2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:39
270 
三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22217 三星電子，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，近期在其位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠實(shí)現(xiàn)了開工率的顯著回升，從去年的低谷20-30%提升至目前的70%。這一變化不僅反映了三星電子對(duì)市場(chǎng)趨勢(shì)的敏銳洞察和快速響應(yīng)，也凸顯了中國(guó)智能手機(jī)市場(chǎng)回暖以及全球半導(dǎo)體庫(kù)存調(diào)整對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈上游的積極影響。
2024-03-14 12:32:26317 你好：
咨詢一個(gè)問題：我用STM32H743IIT6芯片，STM32CubeIDE，使用FMC驅(qū)動(dòng)NAND FLASH，NAND FLASH ID讀取正常。但是有幾個(gè)問題：
擦除完block后
2024-03-08 06:54:22
據(jù)最新報(bào)道，全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略，并計(jì)劃在本月內(nèi)將開工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場(chǎng)需求的變化和公司對(duì)于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。
2024-03-07 10:48:35263 潘建成表示，群聯(lián)當(dāng)前正面臨供應(yīng)短缺問題，若NAND閃存制造商以合理價(jià)格提供穩(wěn)定的供應(yīng)，將有助于緩解群聯(lián)的困境。他認(rèn)為，原廠擴(kuò)大產(chǎn)能，有利于維護(hù)NAND市場(chǎng)秩序，使價(jià)格合理回歸，否則過高的漲勢(shì)會(huì)打壓下游廠商需求。
2024-03-05 14:05:0481 據(jù)統(tǒng)計(jì)，鎧俠是全球第二大NAND芯片制造商，市場(chǎng)份額約為15%-20%，緊隨其后的是韓國(guó)的三星。面對(duì)之前NAND報(bào)價(jià)持續(xù)下跌的困境，鎧俠率先采取了減產(chǎn)策略，幅度達(dá)到了三成。
2024-03-05 09:23:51143 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45158 
2022年10月起，鎧俠已經(jīng)減少了在日本四日市和北上市兩家工廠的NAND晶圓投片量達(dá)30%。截至目前，鎧俠NAND生產(chǎn)已恢復(fù)至原廠產(chǎn)能的兩成左右。
2024-03-01 13:53:55159 1月23日消息，據(jù)外媒Tom’s Hardware報(bào)導(dǎo)，有市場(chǎng)人士表示，由4個(gè)或8個(gè)NAND Flash芯片組成的NAND封裝模組已經(jīng)供不應(yīng)求，特別是大容量消費(fèi)級(jí)SSD的價(jià)格或許會(huì)大幅上漲，而且預(yù)計(jì)一季度晚些時(shí)候會(huì)出現(xiàn)。
2024-01-24 17:17:23487 半年和2023年上半年的低迷市況后，NAND Flash在2023年下半年實(shí)現(xiàn)了市場(chǎng)的逆轉(zhuǎn)。合約報(bào)價(jià)開始逐季上漲，漲幅甚至高達(dá)雙位數(shù)百分比，這一強(qiáng)勁的反彈要?dú)w功于三星、美光、SK海力士和鎧俠等主要內(nèi)存制造商的共同努力減產(chǎn)，導(dǎo)致市場(chǎng)供給減少，從而推動(dòng)價(jià)
2024-01-24 15:24:53152 SD NAND可以用于存儲(chǔ)兒童歌曲、故事和學(xué)習(xí)內(nèi)容。將SD NAND涉及到電路中，孩子就可以通過玩具內(nèi)置的音頻播放器聽取不同的歌曲或故事。
2024-01-15 15:13:4485 
）和NAND（NAND Flash Memory）。 eMMC是一種嵌入式多媒體控制器，它為移動(dòng)設(shè)備（如智能手機(jī)和平板電腦）提供了一種高性能的存儲(chǔ)解決方案。它包括一個(gè)閃存控制器、一個(gè)NAND閃存芯片和一些
2024-01-08 13:51:46597 什么是SD NAND？它俗稱貼片式T卡，貼片式TF卡，貼片式SD卡，貼片式內(nèi)存卡，貼片式閃存卡，貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似，但是SD NAND和TF卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。
2024-01-06 14:35:57861 
控制、移動(dòng)設(shè)備等。在這些應(yīng)用中， SD NAND能提供高可靠性、高速讀寫、低功耗和高度集成等特點(diǎn)， 為新一代的嵌入式存儲(chǔ)解決方案引領(lǐng)市場(chǎng)趨勢(shì)。
總結(jié)
對(duì)這款產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)總結(jié)為一下幾點(diǎn)，其尺寸
2024-01-05 17:54:39
綜觀全球儲(chǔ)存型快閃記憶體（NAND Flash）市場(chǎng)排名，研調(diào)機(jī)構(gòu)Omdia報(bào)告顯示，三星以34.3%市占率位居龍頭，第二名是日商鎧俠（市占率19.5%），美國(guó)威騰電子居于第三（市占率15.9%），SK海力士排第四（市占率約15.1%）。
