DN430-8A低壓，薄型DC / DC模塊穩(wěn)壓器，9mm x 15mm封裝，重量?jī)H為1g
2019-08-21 13:04:09
用于它們的負(fù)載點(diǎn)（POL）設(shè)計(jì)。當(dāng)適應(yīng)控制器和外部MOSFET時(shí)，這些應(yīng)用極大地限制了主板空間。MOSFET和封裝技術(shù)的進(jìn)步使得TI能夠成功應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。諸如TI 2.x NexFET?功率
2019-07-31 04:45:11
與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等
2018-12-28 15:44:03
，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOSFET、PMOSFET、nMOSFET、pMOSFET等?！ 」ぷ髟恚骸 ∫乖鰪?qiáng)型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓及在D、S之間加正電壓VDS，則產(chǎn)生正向工作電流
2020-07-06 11:28:15
本帖最后由 mtss 于 2015-11-11 09:50 編輯
論壇的大神們好，我現(xiàn)在需要設(shè)計(jì)一款4MHz的E型功放，要求100V,1mA。請(qǐng)問(wèn)，需要什么型號(hào)的MOSFET芯片和MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片。對(duì)這個(gè)不太了解，求大神們幫助。多謝了。
2015-10-22 11:41:26
，其回路由MOSFET漏極寄生電感Ld（包括MOSFET封裝電感以及PCB布線等效電感）, MOSFET結(jié)電容Cgd, MOSFET門(mén)極電感Lg（包括MOSFET封裝電感以及PCB布線等效電感
2018-12-10 10:04:29
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06:28
誰(shuí)來(lái)闡述一下mosfet是電壓型器件嗎
2019-10-25 15:58:03
Package 四方扁平封裝 TQFP ：Thin Quad Flat Package 薄型四方扁平封裝 PQFP ：Plastic Quad Flat Package 塑料方型扁平封裝 MQFP
2012-09-08 16:58:53
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開(kāi)關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個(gè)解決方案將源極連接分為兩個(gè)電流路徑；一個(gè)用于
2018-10-08 15:19:33
MIKROE-2551，Tamper CLICK Board配備SDS001，一種薄型側(cè)向驅(qū)動(dòng)檢測(cè)開(kāi)關(guān)。這是一種高質(zhì)量，低電流檢測(cè)開(kāi)關(guān)，采用按鈕形式設(shè)計(jì)。開(kāi)關(guān)本身非常小 - 行程長(zhǎng)度僅為2mm，加上
2020-04-26 06:14:16
工藝和臺(tái)積電16nm工藝二個(gè)版本、哪個(gè)版本更先進(jìn)的激烈的爭(zhēng)論。這里的工藝尺寸，通常是指集成電路的最小線寬，那么在集成電路的內(nèi)部，最小的線寬是指哪一個(gè)幾何尺寸呢？在集成電路的內(nèi)部，最小的功能單元是平面
2017-01-06 14:46:20
霍尼韋爾 發(fā)布其最小的力傳感器，F(xiàn)SS-SMT系列是一種薄型的表面組裝器件，可用于印刷電路板（PCB）自動(dòng)裝配生產(chǎn)線上，免除手工釬焊并有利于減少組裝成本。在乎成本的用戶將會(huì)被FSS-SMT系列所
2018-11-16 15:49:16
=10V)，導(dǎo)電損耗可比同類解決方案減少30%。 單個(gè)采用SO-8封裝的IRF6648，性能可與兩個(gè)并聯(lián)的同類增強(qiáng)型SO-8器件相媲美。IRF6648最適用于電信及網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器
2018-11-26 16:09:23
和卓越的電壓調(diào)節(jié)。 據(jù)了解，Linear的LT3840集成的降壓-升壓
型穩(wěn)壓器可產(chǎn)生7.5V
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)，以保持在2.5V至60V輸入電壓范圍內(nèi)提供高效率柵極驅(qū)動(dòng)，抵御高壓瞬態(tài)并在汽車?yán)滠?/div>
2018-09-27 15:19:03
Multisim10.0元件庫(kù)沒(méi)P溝道耗盡型MOSFET管，為什么，我其他幾種都找到了結(jié)型FET增強(qiáng)型FET，耗盡型沒(méi)P的啊
2012-11-03 10:45:54
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門(mén)電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
、售前服務(wù)及服務(wù)，給用戶提供最優(yōu)質(zhì)最具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品以及最人性化最貼心的服務(wù)。一、概述OC5860 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5860在 5.5-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)
2020-05-11 11:42:56
本帖最后由 夜孤影 于 2019-2-2 16:25 編輯
