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標簽 > 功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件簡介

  功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。功率器件有:如大功率晶體管,晶閘管,雙向晶閘管,GTO,MOSFET,IGBT.  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

功率器件百科

  功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。功率器件有:如大功率晶體管,晶閘管,雙向晶閘管,GTO,MOSFET,IGBT.  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

  做半導(dǎo)體功率器件的公司有哪些?

  中大功率IGBT:

  ABB

  Infineon

  Mitsubishi

  Semikron

  Hitachi

  Fuji

  南車株洲(收購的Dynex)

  常見的功率器件

  隨著半導(dǎo)體功率開關(guān)器件的發(fā)展與改進,降低了對電壓、電流、功率以及頻率進行控制的成本。同時,隨著集成電路、微處理器及超大規(guī)模集成電路(VLSI)在控制電路里的使用,大大提高了其控制的精度。一些常見的功率器件,如電力二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)及它們的符號和容量描述如下。本文暫不涉及它們的物理和工作特性等細節(jié)問題,有興趣的朋友可以參考其他資料。

  電力二極管

  電力二極管是具有兩個端子的PN結(jié)器件。當陽極電勢與陰極電勢之差大于器件通態(tài)壓降時,即器件處于正向偏置時,器件導(dǎo)通并傳導(dǎo)電流。器件的通態(tài)壓降一般為0.7V。當器件反向偏置時,如陽極電勢小于陰極電勢的情況,器件關(guān)斷并進入阻態(tài)。在關(guān)斷模式下,流經(jīng)二極管的電流波形如圖1所示,電流先降為零并且繼續(xù)下降,隨后上升回到零值。

  

  反向電流的存在是因為反向偏置導(dǎo)致器件中出現(xiàn)了反向恢復(fù)電荷。器件恢復(fù)阻斷能力的最小時間為;二極管的反向恢復(fù)電荷為,即圖示存在反向電流流動的區(qū)域。二極管自身除正向?qū)▔航低?,并不存在正向電壓阻斷能力。使?dǎo)通二極管關(guān)斷的唯一方式是施加反向偏置,如在陽極和陰極兩端加負電壓。需要注意的是,與其它器件不同,二極管不受低電壓信號控制。

  反向恢復(fù)時間在幾微秒到十幾微秒之間的二極管被歸為低開關(guān)頻率器件。它們主要應(yīng)用在開關(guān)時間同通態(tài)時間相比可以忽略的場合,其中開關(guān)時間包括導(dǎo)通時間和關(guān)斷時間兩部分。因此,這類二極管通常作為整流器用以將交流電整流為直流電,這樣的二極管被稱為電力二極管。電力二極管可以承受上千安培的電流和幾千伏的電壓,并且它們的開關(guān)頻率通常限制為市電的工頻頻率。

  對于需要快速開關(guān)的應(yīng)用場合,首選快恢復(fù)二極管。這類二極管的反向恢復(fù)時間僅需幾納秒,可承受幾百安培電流和幾百伏電壓,但其通態(tài)壓降為2-3V??旎謴?fù)二極管常見于電壓超過60-100V的快速開關(guān)整流器及逆變器中。而在低于60-100V的低電壓開關(guān)應(yīng)用中,可以使用肖特基二極管,其通態(tài)壓降為0.3V,因此,同電力二極管和快恢復(fù)二極管相比,肖特基二極管在電能轉(zhuǎn)換上的效率更高。

  MOSFET

  該器件是一類只需低電壓即可控制開通、關(guān)斷的場效應(yīng)晶體管,并具有30kHz到1MHz范圍的更高開關(guān)頻率。器件的容量多設(shè)計為100-200V時,可承受100A的電流;在1000V時,可承受10A的電流。這類器件在通態(tài)時的行為類似于電阻,因此可用作電流傳感器,從而在驅(qū)動系統(tǒng)中減少一個分立的電流傳感器,比如霍爾效應(yīng)電流傳感器,進而節(jié)省了成本并增強了電子封裝的緊湊性。MOSFET總是伴隨著一個反并聯(lián)的體二極管,該二極管有時也被稱作寄生二極管。體二極管并非超快速開關(guān)器件并且具有更高的電壓降。由于體二極管的緣故,MOSFET并沒有反向電壓阻斷能力。圖2為N溝道MOSFET器件的符號及其在不同柵源電壓下,漏電流與漏源電壓之間的特性曲線,通常柵源電壓值不會超過20V。為了減少開關(guān)噪聲的影響,在實際情況下,一般傾向于在柵源極間施加一個-5V左右的反向偏置電壓,這樣,為保證使器件導(dǎo)通,噪聲電壓必須大于閥值門控電壓和負偏置電壓之和。在低成本的驅(qū)動控制中,沒有條件為反向偏置門電路增加一路負邏輯電源,但許多工業(yè)驅(qū)動器卻需要這樣的保護電路。

