰(zhàn)略模式，在半導體工藝和核心架構(gòu)這兩條道路上交替提升。半導體工藝領(lǐng)域也有類似的形式存在，在14nm/16nm節(jié)點之前，半導體工藝在相當長的歷史時期里有著“整代”和“半代”的差別。
2023-11-16 11:52:25963 
01 塞孔技術(shù)的突破 由于過往企業(yè)一直采用傳統(tǒng)的塞孔技術(shù)導致當前電路板在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生了很多問題，其中比較嚴峻的問題在于對位工藝流程改革 目前市場上三機連印存在的普遍問題點在于影響產(chǎn)能&耗能，其中
2023-11-10 09:22:42231 
芯片的不同分類方式
按照處理信號方式可分為模擬芯片和數(shù)字芯片。
按照應用領(lǐng)域可分為軍工級芯片、工業(yè)級芯片、汽車級芯片和商業(yè)級芯片。
按照工藝制程的話還可以分為5nm芯片、14nm芯片、65nm芯片……
2023-11-08 11:12:06760 
了臺積電3nm 工藝（N3B），晶體管數(shù)量達到了190 億，比前代 A16 增加了近 20%，CPU 性能提升了約
2023-10-20 12:06:23930 2nm芯片什么時候出 2nm芯片什么時候出這個問題目前沒有相關(guān)官方的報道，因此無法給出準確的回答。根據(jù)網(wǎng)上的一些消息臺積電于6月16日在2022年度北美技術(shù)論壇上首次宣布，將推出下一代先進工藝制程
2023-10-19 17:06:18799 2nm芯片是什么意思 2nm芯片指的是采用了2nm制程工藝所制造出來的芯片，制程工藝的節(jié)點尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達到2納米級別。 更小的節(jié)點尺寸
2023-10-19 16:59:161958 Sandbox上個月開始銷售的混合計量圖像處理工具有望提高蝕刻和沉積步驟的計量精度，簡化新工藝配方的實驗，并最終降低工藝技術(shù)開發(fā)成本。該工具Weave與SandBox Studio AI建模平臺配合
2023-10-13 15:26:17530 IC設(shè)計中，時常會遇到工藝替換的問題，使用新工藝替換舊工藝，或者這家的換那家的。
2023-10-12 14:24:112296 
該部件采用臺積電最先進的 3nm 工藝制造，不太可能很快被其他任何技術(shù)擊敗，因為蘋果干脆買下了臺積電今年的全部產(chǎn)能。有傳言稱，這種新工藝的產(chǎn)量仍然相當?shù)?，這使得它成為一個特別昂貴的部件。
2023-09-28 09:33:292625 
電阻可以說是電子設(shè)備中最常用的電子亞件Z一，仕何一個電丁皮面都西個開E，巴o胡材料、新工藝的不斷發(fā)展，電阻器的種類不斷增多。
電阻（Resistance，通常用“R”表示):在物理學中表示導體對電流阻礙作用的大小。導體的電阻越大表示導體對電流的阻礙作用
2023-09-26 06:28:37
求新科DVP328的電路圖或者是維修教程
2023-09-24 20:55:17
Intel 4工藝第一次登場和之前的14nm、10nm有些類似，性能上還未達到足夠高的水準，所以只能用于筆記本移動平臺的主流H系列、低功耗P系列，分為酷睿Ultra 9/7/5三個子系列。
2023-09-21 14:42:50348 
的大部分時間里，用于制造芯片的工藝節(jié)點的名稱是由晶體管柵極長度的最小特征尺寸（以納米為單位）或最小線寬來指定的。350nm工藝節(jié)點就是一個例子。
2023-09-19 15:48:434475 
;Agilent 83750系列掃頻源為元件測試市場帶來引人注目的合成性能。它們在通用臺式掃頻測試或標量測試中提供了佳的性價比?；菊袷幤髟O(shè)計方面的新工藝進展提供了達20
2023-09-16 11:44:38
Z20K11xN采用國產(chǎn)領(lǐng)先半導體生產(chǎn)制造工藝SMIC 車規(guī) 40nm工藝，提供LQFP48，LQFP64以及LQFP100封裝，CPU主頻最大支持64MHz，支持2路帶64個郵箱的CAN-FD通訊接口，工作電壓3.3V和5V。
2023-09-13 17:24:081073 
