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光刻

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光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。

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光刻技術(shù)

柵氧化層工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，柵氧化層工藝是通過熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層，它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。

2024-11-05 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 102 0

有源區(qū)工藝的制造過程

有源區(qū)工藝是指通過刻蝕去掉非有源區(qū)的區(qū)域的硅襯底，而保留器件的有源區(qū)。

2024-10-31 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 142 0

頂層金屬工藝是指什么

頂層金屬工藝是指形成最后一層金屬互連線，頂層金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第二層金屬連接起來。頂層金屬需要作為電源走線，連接很長(zhǎng)的距離，需要比較低的電阻，需要...

2024-10-29 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 142 0

金屬層2工藝是什么

金屬層2（M2）工藝與金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線，金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第一層金屬或者第三層金屬連接起來。

2024-10-24 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 127 0

Line Edge Roughness (LER) 線邊緣粗糙度

來源：C Lighting 線邊緣粗糙度(LER) 線邊緣粗糙度（LER）指的是柵極圖案邊緣的隨機(jī)變化，即印刷圖案邊緣的粗糙度。當(dāng)最小特征尺寸減小到幾十...

2024-08-23 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體光刻 2141 0

晶圓制造工藝流程及一些常用名詞解釋

共讀好書晶圓制造工藝流程 1、表面清洗 2、初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...

2024-07-30 標(biāo)簽：光刻蝕刻晶圓制造 1224 0

激光指向穩(wěn)定在光刻系統(tǒng)應(yīng)用中的關(guān)鍵作用及其優(yōu)化方案

光刻是半導(dǎo)體制造工藝中的核心之一，極紫外光刻技術(shù)作為新一代光刻技術(shù)也處于快速發(fā)展階段。其基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐...

2024-06-27 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體激光 331 0

電子束技術(shù)的原理與應(yīng)用概覽

電子束技術(shù)在半導(dǎo)體制造行業(yè)一直是重要的應(yīng)用技術(shù)。本文就電子束技術(shù)作一個(gè)簡(jiǎn)單的圖文介紹。

2024-04-30 標(biāo)簽：光刻電子束半導(dǎo)體制造 1276 0

玻璃通孔技術(shù)研究進(jìn)展

聚焦放電主要包括兩個(gè)步驟：1) 將玻璃放在兩個(gè)電極之間，通過控制放電對(duì)玻璃局部區(qū)域進(jìn)行放電熔融；2)通過焦耳熱使玻璃內(nèi)部產(chǎn)生高應(yīng)力，引起內(nèi)部高壓和介電擊穿。

2024-04-26 標(biāo)簽：等離子光刻顯微鏡 902 0

芯片制造的21個(gè)步驟

中央處理器（CPU）是一塊超大規(guī)模的集成電路，是一臺(tái)計(jì)算機(jī)的運(yùn)算核心和控制核心。它的功能主要是解釋計(jì)算機(jī)指令以及處理計(jì)算機(jī)軟件中的數(shù)據(jù)，這也是迄今為數(shù)不...

2024-04-16 標(biāo)簽：處理器 cpu 芯片制造 564 0

光刻帖子

光刻掩膜設(shè)計(jì)與加工制造服務(wù)，請(qǐng)問可以加工二元光學(xué)器件嗎？

標(biāo)簽：光刻光學(xué)器件 208 1

國(guó)科大《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》課程分享之二：浸沒式光刻工藝缺陷種類、特征及自識(shí)別方法

標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體工藝 7317 1

光刻工藝步驟

標(biāo)簽：光刻 3897 2

光刻部分的主要機(jī)臺(tái)包括兩部分：軌道機(jī)（Tracker），用于涂膠顯影；掃描曝光機(jī)（Scanning )

標(biāo)簽：光刻 1823 0

請(qǐng)問為什么在我光刻鍍膜完之后用***剝離金屬老掉呢？

標(biāo)簽：光刻 5538 1

光刻資料下載

EUV光刻技術(shù)如何為功率半導(dǎo)體提供動(dòng)力立即下載

類別：電子資料 2023-02-15 標(biāo)簽：光刻功率半導(dǎo)體 EUV 423 0

采用DLP 3D結(jié)構(gòu)光軟件開發(fā)套件的3D打印機(jī)立即下載

類別：電子資料 2022-09-07 標(biāo)簽：光刻 dlp 3D打印機(jī) 665 0

GaAs的濕法蝕刻和光刻立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2022-06-29 標(biāo)簽：光刻蝕刻 GaAs 491 0

中芯國(guó)際RD及半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)立即下載

類別：電子資料 2021-05-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體中芯國(guó)際光刻 1417 0

五個(gè)方面剖析SIP封裝工藝，看懂SIP封裝真正用途資料下載立即下載

類別：行業(yè)軟件 2021-04-29 標(biāo)簽：封裝工藝 smt 2576 0

一文詳談波峰焊接工藝資料下載立即下載

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MEMS封裝的特點(diǎn)資料下載立即下載

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多圖，MLCC制作工藝流程資料下載立即下載

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機(jī)械制造工藝--軸類零件加工資料下載立即下載

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利用MEMS慣性感測(cè)技術(shù)實(shí)現(xiàn)變革資料下載立即下載

類別：行業(yè)軟件 2021-04-28 標(biāo)簽：封裝工藝 smt 628 0

光刻資訊

光刻掩膜和光刻模具的關(guān)系

光刻掩膜（也稱為光罩）和模具在微納加工技術(shù)中都起著重要的作用，但它們的功能和應(yīng)用有所不同。光刻掩膜版光刻掩膜版是微納加工技術(shù)中常用的光刻工藝所使用的...