如題所示，我設(shè)計(jì)了一個(gè)用P型，N型mosfet管來(lái)控制電機(jī)的的電路，但是在我實(shí)際所搭的電路中，N型MOSFET管控制正常，G端高電平
2019-02-02 16:24:33
終端設(shè)備的小型，薄型化厚度可調(diào)的薄型封裝設(shè)計(jì)從而確保電路板設(shè)計(jì)的自由度 可替代進(jìn)口品牌型號(hào)：PCM40N12ERss:2mohm 替代：FCAB21490L EFC2K103NUZ AOC3860
2019-07-31 10:45:31
并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MOSFET應(yīng)用中，采用增強(qiáng)型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個(gè)組件代替一個(gè)并聯(lián)的組件對(duì)。這樣，通過(guò)簡(jiǎn)化布局和降低電路匹配挑戰(zhàn)能夠簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。其它優(yōu)勢(shì)還包括
2018-09-12 15:14:20
、P溝道增強(qiáng)型MOSFETP溝道增強(qiáng)型MOSFET采用輕摻雜N襯底進(jìn)行簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)。在這里，兩種重?fù)诫s的P型材料通過(guò)一定溝道長(zhǎng)度分開(kāi)，薄二氧化硅層沉積在通常稱為介電層的基板上。在P溝道增強(qiáng)型MOSFET中
2022-09-27 08:00:00
塑料薄型細(xì)間距球柵陣列封裝; 80 balls
2022-12-06 07:31:08
塑料薄型四角扁包裝; 80 leads; 14 x 14 x 1.4mm
2022-12-06 06:12:02
塑料薄型四角扁包裝; 100 leads; 14 x 14 x 1.4mm
2022-12-06 06:16:05
塑料薄型四角扁包裝; 208 leads; 20 x 20 x 1.4mm
2022-12-06 07:01:06
塑料薄型四角扁包裝; 144 leads; 20 x 20 x 1.4mm
2022-12-06 06:11:34
塑料薄型方形扁包裝; 144 leads;20 x 20 x 1.4mm
2022-12-06 07:09:20
薄型細(xì)間距球柵陣列封裝;180 balls
2022-12-06 07:49:05
塑料薄型球柵陣列封裝; 256 balls;17 x 17 x 1mm
2022-12-06 06:31:57
塑料薄型細(xì)間距球柵陣列封裝; 100 balls;9 x 9 x 0.7mm
2022-12-06 07:01:54
塑料薄型細(xì)間距球柵陣列封裝; 208 balls; 15 x 15 x 0.7mm
2022-12-06 06:30:21
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
產(chǎn)品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實(shí)際應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進(jìn)一步降低器件的開(kāi)關(guān)損耗，也更有利于分立器件的驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 16:14:19
廣泛，b型u***插座技術(shù)參數(shù)及應(yīng)用范圍是小編有提到過(guò)的，今天主要是針對(duì)a型u***插座封裝和a型u***插座封裝尺寸進(jìn)行解析?！ 型u***插座封裝-a型u***插座引腳功能 引腳序列號(hào)功能名典
2016-06-08 16:01:04
本帖最后由 暗星歸來(lái) 于 2016-9-6 12:53 編輯
如題，因?yàn)橐獙?duì)電池進(jìn)行管理，對(duì)充電過(guò)程和放電過(guò)程控制其何時(shí)開(kāi)始充電、停止充電、何時(shí)放電、何時(shí)停止放電，所以用兩個(gè)N溝道增強(qiáng)型
2016-09-06 12:51:58
DN211- 低成本，高效率30A薄型多相轉(zhuǎn)換器
2019-06-11 16:45:26
我實(shí)際搭了一個(gè)N型的MOSFET FDS9945管來(lái)試驗(yàn)他的性能，結(jié)果發(fā)現(xiàn)光耦PC817 IN2腳不管是高電平還是低電平，N型mosfet的2腳都是高電平，實(shí)測(cè)通過(guò)IO口給IN2高電平信號(hào)，IN2
2019-02-12 17:12:04
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
有沒(méi)有XDJM可以講講關(guān)于MOSFET損壞的知識(shí)，例如損壞類型（短路，斷路等），如何測(cè)定MOSFET是損壞的，有沒(méi)有什么樣的電路可以自定探測(cè)到MOSFET已損壞等等，多謝??！講n-MOSFET，增強(qiáng)型就行。
2009-07-02 04:08:59
OC5862歐創(chuàng)芯0.8A，60V 降壓型轉(zhuǎn)換器Q Q 289 271 5427OC5862 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 的單片降壓型開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5862 在 5.5-60V 寬輸入電源
2020-05-08 21:47:07
通過(guò)PCB散熱。所以PCB的D-PAK焊盤(pán)有三處，漏極(D)焊盤(pán)較大?！ OT封裝 SOT(SmallOut-LineTransistor)小外形晶體管封裝。這種封裝就是貼片型小功率晶體管封裝，比
2018-11-14 14:51:03