芯片。 首先，我認為這一代的CPU提升會很大，我們都知道從A14開始，CPU就開始使用臺積電的5nm工藝，一直到iPhone 14 Pro/ProMax上的A16，依然還是5nm工藝，
2023-09-11 16:17:15727 的架構(gòu)，常見的有x86和x64。
指令集：如SSE、AVX等，用于拓展CPU的功能。
微架構(gòu)：如NetBurst、K10等，表示CPU內(nèi)部的具體實現(xiàn)。
制造工藝：如22nm、14nm等，表示CPU制造過程中的最小尺寸。
查看CPU處理器參數(shù)可以通過Intel官網(wǎng)或CPU-Z等工具實現(xiàn)。
2023-09-05 16:42:49
蘋果即將發(fā)布的iPhone 15系列將搭載的芯片已經(jīng)確定，確認iPhone 15和iPhone 15 Plus兩款機型將繼續(xù)采用與iPhone 14 Pro同款的A16芯片。而iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max則將搭載全新蘋果A17芯片，獨享這顆全球首款3nm芯片。
2023-09-01 10:43:411702 面對美國的種種制裁,華為依然能研制出性能優(yōu)異的自主芯片,這充分體現(xiàn)了公司“狼性”的企業(yè)文化和對技術(shù)的執(zhí)著追求。新芯片采用了7nm工藝,相比上一代產(chǎn)品功耗降低了20%,處理能力提升了30%。它支持全網(wǎng)通和5G雙模,可廣泛應用于各種智能終端。
2023-08-31 18:09:073774 除了中興通訊和華為之外，國內(nèi)還有其他擁有自研芯片設(shè)計和開發(fā)能力的公司。例如，小米旗下的松果電子于2017年發(fā)布了其首款自研芯片澎湃S1。雖然與7nm芯片相比，澎湃S1采用的制造工藝是10nm或14nm，但這一成果仍然顯示了松果電子在芯片設(shè)計和開發(fā)領(lǐng)域的實力。
2023-08-30 17:11:309496 上海新陽在集成電路制造用清洗劑產(chǎn)品方面，28nm干法蝕刻液產(chǎn)品規(guī)模化做了大量生產(chǎn)，14nm技術(shù)切入點后干法蝕刻艘后世額也實現(xiàn)了批量生產(chǎn)和銷售，公司的干法蝕刻液產(chǎn)品已經(jīng)14nm后以上技術(shù)切入點的禮儀
2023-08-28 10:59:43345 有哪些。 1.制造工藝 首先，我們來看一下它們的制造工藝。天璣1100采用了聯(lián)發(fā)科最新的6nm制造工藝，而驍龍660采用了14nm FinFet工藝。顯然，在這一塊天璣1100有一定的優(yōu)勢，6nm制造工藝意味著更高的性能和更低的功耗，因此天璣1100在這方面更出色。 2.CPU 再來看一
2023-08-16 11:48:201258 UV激光具有將一個完整孔的工藝步驟減至1種單獨的激光工序的能力，特別是取消了對去鉆污的需求，甚至完全可以不用這一工序，尤其是對于脈沖圖形電鍍。不需要使用侵蝕性去鉆污工序，例如對CO2激光而言，孔的形狀的粗糙度、芯吸和桶形畸變得到了改善。
2023-08-09 14:16:53258 鋰電池的生產(chǎn)迭代已經(jīng)給激光設(shè)備帶來了明確的“增量”機會，能夠抓住技術(shù)領(lǐng)先的時間窗口，以激光創(chuàng)新工藝技術(shù)與現(xiàn)有所需設(shè)備進行耦合，將形成鋰電智能裝備企業(yè)新的價值來源。
2023-08-09 10:17:27818 
根據(jù)外媒報道，據(jù)稱臺積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%。不過根據(jù)獨家條款，該公司僅向蘋果收取良品芯片的費用！
2023-08-08 15:59:27780 無論是14nm還是10nm，Intel這些年的新工藝都有一個通性：剛誕生的時候性能平平，高頻率都上不去，只能用于筆記本移動端(分別對應5代酷睿、10代酷睿)，后期才不斷成熟，比如到了13代酷睿就達到史無前例的6GHz。
2023-08-07 09:55:57734 
UV激光具有將一個完整孔的工藝步驟減至1種單獨的激光工序的能力，特別是取消了對去鉆污的需求，甚至完全可以不用這一工序，尤其是對于脈沖圖形電鍍。不需要使用侵蝕性去鉆污工序，例如對CO2激光而言，孔的形狀的粗糙度、芯吸和桶形畸變得到了改善。
