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標(biāo)簽 > 低導(dǎo)通電阻
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由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異,導(dǎo)致同價(jià)格的NMOS在開(kāi)通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻這些參數(shù)上均優(yōu)于PMOS,所以設(shè)計(jì)中盡量?jī)?yōu)先選擇NMOS。
2024-04-25 標(biāo)簽:電機(jī)控制導(dǎo)通電阻電源開(kāi)關(guān) 3447 0
ROHM開(kāi)發(fā)具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能,還通過(guò)采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝,實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻(Ron)*2,...
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)低導(dǎo)通電阻 406 0
芯佰微推出四個(gè)獨(dú)立可選開(kāi)關(guān)的單芯片CMOS工藝器件
CBMG713表現(xiàn)出先斷后合的切換動(dòng)作。CBMG711/CBMG712/CBMG713支持TSSOP16和SOP16封裝。
2023-04-17 標(biāo)簽:CMOS導(dǎo)通電阻低導(dǎo)通電阻 469 0
ROHM開(kāi)發(fā)出第4代SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界先進(jìn)的低導(dǎo)通電阻
ROHM于2015年世界上第一家成功地實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn),并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 標(biāo)簽:MOSFET逆變器低導(dǎo)通電阻 1984 0
TS12A44514 低導(dǎo)通電阻四路 SPST CMOS 模擬開(kāi)關(guān)
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)TS12A44514相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有TS12A44514的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,TS...
2018-08-30 標(biāo)簽:CMOS模擬開(kāi)關(guān)低導(dǎo)通電阻 743 0
具有可控接通功能的超小型、低導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22912 數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-15 標(biāo)簽:負(fù)載開(kāi)關(guān)低導(dǎo)通電阻 130 0
具有受控接通功能的超低導(dǎo)通電阻 4A集成負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22920L數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-15 標(biāo)簽:低導(dǎo)通電阻 103 0
具有受控接通功能的超小型、低導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22929D數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-15 標(biāo)簽:負(fù)載開(kāi)關(guān)低導(dǎo)通電阻 112 0
具有可控接通功能的TPS22930 超小型、低導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-15 標(biāo)簽:負(fù)載開(kāi)關(guān)低導(dǎo)通電阻 152 0
SN54CBT16244,SN7CBT16244 16位FET總線開(kāi)關(guān)立即下載
類別:電源技術(shù) 2018-05-29 標(biāo)簽:FET引腳低導(dǎo)通電阻 835 0
類別:IC中文資料 2012-05-09 標(biāo)簽:模擬開(kāi)關(guān)低導(dǎo)通電阻MAX14759 1636 0
具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
ROHM 推出“RS6xxxxBx/ RH6xxxxBx系列”共13款 Nch MOSFET*1產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V), 這...
2023-11-20 標(biāo)簽:MOSFETMOS低導(dǎo)通電阻 493 0
RS2103低導(dǎo)通電阻、低電壓、SPDT模擬開(kāi)關(guān)
原廠: 潤(rùn)石科技 型號(hào): RS2103 ? 封裝: SOT363 (SC70-6) ,SOT23-6 品類: 低導(dǎo)通電阻、低電壓、SPDT模擬開(kāi)關(guān) 應(yīng)用...
2023-04-07 標(biāo)簽:模擬開(kāi)關(guān)SPDT低導(dǎo)通電阻 809 0
ROHM開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的新一代雙極MOSFET
ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又開(kāi)發(fā)出在Nch中融入新微細(xì)工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。
2021-11-30 標(biāo)簽:MOSFET低導(dǎo)通電阻Rohm 861 0
瑞薩電子推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品
瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品,包括經(jīng)過(guò)最佳化的μPA2766T1A,做為網(wǎng)路伺服器與儲(chǔ)存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 標(biāo)簽:MOSFET低導(dǎo)通電阻瑞薩電子 1052 0
IR推出低導(dǎo)通電阻的車用功率MOSFET AUIRFR4292和AUIRFS6535
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MO...
2012-08-15 標(biāo)簽:IR低導(dǎo)通電阻功率MOSFET 1509 0
MAX14759,MAX14761,MAX14763低導(dǎo)通電阻模擬開(kāi)關(guān)
MAX14759/MAX14761/MAX14763模擬開(kāi)關(guān)允許通過(guò)超出其電源電壓擺幅的雙極性信號(hào),器件采用+3.0V至+5.5V電源供電,支持-25V...
2012-05-09 標(biāo)簽:模擬開(kāi)關(guān)低導(dǎo)通電阻MAX14759 6018 0
羅姆推出R5050DNZ0C9低導(dǎo)通電阻的功率MOS
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社面向太陽(yáng)能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場(chǎng),開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級(jí)低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET “R5050DNZ0C9” (5...
2012-05-04 標(biāo)簽:低導(dǎo)通電阻羅姆 1373 0
IR智能電源開(kāi)關(guān)為24V汽車應(yīng)用提供超低導(dǎo)通電阻
IR智能電源開(kāi)關(guān)為24V汽車應(yīng)用提供超低導(dǎo)通電阻 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)推出 AUIPS7111...
2010-03-19 標(biāo)簽:電源低導(dǎo)通電阻 1150 0
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