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FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲(chǔ)器。

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fram簡(jiǎn)介

　　FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲(chǔ)器。

　　特點(diǎn)

　　FRAM的特點(diǎn)是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數(shù)的問題；但受鐵電晶體特性制約，F(xiàn)RAM仍有最大訪問（讀）次數(shù)的限制。

　　FRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)

　　FRAM的存儲(chǔ)單元主要由電容和場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，但這個(gè)電容不是一般的電容，在它的兩個(gè)電極板中間沉淀了一層晶態(tài)的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM的每個(gè)存儲(chǔ)單元使用2個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管和2個(gè)電容，稱為“雙管雙容”（2T2C），每個(gè)存儲(chǔ)單元包括數(shù)據(jù)位和各自的參考位

fram百科

　　FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲(chǔ)器。

　　特點(diǎn)

　　FRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)

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fram知識(shí)

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FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。

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