產(chǎn)品。SOT-23／89／143是表面貼裝SMT初行時(shí)業(yè)界的主要封裝變革范例，現(xiàn)在這類封裝已被尺寸更小巧、熱特性更佳的新型SOT、薄型小外形封裝TSOP、薄型微縮小外形封裝TSSOP、微縮小外形封裝
2018-08-29 10:20:50
`目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來(lái)越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過(guò)在更小尺寸
2013-12-23 11:55:35
1 橫向雙擴(kuò)散型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為
2016-10-10 10:58:30
知道嗎？關(guān)于MOSFET的器件選型要考慮方方面面的因素，小到選N型還是P型、封裝類型，大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等，不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化，下面這篇文章總結(jié)了MOSFET器件選型的10步法則，相信
2019-04-04 06:30:00
電路圖顯示LT1766是高壓降壓穩(wěn)壓器，為FireWire外設(shè)提供高電流，薄型電源解決方案。每個(gè)外設(shè)必須包含一個(gè)內(nèi)部DC / DC轉(zhuǎn)換器，以將總線8V至40V輸入轉(zhuǎn)換為5V或3.3V輸出
2020-07-29 09:09:10
電路圖顯示LT3430是高壓降壓穩(wěn)壓器，為FireWire外設(shè)提供高電流，薄型電源解決方案。每個(gè)外設(shè)必須包含一個(gè)內(nèi)部DC / DC轉(zhuǎn)換器，以將總線8V至40V輸入轉(zhuǎn)換為5V或3.3V輸出
2020-07-29 07:13:30
這是我設(shè)計(jì)的一個(gè)單片機(jī)驅(qū)動(dòng)光耦控制電機(jī)轉(zhuǎn)停的電路，大家看下電路設(shè)計(jì)對(duì)嗎？單片機(jī)在光耦驅(qū)動(dòng)位拉高引腳，輸出24V，fds9958是P型MOSFET，fds9945是n型MOSFET，fds9958 S
2018-04-24 13:09:52
使用小尺寸、引腳式SOT-23薄型多路復(fù)用器克服最后時(shí)刻的需求變化
2020-12-31 06:31:51
。功率 MOSFET 的分類及優(yōu)缺點(diǎn)和小功率 MOSFET 類似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類；每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強(qiáng)型有不少的優(yōu)勢(shì)，但實(shí)際上
2019-11-17 08:00:00
如何采用D型和E型金剛石型MOSFET開(kāi)發(fā)邏輯電路？
2021-06-15 07:20:40
封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步推進(jìn)了小信號(hào)MOSFET的微型化。 亞芯片級(jí)封裝 XLLGA封裝在封裝底部提供可焊接的金屬觸點(diǎn)（類似于DFN型封裝），采用創(chuàng)新的內(nèi)部設(shè)計(jì)，使整體封裝尺寸小于任何類似芯片級(jí)封裝
2018-09-29 16:50:56
型化。其中，要求MOSFET更加小型、大電流化。ROHM這次開(kāi)發(fā)成功的MPT6 Dual（2元件）系列產(chǎn)品將2個(gè)元件裝入MPT6型封裝（4540規(guī)格尺寸：4.5×4.0×1.0mm）中，得到與原來(lái)
2018-08-24 16:56:26
Package的縮寫(xiě)，即小外形封裝?！OP封裝技術(shù)由1968～1969年菲利浦公司開(kāi)發(fā)成功，以后逐漸派生出：SOJ，J型引腳小外形封裝TSOP，薄小外形封裝VSOP，甚小外形封裝SSOP，縮小
2020-02-24 09:45:22
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問(wèn)題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時(shí)候，而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
陳列引腳封裝PGA(pin grid array)為插裝型封裝，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列,引腳長(zhǎng)約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長(zhǎng)度從1.5mm到2.0mm
2018-09-11 15:19:56
出了SOP小外型封裝，以后逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形晶體管）、SOIC
2009-09-21 18:02:14
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動(dòng)更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
、TO92）封裝發(fā)展到了雙列直插封裝，隨后由PHILIP公司開(kāi)發(fā)出了SOP小外型封裝，以后逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP
2018-12-07 09:54:07
DN285- 經(jīng)濟(jì)高效，薄型，高效42A電源為AM??D Hammer處理器提供動(dòng)力
2019-07-22 12:15:57