2023-08-03 14:47:21323 Intel將在下半年發(fā)布的Meteor Lake酷睿Ultra處理器將首次使用Intel 4制造工藝，也就是之前的7nm，但是Intel認為它能達到4nm級別的水平，所以改了名字。
2023-08-01 09:41:50561 如果工藝制程繼續(xù)按照摩爾定律所說的以指數(shù)級的速度縮小特征尺寸，會遇到兩個阻礙，首先是經(jīng)濟學的阻礙，其次是物理學的阻礙。 經(jīng)濟學的阻礙是，隨著特征尺寸縮小，由于工藝的復雜性設(shè)計規(guī)則的復雜度迅速增大，導致芯片的成本迅速上升。
2023-07-31 10:41:15710 
近幾年，芯片產(chǎn)業(yè)越來越火熱，一些行業(yè)內(nèi)的術(shù)語大家也聽得比較多了。那么工藝節(jié)點、制程是什么，"7nm" 、"5nm"又是指什么？
2023-07-28 17:34:335639 
金航標kinghelm薩科微slkor一直在學習華為的狼性營銷。宋仕強先生說，在搞好新材料新工藝新產(chǎn)品和國產(chǎn)替代產(chǎn)品研發(fā)的同時，對外還積極做好品牌kinghelm、slkor建設(shè)和下游代理商渠道
2023-07-21 09:33:55250 
英特爾獨立運作代工部門IFS后，將向三方開放芯片制造加工服務，可能是為了吸引客戶，英特爾日前發(fā)布了全新的16nm制程工藝。
2023-07-15 11:32:58757 BCR20PM-14LJ 數(shù)據(jù)表
2023-07-14 11:35:11
0 電池保護IC（Integrated Circuit）的納米工藝并沒有固定的規(guī)定或標準。電池保護IC的制造工藝通常與集成電路制造工藝一樣，采用從較大的微米級工藝（如180nm、90nm、65nm等）逐漸進化到更先進的納米級工藝（如45nm、28nm、14nm等）。
2023-07-11 15:42:371171 
BCR20FM-14LJ 數(shù)據(jù)表
2023-07-07 18:37:190 BCR20FM-14RA 數(shù)據(jù)表
2023-07-05 19:52:570 國產(chǎn)劃片機確實開創(chuàng)了半導體芯片切割的新工藝時代。劃片機是一種用于切割和劃分半導體芯片的設(shè)備，它是半導體制造過程中非常重要的一環(huán)。在過去，劃片機技術(shù)一直被國外廠商所壟斷，國內(nèi)半導體制造企業(yè)不得不
2023-07-03 17:51:46479 
隨著工藝節(jié)點的不斷發(fā)展（現(xiàn)在普遍是28nm,22nm,16nm,14nm,甚至有的都在做7nm）,芯片的性能需求越來越高，規(guī)模也越來越大
2023-06-29 15:24:111741 
01塞孔技術(shù)的突破Science&Technology由于過往企業(yè)一直采用傳統(tǒng)的塞孔技術(shù)導致當前電路板在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生了很多問題，其中比較嚴峻的問題在于對位&換料號操作時間長。因為塞孔不標準，有的塞不好不穩(wěn)定，塞孔精度達不到，塞小孔無法實現(xiàn)塞滿塞實，塞孔油墨濃度低導致烤板時間加長，有的3小時以上，并且由于塞孔油墨濃度低，烘烤時容易造成透光、冒油、拉裂等現(xiàn)象直
2023-06-27 10:07:38738 
盡管英特爾的第14代酷睿尚未發(fā)布，但第15代酷睿（代號Arrow Lake）已經(jīng)曝光。新的酷睿系列產(chǎn)品將改為酷睿Ultra系列，并使用臺積電的3nm工藝，預計會有顯著的性能提升。
2023-06-20 17:48:571100 NM1200 UART1可以使用嗎？官方BSP庫文件里面沒有P14-RXD和P15-TXD的功能配置
只有對Uart1的一些寄存器配置，數(shù)據(jù)手冊明確指出P14和P15 可以配置為Uart1，
2023-06-19 08:05:56
據(jù)《經(jīng)濟日報》報道，芯片測試設(shè)備制造企業(yè)穎崴科技6月14日在高雄舉行了高雄第二工廠竣工儀式。公司方面表示：“為生產(chǎn)用于半導體測試的探針芯片，將于今年年底在臺元科技園區(qū)建設(shè)新工廠。將擴大現(xiàn)有生產(chǎn)能力?！崩^新工廠啟動之后，預計明年將以探針卡業(yè)績加倍為目標。
