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3D閃存

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3d閃存技術(shù)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)232層閃存揭秘

長(zhǎng)江存儲(chǔ)1Tb TLC芯片的存儲(chǔ)密度已達(dá)15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達(dá)19.8Gb每平方毫米，在兩種閃存類型中都無(wú)出其右者。

2023-11-02 標(biāo)簽：芯片閃存 TLC 2416 0

3d閃存帖子

3d閃存資料下載

3D閃存切換DDR 3.0技術(shù)數(shù)據(jù)表立即下載

類別：IC datasheet pdf 2022-01-18 標(biāo)簽：DDR 3D閃存 408 0

3d閃存資訊

東芝TR200SSD240G性能測(cè)試東芝的64層3DNANDSSD有多厲害

傳說(shuō)中的64層3D NAND的故事，延續(xù)了1年時(shí)間。這次巧合的機(jī)會(huì)體驗(yàn)到東芝TR200 SSD 240G。而且是東芝自主研發(fā)的3D閃存技術(shù)。是東芝首款6...

2018-10-09 標(biāo)簽：東芝 NAND SSD 1.0萬(wàn) 0

東芝存儲(chǔ)公司和西部數(shù)據(jù)公司共同慶祝位于日本四日市的 FAB 6工廠及內(nèi)存研發(fā)中心投入運(yùn)營(yíng)

2018年9月27日-北京，東芝存儲(chǔ)公司和西部數(shù)據(jù)公司(NASDAQ：WDC)日前盛大慶祝位于日本三重縣四日市的新建的半導(dǎo)體制造工廠 -Fab 6以及內(nèi)...

2018-09-30 標(biāo)簽：東芝半導(dǎo)體西部數(shù)據(jù) 5773 0

Intel第三代1TB 3D閃存單Die將升級(jí)到512Gb

在Intel第三代3D閃存固態(tài)盤我們可以知道的是，用上了 Host Memory Buffer （HMB）技術(shù)，Intel的單Die升級(jí)到了512Gb，...

2017-12-25 標(biāo)簽：intel 3d閃存 3297 0

服務(wù)器支撐閃存芯片市場(chǎng)增長(zhǎng)，上下游企業(yè)加速布局基礎(chǔ)設(shè)施、汽車新興領(lǐng)域

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）近年來(lái)，由于消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)以及汽車等終端市場(chǎng)的需求變動(dòng)，影響了閃存行業(yè)的供需變化。在技術(shù)上，閃存朝著更加先進(jìn)的工藝迭代...

2022-10-17 標(biāo)簽：閃存服務(wù)器 3D閃存 2691 0

鎧俠推出162層3D閃存：產(chǎn)能增加70%、性能提升66%

在幾大閃存原廠的主力從96層升級(jí)到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營(yíng)，推出了162層3D閃...

2021-02-19 標(biāo)簽：產(chǎn)能性能 3D閃存 2376 0

Kioxia和西部數(shù)據(jù)合作開發(fā)第六代162層3D閃存技術(shù)

Kioxia（鎧俠）和西部數(shù)據(jù)宣布，雙方合作開發(fā)了第六代162層3D閃存技術(shù)。這是兩家企業(yè)建立20年合作關(guān)系的又一里程碑，也是兩家公司迄今密度最高、最先...

2021-02-20 標(biāo)簽：CMOS 西部數(shù)據(jù)3d nand 2314 0

解讀致鈦SSD、3D NAND的故事

這是因?yàn)?，Xtacking架構(gòu)將閃存陣列的工藝和CMOS邏輯器件工藝分割隔離，從這一程度上講，利用Xtacking技術(shù)可以更容易地調(diào)整優(yōu)化閃存陣列的工藝...

2020-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 3D閃存 2030 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)國(guó)產(chǎn)高性能第三代閃存

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。

2019-09-06 標(biāo)簽：長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D閃存 1744 0

海力士發(fā)布72層256G 3D閃存芯片

蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND...

2017-04-11 標(biāo)簽：海力士存儲(chǔ)3D閃存 1602 0

東芝64層堆疊FLASH 3D閃存出貨普及TB級(jí)SSD

據(jù)外媒報(bào)道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對(duì)于上一代48層256Gb，...

2017-02-23 標(biāo)簽：東芝 SSD 3D閃存 1589 0

3d閃存數(shù)據(jù)手冊(cè)

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貿(mào)澤電子是一家全球知名的半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商，分銷1100多家品牌制造商的產(chǎn)品。貿(mào)澤電子專注于快速引入新產(chǎn)品和新技術(shù)，為設(shè)計(jì)工程師和采購(gòu)人員提供引領(lǐng)潮流的選擇。
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德國(guó)易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無(wú)線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無(wú)線國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛(ài)。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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