2024-01-04 10:35:56151 根據(jù)Omdia調(diào)查數(shù)據(jù)，全球儲(chǔ)存型快閃記憶體（NAND Flash）市場(chǎng)中，韓國(guó)三星占據(jù)34.3%的份額領(lǐng)跑，日本鎧俠緊隨其后（占比19.5%），美國(guó)威騰電子名列第三（占比15.9%），SK海力士則排行第四，擁有約15.1%的份額。
2024-01-03 09:30:02186 全球儲(chǔ)存型快閃記憶體市場(chǎng)排名中，三星以34.3%的市占率居于領(lǐng)先地位。為達(dá)到盈利目標(biāo)，NAND芯片供應(yīng)商將持續(xù)拉抬報(bào)價(jià)。
2024-01-02 17:08:09606 NAND產(chǎn)品中，同樣代表市場(chǎng)行情的256Gb TLC，第四季度單價(jià)為1.85美元左右，相比三季度上漲12％。
2023-12-26 13:54:3199 
dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003897 2023年q3，三星依然是市場(chǎng)第1位，鎧俠、美光只是銷售下滑的第2個(gè)企業(yè)。nand的銷售額維持了與q2相同的水平，約29億美元。市場(chǎng)占有率為31.4%，平均單價(jià)反彈1~3%。
2023-12-05 17:16:25654 
文章目錄
前言
1 SD NAND概述
2 代碼說明
3 記錄Log
前言
本文基于 ESP32 芯片作為主控制器，測(cè)試 SD NAND 記錄飛控 Log 功能
2023-11-30 18:16:56
NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 
：
大家好，請(qǐng)問有沒有SD卡芯片，可以直接焊接到PCB板上的。
項(xiàng)目需要保存900M以上字節(jié)，nand flash 比較貴?；蛘哂惺裁幢阋说拇鎯?chǔ)芯片提供。謝謝！
傳統(tǒng)做法無非如下幾種：
用eMMC芯片
2023-11-23 17:25:18
漫談QLC其二：扛起NAND家族重任，老四QLC
2023-11-23 09:04:41244 
目前，Marvell以自主開發(fā)或外包的方式，為掌握nand閃存ic市場(chǎng)而展開競(jìng)爭(zhēng)。因此，Marvell在企業(yè)市場(chǎng)上的運(yùn)營(yíng)受到了影響，Marvell正在縮小相關(guān)團(tuán)隊(duì)。
2023-11-17 10:28:48362 NAND FLASH，嵌入式sd卡，工業(yè)級(jí)sd卡，單片機(jī) nand flash，貼片式TF卡
2023-11-15 18:09:47219 
前言:
很感謝深圳雷龍發(fā)展有限公司為博主提供的兩片SD NAND的存儲(chǔ)芯片，在這里博主記錄一下自己的使用過程以及部分設(shè)計(jì)。
深入了解該產(chǎn)品：
拿到這個(gè)產(chǎn)品之后，我大致了解了下兩款芯片的性能
2023-11-15 18:07:57
HMC722LC3C是一個(gè)AND/NAND/OR/NOR功能，旨在支持最高13 Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率和高達(dá)13 GHz的時(shí)鐘頻率。 HMC772LC3C可輕松配置為提供以下任何邏輯功能
2023-11-06 21:57:24
SD NAND?芯片最好是要靠近host，這樣可以讓走線盡可能的短，減少干擾。
2023-11-04 11:30:40393 
三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng)，穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格，并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111214 值得注意的是，信達(dá)證券此前援引行業(yè)消息稱，近日三星向客戶公布Q4官價(jià)，MobileDRAM合約價(jià)環(huán)比漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至11%-25%；NAND Flash方面，UFS4.0漲幅約2%左右，eMCP、uMCP漲幅不等，平均漲幅20%以上，最高漲幅高達(dá)66%。
2023-11-03 15:54:34370 據(jù)多名半導(dǎo)體業(yè)界消息人士稱，三星繼本季度將nand閃存價(jià)格上調(diào)10至20%后，決定明年第一季度和第二季度也分別上調(diào)20%。三星電子正在努力穩(wěn)定nand閃存價(jià)格，試圖在明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)。
2023-11-02 10:35:01523 看到很多STM32開發(fā)板，無論是野火還是原子，或者其他的板子，都會(huì)在開發(fā)板上加各種存儲(chǔ)，SDRAM，NAND FLASH，SPI FLASH。
開發(fā)板可能是為了讓掌握這幾種存儲(chǔ)的使用；但是實(shí)際工作
2023-10-26 07:06:28
如果單片機(jī)不帶硬件操作nand flash的話，用軟件可以實(shí)現(xiàn)nand flash操作嗎？不要求速度，只要讀寫文件就可以了，請(qǐng)問怎么用單片機(jī)io模擬操作芯片
2023-10-23 06:30:34
據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應(yīng)商嚴(yán)格控制產(chǎn)出，NAND Flash第四季度合約價(jià)全面起漲，漲幅約8~13%。
2023-10-22 13:06:38724 
據(jù)報(bào)告顯示，NAND Flash的第四季度合約價(jià)全面上漲，漲幅約為8~13%。這一漲幅超出了之前的預(yù)期。TrendForce在9月11日的報(bào)告中預(yù)計(jì)，第四季度NAND Flash的均價(jià)有望持平或小幅上漲，環(huán)比漲幅約為0~5%。