  

  門控電壓信號以源極作為參考電位。該信號由微處理器或者數(shù)字信號處理器產(chǎn)生。一般來說,處理器不太可能具備直接驅(qū)動門極所需的電壓和電流容量。因此,在處理器的輸出及門極輸入之間需要加入電平轉(zhuǎn)換電路,使控制信號在器件導(dǎo)通瞬間具有5-15V的輸出電壓,同時具有大電流驅(qū)動能力(長達幾毫秒,根據(jù)不同應(yīng)用有所不同),這也被稱為門極驅(qū)動放大電路。由于各輸入邏輯電平信號由共同的電源供電,而各門極驅(qū)動電路連接著不同的MOSFET源極,各源極電平可能處于不同狀態(tài),所以,門極驅(qū)動放大電路同輸入邏輯電平信號之間是相互隔離的。為了產(chǎn)生隔離作用,在低電壓(《300V)時,采用單芯片光耦隔離;在小于1000V時,采用帶有高頻變壓器連接的DC-DC變換電路隔離;或者在高壓(》1000V)時;采用光纖連接進行隔離。針對不同電壓等級的各種隔離方法在實際應(yīng)用中或有體現(xiàn)。

  在門極驅(qū)動電路中,通常集成了過流、過壓及低壓保護電路。通過檢測MOSFET的漏源壓降可以獲知電流,而通過檢測變換器電路的直流輸入電壓可以提供電壓保護。這些都可以通過成本便宜的電阻進行檢測。典型的門極驅(qū)動電路如圖3所示。在很多門極驅(qū)動電路中,通過在門極信號放大電路前加入與電路,可將電流和電壓保護信號整合到門極輸入信號中。在這種情況下,需要更加注意保證的是,與電路和放大電路之間信號的延時必須非常小,以使得延時不會影響瞬間保護。目前已有單芯片封裝形式的門極驅(qū)動電路,這些芯片經(jīng)常在低電壓(《350V)變換器電路場合中使用。對于其它電壓等級,門極驅(qū)動電路幾乎都是針對某種電路特性的特殊應(yīng)用定制開發(fā)的。

  

  圖3 柵控驅(qū)動電路原理圖

  絕緣柵雙極型晶體管

  這是一類三端器件。該器件具有同MOSFET一樣理想的門控特性,并具有類似晶體管的反向電壓阻斷能力和導(dǎo)通特性,其符號如圖4。在5V的通態(tài)壓降下,目前這類器件的容量在電壓為3.3kV時,電流可以達到1.2kA;而在6.6kV時為0.6kA。并且在更小的電壓時獲得更大的電流及更小的導(dǎo)通壓降也是可行的。預(yù)測在不遠的將來,將研制出最大電流(1kA)和電壓(15kV)等級的增強型商用器件。該器件的開關(guān)頻率往往集中在20kHz。但在大功率應(yīng)用場合,出于減少開關(guān)損耗及電磁干擾等方面的考慮,往往降低其開關(guān)頻率使用。

  

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    ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片,而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
  • 米爾科技
    米爾科技
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    米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下,米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計費控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
  • 數(shù)字電子鐘
    數(shù)字電子鐘
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  • A6處理器
    A6處理器
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  • 大聯(lián)大友尚
    大聯(lián)大友尚
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  • YunOS
    YunOS
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  • OpenStack
    OpenStack
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    OpenStack是一個開源的云計算管理平臺項目,是一系列軟件開源項目的組合。由NASA(美國國家航空航天局)和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起,以Apache許可證(Apache軟件基金會發(fā)布的一個自由軟件許可證)授權(quán)的開源代碼項目。
  • MMU
    MMU
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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時稱作分頁內(nèi)存管理單元,它是一種負責處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問請求的計算機硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡單的計算機體系結(jié)構(gòu)中,負責總線的仲裁以及存儲體切換。
  • 馬云
    馬云
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  • OMAPL138
    OMAPL138
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    OMAP-L138是美國德州儀器(TI)推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ,這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點數(shù)字信號處理器 (DSP) + ARM9處理器,大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度,可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。

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jf_67121739 jf_04710643 q7q7124 xiaochi_dd 五星之光 jf_30061372 jf_71413164 sharex jf_16903376 jf_39221762 jf_67930263 歐陽懷

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