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在半導(dǎo)體和LED的制造中,需要研磨以使晶片的厚度變薄,以及拋光以使表面成為鏡面。在半導(dǎo)體器件的制造中,半導(dǎo)體制造工藝包括:(1)從晶體生長(zhǎng)開始切割和拋光...
利用循環(huán)水系統(tǒng)中的涼水塔作為加藥箱,往系統(tǒng)里面加藥,進(jìn)行自然循環(huán)。
隨著集成電路制造工藝不斷進(jìn)步,半導(dǎo)體器件的體積正變得越來越小,這也導(dǎo)致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導(dǎo)體器件的制造和性能,槽式清洗工藝已經(jīng)不能滿足需求...
一直以來,對(duì)于粒子的洗滌效果,以去除率(PRE:Particle Removal Efficiency)為指標(biāo)進(jìn)行討論。通過使用由顆粒測(cè)量?jī)x器測(cè)量的晶片...
隨著LSI集成度的顯著增加,各元件的斷面構(gòu)造從平面型向以溝槽(溝)構(gòu)造的出現(xiàn)為代表的三維構(gòu)造變遷。在以極限微細(xì)化為指向的LSI技術(shù)中,為了能夠?qū)?yīng)凹凸嚴(yán)...
半導(dǎo)體有機(jī)酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機(jī)理分析
引言 用電化學(xué)和原子力顯微鏡方法對(duì)有機(jī)酸與銅的相互作用進(jìn)行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機(jī)酸、二有機(jī)酸和三有機(jī)酸中銅的蝕刻速率...
近年來,作為取代SPM(硫酸/過氧化氫)清洗的有機(jī)物去除法,通過添加臭氧的超純水進(jìn)行的清洗受到關(guān)注,其有效性逐漸被發(fā)現(xiàn)。在該清洗法中,可以實(shí)現(xiàn)清洗工序的...
半導(dǎo)體工業(yè)中表面處理和預(yù)清洗的重要性
半導(dǎo)體工業(yè)中表面處理和預(yù)清洗的重要性是眾所周知的。為了確保良好的薄膜粘附和金屬-半導(dǎo)體接觸的低電阻,酸或堿處理后的某些溶劑或等離子體清洗對(duì)于去除有機(jī)殘留...
使用精密滾動(dòng)軸承時(shí),為了得到最高轉(zhuǎn)速和較低的溫升效果,軸承的安裝作業(yè)十分重要。
在一個(gè)行業(yè)一個(gè)產(chǎn)品某種意義上來說都有其一個(gè)特定性。要解決一個(gè)問題,我們首先要了解產(chǎn)品的來與去。就太陽能原料而言,我們從以下方面來談它的來去,就是通常我們
等離子清洗不僅可以大大提高引線框架的粘接性能和粘接強(qiáng)度,而且可以避免人為因素長(zhǎng)期接觸引線框架造成的二次污染。等離子清洗技術(shù)后,產(chǎn)品處理的結(jié)果通常通過水滴...
碳化硅(SiC)器件制造技術(shù)與硅制造有許多相似之處,但識(shí)別材料差異是否會(huì)影響清洗能力對(duì)于這個(gè)不斷發(fā)展的領(lǐng)域很有意義。材料參數(shù)差異包括擴(kuò)散系數(shù)、表面能和化...
晶片清洗和表面處理的重要性 RCA清洗過程的詳細(xì)步驟
硅集成電路(IC)的制造需要500-600個(gè)工藝步驟,這取決于器件的具體類型。在將完整的晶片切割成單個(gè)芯片之前,大多數(shù)步驟都是作為單元工藝來執(zhí)行的。大約...
使用清洗溶液實(shí)現(xiàn)蝕刻后殘留物的完全去除
我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體開發(fā)了一種新的濕法清洗配方方法,其錫蝕刻速率在室溫下超過30/min,在50°c下超過100/min。該化學(xué)品與銅和低k材料兼容,適用...
蒸發(fā)冷凝器清洗的工藝、注意事項(xiàng)及現(xiàn)場(chǎng)清洗案例
一、水垢的成因和工業(yè)清洗的意義 化學(xué)工業(yè)的生產(chǎn)過程中,由于很多方面的原因,換熱器設(shè)備等管道中都會(huì)產(chǎn)生很多如碳酸垢、結(jié)焦、油污垢、水垢、沉積物、腐蝕產(chǎn)物、...
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