2024-10-14 標(biāo)簽：光刻掩膜 171 0

光掩膜基版在光刻中的作用

想必大家都有所了解，光刻機(jī)對(duì)芯片制造的重要性，而光掩膜版又稱光罩，光掩膜等；光掩膜版是由制造商通過光刻制版工藝將電路圖刻制于基板上制作而成，主要作用體...

2024-10-09 標(biāo)簽：光刻 187 0

光刻掩膜版制作流程

光刻掩膜版的制作是一個(gè)復(fù)雜且精密的過程，涉及到多個(gè)步驟和技術(shù)。以下是小編整理的光刻掩膜版制作流程： 1. 設(shè)計(jì)與準(zhǔn)備在開始制作光刻掩膜版之前，首先需要...

2024-09-14 標(biāo)簽：光刻掩膜 464 0

芯片光刻掩膜的保存方法

光刻掩模是光的一種掩蔽模片，其作用有類似于照相的通過它，可以使它“底下“的光劑部分成光，難溶于有機(jī)藥品，一部分不感光，易溶于有機(jī)藥品，以而制得選擇擴(kuò)散所...

2024-09-04 標(biāo)簽：芯片光刻掩膜 172 0

什么是光刻掩膜版保護(hù)膜？

大家都知道掩膜版主要由基板、遮光層和保護(hù)膜組成，其中基板（主要采用玻璃基材，包括石英和蘇打兩種材質(zhì)）占直接原材料成本比重達(dá)90%。那么什么是掩膜版保...

2024-08-16 標(biāo)簽：芯片光刻保護(hù)膜 287 0

微流控光刻掩膜版的介紹及作用

微流控光刻掩膜在微流控芯片制造中扮演著至關(guān)重要的角色。它的主要作用是通過曝光和顯影等工序，將掩膜上已設(shè)計(jì)好的圖案轉(zhuǎn)移到襯底的光刻膠上，進(jìn)行圖像復(fù)制，從而...

2024-08-15 標(biāo)簽：光刻微流控掩膜 428 0

微流控光刻掩膜制作

微流控光刻掩膜的制作過程涉及多個(gè)步驟，?包括設(shè)計(jì)、?制版、?曝光、?顯影、?刻蝕等，?最終形成具有特定圖形結(jié)構(gòu)的掩膜版。? 首先，?設(shè)計(jì)階段是制作掩膜版...

2024-08-08 標(biāo)簽：光刻微流控掩膜 235 0

VCSEL激光在蝕刻和光刻中的應(yīng)用與前景

VCSEL激光在蝕刻和光刻中應(yīng)用廣泛，提高精度和效率。銀月光科技提供多波長(zhǎng)VCSEL激光器，定制化服務(wù)，助力工業(yè)生產(chǎn)高效高質(zhì)量。未來，更多種類VCSEL...

2024-08-01 標(biāo)簽：激光光刻蝕刻 338 0

SkyWater投資MEBL

來源：Silicon Semiconductor ? SkyWater位于明尼蘇達(dá)的工廠旨在擁有世界上最先進(jìn)的200毫米光刻技術(shù)。 SkyWater T...

2024-07-30 標(biāo)簽：mems 光刻 241 0

友思特應(yīng)用硅片上的光影貼合：UV-LED曝光系統(tǒng)在晶圓邊緣曝光中的高效應(yīng)用

晶圓邊緣曝光是幫助減少晶圓涂布過程中多余的光刻膠對(duì)電子器件影響的重要步驟。友思特 ALE/1 和 ALE/3 UV-LED 高性能點(diǎn)光源，作為唯一可用...

2024-07-25 標(biāo)簽：晶圓光刻 UV-LED 369 0

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AMS1117系列穩(wěn)壓器有可調(diào)版與多種固定電壓版，設(shè)計(jì)用于提供1A輸出電流且工作壓差可低至1V。在最大輸出電流時(shí)，AMS1117器件的最小壓差保證不超過1.3V，并隨負(fù)載電流的減小而逐漸降低。
電機(jī)控制芯片

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德州儀器（TI）MSP430系列超低功耗微控制器包含多種器件，它們特有面向多種應(yīng)用的不同外設(shè)集。這種架構(gòu)與5種低功耗模式相組合，專為在便攜式測(cè)量應(yīng)用中延長(zhǎng)電池使用壽命而優(yōu)化。該器件具有一個(gè)強(qiáng)大的16位 RISCCPU，16位寄存器和有助于獲得最大編碼效率的常數(shù)發(fā)生器。
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總線收發(fā)器，典型的CMOS型三態(tài)緩沖門電路，八路信號(hào)收發(fā)器，。由于單片機(jī)或CPU的數(shù)據(jù)/地址/控制總線端口都有一定的負(fù)載能力，如果負(fù)載超過其負(fù)載能力，一般應(yīng)加驅(qū)動(dòng)器。
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　　基準(zhǔn)電壓是指?jìng)鞲衅髦糜?℃的溫場(chǎng)（冰水混合物），在通以工作電流（100μA）的條件下，傳感器上的電壓值。實(shí)際上就是0點(diǎn)電壓。其表示符號(hào)為V（0），該值出廠時(shí)標(biāo)定，由于傳感器的溫度系數(shù)S相同，則只要知道基準(zhǔn)電壓值V（0），即可求知任何溫度點(diǎn)上的傳感器電壓值，而不必對(duì)傳感器進(jìn)行分度。
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MAX485是一個(gè)八引腳的RS485電平收發(fā)器（只能單工或半雙工）。內(nèi)部含有一個(gè)輸入信號(hào)接收器R、一個(gè)輸出信號(hào)驅(qū)動(dòng)器D。
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