半導(dǎo)體工藝

半導(dǎo)體工藝技術(shù)：器件的制造步驟

電信號(hào)處理工業(yè)始于上個(gè)世紀(jì)初的真空管，真空管使得收音機(jī)、電視機(jī)和其他電子產(chǎn)品成為可能。它也是世界上第一臺(tái)計(jì)算機(jī)的大腦。

2024-04-28 標(biāo)簽：集成電路晶體管芯片制造 415 0

一文讀懂半導(dǎo)體工藝制程的光刻膠

光刻膠按照種類可以分為正性的、負(fù)性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時(shí)被去除，負(fù)膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。

2024-04-24 標(biāo)簽：光刻膠半導(dǎo)體工藝 2441 0

半導(dǎo)體工藝晶圓片的制備過(guò)程

先看一些晶圓的基本信息，和工藝路線。 晶圓主要尺寸有4吋，6吋硅片，目前對(duì)8吋，12吋硅片的應(yīng)用在不斷擴(kuò)大。這些直徑分別為100mm、150mm、2...

2024-04-15 標(biāo)簽：芯片制造硅片晶圓制造 1115 0

半導(dǎo)體封裝工藝面臨的挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體工藝主要是應(yīng)用微細(xì)加工技術(shù)、膜技術(shù)，把芯片及其他要素在各個(gè)區(qū)域中充分連接，如：基板、框架等區(qū)域中，有利于引出接線端子，通過(guò)可塑性絕緣介質(zhì)后灌封固定...

2024-03-01 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝半導(dǎo)體工藝 723 0

晶圓表面金屬污染：半導(dǎo)體工藝中的隱形威脅

晶圓表面的潔凈度對(duì)于后續(xù)半導(dǎo)體工藝以及產(chǎn)品合格率會(huì)造成一定程度的影響，最常見(jiàn)的主要污染包括金屬、有機(jī)物及顆粒狀粒子的殘留，而污染分析的結(jié)果可用以反應(yīng)某一...

2024-02-23 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體工藝 2087 0

詳解硅的晶面及應(yīng)用

研究人員利用硅(100)、(110)和(111)晶面的不同特性對(duì)其進(jìn)行各向異性濕法腐蝕，從而制備出不同的結(jié)構(gòu)，這是半導(dǎo)體工藝中常用的加工方法。

2024-01-11 標(biāo)簽：硅片金剛石單晶硅 1.5萬(wàn) 0

半導(dǎo)體工藝中的蝕刻工藝的選擇性

刻蝕的機(jī)制，按發(fā)生順序可概分為「反應(yīng)物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應(yīng)」、「生成物離開(kāi)表面」等過(guò)程。所以整個(gè)刻蝕，包含反應(yīng)物接近、生成物離開(kāi)的擴(kuò)散效...

2023-12-11 標(biāo)簽：集成電路印刷電路蝕刻 1061 0

半導(dǎo)體工藝極限，1nm如何實(shí)現(xiàn)？

英特爾則是認(rèn)為可以使用一種GAA FET的最新形態(tài)——堆疊式CFET場(chǎng)效應(yīng)管架構(gòu)。這種架構(gòu)的集成密度進(jìn)一步提升，將n型和p型MOS元件堆疊在一起，可以堆...

2023-12-02 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電晶體管 1419 0

淺談芯片制程工序中片內(nèi)&片間均勻性的定義和計(jì)算

均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。

2023-11-01 標(biāo)簽：晶圓光刻半導(dǎo)體工藝 2967 0

晶圓鍵合的種類和應(yīng)用

晶圓鍵合技術(shù)是將兩片不同結(jié)構(gòu)/不同材質(zhì)的晶圓，通過(guò)一定的物理方式結(jié)合的技術(shù)。晶圓鍵合技術(shù)已經(jīng)大量應(yīng)用于半導(dǎo)體器件封裝、材料及器件堆疊等多種半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。

2023-10-24 標(biāo)簽：CMOS晶圓半導(dǎo)體器件 1414 0

淺析MEMS工藝的部分關(guān)鍵技術(shù)

MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微機(jī)電系統(tǒng)）的縮寫(xiě)，具有微小的立體結(jié)構(gòu)（三維結(jié)構(gòu)），是處理各種輸入、輸出信號(hào)...

2023-10-18 標(biāo)簽：mems晶圓芯片制造 356 0

半導(dǎo)體工藝?yán)锏臐穹ɑ瘜W(xué)腐蝕

濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝?yán)锩嬲加泻苤匾囊粔K。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。

2023-08-30 標(biāo)簽：電阻器單晶硅半導(dǎo)體工藝 3431 0

使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)加速半導(dǎo)體工藝發(fā)展

虛擬DOE能夠降低硅晶圓測(cè)試成本，并成功降低DED鎢填充工藝中的空隙體積

2023-07-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝泛林集團(tuán)虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) 394 0

晶圓臨時(shí)鍵合及解鍵合工藝技術(shù)介紹

InP 材料在力學(xué)方面具有軟脆的特性，導(dǎo)致100 mm（4 英寸）InP 晶圓在化合物半導(dǎo)體工藝中有顯著的形變和碎裂的風(fēng)險(xiǎn)；同時(shí)，InP 基化合物半導(dǎo)體...

2023-06-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體工藝 1.3萬(wàn) 0

半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長(zhǎng)、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長(zhǎng)爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單...

2023-06-03 標(biāo)簽：探測(cè)器分立器件電子制造 1258 0

化學(xué)放大型光刻膠的作用原理

感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量，感光速度越快，單位時(shí)間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高，經(jīng)濟(jì)效益越好，另-方面，過(guò)快的感光速度會(huì)對(duì)引起工藝...

2023-05-25 標(biāo)簽：光刻膠半導(dǎo)體工藝 959 0

抓出半導(dǎo)體工藝中的魔鬼－晶圓表面金屬污染分析

早先對(duì)于晶圓表面金屬的濃度檢測(cè)需求為1010atoms/cm2，隨著工藝演進(jìn)，偵測(cè)極限已降至108 atoms/cm2，可以滿足此分析需求的技術(shù)以全反射...

2023-05-24 標(biāo)簽：晶圓反應(yīng)器半導(dǎo)體工藝 3468 0

半導(dǎo)體工藝設(shè)備之單晶爐工藝流程

單晶爐，全自動(dòng)直拉單晶生長(zhǎng)爐，是一種在惰性氣體（氮?dú)狻⒑鉃橹鳎┉h(huán)境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長(zhǎng)無(wú)錯(cuò)位單晶的設(shè)備。

2023-05-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝流量控制器單晶爐 7194 0