，將其電能傳送至二次側(cè)。Q1在ON時(shí)Ids流動(dòng)，但因?yàn)椴⒎菬o(wú)限制流動(dòng)，是故利用R8檢測(cè)電流并加以限制。請(qǐng)參照“絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì)”項(xiàng)中的整體電路內(nèi)容。MOSFET Q1的選定首先，要先理解只有
2018-11-27 16:58:28
和濾波器等模擬電路。MOSFET的設(shè)計(jì)主要是為了克服FET的缺點(diǎn)，例如高漏極電阻、中等輸入阻抗和運(yùn)行緩慢。按照形式劃分，MOSFET有增強(qiáng)型和耗盡型兩種。在本文中，小編簡(jiǎn)單介紹下耗盡型MOSFET類型
2022-09-13 08:00:00
SMPS的輸入電壓工作范圍有限。或者，可以采用基于耗盡模式MOSFET的方法，如圖4所示。耗盡型 MOSFET 提供 PWM IC 啟動(dòng)操作所需的初始電流。在啟動(dòng)階段之后，輔助繞組將為PWM IC產(chǎn)生
2023-02-21 15:46:31
的MOSFET設(shè)計(jì)了一種商標(biāo)CoolMOS，這種結(jié)構(gòu)從學(xué)術(shù)上來(lái)說(shuō)，通常稱為超結(jié)型功率MOSFET。圖3：內(nèi)建橫向電場(chǎng)的SuperJunction結(jié)構(gòu)垂直導(dǎo)電N+區(qū)夾在兩邊的P區(qū)中間，當(dāng)MOS關(guān)斷
2018-10-17 16:43:26
具有所需特性及功用同時(shí)還支持消費(fèi)者如今希冀的纖薄時(shí)髦型設(shè)計(jì)的器件?！薄 ⌒碌腘TNS3193NZ和NTNS3A91PZ被以為是業(yè)界最緊湊的小信號(hào)MOSFET，由于它們采用極小
2012-12-07 15:52:50
DN287- 高壓降壓穩(wěn)壓器為FireWire外設(shè)提供高電流，薄型電源解決方案
2019-06-28 09:23:28
MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無(wú)鉛型Zetex 新款無(wú)鉛型 MOSFET 將占位面積減半模擬信號(hào)處理及功率管理方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02
484 FDMA1024NZ 有效延長(zhǎng)電池壽命的MicroFET MOSFET
專業(yè)提供可提升能效的高性能產(chǎn)品全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Fairchild Semiconductor 推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 雙N溝道和單N溝
2009-05-08 10:16:54762 飛兆半導(dǎo)體MicroFET™采用薄型封裝
飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本，幫助設(shè)計(jì)人員提升其設(shè)計(jì)性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計(jì)工
2009-11-21 08:58:55441 主板MOSFET的封裝技術(shù)圖解大全
主板的供電一直是廠商和用戶關(guān)注的焦點(diǎn)，視線從供電相數(shù)開(kāi)始向MOSFET器件轉(zhuǎn)移。這是
2010-03-04 11:47:447714 超緊湊薄型封裝的MicroFET MOSFET產(chǎn)品系列
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為滿足便攜產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員不斷尋求效率更高、外形更小更薄的解決方案的
2010-05-11 17:55:27738 用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:18951 滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET
2012-08-29 14:52:06771 
用源極引腳的 4 引腳封裝，改善了開(kāi)關(guān)特性，使開(kāi)關(guān)損耗可以降低 35%左右。此次，針對(duì) SiC MOSFET 采用 4 引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了 ROHM 株式會(huì)社的應(yīng)用工程師。
2020-11-25 10:56:00
30 allegro封裝庫(kù)進(jìn)階版本-兼容最新版分享
2022-08-24 09:41:190 MicroFET? 1.6x1.6mm 封裝的組裝指南
2022-11-14 21:08:310 MicroFET? 1.6x1.6mm 雙封裝的組裝指南
2022-11-15 20:01:500 TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點(diǎn)，已經(jīng)在電動(dòng)自行車、電動(dòng)摩托車、鋰電保護(hù)、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來(lái)取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39988 
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 
薄型化也就是其內(nèi)置設(shè)備的薄型化，在HDD主軸電機(jī)擁有全球高市場(chǎng)占有率的尼得科（日本電產(chǎn)）也通過(guò)電機(jī)的薄型化來(lái)支持筆記本電腦的升級(jí)發(fā)展。當(dāng)前，筆記本電腦中使用的HD
2022-08-23 08:59:50
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