2023-10-17 17:49:00981 三星決定升級(jí)西安工廠的原因大致有兩個(gè)。第一，在nand閃存市場(chǎng)尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下，在nand閃存市場(chǎng)保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導(dǎo)體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴(kuò)大。
2023-10-16 14:36:00832 三星內(nèi)部認(rèn)為當(dāng)前NAND Flash供應(yīng)價(jià)格過低，計(jì)劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅預(yù)計(jì)在10%以上。
2023-10-10 17:15:37818 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個(gè)dram和3萬個(gè)nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個(gè)dram和1萬個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
前言
嵌入式項(xiàng)目中,比較常見的存儲(chǔ)擴(kuò)展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優(yōu)缺點(diǎn),而SD NAND相對(duì)于上述方案具備很多優(yōu)勢(shì),是目前嵌入式項(xiàng)目中存儲(chǔ)擴(kuò)展方案的一個(gè)
2023-09-26 17:40:35
在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性（點(diǎn)擊查看 ），本次文章將繼續(xù)為大家?guī)黻P(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問NAND
2023-09-22 18:10:02752 
避難是在智能手機(jī)、電腦、數(shù)據(jù)中心等使用儲(chǔ)存裝置“nand閃存”的企業(yè)，由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)的需求減少，企業(yè)紛紛減產(chǎn)，因此預(yù)計(jì)到2024年以后需求才會(huì)恢復(fù)。
2023-09-22 10:13:24683 據(jù)消息人士透露，nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營(yíng)造有利的市場(chǎng)氛圍。存儲(chǔ)器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價(jià)格反彈的時(shí)間。
2023-09-20 10:19:50503 NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231904 
NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23553 
業(yè)界認(rèn)為，三星電子的減產(chǎn)可能會(huì)帶來3d nand價(jià)格上漲的效果，從而可能會(huì)改變nor、slc nand的購(gòu)買戰(zhàn)略。美國(guó)外國(guó)人認(rèn)為，slc nand和nore產(chǎn)品第四季度不會(huì)上調(diào)價(jià)格。
2023-09-11 11:35:04953 沒有SPI-Nand, NAND 無法啟動(dòng)
2023-09-06 06:24:06
Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011621 先多備些庫(kù)存，再持續(xù)觀察終端需求的變化。 NAND Wafer漲勢(shì)明確，現(xiàn)貨市場(chǎng)備貨需求增加，終端需求有待持續(xù)觀察 目前供應(yīng)端較為明朗，重虧之下原廠趨于保利潤(rùn)，堅(jiān)定通過減產(chǎn)調(diào)節(jié)庫(kù)存和控制供應(yīng)，NAND wafer相繼強(qiáng)勢(shì)拉漲，并且上游的漲價(jià)有望持續(xù)發(fā)酵。 據(jù)CFM閃
2023-09-05 16:19:52152 
不同于一季度的疲軟，可以看到在 二季度存儲(chǔ)市場(chǎng)明顯有所回暖，打破自2022年二季度以來的連續(xù)下滑，重新恢復(fù)增長(zhǎng)。 據(jù)CFM閃存市場(chǎng)分析， 2023年二季度全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增
2023-09-05 16:13:32317 
近期，受晶圓合約價(jià)格成功上漲的推動(dòng)，NAND Flash芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)部分產(chǎn)品的詢價(jià)活躍度有所上升。TrendForce報(bào)告稱，這一增長(zhǎng)主要源于8月底 NAND Flash 供應(yīng)商與中國(guó)主要模塊制造商之間的談判。
2023-09-04 10:55:37204 
請(qǐng)問，這個(gè)nand是不是會(huì)有壞塊問題？會(huì)不會(huì)出現(xiàn)無法啟動(dòng)到客戶那邊！因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">nand除了ecc，還有負(fù)載平衡，處理壞塊！文件系統(tǒng)也要求高
另外spi nand能運(yùn)行non-os嗎？可以直接燒寫程序進(jìn)去嗎？
2023-09-04 07:11:01
請(qǐng)問N9H20有沒有同時(shí)使用SD卡和NAND的范例?