2023-06-15 10:31:42633 跪求新唐NM1200和NM1330詳細的數(shù)據(jù)手冊
2023-06-15 08:57:31
目前，在半導體業(yè)界，14納米以下的工程設(shè)備被嚴格切斷，因此smic很難購買設(shè)備突破這一工程。再加上國產(chǎn)設(shè)備短時間內(nèi)無法達到這種水平，因此smic決定放慢速度，不再急于追求先進技術(shù)。
2023-06-12 09:25:511302 的基礎(chǔ)上，實現(xiàn)了國內(nèi)14nm 晶圓芯片零的突破，并在梁孟松等專家的帶領(lǐng)下，向著更加先進的芯片制程發(fā)起沖鋒。 然而，最近在中芯國際的公司官網(wǎng)上，有關(guān)于14nm芯片制程的工藝介紹，已經(jīng)全部下架，這讓很多人心存疑惑，作為自家最為先進的
2023-06-06 15:34:2117913 電極一直是另一個傳統(tǒng)的厚膜技術(shù)應用市場。厚膜的主要優(yōu)點之一是它是一種加成工藝，其中各種導體、電阻器和電介質(zhì)漿料被絲網(wǎng)印刷、燒制或連續(xù)固化，從而形成電路。這是一種具有加工效率的電路制造方式：圖案化的絲網(wǎng)相對容易制造
2023-06-06 12:03:281109 
在探討半導體行業(yè)時，我們經(jīng)常會聽到兩個概念：晶圓尺寸和工藝節(jié)點。本文將為您解析8寸晶圓以及5nm工藝這兩個重要的概念。
2023-06-06 10:44:001420 
處理器核，基于 Chisel 硬件設(shè)計語言實現(xiàn)，支持 RV64GC 指令集?！澳虾?采用中芯國際 14nm 工藝制造，目標頻率是 2GHz，SPECCPU 分值達到 10 分 / GHz，支持
2023-06-05 11:51:36
，ARMCortex-A53(64-bit)主處理單元主頻高達1.6GHz，ARMCortex-M7實時處理單元主頻高達800MHz。處理器采用14nm最新工藝，內(nèi)置2.3TOPS算力NPU神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元、雙路獨立ISP圖像
2023-06-01 21:46:371 明尼蘇達雙城大學的研究人員與美國國家標準與技術(shù)研究院(NIST)的一個團隊一起開發(fā)了一種制造自旋電子器件的突破性工藝，該工藝有可能成為構(gòu)成計算機、智能手機和許多其他電子產(chǎn)品的半導體芯片的新行業(yè)標準。該新工藝將允許制造更快、更高效的自旋電子器件，而且這些器件可以比以往任何時候都更小。
2023-05-29 16:59:33383 
有據(jù)可查的是，與平面晶體管相比，從16nm/14nm開始的FinFET技術(shù)大大增加了必須提取的寄生值的數(shù)量。這些類似3D架構(gòu)的鰭片會產(chǎn)生許多電容值，必須提取這些電容值才能準確模擬電氣行為，并最終
2023-05-25 14:23:56234 
SPC5644的wafer有多少nm？
2023-05-25 08:46:07
14nm、10nm、4……Intel近幾年的制造工藝，每次首秀都不太順利，頻率和性能不達標，只能用于移動版，優(yōu)化個一兩年才能上桌面，然后性能又非常好。
2023-05-24 11:33:42985 
西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前在臺積電2023北美技術(shù)論壇上宣布一系列最新工藝認證。作為臺積電的長期合作伙伴，此次認證是雙方精誠合作的關(guān)鍵成就，將進一步實現(xiàn)西門子EDA技術(shù)對臺積電最新制程的全面支持。
2023-05-16 11:30:30596 3nm到底能不能上也存疑，DT稱蘋果包下了今年臺積電90%的3nm產(chǎn)能，這意味著留給AMD備貨的空間非常有限。更早的一則爆料指出，在整個2024年，AMD都只有4nm。
2023-05-16 10:06:371521 
Intel將于6月11日至16日舉辦的VLSI Symposium 2023研討會上，首次展示PowerVia技術(shù)。有關(guān)信息顯示,Intel的20A工藝將引入PowerVia背部供電和RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管等全新技術(shù)。
