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標(biāo)簽 > 暗電流
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碲鎘汞PIN結(jié)構(gòu)雪崩器件的Ⅰ區(qū)材料晶體質(zhì)量研究
常規(guī)的碲鎘汞PIN結(jié)構(gòu)雪崩器件一般采用non-p結(jié)構(gòu),其中最為關(guān)鍵的雪崩Ⅰ區(qū)采用離子注入及推結(jié)退火的后成結(jié)工藝。
光谷實(shí)驗(yàn)室研發(fā)膠體量子點(diǎn)成像芯片,有望顛覆短波紅外市場(chǎng)
湖北光谷實(shí)驗(yàn)室近日宣布,其科研團(tuán)隊(duì)研發(fā)的膠體量子點(diǎn)成像芯片已實(shí)現(xiàn)短波紅外成像,面陣規(guī)模30萬(wàn)、盲元率低于6‰、波長(zhǎng)范圍0.4-1.7微米、暗電流密度小于...
一、案例背景 車門(mén)控制板發(fā)生暗電流偏大異常的現(xiàn)象,有持續(xù)發(fā)生的情況,初步判斷發(fā)生原因?yàn)镃3 MLCC電容開(kāi)裂。據(jù)此情況,結(jié)合本次失效樣品,對(duì)失效件進(jìn)行分...
思特威重磅推出5MP高分辨率、高幀率面陣CMOS圖像傳感器新品
隨著工業(yè)領(lǐng)域?qū)χ悄芑?、自?dòng)化的需求日益增長(zhǎng),機(jī)器視覺(jué)技術(shù)成為提高生產(chǎn)效率和質(zhì)量的重要工具。
2023-10-20 標(biāo)簽:圖像傳感器機(jī)器視覺(jué)CMOS技術(shù) 453 0
在大多數(shù)科研相機(jī)的材料中,經(jīng)常會(huì)標(biāo)注出兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù):制冷和暗電流。 圖1. 濱松高端sCMOS相機(jī)Flash 4.0 V3彩頁(yè)上的參數(shù) 針對(duì)這兩個(gè)參數(shù)大...
持續(xù)提高光子型紅外探測(cè)器的工作溫度是紅外探測(cè)技術(shù)從第3代向第4代發(fā)展過(guò)程中的一個(gè)重要方向。
簡(jiǎn)析金摻雜碲鎘汞紅外探測(cè)材料及器件技術(shù)
摘要:采用金摻雜替代作為深能級(jí)缺陷中心的汞空位,可明顯提高P型碲鎘汞材料少子壽命,進(jìn)而降低以金摻雜P型材料為吸收層n-on-p型碲鎘汞器件的暗電流,明顯...
隨著新基建概念的提出,5G 和數(shù)據(jù)中心的建設(shè)在 2020 年進(jìn)入快車道,海量的光模塊需求引領(lǐng)著行業(yè)的更新?lián)Q代,對(duì)光器件提出了更高的要求。在光通信測(cè)試領(lǐng)域...
不懼暗流涌動(dòng),和工程師分享PD暗電流的測(cè)試小技巧
來(lái)源:泰克科技 隨著新基建概念的提出,5G和數(shù)據(jù)中心的建設(shè)在2020年進(jìn)入快車道,海量的光模塊需求引領(lǐng)著行業(yè)的更新?lián)Q代,對(duì)光器件提出了更高的要求。在光通...
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