我想把SD卡里面的文件拷貝到NAND里面去。
2023-09-04 06:32:06
三星業(yè)績(jī)近期表現(xiàn)非常差，三星為了增強(qiáng)NAND閃存競(jìng)爭(zhēng)力計(jì)劃在2024年升級(jí)其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。
2023-08-30 16:10:02192
應(yīng)用程序: 此樣本代碼顯示訪問外部 SPI NAND Flash 的文件 。
BSP 版本: M480 BSP CMSIS V3.03.000
硬件: M483 Nand Flash V1.0
此
2023-08-29 07:21:07
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 設(shè)備需要有歷史記錄存儲(chǔ)查詢功能，采用8M的nand flash存儲(chǔ)方案，請(qǐng)問可以用flashDB嗎？特別需要喜歡按時(shí)間戳一鍵查詢的接口。
2023-08-20 17:28:54
最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:05997 隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，在文件系統(tǒng)應(yīng)用或者多媒體數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面而言 Raw NAND 已經(jīng)不是絕對(duì)優(yōu)勢(shì)了。 最近越來越多的客 戶需要在?Serial NAND 操作文件系統(tǒng)， 并實(shí)現(xiàn)應(yīng)用代碼啟動(dòng)。小編收到
2023-08-17 08:50:01358 
三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國(guó)的平澤、華城和中國(guó)的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績(jī)中，由于市場(chǎng)持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58423 引言：并行Nand Flash是中等容量存儲(chǔ)方案的理想選擇，相比于SPI Nand Flash，性能更優(yōu)，但體積較大，使用并沒有后者廣泛，多使用在嵌入式，物聯(lián)網(wǎng)，工業(yè)等領(lǐng)域。
2023-08-11 15:50:13841 
引言：隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展，有許多具有串行外圍接口（SPI）的應(yīng)用需要更高密度的內(nèi)存解決方案來存儲(chǔ)大型程序系統(tǒng)和文件。對(duì)于這些應(yīng)用需求，基于Nand結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)解決方案提供了Serial Nand系列。
2023-08-11 15:49:011022 
一、什么是pSLC
pSLC（Pseudo-Single Level Cell）即偽SLC，是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術(shù)，現(xiàn)Nand Flash基本支持此功能，可以通過指令控制MLC
2023-08-11 10:48:34
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:47704 對(duì)NAND存儲(chǔ)器的需求不斷增長(zhǎng) 隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展，全球 NAND 市場(chǎng)正呈擴(kuò)張之勢(shì)。而由于新冠疫情的爆發(fā)，人們更多選擇遠(yuǎn)程辦公和在線課程，對(duì)數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長(zhǎng)，市場(chǎng)
2023-07-24 14:45:03424 
隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展，全球 NAND 市場(chǎng)正呈擴(kuò)張之勢(shì)。而由于新冠疫情的爆發(fā)，人們更多選擇遠(yuǎn)程辦公和在線課程，對(duì)數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長(zhǎng)
2023-07-24 14:42:48808 
盡管NAND市況持續(xù)低迷，但供應(yīng)鏈傳出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)繼第2季率先調(diào)漲報(bào)價(jià)后，近期再度提升報(bào)價(jià)約5%，坐擁中國(guó)龐大內(nèi)需消費(fèi)市場(chǎng)，享盡主場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。
2023-07-18 17:59:21797 隨著密度和成本的飛速進(jìn)步，數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此，與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351203 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:291744 閃存存儲(chǔ)設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495201 本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:325865 