2023-05-10 15:07:51345 
1300NM
金屬封裝工藝是指采用金屬外殼作為封裝殼體或底座，在其內(nèi)部安裝芯片或基板并進行鍵合連接，外引線通過金屬-玻璃（或陶瓷）組裝工藝穿過金屬外殼，將內(nèi)部元件的功能引出、外部電源信號等輸人的一種電子
2023-05-09 11:23:07
隨著政策扶植、智能化技術(shù)、高性能磁性材料和新工藝的發(fā)展，BLDC電機市場增量空間將被有力推動，滲透率有望加速提高。 前言 隨著全球?qū)τ诃h(huán)保和能源效率的要求越來越高，BLDC電機作為一種高效、環(huán)保
2023-05-08 15:52:44510 
研究團隊聚焦集成電路領(lǐng)域“卡脖子”技術(shù)，研發(fā)了一種可以應用于高端電子產(chǎn)品、適應5G通信高頻高速信號傳輸速率，且具有自主知識產(chǎn)權(quán)的PCB高精密表面修飾新工藝。
2023-04-25 10:49:37362 
4月14日，為充分發(fā)揮勞模和工匠人才、工會先進集體和個人示范引領(lǐng)作用，樹立典型、鼓勵先進，全面推進福田區(qū)勞模和工匠人才創(chuàng)新工作室創(chuàng)建和福田區(qū)工會組織建設(shè)工作，深圳市福田區(qū)2023年勞模和工匠人才創(chuàng)新工
2023-04-21 15:39:27
4月14日，為充分發(fā)揮勞模和工匠人才、工會先進集體和個人示范引領(lǐng)作用，樹立典型、鼓勵先進，全面推進福田區(qū)勞模和工匠人才創(chuàng)新工作室創(chuàng)建和福田區(qū)工會組織建設(shè)工作，深圳市福田區(qū)2023年勞模和工匠人才創(chuàng)新工
2023-04-21 15:30:39
據(jù)麥姆斯咨詢報道，德國Plan Optik公司和4JET microtech公司合作開發(fā)了一條高生產(chǎn)率的玻璃通孔（TGV）金屬化制造工藝鏈。
2023-04-20 09:09:01943 以上工藝所需EDA工具，基本實現(xiàn)了14nm以上EDA工具國產(chǎn)化！在2023年將完成對14nm以上EDA工具的全面驗證！ 近來不僅是華為，國產(chǎn)EDA龍頭華大九天也是好消息不斷！ 好消息！華大九天部分數(shù)字工具支持5nm并且已經(jīng)開始商業(yè)化。可以在文末翻看筆者之前分享的文
2023-04-20 03:00:575418 臺積電的16nm有多個版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)（16FFC）。
2023-04-14 10:58:15636 搞定2nm工藝需要至少3方面的突破，一個是技術(shù)，一個是資金，一個是市場，在技術(shù)上日本是指望跟美國的IBM公司合作，后者前兩年就演示過2nm工藝，但IBM的2nm工藝還停留在實驗室級別，距離量產(chǎn)要很遠。
2023-04-14 10:24:55507 BCR20PM-14LJ 數(shù)據(jù)表
2023-04-04 18:41:470 其實就目前的情況（截止2022年）而言，現(xiàn)實和他們想的相反，在很多軍工領(lǐng)域，我國現(xiàn)役軍備里的芯片反而比美帝要先進，實際情況大概率是美國戰(zhàn)斗機用90nm芯片，我國用45nm。
2023-03-31 09:41:024408 設(shè)計EDA工具團隊聯(lián)合國內(nèi)EDA企業(yè)，共同打造了14nm以上工藝所需EDA工具，基本實現(xiàn)了14nm以上EDA工具國產(chǎn)化，預計2023年將完成對其全面驗證。 此外，華為的MetaERP將會完全用自己的操作系統(tǒng)、數(shù)據(jù)庫、編譯器和語言，做出自己的管理系統(tǒng)MetaERP軟件。 美國芯片法案限制
2023-03-27 16:27:184778 華為終端 BG COO 何剛在發(fā)布會后的采訪表示，華為這幾年克服了很多困難。隨著各項供應恢復穩(wěn)定，華為產(chǎn)品發(fā)布的節(jié)奏也終于回歸正常。
2023-03-27 11:23:51865 
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