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 1. 消息稱三星醞釀 NAND 存儲(chǔ)晶圓漲價(jià)，報(bào)價(jià)漸趨強(qiáng)硬 ? 據(jù)報(bào)道，三星計(jì)劃提高 NAND 晶圓價(jià)格。此外，如果消費(fèi)電子市場(chǎng)需求在下半年改善，NAND 晶圓合約報(bào)價(jià)或?qū)⒒厣?。?bào)道稱，韓國(guó)
2023-06-09 12:01:041114 
本文以具體型號(hào)為GD5F1GM7xExxG的GD的NAND為例,對(duì)SPI NAND Flash進(jìn)行介紹。不同廠家的不同型號(hào)都大同小異了解一款其他的也就都了解了。
2023-06-08 11:21:226632 
自20世紀(jì)60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門以來，各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實(shí)驗(yàn)將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器（非門）和2輸入NAND門配置。
2023-05-29 14:19:23395 
不用寫驅(qū)動(dòng)程序自帶壞塊管理的NAND Flash（貼片式TF卡），尺寸小巧，簡(jiǎn)單易用，兼容性強(qiáng)，穩(wěn)定可靠，固件可定制，LGA-8封裝，標(biāo)準(zhǔn)SDIO接口，兼容SPI/SD接口，兼容各大MCU平臺(tái)，可
2023-05-28 15:46:27
NAND門是一個(gè)邏輯門，如果其所有輸入均為真，則產(chǎn)生低輸出（0），否則產(chǎn)生高輸出（1）。因此，NAND門是AND門的反面，其電路是通過將AND門連接到NOT門來創(chuàng)建的。NAND門與 AND 門一樣，可以有任意數(shù)量的輸入探頭，但只能有一個(gè)輸出探頭。
2023-05-23 15:42:408604 
我試圖讓 RT1052 從外部 QSPI NAND 閃存 W25N01GVZEIG 啟動(dòng)。我們選擇了RT1050參考手冊(cè)中提到的這個(gè)NAND flash。我還附上了數(shù)據(jù)表。
我還使用 NXP MCU
2023-05-12 07:55:18
Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會(huì)上，除了鎧俠、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001982 
- 我的任務(wù)是找出根本原因并解決基于 imx28 的定制設(shè)計(jì)板中的問題。
- imx28 無法從 NAND 啟動(dòng)并進(jìn)入 USB 恢復(fù)模式。
- 將 NAND 閃存更改為不同的 NAND 閃存后
2023-04-27 06:50:47
?# 目的
驗(yàn)證基于SD NAND卡在正點(diǎn)原子STM32精英V2開發(fā)板上的兼容效果
實(shí)驗(yàn)材料
正點(diǎn)原子STM32精英V2開發(fā)板
TF 卡一片
SD NAND卡一片
實(shí)驗(yàn)步驟
1、打開例程【正點(diǎn)原子
2023-04-25 17:52:56
目的驗(yàn)證基于SD NAND卡在正點(diǎn)原子STM32精英V2開發(fā)板上的兼容效果實(shí)驗(yàn)材料正點(diǎn)原子STM32精英V2開發(fā)板TF 卡一片SD NAND卡一片實(shí)驗(yàn)步驟1、打開例程【正點(diǎn)原子】精英
2023-04-20 13:28:35
我正在嘗試啟動(dòng) IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動(dòng)了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
前言嵌入式項(xiàng)目中,比較常見的存儲(chǔ)擴(kuò)展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優(yōu)缺點(diǎn),而SD NAND相對(duì)于上述方案具備很多優(yōu)勢(shì),是目前嵌入式項(xiàng)目中存儲(chǔ)擴(kuò)展方案的一個(gè)非常
2023-04-18 23:03:42
中央處理器：imx6ul我正在嘗試從nand flash中讀取數(shù)據(jù)，發(fā)現(xiàn)有些數(shù)據(jù)總是固定為0xFn或0xnF，如下所示：數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤規(guī)則是每?jī)纱巫x取。第二次讀取數(shù)據(jù)中2018字節(jié)的高quad位固定
2023-04-06 06:15:15
大家好， 我們計(jì)劃在MIMXRT1062DVL6B部分的SEMC接口上使用NAND Flash。我們可以用于 NAND Flash的最大尺寸是多少？ 根據(jù)手冊(cè)，它表示支持每個(gè)區(qū)域 512Mbit
2023-03-31 07:47:22
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 我正在嘗試將 SEMC NAND 與 MCUBootutility 結(jié)合使用。該項(xiàng)目是 cm_7 blinky SDK我首先必須修改鏈接器文件，如圖所示 我在哪里可以找到這樣的表以及我還需要修改
2023-03-29 07:39:05
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng)，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
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